JPS6359221B2 - - Google Patents
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- JPS6359221B2 JPS6359221B2 JP54105654A JP10565479A JPS6359221B2 JP S6359221 B2 JPS6359221 B2 JP S6359221B2 JP 54105654 A JP54105654 A JP 54105654A JP 10565479 A JP10565479 A JP 10565479A JP S6359221 B2 JPS6359221 B2 JP S6359221B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/24—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
- H01J9/26—Sealing together parts of vessels
- H01J9/261—Sealing together parts of vessels the vessel being for a flat panel display
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、AC駆動型ガス放電パネル中のガス
組成の経時変化を防止する方法に係り、さらに詳
細には蒸着による酸化マグネシウム表面層の酸素
欠陥に基づくXeガスの吸着および吸蔵を防止す
る方法に関するものである。
組成の経時変化を防止する方法に係り、さらに詳
細には蒸着による酸化マグネシウム表面層の酸素
欠陥に基づくXeガスの吸着および吸蔵を防止す
る方法に関するものである。
一般にAC駆動型のガス放電パネルにおいては、
ガラス基板上に形成した電極をガス放電空間から
絶縁するための誘電体層の表面に、該誘電体層を
イオン衝撃から保護するとともにガスに接する表
面の二次電子放射特性を改善して動作電圧を低く
するようMgOからなる表面層を設けるのが普通
である。そして、このようなMgOの表面層は低
融点ガラスの厚膜誘電体層を用いた従来のパネル
においてはもちろん、最近の薄膜技術で形成した
電極や誘電体層を有する高密度表示パネルにおい
ても採用が必須とされている。
ガラス基板上に形成した電極をガス放電空間から
絶縁するための誘電体層の表面に、該誘電体層を
イオン衝撃から保護するとともにガスに接する表
面の二次電子放射特性を改善して動作電圧を低く
するようMgOからなる表面層を設けるのが普通
である。そして、このようなMgOの表面層は低
融点ガラスの厚膜誘電体層を用いた従来のパネル
においてはもちろん、最近の薄膜技術で形成した
電極や誘電体層を有する高密度表示パネルにおい
ても採用が必須とされている。
ところが上述のような薄膜技法によつて構成し
たタイプのガス放電パネルでは、従来の厚膜タイ
プのガス放電パネルに比べ、動作電圧特性が不安
定であり、また比較的短時間の加速ライフ試験に
よつて動作マージンが減少し、放電パネルの寿命
が短くなる傾向を生じていた。
たタイプのガス放電パネルでは、従来の厚膜タイ
プのガス放電パネルに比べ、動作電圧特性が不安
定であり、また比較的短時間の加速ライフ試験に
よつて動作マージンが減少し、放電パネルの寿命
が短くなる傾向を生じていた。
そこで本発明者等は、この問題について検討し
た結果、直接的にはガス放電パネル内に封入せる
放電ガス、例えばNeガス中に約0.2％程度の割合
で含まれるXeガスが、前記パネルの加速ライフ
試験中に、誘電体層上のMgOからなる表面層内
へかなり吸着及び吸蔵されガス放電部でのXeガ
スが過度に減少するためとの推論を得た。即ちこ
の現象はMgOからなる表面層を誘電体層上に形
成するのに蒸着を採つており、その際、その被蒸
着面が約150℃に加熱されていて、かつ高真空状
態の蒸着チヤンバ内で前記表面層を形成するよう
にしているので、該表面層内のMgOの一部がMg
に還元されるがごとき現象によつて酸素欠陥を生
じ、不安定な低級酸化物MgOxとなつてその欠陥
が放電ガス中のXeガスを吸着及び吸蔵するか、
あるいは化合物を作りやすくなるためと考えられ
る。放電ガス空間中におけるXeガスの減少を直
接的に検証することは困難であるが、本発明者は
放電による発光スペクトル中のXE成分による発
光ピーク値が動作時間の経過に伴つて減少する結
果からXeガス成分の減少を確認した。
た結果、直接的にはガス放電パネル内に封入せる
放電ガス、例えばNeガス中に約0.2％程度の割合
で含まれるXeガスが、前記パネルの加速ライフ
試験中に、誘電体層上のMgOからなる表面層内
へかなり吸着及び吸蔵されガス放電部でのXeガ
スが過度に減少するためとの推論を得た。即ちこ
の現象はMgOからなる表面層を誘電体層上に形
成するのに蒸着を採つており、その際、その被蒸
着面が約150℃に加熱されていて、かつ高真空状
態の蒸着チヤンバ内で前記表面層を形成するよう
にしているので、該表面層内のMgOの一部がMg
に還元されるがごとき現象によつて酸素欠陥を生
じ、不安定な低級酸化物MgOxとなつてその欠陥
が放電ガス中のXeガスを吸着及び吸蔵するか、
あるいは化合物を作りやすくなるためと考えられ
る。放電ガス空間中におけるXeガスの減少を直
接的に検証することは困難であるが、本発明者は
放電による発光スペクトル中のXE成分による発
光ピーク値が動作時間の経過に伴つて減少する結
果からXeガス成分の減少を確認した。
第３図は横軸に供試パネルの加速ライフ時間を
とり、縦軸にXe／Ne発光ピーク比の累積減少量
をとつて上記の実験結果を示した線図である。図
中Ａ線が従来のガス放電パネルの加速ライフ時間
に対するXeガス量の減少傾向を示し、時間が経
過するほどNe成分による発光スペクトルのピー
ク値（波長540nｍ）に対するXe成分による発光
スペクトルのピーク値（波長467nｍ）の差が増
大していることがわかる。
とり、縦軸にXe／Ne発光ピーク比の累積減少量
をとつて上記の実験結果を示した線図である。図
中Ａ線が従来のガス放電パネルの加速ライフ時間
に対するXeガス量の減少傾向を示し、時間が経
過するほどNe成分による発光スペクトルのピー
ク値（波長540nｍ）に対するXe成分による発光
スペクトルのピーク値（波長467nｍ）の差が増
大していることがわかる。
また、この減少したXeがMgO層の酸素欠陥部
に吸着されたことは、一旦Xeガスの減少したパ
ネルを70℃程度の高温環境下で20日間放置した後
で再放電させたところXeガスによる発光スペク
トルが元のピーク値に回復したことや、後述する
ような本発明の酸素処理によつてXe減少傾向が
抑制されることによつて裏付けられる。一方、誘
電体層が酸化鉛を主成分とした低融点ガラスより
なる従来の厚膜タイプのパネルでは、MgO膜の
酸素欠陥が下地誘電体層側から比較的容易に埋め
られるのに対し、Al2O3のように結合が強固でし
かも高純度の蒸着膜で誘電体層を形成した薄膜タ
イプのパネルではMgOの酸素欠陥が動作中ガス
を吸着及び吸蔵する形で弊害を生じ易いわけであ
る。
に吸着されたことは、一旦Xeガスの減少したパ
ネルを70℃程度の高温環境下で20日間放置した後
で再放電させたところXeガスによる発光スペク
トルが元のピーク値に回復したことや、後述する
ような本発明の酸素処理によつてXe減少傾向が
抑制されることによつて裏付けられる。一方、誘
電体層が酸化鉛を主成分とした低融点ガラスより
なる従来の厚膜タイプのパネルでは、MgO膜の
酸素欠陥が下地誘電体層側から比較的容易に埋め
られるのに対し、Al2O3のように結合が強固でし
かも高純度の蒸着膜で誘電体層を形成した薄膜タ
イプのパネルではMgOの酸素欠陥が動作中ガス
を吸着及び吸蔵する形で弊害を生じ易いわけであ
る。
本発明は上述のごとき観点から薄膜タイプのガ
ス放電パネルの誘電体層上に構成するMgO表面
層を高真空中において安定なマグネシウム酸化物
となるよう蒸着形成し、ガス放電パネルの動作特
性の安定化と寿命特性の改善を目的とした新規な
AC駆動型ガス放電パネル中のガス組成の経時変
化を防止する方法を提供せんとするもので、その
特徴は、基板上に形成した電極を誘電体層で被覆
して、ガス放電空間から絶縁した構成を有するガ
ス放電パネルにおいて、前記誘電体層上にMgO
からなる表面層を形成する際、酸素ガスを導入し
た蒸着装置中でMgOを蒸着するようにしたこと
にある。
ス放電パネルの誘電体層上に構成するMgO表面
層を高真空中において安定なマグネシウム酸化物
となるよう蒸着形成し、ガス放電パネルの動作特
性の安定化と寿命特性の改善を目的とした新規な
AC駆動型ガス放電パネル中のガス組成の経時変
化を防止する方法を提供せんとするもので、その
特徴は、基板上に形成した電極を誘電体層で被覆
して、ガス放電空間から絶縁した構成を有するガ
ス放電パネルにおいて、前記誘電体層上にMgO
からなる表面層を形成する際、酸素ガスを導入し
た蒸着装置中でMgOを蒸着するようにしたこと
にある。
このように酸素ガスが導入された蒸着装置中で
MgOを蒸着した際の作用効果について上記第３
図を参照して説明する。この図において、Ｂ、
Ｃ、Ｄの各線は、それぞれ酸素ガスを導入して真
空度が1.4×10-5Torr、５×10-5Torr、１×
10-4Torrに制御された蒸着チヤンバ内でMgO表
面層を形成し、かつNe＋Xe（0.1％）の放電ガス
が充填されたガス放電パネルを、発光させた場合
のXeガス量の経時変化を示す。
MgOを蒸着した際の作用効果について上記第３
図を参照して説明する。この図において、Ｂ、
Ｃ、Ｄの各線は、それぞれ酸素ガスを導入して真
空度が1.4×10-5Torr、５×10-5Torr、１×
10-4Torrに制御された蒸着チヤンバ内でMgO表
面層を形成し、かつNe＋Xe（0.1％）の放電ガス
が充填されたガス放電パネルを、発光させた場合
のXeガス量の経時変化を示す。
ここでXe／Ne発光ピーク比は、前述したよう
にNeとXeの混合ガスを放電させた際に生じる放
電光中の、それぞれの発光スペクトルのピークを
前記関係にて比率化したものである。またXe／
Ne発光ピーク比の累積減少量は、所定のライフ
時間ごとに双方の発光ピークを測定して、その順
次の測定値よりNe分のXe比率を算出しさらにそ
れら発光ピーク比の初期の比率に対する差をそれ
ぞれプロツトしたもので、この比率の差はXeガ
スの混合比率に対応する。
にNeとXeの混合ガスを放電させた際に生じる放
電光中の、それぞれの発光スペクトルのピークを
前記関係にて比率化したものである。またXe／
Ne発光ピーク比の累積減少量は、所定のライフ
時間ごとに双方の発光ピークを測定して、その順
次の測定値よりNe分のXe比率を算出しさらにそ
れら発光ピーク比の初期の比率に対する差をそれ
ぞれプロツトしたもので、この比率の差はXeガ
スの混合比率に対応する。
さてこの図で明らかなように、Xe／Ne発光ピ
ーク比累積減少量は、いずれのパネルも時間経過
につれて増加傾向にあるが、本発明による酸素ガ
ス条件下で形成したMgO表面層を有するガス放
電パネル（Ｂ、Ｃ、Ｄ線）においては、酸素ガス
導入量が増大するにつれてその増加傾向が低くく
抑えられている。言い換えるとパネル内における
Xeガスの減少量が、酸素ガス導入量に依存して
低減する。このことはMgO表面層が酸素補給さ
れた結果、該MgO表面層による放電ガス中のXe
ガスの吸着、吸蔵が抑止されたことを意味する。
ーク比累積減少量は、いずれのパネルも時間経過
につれて増加傾向にあるが、本発明による酸素ガ
ス条件下で形成したMgO表面層を有するガス放
電パネル（Ｂ、Ｃ、Ｄ線）においては、酸素ガス
導入量が増大するにつれてその増加傾向が低くく
抑えられている。言い換えるとパネル内における
Xeガスの減少量が、酸素ガス導入量に依存して
低減する。このことはMgO表面層が酸素補給さ
れた結果、該MgO表面層による放電ガス中のXe
ガスの吸着、吸蔵が抑止されたことを意味する。
このようなXeガス量低減によるパネルの性能
面を見ると、酸素ガス未導入条件下で形成した
MgO表面層を有する従来パネルでは、100時間程
度の加速ライフ時間において図中の点線Ｘで示さ
れる使用限界レベル（後述するパネル動作電圧の
最小値Vshが約2Vも増大し動作マージン不良と
なる状態）に達するが、上記した本発明のパネル
の場合、少なくとも200時間以上に寿命が２倍以
上延びる。
面を見ると、酸素ガス未導入条件下で形成した
MgO表面層を有する従来パネルでは、100時間程
度の加速ライフ時間において図中の点線Ｘで示さ
れる使用限界レベル（後述するパネル動作電圧の
最小値Vshが約2Vも増大し動作マージン不良と
なる状態）に達するが、上記した本発明のパネル
の場合、少なくとも200時間以上に寿命が２倍以
上延びる。
以下図面を用いて本発明の好ましい一実施例に
つき詳細に説明する。
つき詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するためのパ
ネル構成基板の要部断面図である。
ネル構成基板の要部断面図である。
図において複数のＸ電極２とＹ電極１２を配列
した形で用意された対向する１対のガラス基板１
及び１１上の全面に電極表面を保護する意味を含
めて例えばAl2O3からなる薄い誘電体層３及び１
３を形成し、さらにその上面に、後述する封止予
定部を除くパターンで再びAl2O3またはバイコー
ルガラス等からなる第２の誘電体層４及び１４を
所定厚みに形成し、次いで基板１及び１１の封止
予定部に同一パターンで例えば低融点ガラスから
なる封着材を塗布し、仮焼成して封着材層５及び
１５を形成する。しかる後、各パネル構成基板１
及び１１上の第２の誘電体層４及び１４の上面に
表面層を形成するため、前記封着材層５及び１５
を含めて前記表面層被着部位以外の部分をマスク
した状態で例えば電子ビーム蒸着装置に装着し、
そしてまず前記誘電体層４及び１４上に同質の
Al2O3またはバイコールガラスからなる蒸着膜
（誘電体最上層）６及び１６を再度、好ましくは
0.3μｍ程度の厚みに蒸着形成する。引続きその清
浄な上面にMgOからなる表面層を約1μｍ程度の
厚みに蒸着形成するわけであるが、本発明では、
例えば２×10-6Torrの高真空の蒸着チヤンバ内
に高純度な酸素ガスを導入して真空度が５×
10-6Torrになるよう制御するこの時の酸素ガス
導入量は、例えば5000／secの排気量を有する
蒸着装置において、約1.5×10-2Torr・／secの
流量で導入することになる。また酸素ガスを導入
せる蒸着チヤンバ内の真空度は蒸着膜厚の制御性
と蒸着用ヒータの断線等不都合が生じないよう８
×10-4から５×10-6Torrの範囲の真空度に設定
するのが望ましい。この状態で約150℃に加熱さ
れた前記誘電体最上層６及び１６上にMgOを所
定膜厚に蒸着すれば、酸化程度の高い、つまり安
定なマグネシウム酸化物からなる表面層７及び１
７を形成することが可能となる。
した形で用意された対向する１対のガラス基板１
及び１１上の全面に電極表面を保護する意味を含
めて例えばAl2O3からなる薄い誘電体層３及び１
３を形成し、さらにその上面に、後述する封止予
定部を除くパターンで再びAl2O3またはバイコー
ルガラス等からなる第２の誘電体層４及び１４を
所定厚みに形成し、次いで基板１及び１１の封止
予定部に同一パターンで例えば低融点ガラスから
なる封着材を塗布し、仮焼成して封着材層５及び
１５を形成する。しかる後、各パネル構成基板１
及び１１上の第２の誘電体層４及び１４の上面に
表面層を形成するため、前記封着材層５及び１５
を含めて前記表面層被着部位以外の部分をマスク
した状態で例えば電子ビーム蒸着装置に装着し、
そしてまず前記誘電体層４及び１４上に同質の
Al2O3またはバイコールガラスからなる蒸着膜
（誘電体最上層）６及び１６を再度、好ましくは
0.3μｍ程度の厚みに蒸着形成する。引続きその清
浄な上面にMgOからなる表面層を約1μｍ程度の
厚みに蒸着形成するわけであるが、本発明では、
例えば２×10-6Torrの高真空の蒸着チヤンバ内
に高純度な酸素ガスを導入して真空度が５×
10-6Torrになるよう制御するこの時の酸素ガス
導入量は、例えば5000／secの排気量を有する
蒸着装置において、約1.5×10-2Torr・／secの
流量で導入することになる。また酸素ガスを導入
せる蒸着チヤンバ内の真空度は蒸着膜厚の制御性
と蒸着用ヒータの断線等不都合が生じないよう８
×10-4から５×10-6Torrの範囲の真空度に設定
するのが望ましい。この状態で約150℃に加熱さ
れた前記誘電体最上層６及び１６上にMgOを所
定膜厚に蒸着すれば、酸化程度の高い、つまり安
定なマグネシウム酸化物からなる表面層７及び１
７を形成することが可能となる。
以上のように酸素ガス導入条件下で形成した
MgO表面層を有するガス放電パネルにおいては、
充填せる放電ガス中のXeガスの減少はみられず、
その動作マージンの特性と加速ライフ時間の関係
が著しく改善された。すなわち第２図によつて明
らかなように、従来タイプのガス放電パネルで
は、動作電圧の最大値Vsh（Max）と最小値Vsh
（Min）との差で定まる動作マージンは、鎖線ａ，
ｂで示すように約100時間から150時間の加速ライ
フ時間において急速に減少し、ミス動作が発生し
やすくなるのに対し、本発明によるガス放電パネ
ルにおいては、数百時間の加速ライフ試験によつ
ても実線ｃ，ｄで示すように動作マージンは安定
しており、また加速ライフ試験結果によるライフ
時間も、従来タイプのパネルの平均100時間弱に
対し、その約2.6倍の寿命改善が実現できた。
MgO表面層を有するガス放電パネルにおいては、
充填せる放電ガス中のXeガスの減少はみられず、
その動作マージンの特性と加速ライフ時間の関係
が著しく改善された。すなわち第２図によつて明
らかなように、従来タイプのガス放電パネルで
は、動作電圧の最大値Vsh（Max）と最小値Vsh
（Min）との差で定まる動作マージンは、鎖線ａ，
ｂで示すように約100時間から150時間の加速ライ
フ時間において急速に減少し、ミス動作が発生し
やすくなるのに対し、本発明によるガス放電パネ
ルにおいては、数百時間の加速ライフ試験によつ
ても実線ｃ，ｄで示すように動作マージンは安定
しており、また加速ライフ試験結果によるライフ
時間も、従来タイプのパネルの平均100時間弱に
対し、その約2.6倍の寿命改善が実現できた。
以上の説明から明らかなように、本発明によれ
ば誘電体層上に形成される表面層の酸素欠陥等の
問題が解消され、安定なMg酸化物からなる表面
層を形成することができるので、本発明によつて
構成された例えばセルフシフト型ガス放電パネル
のシフト動作特性が長時間にわたり安定となり、
かつ寿命が数倍に改善されるなど、セルフシフト
型ガス放電パネルのみならず、この種表面層を構
成した各種ガス放電パネルの製造に適用すれば極
めて有利である。
ば誘電体層上に形成される表面層の酸素欠陥等の
問題が解消され、安定なMg酸化物からなる表面
層を形成することができるので、本発明によつて
構成された例えばセルフシフト型ガス放電パネル
のシフト動作特性が長時間にわたり安定となり、
かつ寿命が数倍に改善されるなど、セルフシフト
型ガス放電パネルのみならず、この種表面層を構
成した各種ガス放電パネルの製造に適用すれば極
めて有利である。
第１図は、本発明の一実施例を説明するための
パネル構成基板を示す要部断面図、第２図は本発
明に係るガス放電パネルのシフト動作マージンと
加速ライフタイムとの関係を説明する図、第３図
は同ガス放電パネルのXe／Ne発光ピーク比の累
積減少量と加速ライフタイムとの関係を説明する
図である。 １及び１１：基板、２及び１２：電極、３及び
１３：誘電体層、４及び１４：第２の誘電体層、
５及び１５：封着材層、６及び１６：誘電体最上
層、７及び１７：表面層。
パネル構成基板を示す要部断面図、第２図は本発
明に係るガス放電パネルのシフト動作マージンと
加速ライフタイムとの関係を説明する図、第３図
は同ガス放電パネルのXe／Ne発光ピーク比の累
積減少量と加速ライフタイムとの関係を説明する
図である。 １及び１１：基板、２及び１２：電極、３及び
１３：誘電体層、４及び１４：第２の誘電体層、
５及び１５：封着材層、６及び１６：誘電体最上
層、７及び１７：表面層。
Claims (1)
- １ 基板上に形成した電極を蒸着誘電体膜で被覆
して、少量のXeを添加した放電用ガスの封入空
間から絶縁した構成を有するガス放電パネルにお
いて、前記蒸着誘電体膜上に酸化マグネシウムか
らなる表面層を形成する際、酸素ガスを導入した
蒸着装置中で前記酸化マグネシウムを蒸着するこ
とにより当該酸化マグネシウム表面層の酸素欠陥
に基づく前記Xeガスの吸着および吸蔵を防止し
てAC駆動型ガス放電パネル中のガス組成の経時
変化を防止する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10565479A JPS5638729A (en) | 1979-08-18 | 1979-08-18 | Manufacture of gas discharge panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10565479A JPS5638729A (en) | 1979-08-18 | 1979-08-18 | Manufacture of gas discharge panel |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5638729A JPS5638729A (en) | 1981-04-14 |
| JPS6359221B2 true JPS6359221B2 (ja) | 1988-11-18 |
Family
ID=14413425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10565479A Granted JPS5638729A (en) | 1979-08-18 | 1979-08-18 | Manufacture of gas discharge panel |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5638729A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0367723U (ja) * | 1989-10-27 | 1991-07-02 | ||
| JPH03112128U (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-15 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6149021A (ja) * | 1984-08-14 | 1986-03-10 | Mitsubishi Kensetsu Kk | 地下連続壁工法 |
| JP2864897B2 (ja) * | 1992-10-05 | 1999-03-08 | 株式会社大林組 | 変断面地中壁用掘削装置 |
| JP3163563B2 (ja) * | 1995-08-25 | 2001-05-08 | 富士通株式会社 | 面放電型プラズマ・ディスプレイ・パネル及びその製造方法 |
| JP3339554B2 (ja) | 1995-12-15 | 2002-10-28 | 松下電器産業株式会社 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| KR19990002169A (ko) * | 1997-06-19 | 1999-01-15 | 구자홍 | 플라즈마 디스플레이 판넬의 하판구조 |
-
1979
- 1979-08-18 JP JP10565479A patent/JPS5638729A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0367723U (ja) * | 1989-10-27 | 1991-07-02 | ||
| JPH03112128U (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-15 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5638729A (en) | 1981-04-14 |
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