JPS6356831A - Method for grooving glass substrate for optical disk - Google Patents
Method for grooving glass substrate for optical diskInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、ガラス基板に所定のグルーブ(トラッキング
エラーの低減のためのガイド溝)またはピットを形成す
ることによって、光ディスク基板または光ディスク原盤
(前記光ディスク基板をマスクリング用原盤に使用する
と光ディスク原盤という呼び名になる)を得る光ディス
ク用ガラス基板のグルービング方法に関する。Detailed Description of the Invention [Industrial Application Field] The present invention provides an optical disk substrate or an optical disk master (the above-mentioned The present invention relates to a method for grooving a glass substrate for an optical disc to obtain an optical disc master (when the optical disc substrate is used as a master for a mask ring).
[従来の技術]
従来の光ディスクの原盤作成工程は(1)ガラス基板の
上にフォトレジストを塗布し、(2)レーザ記録装置に
よってビーム露光し、記録を行ない、(3)レジストを
現像する工程から成り立っている。そして得られたディ
スク原盤から金后金型を作成し、マスクリング工程を経
て樹脂製の光ディスク基板を製造している(電気・電子
工学大百科事典1株式会社電気書院1984年発行、第
25巻370頁を参照されたい)。[Prior Art] The conventional optical disc master production process includes (1) coating a photoresist on a glass substrate, (2) performing beam exposure and recording using a laser recording device, and (3) developing the resist. It consists of A metal mold is then created from the obtained disc master, and a resin optical disc substrate is manufactured through a mask ring process (Encyclopedia of Electrical and Electronic Engineering 1, published by Denkishoin Co., Ltd. in 1984, Vol. 25). (See page 370).
近年、信号品質の向上に対する要求から、上記レジスト
現像処理の後、露光部の露出したガラス表面を反応性イ
オンエツチング(レジストパターンをマスクとして化学
的活性度の高いラジカルおよびイオンとの化学反応によ
り進行するエツチング:電気・電子工学大百科事典2株
式会社電気書院1984年発行、第5巻243頁を参照
されたい)によりエツチングを行なって、ガラス基板上
に直接グルービングを施し、ピットやグルーブを形成す
ることによって、光ディスク基板または光ディスク原盤
を得る方法が実現されつつある。これを実用化すること
によって、原盤表面からの雑音をガラス表面のレベルま
で減少させ、その品質を向上させ得ることや、1枚のガ
ラス原盤より多数枚の金属金型の作成が可能となる(光
メモリシンポジウム85論文集69頁を参照されたい)
。In recent years, due to the demand for improved signal quality, after the resist development process described above, the exposed glass surface of the exposed area is subjected to reactive ion etching (proceeding by chemical reaction with highly chemically active radicals and ions using the resist pattern as a mask). Etching: Electrical and Electronic Engineering Encyclopedia 2 Published by Denkishoin Co., Ltd. 1984, Vol. 5, p. 243) to perform grooving directly on the glass substrate to form pits and grooves. As a result, a method for obtaining an optical disc substrate or an optical disc master is being realized. By putting this into practical use, it will be possible to reduce the noise from the master surface to the level of the glass surface and improve its quality, and it will be possible to create many metal molds from one glass master ( (Please refer to page 69 of the Proceedings of the Optical Memory Symposium 85)
.
さらには、高度の信頼性が要求されるコンピュータ用の
書き換え可能な先ディスクで(ま、ピットやグルーブが
形成されたガラス基板を直接光ディスク基板として利用
することも考えられている。Furthermore, it is also being considered to use a glass substrate with pits and grooves directly as an optical disk substrate for rewritable disks for computers that require a high degree of reliability.
[発明が解決しようとする問題点]
しかし、反応性イオンエツチング法では、グルーブまた
はピットの形状、溝内の表面粗さ、溝深さ等で高い精度
を得ることは困難である。たとえば外径130mmのガ
ラス基板を用いた場合、溝深さで±20%程度のばらつ
きを生じていた。これらは、反応性イオンエツチング法
がフォトレジストを使用した間接的なパターニング工程
であること、および反応性イオンエツチングではガラス
に対するエツチングが不規則になる等の理由によるもの
である。このように溝深さ等のばらつきが生じると光デ
ィスクの信号対ノイズ比等が一定しなくなり問題である
。[Problems to be Solved by the Invention] However, with the reactive ion etching method, it is difficult to obtain high precision in the shape of the groove or pit, the surface roughness within the groove, the groove depth, etc. For example, when a glass substrate with an outer diameter of 130 mm was used, the groove depth varied by about ±20%. These problems are due to the fact that the reactive ion etching method is an indirect patterning process using a photoresist, and that reactive ion etching etches glass irregularly. When such variations in groove depth etc. occur, the signal-to-noise ratio of the optical disc becomes inconsistent, which is a problem.
さらに、最近ではセクタマークとして゛深さを変えた溝
”を記録したり、シーク時間の短縮のため多種類の溝を
使い分けたりする要求が現われており、従来の反応性イ
オンエツチングでは対応できなくなりつつある。Furthermore, recently there has been a demand for recording ``grooves of varying depth'' as sector marks and for using multiple types of grooves to shorten seek time, and conventional reactive ion etching is no longer able to meet these demands. It's coming.
二の発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、光ディスク用ガラス基板に直接グルービン
グを施し、シャープなエツジと平坦な側面および″調節
された深さ′ををするグルーブまたはピットを有する光
ディスク基板または光ディスク原盤をiする方法を提供
することを目的とする。The second invention was made to solve the above-mentioned problems, and it is possible to create grooves that have sharp edges, flat sides, and "adjusted depth" by directly grooving the glass substrate for optical discs. Another object of the present invention is to provide a method for preparing an optical disc substrate or an optical disc master having pits.
[問題点を解決するための手段]
この発明は、ガラス基板に所定のグルーブまたはピット
を形成することによって、光ディスク基板または光ディ
スク原盤を得る光ディスク用ガラス基板のグルービング
方法である。そして光ディスク用ガラス基板に直接ハロ
ゲンイオンビームを照射することにより該グルーブまた
はピットを形成することを特徴とする。[Means for Solving the Problems] The present invention is a method for grooving a glass substrate for an optical disc, in which an optical disc substrate or an optical disc master is obtained by forming predetermined grooves or pits in the glass substrate. The method is characterized in that the grooves or pits are formed by directly irradiating the glass substrate for an optical disk with a halogen ion beam.
[作用]
本発明のグルービング方法は、高い加速電圧で加速され
たハロゲンイオンビームのガラス基板への直接描画的エ
ツチングとなるので、反応性イオンエンチングに比べて
エツチングの精度が高い。[Function] The grooving method of the present invention performs etching by direct writing on the glass substrate with a halogen ion beam accelerated at a high acceleration voltage, so the etching accuracy is higher than that of reactive ion etching.
また、ハロゲンのイオンビームを用いるので、ガラスに
対する反応性が高くなる。Furthermore, since a halogen ion beam is used, the reactivity toward glass is high.
さらに、ハロゲンイオンビームのイオン源の走査速度や
ガラス基板の移動速度をコンピュータ制御により変調す
ることができる。Furthermore, the scanning speed of the halogen ion beam ion source and the moving speed of the glass substrate can be modulated by computer control.
[実施例] 以下本発明の実施例を示す。[Example] Examples of the present invention will be shown below.
実施例1および比較例1
ガラス基板として外径130mmの化学強化処理を施し
たソーダガラスを使用した。このソーダガラスに対し従
来の反応性イオンエツチング法と本発明のハロゲンイオ
ンビームエツチング法で、ピッチ1. 6um、溝幅0
. 8μm、平均深さ0゜10μmの溝のグルービング
を行なった。Example 1 and Comparative Example 1 Chemically strengthened soda glass having an outer diameter of 130 mm was used as a glass substrate. This soda glass was etched with a pitch of 1. 6um, groove width 0
.. Grooving was performed to form grooves of 8 μm and an average depth of 0° and 10 μm.
なお、この溝のパターンは反応性イオンエツチング法で
はレジストパターンを用いてガラス基板上に形成した。Note that this groove pattern was formed on a glass substrate using a resist pattern using a reactive ion etching method.
そしてハロゲンイオンビームエツチング法では、ガラス
基板の移動速度およびイオン源の走査速度をコンピュー
タにより制御し、ハロゲンイオンビームによる直接描画
により溝のバターンをガラス基板上に形成した。In the halogen ion beam etching method, the moving speed of the glass substrate and the scanning speed of the ion source were controlled by a computer, and a pattern of grooves was formed on the glass substrate by direct writing with the halogen ion beam.
また本発明のハロゲンイオンビームとしては下記のもの
を使用した。The following halogen ion beams were used in the present invention.
イオン源:電解放出型イオン源
イオン種二F−
イオン電流:200pA
加速電圧:30keV
イオン光学系:静電型円筒レンズおよび静電偏光器
ビーム径:0.2μm
溝が形成されたガラス基板上に、光磁気書換え型ディス
クの常法に従い、AαN100OA、G積層し、各種特
性調査を行なった。Ion source: Field emission type ion source ion type 2F- Ion current: 200 pA Acceleration voltage: 30 keV Ion optical system: Electrostatic cylindrical lens and electrostatic polarizer Beam diameter: 0.2 μm On a glass substrate with grooves formed According to the conventional method for magneto-optical rewritable disks, AαN100OA and G were laminated, and various characteristics were investigated.
本発明のハロゲンイオンビームエツチング法によりグル
ービングが施されたガラス基板(実施例1)と反応性イ
オンエツチングによりグルービングが施されたガラス基
板(比較例1)の各種特性調査の結果を表1に示す。Table 1 shows the results of various characteristic investigations of a glass substrate grooved by the halogen ion beam etching method of the present invention (Example 1) and a glass substrate grooved by reactive ion etching (Comparative Example 1). .
表1
表1から明らかなように本発明のハロゲンイオンビーム
エツチングによるグルービングで得られたガラス基板の
溝の溝深さ、1断面内溝幅、溝幅のばらつきは反応性イ
オンエツチングによるグルービングで得られたものに比
べて非常に小さく、また溝内反射率およびC/ N (
carrier to noise)比も優れている。Table 1 As is clear from Table 1, the groove depth, groove width within one cross section, and groove width variations of the grooves of the glass substrate obtained by grooving by halogen ion beam etching of the present invention are the same as those obtained by grooving by reactive ion etching. The in-groove reflectance and C/N (
The carrier to noise ratio is also excellent.
また、本発明ではビームにハロゲンイオンヲ用いており
ガラスに対する反応性が高いので、他のイオン源(Ar
等)に比べ高速のエツチングが可能となり、しかも溝内
の表面が極めて平滑に形成できる。そして、この利点は
グルービング後、希フッ化水素によるわずかなエツチン
グにより、より強調され得る。In addition, since the present invention uses halogen ions in the beam and has high reactivity to glass, other ion sources (Ar
etc.), it is possible to perform etching at high speed, and the surface inside the groove can be formed to be extremely smooth. And this advantage can be further emphasized by slight etching with dilute hydrogen fluoride after grooving.
なお、本実施例では比較例1との差を明確にするために
単純な溝を形成するグルービングの例を示したが、この
グルービングをピットおよびグルーブの形成に応用する
ことにより、光ディスク基板および光ディスク原盤を得
る。In this example, an example of grooving to form a simple groove was shown to clarify the difference from Comparative Example 1, but by applying this grooving to the formation of pits and grooves, optical disk substrates and optical disks Get the master.
また、本発明の方法ではコンピュータ制御によりイオン
源の走査速度やガラス基板の移動速度を変調することが
でき、容易にピットやグルーブの溝の深さを多様に変え
ることができる。この場合、深さを変えてもピットの大
きさやグルーブ幅は変化しない。Further, in the method of the present invention, the scanning speed of the ion source and the moving speed of the glass substrate can be modulated by computer control, and the depth of the pits and grooves can be easily varied. In this case, the pit size and groove width do not change even if the depth changes.
本実施例ではイオン種として好ましいフッ素イオンを用
いた例を挙げたが、本発明はこれに限られるものではな
く他のハロゲン種(塩素イオン。In this example, an example using fluorine ions, which is preferable as the ion species, was given, but the present invention is not limited to this, and other halogen species (chlorine ions, etc.) are used.
臭素イオン等)であってもよい。bromine ion, etc.).
また、本実施例では好ましい例としてハロゲンイオンビ
ームの加速電圧を30keVにした場合を示したが、本
発明はこれに限られるものでなく、加速電圧は5ないし
50keVの範囲内で使用し得る。加速電圧が5keV
以下だとエツチング効率が悪くなり、50keV以上だ
とハロゲンイオンビームがガラス基板内に射ち込まれて
問題である。Further, in this embodiment, a case where the accelerating voltage of the halogen ion beam is set to 30 keV is shown as a preferable example, but the present invention is not limited to this, and the accelerating voltage can be used within the range of 5 to 50 keV. Acceleration voltage is 5keV
If it is less than 50 keV, the etching efficiency will deteriorate, and if it is more than 50 keV, the halogen ion beam will be injected into the glass substrate, causing a problem.
さらに、本実施例では好ましいハロゲンイオンビームの
ビーム径として0.2μmのものを用いたが、本発明は
これに限られるものではなく、ビーム径は0.05μm
ないし0.5μmの範囲で使用し得る。一般的にはガラ
ス基板に形成されるグルーブの溝幅は約0.8μmであ
り、ビーム径が0.05μm以下だと、0.8μmの溝
幅を形成するには小さすぎて効率が悪く、ビーム径が0
゜5μm以上だと0. 8μmの溝幅を形成するには大
きすぎて問題である。Further, in this example, a preferable beam diameter of the halogen ion beam is 0.2 μm, but the present invention is not limited to this, and the beam diameter is 0.05 μm.
to 0.5 μm. Generally, the groove width of a groove formed on a glass substrate is about 0.8 μm, and if the beam diameter is less than 0.05 μm, it is too small to form a groove width of 0.8 μm, which is inefficient. Beam diameter is 0
゜0.5μm or more. It is too large to form a groove width of 8 μm, which is a problem.
[発明の効果]
本発明のグルービング方法は、高い加速電圧で加速され
たハロゲンイオンビームのガラス基板への直接描画的エ
ツチングとなるので、エツチングの精度が著しく高くな
る。その結果、シャープなエツジを有するグルーブまた
はピットが形成された光ディスク基板が得られ、優れた
C/N比を得ることができる。それゆえ、譲光ディスク
基板をマスタリング用原盤に使用した場合(光ディスク
原盤)でも優れた特性を示し得る。[Effects of the Invention] Since the grooving method of the present invention performs etching by directly writing a halogen ion beam accelerated at a high acceleration voltage onto a glass substrate, the etching accuracy is significantly increased. As a result, an optical disk substrate having grooves or pits with sharp edges can be obtained, and an excellent C/N ratio can be obtained. Therefore, even when the optical disc substrate is used as a mastering mastering disc (an optical disc master), it can exhibit excellent characteristics.
また、ハロゲンのイオンビームを用いるので、ガラスに
対する反応性が高くなり、高速なエツチングが可能とな
り、しかもグルーブまたはピットの表面が極めて平滑に
形成できる。Further, since a halogen ion beam is used, the reactivity with glass is high, high-speed etching is possible, and grooves or pits can be formed with extremely smooth surfaces.
さらに、ハロゲンイオンビームのイオン源の走査速度や
ガラス基板の移動速度をコンピュータ制御により変調す
ることができるので、溝の深さを種々調整することがで
きる。その結果、溝の深さを変えてセクタマークとして
利用したり、多種類の閏を使い分けてシーク時間を短縮
するという要求が適確に満足され得る。Furthermore, since the scanning speed of the halogen ion beam ion source and the moving speed of the glass substrate can be modulated by computer control, the depth of the groove can be adjusted in various ways. As a result, the demand for changing the depth of the groove and using it as a sector mark, and for shortening the seek time by using various types of jumpers can be appropriately satisfied.
(ほか2名)(2 others)
Claims (4)
することによって光ディスク基板または光ディスク原盤
を得る光ディスク用ガラス基板のグルービング方法にお
いて、 前記グルーブまたはピットをハロゲンイオンビームの照
射によって形成することを特徴とする光ディスク用ガラ
ス基板のグルービング方法。(1) A method for grooving a glass substrate for an optical disk in which an optical disk substrate or an optical disk master is obtained by forming predetermined grooves or pits on a glass substrate, characterized in that the grooves or pits are formed by irradiation with a halogen ion beam. Grooving method for glass substrates for optical discs.
ないし0.5μmで、かつ前記ハロゲンイオンビームの
加速電圧が5ないし50keVである特許請求の範囲第
1項記載の光ディスク用ガラス基板のグルービング方法
。(2) The beam diameter of the halogen ion beam is 0.05
2. The method of grooving a glass substrate for an optical disk according to claim 1, wherein the halogen ion beam has an acceleration voltage of 5 to 50 keV.
である特許請求の範囲第1項または第2項記載の光ディ
スク用ガラス基板のグルービング方法。(3) The method for grooving a glass substrate for an optical disk according to claim 1 or 2, wherein the halogen ion beam is a fluorine ion beam.
第1項ないし第3項のいずれかに記載の光ディスク用ガ
ラス基板のグルービング方法。(4) The method for grooving a glass substrate for an optical disc according to any one of claims 1 to 3, wherein the glass is soda glass.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20241086A JPS6356831A (en) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | Method for grooving glass substrate for optical disk |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20241086A JPS6356831A (en) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | Method for grooving glass substrate for optical disk |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6356831A true JPS6356831A (en) | 1988-03-11 |
Family
ID=16457041
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20241086A Pending JPS6356831A (en) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | Method for grooving glass substrate for optical disk |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6356831A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0527602A2 (en) * | 1991-08-09 | 1993-02-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical memory |
-
1986
- 1986-08-27 JP JP20241086A patent/JPS6356831A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0527602A2 (en) * | 1991-08-09 | 1993-02-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical memory |
US5586109A (en) * | 1991-08-09 | 1996-12-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical memory having narrowed track pitch |
US5676854A (en) * | 1991-08-09 | 1997-10-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical memory having narrowed track pitch |
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