JPS6365623A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPS6365623A JPS6365623A JP20983586A JP20983586A JPS6365623A JP S6365623 A JPS6365623 A JP S6365623A JP 20983586 A JP20983586 A JP 20983586A JP 20983586 A JP20983586 A JP 20983586A JP S6365623 A JPS6365623 A JP S6365623A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- current
- magnet
- supplied
- magnetic field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- -1 Si" Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- 229910003828 SiH3 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- OLRJXMHANKMLTD-UHFFFAOYSA-N silyl Chemical compound [SiH3] OLRJXMHANKMLTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体加工装置であるプラズマ処理装置、
特に電子サイクロトロン共鳴を用いてプラズマを発生さ
せ、広い領域にわたって基板に均一なプラズマ処理が可
能となるプラズマ処理装置に関するものである。
特に電子サイクロトロン共鳴を用いてプラズマを発生さ
せ、広い領域にわたって基板に均一なプラズマ処理が可
能となるプラズマ処理装置に関するものである。
第３図は、例えば特開昭５’７−’７９６２１号公報に
記載される従来のプラズマ処理装置を示す断面構成図で
あり、図において、（１）はプラズマ発生部、（２）は
ステージ、（３）は基板、（４）は導波管、（６）はマ
グネトロン、（６）は駆動電源、（））はマグネットで
、ソレノイドコイルよりなる、（８）はプラズマ反応部
、（９１はガス供給管、＋１０１は排気管、（＋１）は
プラズマ発生用ガラス管、（１２！ｌは直流電源である
０次に動作について説明する。
記載される従来のプラズマ処理装置を示す断面構成図で
あり、図において、（１）はプラズマ発生部、（２）は
ステージ、（３）は基板、（４）は導波管、（６）はマ
グネトロン、（６）は駆動電源、（））はマグネットで
、ソレノイドコイルよりなる、（８）はプラズマ反応部
、（９１はガス供給管、＋１０１は排気管、（＋１）は
プラズマ発生用ガラス管、（１２！ｌは直流電源である
０次に動作について説明する。
プラズマ発生部（１）は、軸方向に不均一な静磁場を発
生させるマグネット（７）と、軸方向に垂直な高周波電
場を導入する高周波導波管（４）と、プラズマ発生用ガ
ラス管（１Ｎ）とを有しており、高周波導波管（４）へ
の高周波電力の供給はマグネトロン（６）により行なわ
れ、プラズマ発生用ガラス管（１１）へのガスの供給は
ガス供給管（９）を通して行なわれるようになっている
。
生させるマグネット（７）と、軸方向に垂直な高周波電
場を導入する高周波導波管（４）と、プラズマ発生用ガ
ラス管（１Ｎ）とを有しており、高周波導波管（４）へ
の高周波電力の供給はマグネトロン（６）により行なわ
れ、プラズマ発生用ガラス管（１１）へのガスの供給は
ガス供給管（９）を通して行なわれるようになっている
。
プラズマの形成は電子サイクロトロン共鳴により行なわ
れるが、次に電子サイクロトロン共鳴について説明する
。今、軸方向（２方向とする）の不均一な静磁場の強度
をＢ （ｚ）とする。マグネトロン（５）により誦周波
導波管（４）内に供給される高周波は、その高周波の周
波数に応じて共振するように作られた形状のプラズマ発
生部（１１内に不均一な高周波電場Ｅｒｆ＠を形成する
。プラズマ発生部ｆｉｌ内で高周波電場Ｅｒｆ（２）と
電子サイクロトロン共鳴を起こす２方向の静磁場の強度
はプラズマ発生部ｆｉｌ内で第４図に示す領域である。
れるが、次に電子サイクロトロン共鳴について説明する
。今、軸方向（２方向とする）の不均一な静磁場の強度
をＢ （ｚ）とする。マグネトロン（５）により誦周波
導波管（４）内に供給される高周波は、その高周波の周
波数に応じて共振するように作られた形状のプラズマ発
生部（１１内に不均一な高周波電場Ｅｒｆ＠を形成する
。プラズマ発生部ｆｉｌ内で高周波電場Ｅｒｆ（２）と
電子サイクロトロン共鳴を起こす２方向の静磁場の強度
はプラズマ発生部ｆｉｌ内で第４図に示す領域である。
即ち、点（Ａ）から点（Ｂ）への曲線は２方向の静磁場
強度Ｂｚ＠が高周波電場Ｋｒｆ（至）と共鳴を起こす磁
場強度の点を結んだものである。
強度Ｂｚ＠が高周波電場Ｋｒｆ（至）と共鳴を起こす磁
場強度の点を結んだものである。
′電子は静磁場Ｂ中ではよく知られたサイクロトロン運
動をし、サイクロトロン角周波ωＣはωｃ”ｅＢ／ｍで
表わされる。（たたし、ｍは電子の質量である。） プ
ラズマ発生部（１）内の高周波電場Ｋｒｊ’ｍｌの角周
波数をωとし、ω−ωＣのサイクロトロン共鳴条件が成
立すれば、高周波のエネルギーは電子に連続的に供給さ
れてば子のエネルギーが増大する。
動をし、サイクロトロン角周波ωＣはωｃ”ｅＢ／ｍで
表わされる。（たたし、ｍは電子の質量である。） プ
ラズマ発生部（１）内の高周波電場Ｋｒｊ’ｍｌの角周
波数をωとし、ω−ωＣのサイクロトロン共鳴条件が成
立すれば、高周波のエネルギーは電子に連続的に供給さ
れてば子のエネルギーが増大する。
このようなサイクロトロン共鳴条件下で、ガス供給管（
９）内に適当なガス圧のガスを導入すると、予備放電状
態で発生した１子は、高周波から連続的にエネルギーを
供給されて高いエネルギー状態になり、衝突過程を通し
てプラズマが発生し、この発生したプラズマにさらに共
鳴条件のもとて高周波電力が注入される。
９）内に適当なガス圧のガスを導入すると、予備放電状
態で発生した１子は、高周波から連続的にエネルギーを
供給されて高いエネルギー状態になり、衝突過程を通し
てプラズマが発生し、この発生したプラズマにさらに共
鳴条件のもとて高周波電力が注入される。
従って、例えばガス供給管（９）に導入するガスをＳｉ
Ｈ４とすると、ガスの圧力以外に高周波の電力を適当に
調整することにより、Ｓｌ”、 ＳｉＨ”、 ５１Ｈ２
”。
Ｈ４とすると、ガスの圧力以外に高周波の電力を適当に
調整することにより、Ｓｌ”、 ＳｉＨ”、 ５１Ｈ２
”。
ＳｉＨ３／Ｚどのイオンおよびそれぞれのイオンの棟類
、濃度あるいはそのエネルギーを制御できると同時に、
Ｓｉ”、 ５ｉＨｘ”などのラジカルの種類、贋度ある
いはそのエネルギーを制御できる。
、濃度あるいはそのエネルギーを制御できると同時に、
Ｓｉ”、 ５ｉＨｘ”などのラジカルの種類、贋度ある
いはそのエネルギーを制御できる。
一方、不均一な静磁場ＢｆＺ＋と不均一な電場Ｅｒｆ
（Δの間では、電子には次式で与えられるような軸方向
の力Ｆｚが作用し、電子は軸方向に加速される。
（Δの間では、電子には次式で与えられるような軸方向
の力Ｆｚが作用し、電子は軸方向に加速される。
Ｂ
ただし、声は磁気モーメント、ω０は電子の円運動のエ
ネルギー、Ｂｏはプラズマ発生部での磁束密度、Ｍはイ
オンの質量である。
ネルギー、Ｂｏはプラズマ発生部での磁束密度、Ｍはイ
オンの質量である。
従って、第３図のプラズマ発生部ｆｉ＋で発生したプラ
ズマ中の電子がプラズマ反応部（８）に向は軸方向に加
速され、このためにプラズマ中にはイオンを加速する静
電磁Ｆｌ：ｏｔｚｌが軸方向に形成される。
ズマ中の電子がプラズマ反応部（８）に向は軸方向に加
速され、このためにプラズマ中にはイオンを加速する静
電磁Ｆｌ：ｏｔｚｌが軸方向に形成される。
この静電場Ｅｏ（２３によってプラズマは全体として軸
方向に加速されることになり、プラズマ反応部（８）の
軸方向に沿うプラズマ流が発生する。マグネット（７）
によってつくられた磁力線が、プラズマ反応部（８１で
はＹ方向成分をもつようになるので、プラズマ流は磁力
線に沿って拡がってゆく。
方向に加速されることになり、プラズマ反応部（８）の
軸方向に沿うプラズマ流が発生する。マグネット（７）
によってつくられた磁力線が、プラズマ反応部（８１で
はＹ方向成分をもつようになるので、プラズマ流は磁力
線に沿って拡がってゆく。
このようなプラズマ処理装置はプラズマエツチング、プ
ラズマＣＶＤ、プラズマ酸化をはじめとする各種表面処
理に応用でき、これらの処理を効果的に行なうことがで
きる。
ラズマＣＶＤ、プラズマ酸化をはじめとする各種表面処
理に応用でき、これらの処理を効果的に行なうことがで
きる。
従来の電子サイクロトロン共鳴を使ったプラズマ処理装
置は以上のように構成されているので、高周波電場Ｗｒ
ｆ（ｍと共鳴をおこす静磁場の２方向成分Ｂｚ（Ｚ）は
、第４図に示されるように、プラズマ発生部の径方向全
般を便っていないため、プラズマ・ＣｖＤによる成膜を
例にとれば、第５図に示すように、その膜厚分布が不均
一になる等、一般にプラズマ処理の均一性が得られにく
いという問題点があった。
置は以上のように構成されているので、高周波電場Ｗｒ
ｆ（ｍと共鳴をおこす静磁場の２方向成分Ｂｚ（Ｚ）は
、第４図に示されるように、プラズマ発生部の径方向全
般を便っていないため、プラズマ・ＣｖＤによる成膜を
例にとれば、第５図に示すように、その膜厚分布が不均
一になる等、一般にプラズマ処理の均一性が得られにく
いという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、大口径の基板にプラズマ処理が均一に行なえ
る装置を得ることを目的とする。
たもので、大口径の基板にプラズマ処理が均一に行なえ
る装置を得ることを目的とする。
この発明に係るプラズマ処理装置は、プラズマ発生部内
に磁場を発生させるマグネットに、直流に電流を重畳し
た電流を供給するようにしたものである。
に磁場を発生させるマグネットに、直流に電流を重畳し
た電流を供給するようにしたものである。
この発明におけるプラズマ処理装置は、直流に交流を重
畳した１！流をマグネットに流すことにより、高周波電
場とサイクロトロン共鳴をおこす領域を広げられ、プラ
ズマ発生部でプラズマが広範囲にわたって生成さｎｌそ
の結果、均一なプラズマ処理が行なえるようになる。
畳した１！流をマグネットに流すことにより、高周波電
場とサイクロトロン共鳴をおこす領域を広げられ、プラ
ズマ発生部でプラズマが広範囲にわたって生成さｎｌそ
の結果、均一なプラズマ処理が行なえるようになる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、Ｑ３）は直流に交流を重畳したｉｉｉをマ
グネット（７）に供給する電源である。
図において、Ｑ３）は直流に交流を重畳したｉｉｉをマ
グネット（７）に供給する電源である。
次に動作について説明する。
プラズマ発生部（１１は、軸方向に不均一で時間的に周
期的に変化する磁場を発生させるマグネット（７）と、
軸方向に垂直な高周波電場を導入する高周波導波管（４
）と、プラズマ発生用ガラス管（１１）とを有しており
、高周波導波管（４）への高周波電力の供給はマグネト
ロン（５）により行なわれ、プラズマ発生用ガラス管（
川へのガスの供給はガス供給管（９）を通して行なわれ
る。
期的に変化する磁場を発生させるマグネット（７）と、
軸方向に垂直な高周波電場を導入する高周波導波管（４
）と、プラズマ発生用ガラス管（１１）とを有しており
、高周波導波管（４）への高周波電力の供給はマグネト
ロン（５）により行なわれ、プラズマ発生用ガラス管（
川へのガスの供給はガス供給管（９）を通して行なわれ
る。
プラズマの形成は電子サイクロトロン共鳴により行なわ
れるが、プラズマ発生部ｆｉｌ内でのＺ方向の磁場の強
度Ｂｚ（Ｚ）をｒ −Ｚ面で図示すると、第２図のよう
になる。マグネット（７）には直流に交流を重畳した電
流を流す電源（１３）により、（直流＋交流）の′２！
流が流されているので、直流１！流および交流電流の大
きさを適切に調整することにより、高周波電場Ｋｒｆ
ｆΔと電子サイクロトロン共鳴を起こす２方向の磁場の
強度ＢＺ（ロ））は第２図の点（Ａ）。
れるが、プラズマ発生部ｆｉｌ内でのＺ方向の磁場の強
度Ｂｚ（Ｚ）をｒ −Ｚ面で図示すると、第２図のよう
になる。マグネット（７）には直流に交流を重畳した電
流を流す電源（１３）により、（直流＋交流）の′２！
流が流されているので、直流１！流および交流電流の大
きさを適切に調整することにより、高周波電場Ｋｒｆ
ｆΔと電子サイクロトロン共鳴を起こす２方向の磁場の
強度ＢＺ（ロ））は第２図の点（Ａ）。
（Ｂ）を結ぶＩｊｌ（ＡＢ線と記す）を中心に点（，１
）、ｔＢ’）及び点（Ａ”）Ｉｆｆ’）を結ぶ線−まで
交流の周期に合わせて周期的に変動する。
）、ｔＢ’）及び点（Ａ”）Ｉｆｆ’）を結ぶ線−まで
交流の周期に合わせて周期的に変動する。
従って、電子サイクロトロン共鳴は点（に）（Ａ”）（
ｎ’）（Ｂ’）を結ぶ領域（領域Ａ′八へ甘せ Ｂｒと
記す）で生じる。一方、マグネット（７）に直流だけを
流した場合、電子サイクロトロン共鳴はＡＢ縁線上のみ
生じるので、（直流＋交流）の電流を流した場合の方が
より広範な領域で電子サイクロトロン共鳴が生じる。′
電子サイクロトロン共鳴が広範囲な領域にわたって生じ
プラズマが発生するので、ＡＢ縁線上プラズマが発生す
る場合にくらべて、より均一なプラズマが得られる。
ｎ’）（Ｂ’）を結ぶ領域（領域Ａ′八へ甘せ Ｂｒと
記す）で生じる。一方、マグネット（７）に直流だけを
流した場合、電子サイクロトロン共鳴はＡＢ縁線上のみ
生じるので、（直流＋交流）の電流を流した場合の方が
より広範な領域で電子サイクロトロン共鳴が生じる。′
電子サイクロトロン共鳴が広範囲な領域にわたって生じ
プラズマが発生するので、ＡＢ縁線上プラズマが発生す
る場合にくらべて、より均一なプラズマが得られる。
また、電子に作用する軸方向の力ＦＺ（ｔ＋は、Ｂｚが
不均一な磁場であれば作用するので、μ豆 の力が働く０従って、プラズマ発生部！１）で発生した
プラズマ中の′電子がプラズマ反応部（８）に向は軸方
向に加速され、このためにプラズマ中にはイオンを加速
する電場Ｅｏ（ｚ、ｔ）が軸方向に形成される。この電
場ＫＯ（ｚ、ｔ）によってプラズマは全体として軸方向
に加速されることになり、プラズマ反応部（８）に軸方
向に沿うプラズマ流が発生するＯ従って、例えばガス供
給管（９１に導入するガスをＳｉＨ４とすると、電子サ
イクロトロン共鳴によりＥｌｉ”、 ５ｉｔ（”、 Ｓ
ｉＨ２’″、 ５ｉ）（３＋などのイオンおよび８１°
、 ５ｉＨｘ”などのラジカルがプラズマ発生部（１）
内の領域へ′にｌ ＢＬＪ Ｂｌで生じ、そのプラズマ
は上記した電場ＫＯ（ｚ、ｔ）によって軸方向に加速さ
れ、プラズマ反応部（８）では均一な膜厚分布をもった
アモルファス・シリコン膜が形成される。
不均一な磁場であれば作用するので、μ豆 の力が働く０従って、プラズマ発生部！１）で発生した
プラズマ中の′電子がプラズマ反応部（８）に向は軸方
向に加速され、このためにプラズマ中にはイオンを加速
する電場Ｅｏ（ｚ、ｔ）が軸方向に形成される。この電
場ＫＯ（ｚ、ｔ）によってプラズマは全体として軸方向
に加速されることになり、プラズマ反応部（８）に軸方
向に沿うプラズマ流が発生するＯ従って、例えばガス供
給管（９１に導入するガスをＳｉＨ４とすると、電子サ
イクロトロン共鳴によりＥｌｉ”、 ５ｉｔ（”、 Ｓ
ｉＨ２’″、 ５ｉ）（３＋などのイオンおよび８１°
、 ５ｉＨｘ”などのラジカルがプラズマ発生部（１）
内の領域へ′にｌ ＢＬＪ Ｂｌで生じ、そのプラズマ
は上記した電場ＫＯ（ｚ、ｔ）によって軸方向に加速さ
れ、プラズマ反応部（８）では均一な膜厚分布をもった
アモルファス・シリコン膜が形成される。
第１図実施例によるプラズマ処理製蓋は、プラズマエツ
チング、プラズマＣＶＤ 、プラズマ酸化をはじめとす
る各種表面処理に応用でき、広範囲に均一な処理を行な
うことができる。
チング、プラズマＣＶＤ 、プラズマ酸化をはじめとす
る各種表面処理に応用でき、広範囲に均一な処理を行な
うことができる。
なお、上記実施例では広い領域にわたって電子サイクロ
トロン共鳴を発生させるのに、マグネット（７）に直流
に交流をＮ畳させた電流を流したものを示したが、直流
に極性が交番的に変化するパルス波形や三角波形の′ｒ
ｉ流を流しても、上記実施例と同様の効果を奏する。
トロン共鳴を発生させるのに、マグネット（７）に直流
に交流をＮ畳させた電流を流したものを示したが、直流
に極性が交番的に変化するパルス波形や三角波形の′ｒ
ｉ流を流しても、上記実施例と同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば、プラズマ発生部内に
磁場を発生させるマグネットに、直流に交流を重畳した
電流を供給するようにしたので、広い領域にわたって電
子サイクロトロン共鳴が生じ、広範囲にプラズマが発生
するので、均一なプラズマ処理が精度よく行なえる効果
がある。
磁場を発生させるマグネットに、直流に交流を重畳した
電流を供給するようにしたので、広い領域にわたって電
子サイクロトロン共鳴が生じ、広範囲にプラズマが発生
するので、均一なプラズマ処理が精度よく行なえる効果
がある。
第１図はこの発明の一実施例によるプラズマ処理装置を
示す断Ｉｆｉ構成図、第２図はこの発明の一実施例によ
るプラズマ処理装置において電子サイクロトロン共鳴を
起こすｚ軸方向の静磁場強度ＢＺｔ乃を示す分布図、第
３図は従来のプラズマ処理装置を示す断面構成図、第４
図は従来のプラズマ処理装置において、電子サイクロト
ロン共鳴を起こすｚｌＩＩ１１方向の静磁場強度Ｂｚｔ
Δを示す分布図、及び第５図は従来のプラズマ処理装置
により形成される薄膜の膜厚分布を示す分布図である。 ｆｉ＋・・・プラズマ発生部、（３）・・・基板、（４
）・・・導波管、（５）・・・マグネトロン、（７）・
・・マグネット、（８）・・・プラズマ反応部、ｆ１３
１・・・電源 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 何人 大岩増雄 第１図 ３ 茎柾 ４：湛ヅ皮着 ｊ：マグ冬トロン ７：マｙ”３ｔ−ツＬ ざニア°うに”マ及克部 ｚ３：ｔｊ＆、 第２１！１ とあ旬 第４図 イ 葛 第５図
示す断Ｉｆｉ構成図、第２図はこの発明の一実施例によ
るプラズマ処理装置において電子サイクロトロン共鳴を
起こすｚ軸方向の静磁場強度ＢＺｔ乃を示す分布図、第
３図は従来のプラズマ処理装置を示す断面構成図、第４
図は従来のプラズマ処理装置において、電子サイクロト
ロン共鳴を起こすｚｌＩＩ１１方向の静磁場強度Ｂｚｔ
Δを示す分布図、及び第５図は従来のプラズマ処理装置
により形成される薄膜の膜厚分布を示す分布図である。 ｆｉ＋・・・プラズマ発生部、（３）・・・基板、（４
）・・・導波管、（５）・・・マグネトロン、（７）・
・・マグネット、（８）・・・プラズマ反応部、ｆ１３
１・・・電源 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 何人 大岩増雄 第１図 ３ 茎柾 ４：湛ヅ皮着 ｊ：マグ冬トロン ７：マｙ”３ｔ−ツＬ ざニア°うに”マ及克部 ｚ３：ｔｊ＆、 第２１！１ とあ旬 第４図 イ 葛 第５図
Claims (3)
- （１）プラズマ発生部内にマグネットにより磁場を発生
させると共に、高周波電場発生手段により上記プラズマ
発生部内に高周波電場を発生させて、電子サイクロトロ
ン共鳴によりプラズマを発生させ、基板をプラズマ処理
するものにおいて、上記マグネットに、直流に交流を重
畳した電流を供給するようにしたことを特徴とするプラ
ズマ処理装置。 - （２）交流は、極性が交番的に変化するパルス波形の電
流である特許請求の範囲第１項記載のプラズマ処理装置
。 - （３）マグネットはソレノイドコイルよりなる特許請求
の範囲第１項又は第２項記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20983586A JPS6365623A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20983586A JPS6365623A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6365623A true JPS6365623A (ja) | 1988-03-24 |
Family
ID=16579407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20983586A Pending JPS6365623A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6365623A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63197327A (ja) * | 1987-02-12 | 1988-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS6430233A (en) * | 1987-07-25 | 1989-02-01 | Shimadzu Corp | Plasma attachment device |
| US4947085A (en) * | 1987-03-27 | 1990-08-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma processor |
| JPH02312227A (ja) * | 1989-05-29 | 1990-12-27 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
-
1986
- 1986-09-05 JP JP20983586A patent/JPS6365623A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63197327A (ja) * | 1987-02-12 | 1988-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| US4947085A (en) * | 1987-03-27 | 1990-08-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma processor |
| JPS6430233A (en) * | 1987-07-25 | 1989-02-01 | Shimadzu Corp | Plasma attachment device |
| JPH02312227A (ja) * | 1989-05-29 | 1990-12-27 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5332880A (en) | Method and apparatus for generating highly dense uniform plasma by use of a high frequency rotating electric field | |
| JPH03287774A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP3881307B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US5082685A (en) | Method of conducting plasma treatment | |
| JPS6365623A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2851765B2 (ja) | プラズマ発生方法およびその装置 | |
| JPS6377119A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS6377120A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS63244615A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS6377121A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0645094A (ja) | プラズマ発生方法およびその装置 | |
| JPH0415921A (ja) | プラズマ活性化方法及びその装置 | |
| JPS63244614A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0222486A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPS61166975A (ja) | 成膜方法 | |
| JPH01309963A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPS63240022A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH01194420A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0312924A (ja) | プラズマ加工装置 | |
| JPS62263236A (ja) | 非晶質薄膜形成方法および装置 | |
| JPH04290226A (ja) | プラズマ発生方法及びその装置 | |
| JPS6365624A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2866381B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS63273320A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH11340200A (ja) | プラズマ処理装置 |