JPS6365256U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6365256U JPS6365256U JP16097586U JP16097586U JPS6365256U JP S6365256 U JPS6365256 U JP S6365256U JP 16097586 U JP16097586 U JP 16097586U JP 16097586 U JP16097586 U JP 16097586U JP S6365256 U JPS6365256 U JP S6365256U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- amorphous semiconductor
- type amorphous
- interface
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
第１図は本考案素子の断面構造図、第２図は同
じくそのバンド構造図、第３図はｉ型半導体層中
の水素、ボロン原子密度の分布図、第４図は水素
原子濃度と光学的バンドギヤツプとの関係を示す
グラフ、第５図は水素原子密度の分布と光電変換
効率との関係を示すグラフ、第６図はボロン原子
密度の分布と光電変換効率との関係を示すグラフ
、第７図は本考案素子の光電変換特性を示すグラ
フ、第８図は本考案の他の実施例を示す断面構造
図、第９図は同じくそのバンド構造図、第１０図
はｉ型半導体層中の窒素原子密度の分布図、第１
１図は窒素のドープ量（％）と活性化エネルギー
（ｅＶ）との関係を示すグラフ、第１２図は窒素
原子密度の分布と光電変換効率との関係を示すグ
ラフ、第１３図イ、第１４図イ、第１５図イは従
来素子の断面構造図、第１３図ロ、第１４図ロ、
第１５図ロは同じくその各バンド構造図、第１３
図ハ、第１４図ハ、第１５図ハはｉ型半導体層中
の各ボロン原子密度の分布図である。 １…ｐ型半導体層、２…ｉ型半導体層、３…ｎ
型半導体層。
じくそのバンド構造図、第３図はｉ型半導体層中
の水素、ボロン原子密度の分布図、第４図は水素
原子濃度と光学的バンドギヤツプとの関係を示す
グラフ、第５図は水素原子密度の分布と光電変換
効率との関係を示すグラフ、第６図はボロン原子
密度の分布と光電変換効率との関係を示すグラフ
、第７図は本考案素子の光電変換特性を示すグラ
フ、第８図は本考案の他の実施例を示す断面構造
図、第９図は同じくそのバンド構造図、第１０図
はｉ型半導体層中の窒素原子密度の分布図、第１
１図は窒素のドープ量（％）と活性化エネルギー
（ｅＶ）との関係を示すグラフ、第１２図は窒素
原子密度の分布と光電変換効率との関係を示すグ
ラフ、第１３図イ、第１４図イ、第１５図イは従
来素子の断面構造図、第１３図ロ、第１４図ロ、
第１５図ロは同じくその各バンド構造図、第１３
図ハ、第１４図ハ、第１５図ハはｉ型半導体層中
の各ボロン原子密度の分布図である。 １…ｐ型半導体層、２…ｉ型半導体層、３…ｎ
型半導体層。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ 導電型がｐｉｎ型又はｎｉｐ型の非晶質光起
電力素子において、ｉ型非晶質半導体層の光学的
バンドギヤツプを受光面側から反対面側に向かう
に従つて漸次増大させたことを特徴とする光起電
力素子。 ２ 前記ｉ型非晶質半導体層中には、これとｐ型
非晶質半導体層との界面からｉ型非晶質半導体層
とｎ型非晶質半導体層との界面に向けて原子密度
が漸次増大するよう水素原子を含有させた実用新
案登録請求の範囲第１項記載の光起電力素子。 ３ 前記水素原子密度はｐ型非晶質半導体層とｉ
型非晶質半導体層との界面側で２．５〜７．５×
１０２１cm−３の範囲、またｉ型非晶質半導体層
とｎ型非晶質半導体層との界面側で２．５×１０
２１〜１．０×１０２２（cm−３）の範囲に設定
されている実用新案登録請求の範囲第２項記載の
光起電力素子。 ４ 前記ｉ型非晶質半導体層にはこれとｐ型非晶
質半導体層との界面からｉ型非晶質半導体層とｎ
型非晶質半導体層との界面側に向かうに従つて原
子密度が漸次増大するよう窒素原子を含有させた
実用新案登録請求の範囲第１項記載の光起電力素
子。 ５ 前記窒素原子密度はｉ型非晶質半導体層とｐ
型非晶質半導体層との界面側で１×１０１６〜１
×１０１７（cm−３）の範囲に、またｉ型非晶質
半導体層とｎ型非晶質半導体層との界面側で１×
１０１７〜５×１０２１（cm−３）の範囲に設定
されている実用新案登録請求の範囲第４項記載の
光起電力素子。 ６ 前記ｉ型非晶質半導体層中にはこれとｐ型非
晶質半導体層との界面からｉ型非晶質半導体層と
ｎ型非晶質半導体層との界面に向かうに従つて原
子密度が漸次増大するようアクセプタを含有せし
めてある実用新案登録請求の範囲第１項記載の光
起電力素子。 ７ 前記アクセプタはｉ型非晶質半導体層とｐ型
非晶質半導体層との界面側で１×１０１４〜１×
１０１５（cm−３）の範囲に、またｉ型非晶質半
導体層とｎ型非晶質半導体層との界面側で１×１
０１５〜５×１０１６（cm−３）の範囲に設定さ
れている実用新案登録請求の範囲第６項記載の光
起電力素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16097586U JPS6365256U (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16097586U JPS6365256U (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6365256U true JPS6365256U (ja) | 1988-04-30 |
Family
ID=31086864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16097586U Pending JPS6365256U (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6365256U (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56138970A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-29 | Agency Of Ind Science & Technol | Amorphous photoelectric converting element and manufacture thereof |
| JPS58106876A (ja) * | 1981-12-19 | 1983-06-25 | Tokyo Denki Daigaku | 光電変換素子 |
-
1986
- 1986-10-20 JP JP16097586U patent/JPS6365256U/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56138970A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-29 | Agency Of Ind Science & Technol | Amorphous photoelectric converting element and manufacture thereof |
| JPS58106876A (ja) * | 1981-12-19 | 1983-06-25 | Tokyo Denki Daigaku | 光電変換素子 |
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