JPS6357384B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6357384B2
JPS6357384B2 JP55067668A JP6766880A JPS6357384B2 JP S6357384 B2 JPS6357384 B2 JP S6357384B2 JP 55067668 A JP55067668 A JP 55067668A JP 6766880 A JP6766880 A JP 6766880A JP S6357384 B2 JPS6357384 B2 JP S6357384B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diamond
silicon
alloy
mass
eutectic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP55067668A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS55158174A (en
Inventor
Chaaruzu Deuriizu Robaato
Rii Minyangu
Edowaado Suzara Roorensu
Erumaa Tafuto Roi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Publication of JPS55158174A publication Critical patent/JPS55158174A/ja
Publication of JPS6357384B2 publication Critical patent/JPS6357384B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/52—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbon, e.g. graphite
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
    • B01J3/06—Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies
    • B01J3/062—Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies characterised by the composition of the materials to be processed
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B24D3/02—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
    • B24D3/04—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially inorganic
    • B24D3/06—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially inorganic metallic or mixture of metals with ceramic materials, e.g. hard metals, "cermets", cements
    • B24D3/08—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially inorganic metallic or mixture of metals with ceramic materials, e.g. hard metals, "cermets", cements for close-grained structure, e.g. using metal with low melting point
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/6303—Inorganic additives
    • C04B35/6316—Binders based on silicon compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • C04B35/645—Pressure sintering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C26/00—Alloys containing diamond or cubic or wurtzitic boron nitride, fullerenes or carbon nanotubes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
    • B01J2203/06—High pressure synthesis
    • B01J2203/0605—Composition of the material to be processed
    • B01J2203/062—Diamond
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
    • B01J2203/06—High pressure synthesis
    • B01J2203/0605—Composition of the material to be processed
    • B01J2203/0645—Boronitrides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
    • B01J2203/06—High pressure synthesis
    • B01J2203/065—Composition of the material produced
    • B01J2203/0655—Diamond
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
    • B01J2203/06—High pressure synthesis
    • B01J2203/065—Composition of the material produced
    • B01J2203/066—Boronitrides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
    • B01J2203/06—High pressure synthesis
    • B01J2203/0675—Structural or physico-chemical features of the materials processed
    • B01J2203/0685—Crystal sintering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
    • C04B2235/3817—Carbides
    • C04B2235/3826—Silicon carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
    • C04B2235/3817—Carbides
    • C04B2235/3826—Silicon carbides
    • C04B2235/3834—Beta silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
    • C04B2235/3817—Carbides
    • C04B2235/3839—Refractory metal carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
    • C04B2235/3817—Carbides
    • C04B2235/3839—Refractory metal carbides
    • C04B2235/3843—Titanium carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
    • C04B2235/3817—Carbides
    • C04B2235/3839—Refractory metal carbides
    • C04B2235/3847—Tungsten carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
    • C04B2235/3891—Silicides, e.g. molybdenum disilicide, iron silicide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/40—Metallic constituents or additives not added as binding phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/40—Metallic constituents or additives not added as binding phase
    • C04B2235/404—Refractory metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/40—Metallic constituents or additives not added as binding phase
    • C04B2235/405—Iron group metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/40—Metallic constituents or additives not added as binding phase
    • C04B2235/408—Noble metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/42—Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
    • C04B2235/428—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5436—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5463—Particle size distributions
    • C04B2235/5472—Bimodal, multi-modal or multi-fraction
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
    • C04B2235/616—Liquid infiltration of green bodies or pre-forms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
    • C04B2235/721—Carbon content
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/77—Density
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance

Description

【発明の詳細な説明】
本発明はケイ素原子富含（silicon atom―
rich）結合媒体によつて結合された少なくとも90
％のダイヤモンドの容積分率を含有する多結晶質
のダイヤモンド体の製造に関する。 高密度（体中のダイヤモンドの高容量）ダイヤ
モンド基密填体（compact）に対する一つの技術
的な障害は、密に充填された微細粒度のダイヤモ
ンド粉末の毛細管中に浸透溶浸する好適な結合剤
材料の開発にあつた。結合剤はダイヤモンドと熱
的に安定な強力な結合を形成しなければならず、
そしてダイヤモンドをグラフアイト化したりある
いはダイヤモンドと過度に反応したりしてはなら
ない。 本発明は、ダイヤモンド結晶の圧縮塊体の毛細
管中に良く浸透し、結晶を湿潤させて強力な良好
に浸透し、接合した（cemented）ダイヤモンド
体を形成する共晶含有（eutectiferous）けい素
富含合金を利用する。本発明方法で作られる多結
晶質ダイヤモンド体は研摩材、切削工具、ノズル
または他の耐摩耗性部品として有用である。 概説すれば、本発明の方法は、反応室内に、固
体共晶含有ケイ素富含合金、または共晶含有ケイ
素富含合金を与える固体成分、および固体共晶含
有ケイ素富含合金の上記塊体、または共晶含有ケ
イ素富含合金を与える上記成分の少なくとも一つ
と接触した形のダイヤモンド結晶の塊体、および
上記合金またはその成分の少なくとも一つと接触
または会合した形の六方晶窒化硼素からなる仕込
物を封入し、上記共晶含有ケイ素富含合金がケイ
素および上記ケイ素とケイ化物を形成する金属か
らなり、上記六方晶窒化硼素が上記ダイヤモンド
塊体の全重量の少なくとも約５重量％の量で存在
させ、上記封入仕込物に少なくとも約25キロバー
ルの圧力を付与してダイヤモンド結晶の塊体をダ
イヤモンド結晶の形成される圧縮塊体の90容量％
より大きな密度に圧縮させ、上記付与圧力を保持
し、圧力保持仕込物を上記合金を溶融させるに充
分な浸透温度でかつダイヤモンドの著しいグラフ
アイト化を生ぜしめない温度に加熱し、これによ
つて上記合金をダイヤモンド結晶の上記圧縮塊体
間の細隙中に浸透させ、上記合金はダイヤモンド
結晶の上記圧縮塊体の細隙を充填するのに充分な
量で使用し、上記浸透性ケイ素富含合金で圧縮ダ
イヤモンド結晶面を包覆させてダイヤモンド面ま
たは非ダイヤモンド元素状炭素と反応させて少な
くとも主たる量が炭化ケイ素である炭化物を形成
させ、形成した浸透されたダイヤモンド塊体中へ
の熱の入力を停止し、上記圧力を除き、ケイ素原
子富含結合媒体で結合されたダイヤモンド結晶か
らなり、ダイヤモンド結晶が上記多結晶質ダイヤ
モンド体の全容量の少なくとも90容量％から約95
容量％までの範囲の量で存在する形成された多結
晶質ダイヤモンド体を回収することからなる。 当業者には添付図面との関係における以下の説
明から本発明は更に良く理解しうるであろう。 本発明で使用するダイヤモンド結晶は天然また
は合成のものであることができる。それらは約１
〜約1000μの最大寸法における大きさの範囲であ
り、使用する個々の粒度は所望のダイヤモンド結
晶の個々の充填率または密度、および形成される
物体の個々の用途によつて大きく決る。例えば殆
どの研摩用には、約60μより大きくないダイヤモ
ンド結晶が好ましい。好ましくは本発明方法にお
けるダイヤモンド結晶の充填率を最大にするた
め、それらは粒度分級して（Size―graded）即
ち小、中および大粒子結晶の粒度範囲を含有させ
るべきである。好ましくは粒度分級結晶は約１〜
約60μの範囲にあり、好ましくはこの粒度の範囲
内において、結晶の全塊体の約60〜約80容量％範
囲の大きい粒度部分であり、約５〜約10容量％が
中の粒度部分であり、残りが小さい粒度の結晶ま
たは粒子を構成する。 ダイヤモンド結晶の分粒は、大きいダイヤモン
ド結晶をジエツトミリングすることによつて容易
にできる。ダイヤモンド結晶は本発明方法におい
ては使用前に化学的に清浄にしてその表面から酸
化物または他の不純物を除くことが好ましい。こ
れはダイヤモンド結晶を約900℃で約１時間水素
中で加熱することによつて達成できる。 本発明において、共晶含有ケイ素富含合金（即
ちここで使用する合金なる語は金属間化合物も包
含するものとする）はケイ素と金属、即ちケイ素
とケイ化物を形成する合金化金属からなる。本発
明の共晶含有ケイ素富含合金はケイ素と、コバル
ト（Co）、クロム（Cr）、鉄（Fe）、ハフニウム
（Hf）、マンガン（Mn）、モリブデン（Mo）、ニ
オブ（Nb）、ニツケル（Ni）、パラジウム（Pd）、
白金（Pt）、レニウム（Re）、ロジウム（Rh）、
ルテニウム（Ru）、タンタル（Ta）、トリウム
（Th）、チタン（Ti）、ウラン（Ｕ）、バナジン
（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、イツトリウム（Ｙ）、
ジルコニウム（Zr）およびそれらの合金からな
る群から選択した金属からなるのが好ましい。 本発明の共晶含有ケイ素富含合金は室温で固体
であり、50原子％より大で約99原子％以下の範囲
の量でケイ素を含有する。本発明の共晶含有ケイ
素富含合金の特定組成は、所望される個々の製
品、即ちその個々の組成物によつて大きく決る。
本発明のケイ素富含合金はそれが若干の共晶構造
を含有することおよび半共晶、超共晶または共晶
組成であることができることで、共晶含有であ
る。例えば第１図を用いると、共晶２は、平衡状
態下に、冷却したとき一定温度で凝固して少なく
とも二つの相の固体を形成し、加熱したとき同じ
一定温度で完全に溶融する特別の組成の合金であ
り、このの一定温度は２でも与えられる共融温度
と称される。共晶２は二つの下降液相曲線３およ
び４が共融点２で合致する組成物であり、従つて
それはその近くの半共晶または超共晶よりも低い
融点を有する。液相線は平衡状態下に、ケイ素富
含合金の加熱中溶融が終る温度またはその冷却中
凝固が始まる温度を表わす状態図上の曲線または
直線である。特に本発明の共晶含有ケイ素富含合
金は共融水平線１、即ち共融点２を通過し、組成
が平衡状態図上の共融点２の左側にあり、若干の
共晶組織即ち半共晶を含有する合金から、組成が
平衡状態図の共融点２の右側にあり、若干の共晶
即ち超共晶合金を含有する合金まで延びる水平線
上の一連の合金の一つである。 本発明方法を実施するに当つて、本発明の浸透
性共晶含有ケイ素富含合金の所望の組成およびそ
の溶融即ち液相線温度は、本発明のケイ素富含合
金に対する状態図上の共融点を含む液相線上の一
点として見出される。本発明の浸透を行なうため
使用する温度は、約1600℃以下の共晶含有ケイ素
富含合金の液相線および溶融温度の範囲であるこ
とができる。約1600℃より高い温度は、それらが
非常な高圧を付与しない限りダイヤモンドの著し
いグラフアイト化を生ぜしめる傾向があり、また
何も著しい利点を与えないので有用でない。本発
明の共晶含有ケイ素富含合金は少なくとも25キロ
バールの温度下に保つのであるから、溶融温度ま
たは液相線温度は常圧でのそれよりも若干低い、
従つて個々の液相線温度は合金の個々の組成およ
び付与されるそれぞれの圧力によつて決る。 本発明の共晶組成物のケイ素富含合金は常圧で
約1430℃以下の温度で溶融する。ここでの好まし
いケイ素富含合金にとつては、常圧での共晶融点
はSiPd共晶合金即ちSi約56原子％に対しての870
℃から、SiMo共晶合金組成物即ちSi約97原子％
に対しての1410℃までの範囲である。第１図に示
す如く、SiZr共晶合金２は90.4原子％のSiを含有
し、常圧で1360℃の共晶溶融温度を有する。本発
明の固体ケイ素富含共晶合金の主たる相は殆ど純
粋なケイ素である。 本発明の共晶含有ケイ素富含合金は常圧で約
1500℃以下の融点を有し、通常は常圧で約850℃
〜約1450℃を有する。 本発明の共晶含有ケイ素富含合金は、90容量％
より大きい結晶密度を有するここで圧縮されたダ
イヤモンド塊体の空隙を満すのに充分な量で使用
すべきである。一般にそれは90容量％より大きい
結晶密度を有するダイヤモンド結晶の本発明の圧
縮塊体の約20〜約60容量％の範囲である。 本発明による仕込物を形成するに当つては、ダ
イヤモンド結晶の塊体を共晶含有ケイ素富含合金
の塊体と接触させて置く。あるいは、ダイヤモン
ド結晶の塊体を、その場で共晶含有ケイ素富含合
金を形成するため使用する成分の少なくとも一
つ、即ちケイ素または合金化金属の少なくとも一
つと接触状態に置くことができる。合金を形成す
るための成分は浸透前に合金を形成するように置
く。加熱中グラフアイトヒーターから発するガス
の侵入をダイヤモンドおよび合金の接触塊体から
保護するためおよび合金が溶融するとき合金を封
入するのを助けるため、ダイヤモンドおよび合金
の接触塊体はカツプまたはコンテナーの如き保護
金属シールド内に置く。六方晶窒化硼素は本発明
の仕込物の必須成分であり、ケイ素富含合金また
はその成分の一つと接触または会合状態で置く。
特に六方晶窒化硼素は合金と接触した形で保護金
属シールドまたはカツプ内に置くことができる、
あるいはそれは保護金属シールドまたはカツプの
外側に置くことができる、しかしシールドまたは
カツプの厚さだけ合金またはその成分の一つとか
ら分離させて、シールドまたはカツプの外側部分
と接触させて置く。 本発明において、六方晶窒化硼素は、ダイヤモ
ンド結晶の密な塊体全体にわたつて浸透させるこ
とを合金に可能にさせる必須成分である。特に六
方晶窒化硼素を使用しないと、本発明の浸透は進
行しない。またはダイヤモンド結晶の約５重量％
より少ない量の六方晶窒化硼素を用いると、浸透
は一定限度までしか進行せず、弱く、容易に破壊
される悪い結合のダイヤモンド密填体を生ずる。
ダイヤモンド結晶の全量は少なくとも約５重量
％、好ましくはそれより大、最も好ましくはダイ
ヤモンド結晶の約15〜約100重量％の量の六方晶
窒化硼素を用いると、六方晶窒化硼素が本発明に
よる合金と接触または近接会合して置かれている
ときには本発明による浸透が行なわれる。特に六
方晶窒化硼素が合金と接触しているとき、または
金属シールドの厚さだけ合金から分離して会合し
ているとき、本発明による浸透は進行し、有用な
良く結合した多結晶質ダイヤモンド体を生成す
る。金属シールドまたはコンテナーは、コンテナ
ー内に溶融または浸透性合金を少なくとも実質的
に保つに充分な厚さが必要なだけであり、通常か
かる厚さは約２ミル以下である。 仕込物または仕込物組立体は、高温および高圧
を付与してダイヤモンドを合成するため使用する
種類の高温―高圧装置の反応室内に置く。本発明
の製品を作りうる高温―高圧装置の一つの好まし
い形はホールの米国特許第2941248号明細書に記
載されており、この明細書はここに参考文献とし
て引用する、これを第２図に略示する。 第２図において、装置１０は一対の焼結炭化タ
ングステンパンチ１１および１１′、および同じ
材料の中間ベルトまたはダイ部材１２を含む。ダ
イ部材１２には開口１３を有し、ここには反応容
器１４を置く。パンチ１１とダイ１２の間および
パンチ１１′とダイ１２の間には、ガスケツト／
絶縁組立体１５，１５′を含有させ、その各々は
一対の熱絶縁性および電気非伝導性のピロフイラ
イト部材１６および１７、および中間金属ガスケ
ツト１８を有する。 一つの好ましい形では反応容器１４は中空塩シ
リンダー１９を含有する。シリンダー１９は他の
材料例えばタルクのものでもよい。シリンダー１
９内でそれに隣接して同心的にグラフアイト電気
抵抗ヒーター管２０を置く。グラフアイトヒータ
ー管２０内には順に同心的にシリンダー状塩ライ
ナー２１を置く。ライナー２１の対向端に塩プラ
グ２２，２２′を、以下に説明する仕込物組立体
（第２図には図示せず）の上および下にそれぞれ
嵌合させる。グラフアイトヒーター管２０に電気
接続を与えるためシリンダー１９の各端に導電性
金属端盤２３および２３′を利用する。各盤２３，
２３′に隣接して端組立体２４および２４′を置
き、この各々は導電性リング２６で取り巻かれた
ピロフイライトプラグまたは盤２５を有する。 この装置において高圧および高温を付与するた
めの操作技術は当業者に良く知られている。上述
した説明は単なる一つの高圧、高温装置に関する
ものである。種々な他の装置が、本発明の範囲内
で使用しうる必要な高圧高温を与えることができ
る。 本発明による仕込物または仕込物組立体の具体
例を第３図および第４図に示す。第３図または第
４図の仕込物組立体は、その寸法を比例してない
のであるが、第２図の装置の空間３１即ち反応室
内に嵌合する。仕込物組立体は、反応室内にきち
んとした嵌合を形成すべきである、かくすると、
圧力を付与したとき封入塊体は大きくずれること
がない、即ち封入塊体の形または形状が著しく変
化しない。 第３図に示した配置において、仕込物組立体
は、同じである二つの仕入物または副組立体３２
および３２′からなる。金属カツプ３３または３
３′（底を有する円形シリンダー状壁）内に共晶
含有ケイ素富含合金の層または盤３４または３
４′、合金３４または３４′と接触した形のダイヤ
モンド結晶の塊体３５または３５′、およびカツ
プ３３または３３′中にきちんと嵌合し、そのた
めのクロージヤーとして作用する盤３６または３
６′を配置する。六方晶窒化硼素３７または３
７′の盤は金属カツプ３３または３３′と接した形
で、金属カツプ３３または３３′の厚さだけ合金
３４または３４′から離れて各金属カツプ３３ま
たは３３′の外側に置く。熱電対（図示せず）は
３７および３７′の間に置くのが好ましい。 カツプ３３または３３′および盤３６または３
６′は、本発明ダイヤモンド体の性質に著しく有
害な効果を有しない金属材料から作る。かかる金
属材料はタングステン、イツトリウム、バナジ
ン、タンタル、モリブデンおよびジルコニウムか
ら選択した合属が好ましい。 少なくとも実質的に始めに置いたままで、内容
物が本発明による圧力を受けるように、内容物の
相互混合または自由移動を許す自由空間をコンテ
ナーまたはカツプ内に残してはならない。コンテ
ナー即ちカツプ３３または３３′および盤３６ま
たは３６′はコンテナー内に浸透性ケイ素富含合
金を少なくとも実質的に保つ充分な厚さを有する
ことが必要なだけである。 本発明の仕込物組立体の別の例を第４図に示
す、この場合一つの副組立体または仕込物３９中
に金属カツプ４１、六方晶窒化硼素塊体４２、共
晶ケイ素富含合金盤４３、およびダイヤモンド結
晶塊体４４を入れ、盤４５がクロージヤーであ
る。第４図の副組立体４０に示す如く、金属カツ
プ４６内に、共晶含有ケイ素富含合金４７、およ
びダイヤモンド結晶層４８が置いてあり、盤４９
はそのためのクロージヤーである、六方晶窒化硼
素塊体５０は合金４７と会合した形でカツプ４６
と接触して金属カツプ４６の丁度外側に置く。更
に二つの副組立体は塩盤５１および５２によつて
分離されており、熱電対（図示せず）はこれらの
塩盤の間に置くのが好ましい。 室温または周囲温度で、反応室内の仕込物組立
体に約25〜約60キロバールの圧力を付与する。こ
の付与した圧力は仕込物組立体を寸法的に安定化
するかまたはそれを寸法的に追加的に安定化さ
せ、ダイヤモンド結晶塊体を圧縮ダイヤモンド塊
体の90容量％より大なる密度に圧縮する。特に付
与圧力はダイヤモンド塊体中の空隙の大きさを減
少させて毛細管状の大きさの空隙の存在を最大に
する、そしてこの空隙容量の減少は更に並置され
た結晶対結晶部域を与え、有効な結合のための場
所を与える。付与圧力が25キロバールより著しく
低いとダイヤモンド結晶の塊体を90容量％より大
きいダイヤモンド密度まで圧縮しない。密度制御
のため付与すべき個々の圧力は、所望されるダイ
ヤモンド密度およびダイヤモンド結晶の大きさに
よつて大きく決定され、および温度でダイヤモン
ド安定性を保つために決る。特定粒度または粒度
の混合物を有するダイヤモンド結晶の塊体に対
し、製品中の個々のダイヤモンド密度を得るため
付与する圧力は実験的に決定できる、即ち付与す
る圧力が大となればなる程、ダイヤモンド結晶の
圧縮塊体中のダイヤモンド密度は大となる。また
結晶の密度が大となればなる程、結晶の間に存在
する非ダイヤモンド材料の量は少なくなり、それ
に比例して硬い研摩体を生ずる。しかしながら、
60キロバールより大なる付与圧力は大きな利点を
提供しない。最良の結果のためには、付与圧力は
約45〜約55キロバールの範囲である。 寸法的に安定化され仕込物または仕込物組立体
は、少なくとも約25キロバールの付与圧力の下で
保ち、浸透温度まで加熱する、即ち共晶含有ケイ
素富含合金を少なくとも溶融させるのに充分な温
度まで加熱する、として溶融したとき、ダイヤモ
ンド結晶の圧縮塊体の細隙または空隙全体にわた
つて強制流入させる。 浸透を実施するに当つては、始め合金が溶融し
たとき、形成されかまたはその中に存在すること
のあるスラグまたは酸化物は、その中で浮遊し、
それが圧縮ダイヤモンド塊体を浸透するとき後に
残る。また合金への圧力の付与が、通常存在する
か、または毛細管空隙系を合金に対して曝露する
面を合金とダイヤモンドの間に形成する界面耐火
層またはスラグ（大部分は酸化物）を破壊する。
結果として、本発明の多結晶質ダイヤモンド体
は、ダイヤモンドと結合媒体の間に形成される強
力結合を阻害するガラス相を含有しない。 第５図に示すように、ケイ素70重量％―レニウ
ム30重量％の融点は約1310℃である。しかしなが
ら本発明方法の付与圧力の下では、この合金が標
準圧力のときより実質的に低い温度で溶融するこ
とを第５図は示している、即ち60キロバールの圧
力の下では約1080℃の温度で溶融し、25キロバー
ルの圧力の下では約1210℃の温度で溶融する。第
５図の影線部分は、このSi70重量％―Re30重量
％の合金で本発明の浸透を実施するための操作可
能な温度と圧力の組合せを規定する。 反応容器を組立て、ガスケツト／絶縁組立体内
の高圧―高温装置中に入れた後、先ず圧力を上昇
させ、次いで温度を上昇させる。浸透温度は、ダ
イヤモンドの非ダイヤモンド元素状炭素への変換
を最少にするため、急速に到達させるべきであ
り、特にグラフアイト安定帯域では５分以内に到
達させるべきであり、そしてダイヤモンド結晶塊
体全体にわたつて満足できる浸透を確実に行なわ
せるため通常少なくとも約２分間付与した圧力の
下でかかる温度を保持する。一般に約２分〜約10
分の浸透時間が満足できる。 本発明方法について、ダイヤモンドの非ダイヤ
モンド型への変換、即ち炭化ケイ素、非ダイヤモ
ンド元素状炭素または両者への変換は、時間と温
度に大きく依存する、即ち温度が高くなればなる
程、およびかかる温度での時間が長くなればなる
程、ダイヤモンドの非ダイヤモンド型への変換が
出現し易くなる、かかる変換の程度は実験的に測
定できる。特に第５図の影線部分中のダイヤモン
ド―グラフアイト平衡線の上では、合金とダイヤ
モンド面との反応によつてダイヤモンドの変換が
大きく進行する、かかる場合において、本発明方
法はダイヤモンドの非ダイヤモンド型への変換が
行なわれる前に完了させるべきである、さもない
と回収された多結晶質ダイヤモンド体のダイヤモ
ンド含有率がダイヤモンド体の90容量％より少な
くなるまで減少する。一方第５図の影線部分でダ
イヤモンド―グラフアイト平衡線の下では、ダイ
ヤモンドの非ダイヤモンド型への変換は、ダイヤ
モンドの非ダイヤモンド元素状炭素即ちグラフア
イトへの変換によつて大きく進行する、かかる場
合にも、本発明方法は充分なダイヤモンドが非ダ
イヤモンド型への変換する前に完了させるべきで
ある、さもないと回収された多結晶質ダイヤモン
ド体のダイヤモンド含有率がダイヤモンド体の90
容量％より少なくなるまで減少する。 浸透中、合金がダイヤモンド塊体中に浸透し流
れるに従つて、それは圧縮ダイヤモンド結晶の表
面を包覆し、ダイヤモンド表面または形成するこ
とのある非ダイヤモンド元素状炭素相と反応し、
炭化物を生成する、この炭化物の少なくとも大部
分の量、通常実質的な量が炭化ケイ素である。形
成される製品は一体的に強く結合された多結晶質
ダイヤモンド体である。 浸透が完了したとき、ダイヤモンドのグラフア
イト化を防止し、浸透されたダイヤモンド塊体の
寸法安定性を維持するため、圧力を除去する前に
反応室への熱入力を停止する。特に浸透が完了し
たとき、グラフアイトヒータへの電力を切り、反
応室を急速に、通常は１分間でほぼ室温まで冷却
する。一般に反応室が50℃以下まで冷却されたと
き、圧力を好ましくは約10キロバール／分の速度
で大気圧まで開放する。浸透されたダイヤモンド
塊体はそれを回収する前に室温まで冷却させる。
多結晶質ダイヤモンド体の外表面の絞り出された
過剰のケイ素合金は研削の如き通常の方法で除去
できる。 本発明の多結晶質ダイヤモンド体はケイ素原子
含有結合媒体で相互に接着結合したダイヤモンド
結晶の塊体からなり、上記ダイヤモンド結晶は約
1μ〜約1000μの大きさの範囲であり、上記ダイヤ
モンド結晶の密度は少なくとも90容量％から約95
容量％までの範囲であり、上記ケイ素原子含有結
合媒体は上記ダイヤモンド体の約10容量％までの
範囲の量で存在し、上記結合媒体は多結晶質ダイ
ヤモンド体全体にわたつて少なくとも実質的に均
一に分布しており、結合されたダイヤモンドの面
と接触した上記結合媒体の表面または部分は少な
くともその主たる量が炭化ケイ素である、即ちダ
イヤモンド結晶の表面と直接接触した形の結合媒
体の部分または面の50容量％以上が炭化ケイ素で
ある。好ましくは結合ダイヤモンドの面と接して
いる上記結合媒体の部分または表面は少なくとも
実質的な量が炭化ケイ素である、即ち結合ダイヤ
モンド結晶の面と直接接している結合媒体の少な
くとも85容量％、好ましくは100容量％が炭化ケ
イ素である。本発明のダイヤモンド体は孔不合ま
たは少なくとも実質的に孔不含である。 本発明のケイ素含有結合媒体は常に炭化ケイ素
を含有する。一具体例において、本発明による結
合媒体は炭化ケイ素および金属ケイ化物からな
る。別の具体例においては、本発明による結合媒
体は、炭化ケイ素、金属ケイ化物および元素状ケ
イ素からなる。更に別の具体例においては本発明
による結合媒体は炭化ケイ素、金属ケイ化物およ
び金属炭化物からなる。更に別の具体例において
は、本発明による結合媒体は炭化ケイ素、金属ケ
イ化物、金属炭化物および元素状ケイ素からな
る。更に別の具体例においては、本発明による結
合媒体は炭化ケイ素、金属炭化物および元素状ケ
イ素からなる。本発明による結合媒体中の金属ケ
イ化物および金属炭化物の金属成分は浸透性合金
中に存在する合属または合金化金属によつて作ら
れる。 結合媒体中に存在する金属ケイ化物の金属成分
は、コバルト、クロム、鉄、ハフニウム、マンガ
ン、レニウム、ロジウム、ルテニウム、タンタ
ル、トリウム、チタン、ウラン、バナジン、タン
グステン、イツトリウム、ジルコニウムおよびそ
れらの合金からなる群から選択するのが好まし
い。 結合媒体中に存在する金属炭化物の金属成分は
安定な炭化物を形成する強力な炭化物形成剤であ
り、クロム、ハフニウム、チタン、ジルコニウ
ム、タンタル、バナジン、タングステン、モリブ
デンおよびそれらの合金からなる群から選択する
のが好ましい。 本発明のダイヤモンド体の結合媒体中の炭化ケ
イ素およびもし存在するときには元素状ケイ素の
量は、ダイヤモンド結晶の表面と浸透性ケイ素富
含合金の間の反応程度のみならず非ダイヤモンド
元素状炭素と浸透性ケイ素富含合金の間の反応程
度によつて変えることができる。全ての他の要因
が同じであると仮定して、結合媒体中に存在する
炭化ケイ素の個々の量は、付与した圧力および使
用した温度の個々の組合せおよびかかる圧力―温
度組合せでの時間に大きく依存する。例えば一定
の望ましい性質を得るため、炭化ケイ素の個々の
望ましい量を有する本発明の結合したダイヤモン
ド結晶体の製造は実験的に決定できる。 特に結合媒体は常に少なくとも検出しうる量の
炭化ケイ素、および少なくとも検出しうる量の浸
透性合金中に存在する合金化金属のケイ化物およ
び／または炭化物を含有する。金属ケイ化物は使
用する個々の浸透性合金によつて常にジケイ化物
の形である。結合媒体はまた少なくとも検出しう
る量の元素状ケイ素も含有する。炭化ケイ素、金
属ケイ化物、金属炭化物または元素状ケイ素の検
出しうる量とは、ここでは本発明によるダイヤモ
ンド体の薄断面で透過電子顕微鏡の選択面積回折
分析によつて検出しうる量を意味する。しかしな
がら一般に、本発明による結合媒体は、炭化ケイ
素を本発明の多結晶質ダイヤモンド体の少なくと
も約１容量％の量を含有し、通常金属ケイ化物を
少なくとも検出しうる量、しばしば多結晶ダイヤ
モンド体の最低約0.1容量％の量で含有する。存
在する金属ケイ化物の個々の量は浸透性ケイ素富
含合金の組成によつて決る。金属ケイ化物は硬質
であり、あるものは金属よりも小さい熱線膨張係
数を有すること、ある場合にはダイヤモンド体中
の相に対して望ましい性質であるレニウムの如く
ダイヤモンドよりも小さい熱線膨張係数を有する
ことが報告されている。存在する炭化ケイ素およ
び元素状ケイ素の個々の量は、浸透性ケイ素富含
合金の組成のみならず浸透性ケイ素富含合金とダ
イヤモンドまたは非ダイヤモンド炭素の間の反応
程度によつて大きく決る。存在する金属炭化物の
個々の量は浸透性ケイ素富含合金の組成に大きく
依存する。 本発明による多結晶質ダイヤモンド体の薄断面
の透過電子顕微鏡の選択面積回折分析では結合ダ
イヤモンドの表面と接している結合媒体の部分が
少なくとも主たる量の炭化ケイ素であることも示
す。 本発明の結合ダイヤモンド結晶体は空隙不含ま
たは孔不含または少なくとも実質的に孔不含であ
る、即ちそれはダイヤモンド体の約２容量％より
少ない量、しかし通常は約１容量％より少ない量
で空隙または孔を含有しもよい、ただし、かかる
孔または空隙は約0.5μより小さく、ダイヤモンド
体全体にわたつて充分均一に分布しており、かく
してそれらがその機械的性質に著しく有害な効果
を有しないようにする。本発明のダイヤモンド体
の空隙または孔含有率は、例えばダイヤモンド体
の研摩断面を光学的に検査する如き標準金属組織
検査法で測定できる。 本発明のダイヤモンド体はまたＸ線回折分析で
検出しうる量で非ダイヤモンド元素状炭素を含有
しないことで非ダイヤモンド炭素相を含有しな
い。 本発明の多結晶質ダイヤモンド体は大きさに範
囲を決めることができる。その最大の大きさは装
置の容量によつて限定される。一方本発明の多結
晶質ダイヤモンド体は所望に応じて小さくもまた
薄くもできる、しかしそれは常にダイヤモンド結
晶の単層以上である。 研摩材として使用するため、本発明によるダイ
ヤモンド体の一部は、適当な支持材料例えば工具
挿入体を形成する焼結また熱圧縮炭化ケイ素、焼
結または熱圧縮窒化ケイ素、または焼結炭化物ま
たはモリブデンの如き金属にろう接、半だ付また
は他の方法で接着できる、この工具挿入体は工作
機械中に保持するためとりつけられた工具シヤン
クで保持し、かくしてダイヤモンド体の露出面を
直接機械掛けに使用できる。あるいは本発明によ
る多結晶質ダイヤモンド体は、ダイヤモンド体の
露出面によつて直接機械加工するため旋盤に機械
的に把持させることができる。 本発明を下掲の表にまとめた実験で更に示す、
これらの表中の実験において、他に特記せぬ限
り、方法は次の如く行なつた。 微細粒度、例えば約2μ〜約20μの大きさの範囲
の六方晶窒化硼素粉末を使用した。 使用した装置は第２図に示した装置と実質的に
同じであつた。 浸透性合金の量は圧縮ダイヤモンド塊体中に完
全に浸透するのに充分な量とした。 浸透性合金はケイ素50原子％以上を含有する共
晶含有ケイ素富含合金であつた。 多結晶質ダイヤモンド体は盤の形で作つた。 約１ミルの厚さを有するジルコニウムカツプを
各実験で使用した。個々のケイ素富含合金の鋳造
盤をカツプ内に置き、ダイヤモンド粉末の層を合
金の上に置き、次いでカツプをこれも厚さ約１ミ
ルのジルコニウム盤で閉じ、カツプ内に著しい自
由空間を残まぬようにした。 実験１〜10では第３図または第４図で示すよう
な仕込物組立体を形成した。実験11，12および13
の各仕込物は、温度および圧力条件を補正するた
め使用した装置を有する仕込物組立体を形成した
以外は第３図または第４図の仕込物３２または４
０と実質的に同じであつた。実験14〜25の仕込物
は、HBN盤をクロージヤー盤３６に対する端プ
ラグとして使用し、HBN粉末の密填層が仕込物
を包覆したこと以外は仕込物３２と実質的に同じ
であつた。 仕込物または仕込物組立体は反応室、即ち第２
図の14で示したのと同じ型の反応容器のキヤビテ
イ中に入れ同心的に置いた。特に実験11〜13の仕
込物組立体は第２図の21の如き塩スリーブを用い
て挿入した、ただし、実験14〜25では、大量の六
方晶窒化硼素が各仕込物を包覆しているから、塩
スリーブを使用しなかつた。反応室の内径は仕込
物または仕込物組立体の直径と殆ど同じであつ
た。塩プラグ２２および２２′を使用した、そし
て必要あるときには圧縮した塩シリンダーを仕込
物または仕込物組立体の下および上に置いて室の
残存空間を満した。反応容器を第２図に示した装
置と実質的に同じである高圧―高温装置中に置
き、周囲温度で約55キロバールに圧縮した。これ
は90％以上のダイヤモンドの容積分率を含有する
ダイヤモンドの圧縮塊体を作つた。圧力が実質的
に安定化したとき、反応容器のグラフアイト加熱
素子中に電流を通し、一定時間一定温度を生ぜし
めた。実験において二つの温度を与えた場合、高
い方の温度が浸透温度である。次いで電力を切
り、反応容器をほぼ室温まで冷却した後、圧力を
開放し、反応容器を装置から取り出した。 プライヤー試験は作られた多結晶質ダイヤモン
ド盤の強度の迅速評価のため使用した。盤を粗い
曲げ試験のため二つのプライヤーのあごの間に保
持した。不適切に浸透した盤はかなり容易に破壊
できるが、良く浸透し、良く結合した盤は破壊で
きない。 摩耗速度に対しては、多結晶質ダイヤモンド盤
の縁をバーレ・グラナイトの旋盤旋削で深さカツ
ト0.020″、切削速度600表面フイート／分で、水
溶性冷却剤を用いて１分間で評価した。 耐摩耗フアクター（ARF）は摩耗に耐える切
削工具材料の能力についての測度である。このフ
アクターは0.010in摩耗ランドエボナイト・ブラ
ツク・ダイヤモンド、ケイ素質砂充填ゴムを旋削
したとき工具、材料について摩耗し去られる量を
作るのに要する時間（分）として定義する。 ARF＝Ｔ（分）／100摩耗ランド（in） Ｘ線回折分析は盤の研摩面について分析であ
る。
【表】
【表】
【表】 実験番号１〜６，８，11および14〜25は本発明
を示し、これらの実験の全てにおいて、六方晶窒
化硼素はダイヤモンドの合計重量の５重量％以上
の量で使用した。これらの各実験において、ダイ
ヤモンドの容積分率は実験番号25を除いて盤の少
なくとも90容量％であつた、これは、ダイヤモン
ド粉末の５容量％未満が非ダイヤモンド元素状炭
素相へ変換したとの推定の下に、経験、類似実験
での結果および多結晶質ダイヤモンド体の外観に
基いた。実験番号25においては、ダイヤモンド密
度、即ち、容積分率は、倍率750倍で多結晶質ダ
イヤモンド体の研摩した横断面の顕微鏡写真を用
いた標準点計数法で測定した、分折した表面積は
全体としてのダイヤモンド体の微細組織を表わす
のには充分な大きさであつた。研摩横断面または
表面は元素状非ダイヤモンド炭素を含有せず、孔
も含有しないことを示した。 実験番号１，14〜21および23における本発明の
多結晶質ダイヤモンド体について得られた研摩抵
抗フアクター（ARF）値は、本発明の製品が高
度に耐摩耗性であること、特に結晶の配向によ
り、ARFが95〜245である天然ダイヤモンド（単
結晶）と比較したとき、およびARF5である熱圧
縮多結晶質炭化ケイ素（約98％の密度）と比較し
たとき高度の耐摩耗性であることを示している。
またARFデータは本発明の製品の良好な熱安定
性を示している、即ちそれが熱によつて劣化しな
いことを示している。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明において有用な共晶含有ケイ素
富含ジルコニウム合金に対する平衡図を示すケイ
素―ジルコニウム合金状態図の一部であり、第２
図は本発明の製品の製造に有用な高圧、高温装置
の一例を示し、第３図は第２図の反応室のための
本発明による封入された仕込物の一例の断面図で
あり、第４図は第２図の反応室のための本発明に
よる封入された仕込物の別の例の断面図であり、
第５図は圧力の関数としてケイ素富含レニウム合
金の溶融曲線を示し、影線部分はかかる合金で本
発明方法を実施するための圧力および温度の操作
可能組合せを規定し、第６図はダイヤモンド含有
率が92.2容量％である本発明方法で作つたダイヤ
モンド体の研摩横断面の顕微鏡写真（750倍）で
ある。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 炭化ケイ素およびケイ素とケイ化物を形成す
    る金属の炭化物および／またはケイ化物からなる
    結合媒体によつて接着結合されたダイヤモンド結
    晶の塊体からなり、上記金属をコバルト、クロ
    ム、鉄、ハフニウム、マンガン、モリブデン、ニ
    オブ、ニツケル、パラジウム、白金、レニウム、
    ロジウム、ルテニウム、タンタル、トリウム、チ
    タン、ウラン、バナジン、タングステン、イツト
    リウム、ジルコニウムおよびそれらの合金からな
    る群から選択し、上記ダイヤモンド結晶が1μ〜
    1000μの大きさの範囲にあり、上記ダイヤモンド
    結晶の容量が上記ダイヤモンド体の少なくとも90
    容量％から95容量％までの範囲にあり、上記結合
    媒体が上記ダイヤモンド体の10容量％以下の範囲
    の量で存在し、上記結合媒体が上記ダイヤモンド
    体全体にわたつて少なくとも実質的に均一に分布
    しており、上記ダイヤモンド結晶の面と接触した
    形の上記結合媒体の部分が少なくとも主たる量の
    炭化ケイ素であり、上記ダイヤモンド体が少なく
    とも実質的な孔不含である多結晶質ダイヤモンド
    体。 ２ 上記結合媒体が元素状ケイ素も含有する特許
    請求の範囲第１項記載の多結晶質ダイヤモンド
    体。 ３ 上記結合媒体が炭化ケイ素および上記金属ケ
    イ化物からなる特許請求の範囲第１項記載の多結
    晶質ダイヤモンド体。 ４ 上記結合媒体が元素状ケイ素を含有する特許
    請求の範囲第３項記載の多結晶質ダイヤモンド
    体。 ５ 上記結合媒体が炭化ケイ素および上記金属炭
    化物からなる特許請求の範囲第１項記載の多結晶
    質ダイヤモンド体。 ６ 上記結合媒体が元素状ケイ素を含む特許請求
    の範囲第５項記載の多結晶質ダイヤモンド体。 ７ 反応室内に、固体共晶含有ケイ素富含合金、
    または共晶含有ケイ素富含合金を与えるための固
    体成分、および上記固体共晶含有ケイ素富含合金
    の塊体または共晶含有ケイ素富含合金を与えるた
    めの上記成分の少なくとも一つと接触した形のダ
    イヤモンド結晶の塊体、および上記合金またはそ
    の成分の少なくとも一つと接触または会合した形
    の六方晶窒化硼素からなる仕込物を封入し、この
    とき上記共晶含有ケイ素富含合金がケイ素および
    上記ケイ素とケイ化物を形成する金属からなり、
    上記金属をコバルト、クロム、鉄、ハフニウム、
    マンガン、モリブデン、ニオブ、ニツケル、パラ
    ジウム、白金、レニウム、ロジウム、ルテニウ
    ム、タンタル、トリウム、チタン、ウラン、バナ
    ジン、タングステン、イツトリウム、ジルコニウ
    ムおよびそれらの合金からなる群から選択し、上
    記六方晶窒化硼素をダイヤモンド塊体の少なくと
    も５重量％の量で存在させ、上記封入仕込物に少
    なくとも25キロバールの圧力を付与して形成され
    るダイヤモンド結晶の圧縮塊体の90容量％より大
    なる密度にダイヤモンド結晶の塊体を圧縮し、上
    記付与圧力を保持し、圧力保持した仕込物を上記
    合金を溶融させるのに充分な浸透温度でかつダイ
    ヤモンドの著しいグラフアイト化を生ぜしめない
    温度に加熱し、これによつて上記合金をダイヤモ
    ンド結晶の上記圧縮塊体間の細隙中に浸透させ、
    上記合金はダイヤモンド結晶の上記圧縮塊体の細
    隙を充填するのに充分な量で使用し、上記浸透性
    ケイ素富含合金が圧縮ダイヤモンド結晶面を包覆
    し、ダイヤモンド面または非ダイヤモンド元素状
    炭素と反応させて少なくとも主たる量が炭化ケイ
    素である炭化物を形成させ、形成され浸透された
    ダイヤモンド塊体中への熱の入力を停止し、上記
    圧力を除き、ケイ素原子富含結合媒体によつて結
    合されたダイヤモンド結晶からなり、ダイヤモン
    ド結晶が上記体の全容量の少なくとも90容量％か
    ら95容量％までの範囲の量で存在する形成された
    多結晶質ダイヤモンド体を回収することを特徴と
    する多結晶質ダイヤモンド体の製造方法。 ８ 上記浸透温度が850〜1600℃の範囲である特
    許請求の範囲第７項記載の方法。 ９ 上記付与圧力が35〜55キロバールの範囲であ
    る特許請求の範囲第７項または第８項記載の方
    法。 １０ 上記ダイヤモンド結晶が1μ〜60μの範囲の
    粒度分級である特許請求の範囲第７項記載の方
    法。
JP6766880A 1979-05-24 1980-05-21 Polycrystal diamond body Granted JPS55158174A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/042,237 US4231195A (en) 1979-05-24 1979-05-24 Polycrystalline diamond body and process

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS55158174A JPS55158174A (en) 1980-12-09
JPS6357384B2 true JPS6357384B2 (ja) 1988-11-11

Family

ID=21920807

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6766880A Granted JPS55158174A (en) 1979-05-24 1980-05-21 Polycrystal diamond body

Country Status (13)

Country Link
US (1) US4231195A (ja)
EP (1) EP0019824B1 (ja)
JP (1) JPS55158174A (ja)
AT (1) ATE9148T1 (ja)
AU (1) AU538647B2 (ja)
CA (1) CA1136428A (ja)
DE (1) DE3069056D1 (ja)
ES (1) ES491750A0 (ja)
IE (1) IE50056B1 (ja)
IL (1) IL59853A (ja)
IN (1) IN153075B (ja)
MX (1) MX153792A (ja)
ZA (1) ZA802207B (ja)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4417906A (en) * 1980-07-09 1983-11-29 General Electric Company Process for production of silicon carbide composite
US4453951A (en) * 1980-07-09 1984-06-12 General Electric Co. Process for the production of silicone carbide composite
US4448591A (en) * 1981-01-21 1984-05-15 General Electric Company Cutting insert having unique cross section
SE457537B (sv) * 1981-09-04 1989-01-09 Sumitomo Electric Industries Diamantpresskropp foer ett verktyg samt saett att framstaella densamma
US4698070A (en) * 1981-12-16 1987-10-06 General Electric Company Cutting insert for interrupted heavy machining
US4544517A (en) * 1981-12-16 1985-10-01 General Electric Co. Automatic composite press technique for producing cutting inserts
US4460382A (en) * 1981-12-16 1984-07-17 General Electric Company Brazable layer for indexable cutting insert
DE3546783C2 (ja) * 1984-03-30 1993-01-28 De Beers Industrial Diamond Division (Proprietary) Ltd., Johannesburg, Transvaal, Za
AU583299B1 (en) * 1984-08-24 1989-04-27 Australian National University, The Diamond compacts and process for making same
US4985051A (en) * 1984-08-24 1991-01-15 The Australian National University Diamond compacts
US4650776A (en) * 1984-10-30 1987-03-17 Smith International, Inc. Cubic boron nitride compact and method of making
IE57439B1 (en) * 1985-04-09 1992-09-09 De Beers Ind Diamond Wire drawing die
IE58714B1 (en) * 1985-06-07 1993-11-03 De Beers Ind Diamond Thermally stable diamond abrasive compact body
ZA864402B (en) * 1985-06-18 1987-02-25 De Beers Ind Diamond Abrasive tool
FR2598644B1 (fr) * 1986-05-16 1989-08-25 Combustible Nucleaire Produit abrasif diamante thermostable et procede de fabrication d'un tel produit
JP2672136B2 (ja) * 1987-03-23 1997-11-05 ザ・オーストラリアン・ナショナル・ユニバーシティ ダイヤモンドコンパクト
CN1125793C (zh) 1997-09-05 2003-10-29 费伦顿有限公司 制备金刚石－碳化硅－硅复合材料的方法和坯体
US6709747B1 (en) * 1998-09-28 2004-03-23 Skeleton Technologies Ag Method of manufacturing a diamond composite and a composite produced by same
US20030021901A1 (en) * 2000-03-14 2003-01-30 Adrien Gasse Method for coating parts made of material based on sic, coating compositions, and resulting coated parts
US20050189647A1 (en) * 2002-10-11 2005-09-01 Chien-Min Sung Carbonaceous composite heat spreader and associated methods
WO2005038912A1 (en) * 2002-10-11 2005-04-28 Chien-Min Sung Carbonaceous heat spreader and associated methods
US7173334B2 (en) * 2002-10-11 2007-02-06 Chien-Min Sung Diamond composite heat spreader and associated methods
US20060113546A1 (en) * 2002-10-11 2006-06-01 Chien-Min Sung Diamond composite heat spreaders having low thermal mismatch stress and associated methods
US6939506B2 (en) * 2003-05-30 2005-09-06 The Regents Of The University Of California Diamond-silicon carbide composite and method for preparation thereof
US7959841B2 (en) * 2003-05-30 2011-06-14 Los Alamos National Security, Llc Diamond-silicon carbide composite and method
CA2489187C (en) * 2003-12-05 2012-08-28 Smith International, Inc. Thermally-stable polycrystalline diamond materials and compacts
US9103172B1 (en) 2005-08-24 2015-08-11 Us Synthetic Corporation Polycrystalline diamond compact including a pre-sintered polycrystalline diamond table including a nonmetallic catalyst that limits infiltration of a metallic-catalyst infiltrant therein and applications therefor
KR101441153B1 (ko) * 2006-12-13 2014-09-17 다이아몬드 이노베이션즈, 인크. 피삭성이 향상된 연마 콤팩트
US7998573B2 (en) * 2006-12-21 2011-08-16 Us Synthetic Corporation Superabrasive compact including diamond-silicon carbide composite, methods of fabrication thereof, and applications therefor
US7791188B2 (en) 2007-06-18 2010-09-07 Chien-Min Sung Heat spreader having single layer of diamond particles and associated methods
SE532992C2 (sv) * 2007-11-08 2010-06-08 Alfa Laval Corp Ab Förfarande för framställning av en diamantkomposit, grönkropp, diamantkomposit samt användning av diamantkompositen
US8057775B2 (en) 2008-04-22 2011-11-15 Us Synthetic Corporation Polycrystalline diamond materials, methods of fabricating same, and applications using same
US8800693B2 (en) * 2010-11-08 2014-08-12 Baker Hughes Incorporated Polycrystalline compacts including nanoparticulate inclusions, cutting elements and earth-boring tools including such compacts, and methods of forming same
WO2011017649A2 (en) 2009-08-07 2011-02-10 Baker Hughes Incorporated Polycrystalline compacts including in-situ nucleated grains earth-boring tools including such compacts, and methods of forming such compacts and tools
US8727042B2 (en) 2009-09-11 2014-05-20 Baker Hughes Incorporated Polycrystalline compacts having material disposed in interstitial spaces therein, and cutting elements including such compacts
EP2488719B8 (en) 2009-10-15 2019-06-26 Baker Hughes, a GE company, LLC Polycrystalline compacts including nanoparticulate inclusions, cutting elements and earth-boring tools including such compacts, and methods of forming such compacts
TWI464839B (zh) 2010-09-21 2014-12-11 Ritedia Corp 單層鑽石顆粒散熱器及其相關方法
US9006086B2 (en) 2010-09-21 2015-04-14 Chien-Min Sung Stress regulated semiconductor devices and associated methods
US8778784B2 (en) 2010-09-21 2014-07-15 Ritedia Corporation Stress regulated semiconductor devices and associated methods
EP2694455B1 (en) 2011-04-06 2017-03-29 Diamond Innovations, Inc. Methods for improving thermal stability of a polycrystalline diamond (pcd)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5562846A (en) * 1978-10-31 1980-05-12 Mitsubishi Metal Corp Heattresisting and abrasion resisting superpressure sintering material with tenacity
JPS5562850A (en) * 1978-10-31 1980-05-12 Mitsubishi Metal Corp Heattresisting and abrasionnresisting superpssure sintering material with tenacity
JPS5580775A (en) * 1978-12-09 1980-06-18 Mitsubishi Metal Corp Tanacious heattresisting antiabrasive super high pressure sintering material
JPS5580776A (en) * 1978-12-09 1980-06-18 Mitsubishi Metal Corp Tanacious heattresisting antiabrasive super high pressure sintering material

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL267401A (ja) * 1960-07-22
DE2324155C2 (de) * 1973-05-12 1974-11-21 Fried. Krupp Gmbh, 4300 Essen Gesinterte polykristalline diamanthal tige Hartkorper und Verfahren zu ihrer Her stellung
US4168957A (en) * 1977-10-21 1979-09-25 General Electric Company Process for preparing a silicon-bonded polycrystalline diamond body
US4124401A (en) * 1977-10-21 1978-11-07 General Electric Company Polycrystalline diamond body
US4151686A (en) * 1978-01-09 1979-05-01 General Electric Company Silicon carbide and silicon bonded polycrystalline diamond body and method of making it

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5562846A (en) * 1978-10-31 1980-05-12 Mitsubishi Metal Corp Heattresisting and abrasion resisting superpressure sintering material with tenacity
JPS5562850A (en) * 1978-10-31 1980-05-12 Mitsubishi Metal Corp Heattresisting and abrasionnresisting superpssure sintering material with tenacity
JPS5580775A (en) * 1978-12-09 1980-06-18 Mitsubishi Metal Corp Tanacious heattresisting antiabrasive super high pressure sintering material
JPS5580776A (en) * 1978-12-09 1980-06-18 Mitsubishi Metal Corp Tanacious heattresisting antiabrasive super high pressure sintering material

Also Published As

Publication number Publication date
EP0019824B1 (en) 1984-08-29
EP0019824A1 (en) 1980-12-10
IL59853A (en) 1983-07-31
US4231195A (en) 1980-11-04
ZA802207B (en) 1981-07-29
IE50056B1 (en) 1986-02-05
IN153075B (ja) 1984-05-26
AU5864380A (en) 1980-11-27
CA1136428A (en) 1982-11-30
AU538647B2 (en) 1984-08-23
IE801088L (en) 1980-11-24
JPS55158174A (en) 1980-12-09
ES8105403A1 (es) 1981-05-16
MX153792A (es) 1987-01-09
ATE9148T1 (de) 1984-09-15
DE3069056D1 (en) 1984-10-04
ES491750A0 (es) 1981-05-16
IL59853A0 (en) 1980-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6357384B2 (ja)
US4124401A (en) Polycrystalline diamond body
US4241135A (en) Polycrystalline diamond body/silicon carbide substrate composite
US4380471A (en) Polycrystalline diamond and cemented carbide substrate and synthesizing process therefor
US4168957A (en) Process for preparing a silicon-bonded polycrystalline diamond body
US4171339A (en) Process for preparing a polycrystalline diamond body/silicon carbide substrate composite
US4151686A (en) Silicon carbide and silicon bonded polycrystalline diamond body and method of making it
US3982911A (en) Process for the preparation of a composite cubic boron nitride layer abrasive body
US3743489A (en) Abrasive bodies of finely-divided cubic boron nitride crystals
EP0054846B1 (en) Diamond and cubic boron nitride abrasive compacts using size selective abrasive particle layers and process for making same
KR100402986B1 (ko) 개선된성질을갖는연마용콤팩트의제조방법
US3912500A (en) Process for producing diamond-metallic materials
US4343651A (en) Sintered compact for use in a tool
US4940180A (en) Thermally stable diamond abrasive compact body
US7033408B2 (en) Method of producing an abrasive product containing diamond
US4016736A (en) Lubricant packed wire drawing dies
US4173614A (en) Process for preparing a polycrystalline diamond body/silicon nitride substrate composite
US4142869A (en) Compact-grained diamond material
JPS6213307B2 (ja)
IE59164B1 (en) Improved cubic boron nitride compact and method of making same
WO2002012578A2 (en) Method of producing an abrasive product containing cubic boron nitride
IE861487L (en) Diamond compact
US4234661A (en) Polycrystalline diamond body/silicon nitride substrate composite
US5145506A (en) Method of bonding metal carbides in non-magnetic alloy matrix
IE57439B1 (en) Wire drawing die