JPS6360925B2 - - Google Patents

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JPS6360925B2
JPS6360925B2 JP13399981A JP13399981A JPS6360925B2 JP S6360925 B2 JPS6360925 B2 JP S6360925B2 JP 13399981 A JP13399981 A JP 13399981A JP 13399981 A JP13399981 A JP 13399981A JP S6360925 B2 JPS6360925 B2 JP S6360925B2
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transistor
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control
variable
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JP13399981A
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/46One-port networks

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気テープ上へのオーデイオ信号記録
再生に用いられる雑音低減装置等に利用される可
変電子インピーダンス装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a variable electronic impedance device used in a noise reduction device used for recording and reproducing audio signals on a magnetic tape.

従来の可変電子インピーダンス装置として、例
えば特開昭52−116052号公報に開示されたものが
ある。
As a conventional variable electronic impedance device, there is one disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 116052/1983.

従来より公知のかかる可変電子インピーダンス
装置は電圧電流変換器と可変利得電流増幅器とに
よつて構成されている。電圧電流変換器を構成す
る差動対トランジスタのエミツタに接続された抵
抗をR、この差動対トランジスタのエミツタに接
続された定電流源のバイアス電流をIbias、可変利
得電流増幅器を構成する他の差動対トランジスタ
のエミツタに接続された可変定電流源の制御電流
をIcpotrplとすると、かかる可変電子インピーダン
ス装置の入力インピーダンスZioは下記の関係で
示されることも当業者間で公知である。
Such conventionally known variable electronic impedance devices consist of a voltage-to-current converter and a variable gain current amplifier. Let R be the resistor connected to the emitters of the differential pair transistors that make up the voltage-current converter, I bias be the bias current of the constant current source connected to the emitters of this differential pair transistor, and let the others make up the variable gain current amplifier. It is also known to those skilled in the art that if the control current of the variable constant current source connected to the emitters of the differential pair transistors is Icpotrpl , the input impedance Zio of such a variable electronic impedance device is expressed by the following relationship: .

Zio=R・Ibias/Icpotrpl ………(1) ところで可変電子インピーダンス装置の入力イ
ンピーダンスZioは大きなインピーダンスから小
さなインピーダンスまで広い範囲で制御されうる
ことが望しい。大きな入力インピーダンスZio
得るためには抵抗Rを大きな値とする一方、寄生
リーク電流によつて定まる制御可能な最小制御電
流Icpotrpl MINIよりもバイアス電流Ibiasを十分大き
な値に設定する必要がある。
Z io =R·I bias /I cpotrpl (1) By the way, it is desirable that the input impedance Z io of the variable electronic impedance device can be controlled in a wide range from a large impedance to a small impedance. In order to obtain a large input impedance Z io , it is necessary to set the resistance R to a large value, and at the same time, it is necessary to set the bias current I bias to a value sufficiently larger than the controllable minimum control current I cpotrpl MINI determined by the parasitic leakage current. be.

抵抗Rとバイアス電流Ibiasが上述のように比較
的大きな値に設定されているので、小さな入力イ
ンピーダンスZioを得るためには比較的大きな値
に設定されたバイアス電流Ibiasより十分大きな制
御電流Icpotrplを可変利得電流増幅器の可変電流源
に流す必要がある。
Since the resistance R and the bias current I bias are set to relatively large values as described above, in order to obtain a small input impedance Zio , the control current must be sufficiently larger than the bias current I bias , which is set to a relatively large value. I cpotrpl must be applied to the variable current source of the variable gain current amplifier.

上述の如き可変電流源はトランジスタによつて
一般に構成されており、トランジスタの許容電流
以上の制御電流を流すとトランジスタが破壊され
る。
The variable current source as described above is generally constituted by a transistor, and if a control current exceeding the allowable current of the transistor flows, the transistor will be destroyed.

ある種の信号伝達系においては、かかる可変電
子インピーダンス装置を用いて大きな範囲で信号
伝達量の制御が可能であるとともに、特定の制御
信号に応答して可変電子インピーダンス装置の入
力インピーダンスが極めて小さな値まで減少し信
号伝達量が無視できる量まで低減されるべきこと
が、信号伝達系に関する本発明者の検討によつて
明らかとされた。
In some types of signal transmission systems, it is possible to control the amount of signal transmission over a wide range using such a variable electronic impedance device, and the input impedance of the variable electronic impedance device can be set to an extremely small value in response to a specific control signal. The inventor's studies regarding the signal transmission system have revealed that the amount of signal transmission should be reduced to a negligible amount.

本発明は上記の如き検討結果をもとになされた
ものであり、その目的とするところは大きな範囲
でその入力インピーダンスが制御可能であるとと
もに特定の制御信号に応答してその入力インピー
ダンスが極めて小さな値まで低減されうる可変電
子インピーダンス装置を提供することにある。
The present invention has been made based on the above study results, and its purpose is to control the input impedance over a wide range, and to reduce the input impedance to an extremely small level in response to a specific control signal. The object of the present invention is to provide a variable electronic impedance device that can be reduced to a value of

以下、図面に沿つて本発明の実施例を詳細に説
明する。
Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

図面は本発明の一実施例による可変電子インピ
ーダンス装置の回路図を示している。
The drawing shows a circuit diagram of a variable electronic impedance device according to an embodiment of the invention.

電圧電流変換器3はPNPトランジスタQ1,Q2
と抵抗R1,R2とによつて構成されている。トラ
ンジスタQ1のベースは基準電圧VREFが供給され、
トランジスタQ2のベースは入力端子Tioに接続さ
れ、抵抗R1,R2の共通接続点はバイアス電流Ibias
を供給するところの定電流源10に接続されてい
る。
Voltage-current converter 3 is PNP transistor Q 1 , Q 2
and resistors R 1 and R 2 . The base of transistor Q 1 is supplied with a reference voltage V REF ,
The base of the transistor Q 2 is connected to the input terminal T io , and the common connection point of the resistors R 1 and R 2 is connected to the bias current I bias
It is connected to a constant current source 10 that supplies .

従つて、入力端子Tioの交流入力信号電圧Vio
応答した変換出力電流がトランジスタQ1,Q2
コレクタに流れる。
Therefore, the converted output current responsive to the AC input signal voltage V io at the input terminal T io flows to the collectors of the transistors Q 1 and Q 2 .

可変利得電流増幅器4はダイオードD1,D2
NPNトランジスタQ3,Q4、カレントミラー回路
として接続されたPNPトランジスタQ5,Q6によ
つて構成されている。トランジスタQ3,Q4の共
通エミツタは制御電流Icpotrplを流すための可変定
電流源6に接続されている。
The variable gain current amplifier 4 includes diodes D 1 , D 2 ,
It is composed of NPN transistors Q 3 and Q 4 and PNP transistors Q 5 and Q 6 connected as a current mirror circuit. The common emitters of transistors Q 3 and Q 4 are connected to a variable constant current source 6 through which a control current I cpotrpl flows.

電圧電流変換器3の変換出力電流は可変利得電
流増幅器4のダイオードD1,D2によつて電圧に
変換され、この変換電圧がそれぞれトランジスタ
Q3,Q4のベースに印加される。トランジスタQ3
のコレクタ電流変化は入力端子Tioに直接帰還さ
れトランジスタQ4のコレクタ電流変化はカレン
トミラー回路のトランジスタQ5,Q6を介して入
力端子Tioに帰還されている。
The converted output current of the voltage-current converter 3 is converted into a voltage by the diodes D 1 and D 2 of the variable gain current amplifier 4, and this converted voltage is applied to each transistor.
Applied to the bases of Q 3 and Q 4 . transistor Q 3
Changes in the collector current of the transistor Q4 are fed back directly to the input terminal Tio , and changes in the collector current of the transistor Q4 are fed back to the input terminal Tio via the transistors Q5 and Q6 of the current mirror circuit.

この場合の入力端子Tioから見た入力インピー
ダンスZioは上記(1)式に従つて、制動可能である。
In this case, the input impedance Z io seen from the input terminal T io can be damped according to the above equation (1).

さらに、本発明に従つた可変電子インピーダン
ス装置においては特定の制御信号Vcによつて制
御されるダイオードD4,D5と制御トランジスタ
Q7,Q8,Q9,Q10,Q11とが特に配置されている。
Furthermore, in the variable electronic impedance device according to the invention, diodes D 4 , D 5 and a control transistor controlled by a specific control signal V c are provided.
Q 7 , Q 8 , Q 9 , Q 10 , and Q 11 are particularly arranged.

制御端子Tcに特定の制御電圧Vcを印加するこ
とによつてトランジスタQ7は導通状態となり、
そのコレクタ電流IcがダイオードD1,D2のアノー
ドに供給される。これと同時にトランジスタQ8
も導通状態となり、そのコレクタ電流がトランジ
スタQ9に供給される。抵抗R5,R6は互いに等し
い抵抗値に設定されているので、トランジスタ
Q7のコレクタ電流とトランジスタQ8のコレクタ
電流とは互いに等しくなる。さらに抵抗R7,R8
R9は互いに等しい抵抗値に設定されているので、
トランジスタQ10,Q11のコレクタ電流とトラン
ジスタQ9のコレクタ電流とは互いに等しくなる。
By applying a specific control voltage V c to the control terminal T c , the transistor Q 7 becomes conductive,
The collector current I c is supplied to the anodes of diodes D 1 and D 2 . At the same time, transistor Q 8
also becomes conductive, and its collector current is supplied to transistor Q9 . Since resistors R 5 and R 6 are set to the same resistance value, the transistor
The collector current of Q7 and the collector current of transistor Q8 are equal to each other. Furthermore, the resistances R 7 , R 8 ,
Since R 9 are set to equal resistance values,
The collector currents of transistors Q 10 and Q 11 and the collector current of transistor Q 9 are equal to each other.

かくして制御端子Tcに特定の制御信号Vcが印
加された場合、ダイオードD1,D2には特定の制
御電流Icが流れダイオードD1,D2の交流抵抗は極
めて小さな値となり、この場合の可変電子インピ
ーダンス装置の入力インピーダンスは下記のよう
に与えられる。
Thus, when a specific control signal V c is applied to the control terminal T c , a specific control current I c flows through the diodes D 1 and D 2 , and the AC resistance of the diodes D 1 and D 2 becomes an extremely small value. The input impedance of the variable electronic impedance device in the case is given as follows.

Zio′≒KT/qIC・IC/Icpotrpl≒26mV/Icpotrpl……
…(2) ただし、Kはボルツマン定数、Tは絶対温度、
qは電子電荷である。
Z io ′≒KT/qI C・I C /I cpotrpl ≒26mV/I cpotrpl ……
...(2) where K is Boltzmann's constant, T is absolute temperature,
q is the electronic charge.

一方、従来より抵抗R1,R2の抵抗値Rは5KΩ
程度に設定され、定電流源10のバイアス電流
Ibiasは100μA程度に設定されているので、第(1)式
の分子(R・Ibias)は500mV程度となり、第(2)式
は第(1)式より十分小さな値となることが理解でき
る。
On the other hand, conventionally the resistance value R of resistors R 1 and R 2 is 5KΩ.
The bias current of the constant current source 10 is set to approximately
Since I bias is set to about 100 μA, the numerator (R・I bias ) of equation (1) is about 500 mV, and it is understood that equation (2) is a sufficiently smaller value than equation (1). can.

本発明は上記実施例に限定されるものではな
く、種々の変形実施形態を採用することができ
る。
The present invention is not limited to the above embodiments, and various modified embodiments can be adopted.

例えばトランジスタQ5,Q6,Q7,Q8,Q8
Q9,Q10,Q11のエミツタ面積比を高精度に設定
すれば、抵抗R3,R4,R5,R6,R7,R8,R9は省
略されることができる。
For example, transistors Q 5 , Q 6 , Q 7 , Q 8 , Q 8 ,
If the emitter area ratios of Q 9 , Q 10 , and Q 11 are set with high precision, the resistors R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , and R 9 can be omitted.

また、ダイオードD3は他の定電圧バイアス回
路に置き換えることができる。
Also, diode D3 can be replaced with other constant voltage bias circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

図面は、本発明の一実施例による可変電子イン
ピーダンス装置の回路図を示している。 3……電圧電流変換器、4……可変利得電流増
幅器、10……定電流源、11……可変定電流
源、Q1,Q2……差動対トランジスタ、R1,R2
…抵抗。
The drawing shows a circuit diagram of a variable electronic impedance device according to an embodiment of the invention. 3...Voltage-current converter, 4...Variable gain current amplifier, 10...Constant current source, 11...Variable constant current source, Q1 , Q2 ...Differential pair transistor, R1 , R2 ...
…resistance.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 差動対トランジスタQ1,Q2とエミツタ抵抗
R1,R2とによつて構成され入力信号電圧を電流
信号変化に変換するための電圧電流変換器3と、
この電圧電流変換器の電流信号変化に応答した電
流を上記電圧電流変換器へ帰還するようにした可
変利得電流増幅器4とを具備してなる可変電子イ
ンピーダンス装置において、そのカソードが上記
差動対トランジスタの一方Q1のエミツタに接続
された第1ダイオードD4と、そのカソードが上
記差動対トランジスタの他方Q2のエミツタに接
続された第2ダイオードD5と、そのコレクタが
上記第1と第2ダイオードD4,D5のアノードに
接続された第1導電型の第1制御トランジスタ
Q7と、そのコレクタが上記第1ダイオードD4
カソードに接続された第2導電型の第2制御トラ
ンジスタQ10と、そのコレクタが上記第2ダイオ
ードD5のカソードに接続された第2導電型の第
3制御トランジスタQ11とを具備し、制御信号VC
によつて上記第1、第2、第3制御トランジスタ
Q7,Q10,Q11を導通状態に制御することを特徴
とする可変電子インピーダンス装置。
1 Differential pair transistors Q 1 , Q 2 and emitter resistance
a voltage-current converter 3 configured by R 1 and R 2 and configured to convert an input signal voltage into a current signal change;
A variable electronic impedance device comprising a variable gain current amplifier 4 configured to feed back a current responsive to a current signal change of the voltage-current converter to the voltage-current converter, the cathode of which is connected to the differential pair transistor. A first diode D4 whose cathode is connected to the emitter of the other Q2 of the differential pair transistor, a second diode D5 whose collector is connected to the emitter of the other Q2 of the differential pair transistor, and a first control transistor of a first conductivity type connected to the anodes of two diodes D 4 and D 5 ;
a second control transistor Q 10 of a second conductivity type, the collector of which is connected to the cathode of the first diode D 4 ; and a second control transistor Q 10 of a second conductivity type, the collector of which is connected to the cathode of the second diode D 5 ; a third control transistor of type Q 11 and a control signal V C
The first, second and third control transistors
A variable electronic impedance device characterized by controlling Q 7 , Q 10 , and Q 11 to a conductive state.
JP13399981A 1981-08-28 1981-08-28 Electronic variable impedance device Granted JPS5836013A (en)

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JPS5836013A JPS5836013A (en) 1983-03-02
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0827293B2 (en) * 1991-03-29 1996-03-21 日本光電工業株式会社 Liquid sensor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0827293B2 (en) * 1991-03-29 1996-03-21 日本光電工業株式会社 Liquid sensor

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JPS5836013A (en) 1983-03-02

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