JPS61214250A - Formation of substrate for plane plate-shaped information recording carrier - Google Patents

Formation of substrate for plane plate-shaped information recording carrier

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JPS61214250A
JPS61214250A JP5675585A JP5675585A JPS61214250A JP S61214250 A JPS61214250 A JP S61214250A JP 5675585 A JP5675585 A JP 5675585A JP 5675585 A JP5675585 A JP 5675585A JP S61214250 A JPS61214250 A JP S61214250A
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substrate
information recording
recording carrier
grooves
gas
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Kiyoshi Tanii
清 谷井
Toshiaki Kashihara
樫原 俊昭
Mieko Kofukada
小深田 美恵子
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To form easily grooves and pit arrays different in depth on the same substrate by providing a mask having aperture parts different in width on the substrate and allowing a gas in the plasma state to act upon this substrate. CONSTITUTION:A photoresist 2 is applied onto a glass substrate 1 and is exposed to light while changing the spot diameter of a laser light 3 to form a mask pattern having aperture part different in width. This glass substrate 1 is placed on the cathode electrode of a dry etching device, and CHF3 is used as the etching gas to allow the gas in the plasma state to act upon the substrate by discharge. If the discharging power of plasma generation, the action time of plasma, etc. are selected properly at this time, etching different in depth is performed in accordance with aperture parts of the mask. Thus, grooves and pit arrays different in depth are formed easily on the same substrate 1.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、異なる深さの溝やピット列をもつ平板状情報
記録担体の基板作成方法に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a substrate for a flat information recording carrier having grooves and pit rows of different depths.

従来の技術 光ディスクは、直径が1μm以下という微小なレーザー
スポットを用いて情報の記録再生ができることから、大
容量かつ高密度の記録が可能であり、このため、多量の
情報量を必要とする画像や文書などのファイルシステム
として実用化されている。
Conventional technology Optical discs are capable of recording and reproducing information using a minute laser spot with a diameter of 1 μm or less, allowing for large-capacity and high-density recording. It has been put into practical use as a file system for files such as files and documents.

この光ディスクの情報記録面には、同心円状あるいは螺
旋状の溝やピット列が形成されており、これに沿って前
記のレーザースポットが照射されることにより、情報が
読み出される。ビデオディスクなどの再生専用光ディス
クでは、微小なビットの凹凸として情報が記録されてお
り、また情報の追加記録が行なえる追記型光ディスクで
は、記録面にある膜の物性的変化として情報が記録され
るが、この場合でも情報が一定間隔で高密度に記録でき
るように記録面上に案内用の溝が形成されている。この
ピット列や案内用の溝の間隔を狭くすれば記録密度が上
昇するが、その間隔がレーザースポットの大きさに近く
なると、情報の読み出し時に読み取りを行なっている溝
(またはピット一部の光束が隣接す1溝(またはピット
列)にかかるため、その影響が再生信号のクロストーク
となって現われる。このクロストークを低減させるため
、隣接する溝やピント列に対し、その深さを交互に変化
させることが光ディスクの高密度化の方法として注目さ
れている。(特開昭64−136303号公報参照) このような異なる深さの溝やピッチ列を一枚のディスク
上に作成する従来の方法を第2図を参照しながら説明す
る。
Concentric or spiral grooves and pit rows are formed on the information recording surface of this optical disk, and information is read out by irradiating the laser spot along these. On read-only optical discs such as video discs, information is recorded as unevenness of minute bits, and on write-once optical discs that allow additional information to be recorded, information is recorded as physical changes in the film on the recording surface. However, even in this case, guide grooves are formed on the recording surface so that information can be recorded at regular intervals and with high density. Recording density can be increased by narrowing the spacing between pit rows and guide grooves, but if the spacing approaches the size of the laser spot, the light flux of the groove (or part of the pit) that is being read when reading information is applied to one adjacent groove (or pit row), and its influence appears as crosstalk in the reproduced signal.In order to reduce this crosstalk, the depth of adjacent grooves or focus rows is alternated. This is attracting attention as a method for increasing the density of optical discs.(Refer to Japanese Patent Application Laid-Open No. 136303/1983) The conventional method of creating grooves and pitch rows of different depths on a single disc is The method will be explained with reference to FIG.

まず、高精度に研磨されたガラス板1の表面に7オトレ
ジスト2を均一に塗布する(第2図a)。
First, a photoresist 2 is uniformly applied to the surface of a highly precisely polished glass plate 1 (FIG. 2a).

その後、フォトレジスト2は所望のピット列、溝の構造
に対応して変調を受けたレーザー光3によって露光され
る(第2図b)。この時、レーザー強度を変化させて露
光させると、現像の段階で除去されるフォトレジスト2
の量が露光量によって変化するため、それに応じて形成
される溝の深さが異なる(第2図C)。この凹凸パター
ンを金属板4に転写しく第2図d)、さらにそれをアク
リル等の基板5に転写する(第2図e)ことで、所望の
構造、深さをもつ光デイスク基板が炸裂できる0 発明が解決しようとする問題点 しかしながら、このような従来の作成方法においては、
フォトレジストの現像量が現像液の状態や外界の環境な
どの変化に対し非常に敏感であるため、所定の溝深さを
得るための現像量制御が非常に難かしいという問題があ
った。
Thereafter, the photoresist 2 is exposed to laser light 3 modulated in accordance with the desired structure of pit rows and grooves (FIG. 2b). At this time, when exposure is performed while changing the laser intensity, the photoresist 2 that is removed during the development stage is
Since the amount of irradiation varies depending on the exposure amount, the depth of the groove formed varies accordingly (FIG. 2C). By transferring this uneven pattern onto a metal plate 4 (Fig. 2 d) and further transferring it onto a substrate 5 such as acrylic (Fig. 2 e), an optical disk substrate with a desired structure and depth can be created. 0 Problems to be solved by the invention However, in such conventional production methods,
Since the amount of development of the photoresist is very sensitive to changes in the state of the developer and the external environment, there has been a problem in that it is very difficult to control the amount of development to obtain a predetermined groove depth.

問題点を解決するための手段 本発明は、上記問題点を解決するため、異なる幅をもつ
マスクを設けた基板に対してプラズマ気体を反応させて
、異なる深さを有する溝やピット列を形成するようにし
たことを特長とするものである。
Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the present invention reacts plasma gas to a substrate provided with masks having different widths to form grooves and pit rows having different depths. The feature is that it is designed to do the following.

作  用 この手段による作用は以下のようになる。表面が7オト
レジスト等によってマスキングされた基板に対し、プラ
ズマ状の気体を作用させると、プラズマの衝突や、基板
とプラズマとの化学的反応により、基板表面のマスキン
グされていない部分がエツチングされる。このエツチン
グパターンは実際には、元のマスクパターンとは形状が
大きく変化するが、これは、反応過程の等方性や、プラ
ズマイオンビームの入射角に対するエツチング量の変化
などの影響によるものである。
Effect The effect of this method is as follows. When a plasma-like gas is applied to a substrate whose surface has been masked with photoresist or the like, the unmasked portions of the substrate surface are etched due to plasma collisions and chemical reactions between the substrate and the plasma. The shape of this etched pattern actually differs greatly from the original mask pattern, but this is due to the effects of isotropy of the reaction process and changes in the amount of etching with respect to the incident angle of the plasma ion beam. .

これらの影響は、プラズマとして用いる気体の種類、圧
力や、プラズマを発生させるための放電電力、プラズマ
を作用させる時間などにより変化するが、これらの因子
を適当に選択することによって、マスクパターンの変化
に対して形成されるエツチングパターンの深さが変化す
るようなエツチング条件が見出せる。これを利用するこ
とにより、基板上に形成したマスクパターンの幅を変え
ることによって、同一基板上に異なる深さの溝やピット
列を作成することができる。
These effects vary depending on the type and pressure of the gas used as the plasma, the discharge power used to generate the plasma, the time for which the plasma is applied, etc., but by appropriately selecting these factors, changes in the mask pattern can be controlled. Etching conditions can be found such that the depth of the etched pattern formed with respect to the etching pattern changes. By utilizing this, grooves and pit rows with different depths can be created on the same substrate by changing the width of the mask pattern formed on the substrate.

実施例 以下、本発明の実施例について、第1図を参照しながら
説明する。
EXAMPLE Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to FIG.

フォトレジスト2を塗布したガラス板1にレーザー光3
を照射する過程は従来の方式と同様である(第1図a、
b)。ただし、本例においては、照射するレーザー光の
スポット径を変化させて、露光される領域の幅を変えて
いる。フォトレジスト2として、ポジ型フォトレジスト
を用いれば、露光された部分が現像により除去されるが
、この時ガラス板1の表面が露出するまで現像を進行さ
せることにより、ガラス板1の表面に所定の幅をもった
マスクパターンが形成される。
Laser light 3 is applied to glass plate 1 coated with photoresist 2.
The process of irradiating is the same as the conventional method (Fig. 1a,
b). However, in this example, the width of the exposed area is changed by changing the spot diameter of the irradiated laser beam. If a positive type photoresist is used as the photoresist 2, the exposed portion will be removed by development. A mask pattern with a width of is formed.

次に、このマスクパターン付きガラス板をドライエツチ
ング装置内のカソード電極上に置き、真空状態にした後
ガスを導入して放電させエツチングを行なう。本実施例
では、エツチング用のガスとして、CHF3を用いてい
る。この場合、放電によりCHF3が解離して生ずるプ
ラズマは、ガラス板1の表面に衝突してガラスをスパッ
タリングすると同時に、ガラスの主成分であるS 10
2と選択的に反応してこれを分解する作用をもつ。この
ため、ガラス板1のエツチング速度を、フォトレジスト
2のエツチング速度より大きくすることができ、より深
い溝作成が可能となる。なお、本実施例に用いているガ
ラス板1は、普通のソーダガラス材料を用いており、こ
の場合でも十分なエツチング速度が得られる。
Next, this glass plate with a mask pattern is placed on a cathode electrode in a dry etching apparatus, and after creating a vacuum state, gas is introduced and discharged to perform etching. In this embodiment, CHF3 is used as the etching gas. In this case, the plasma generated by the dissociation of CHF3 due to the discharge collides with the surface of the glass plate 1 and sputters the glass, while at the same time sputtering S10, which is the main component of the glass.
It has the effect of selectively reacting with 2 and decomposing it. Therefore, the etching speed of the glass plate 1 can be made higher than the etching speed of the photoresist 2, making it possible to create deeper grooves. Note that the glass plate 1 used in this embodiment is made of ordinary soda glass material, and even in this case, a sufficient etching rate can be obtained.

所定の深さまでエツチングを進行させた(第1図d)後
、残留したフォトレジスト2を02ガスによるプラズマ
アッシングにより除去すれば、ガラス板1の表面に異な
る深さを有した溝やピット列が形成されている(第1図
e)。
After etching has progressed to a predetermined depth (FIG. 1d), the remaining photoresist 2 is removed by plasma ashing using 02 gas, creating grooves and pit rows with different depths on the surface of the glass plate 1. (Fig. 1e).

平板状情報記録担体の基板としては、このガラス板1を
そのまま用いる以外に、従来の方法のように、このガラ
ス板1から凹凸パターンを転写したものを用いることも
できる。
As the substrate of the flat information recording carrier, instead of using this glass plate 1 as it is, it is also possible to use a substrate with a concavo-convex pattern transferred from this glass plate 1 as in the conventional method.

なお、エツチング用のガスとしては、本実施例のCHF
  以外に、CF4.C2F6.C3F8.NF3など
を用いることができる。また、Axのような不活性ガス
を用いた場合、5iO20分解効果がないため、ガラス
板1のエツチング速度は小さくなるがパターンの形成は
可能である。
Note that the etching gas used in this example was CHF.
In addition, CF4. C2F6. C3F8. NF3 or the like can be used. Further, when an inert gas such as Ax is used, since there is no effect of decomposing 5iO20, the etching rate of the glass plate 1 becomes low, but it is possible to form a pattern.

さらに、ガラス板1としては、本実施例のように安価な
ソーダガラスが利用できるほか、より深い溝を形成する
ために、エツチング速度の大きな石英ガラスなどを用い
ることもできる。
Furthermore, as the glass plate 1, inexpensive soda glass can be used as in this embodiment, and in order to form deeper grooves, quartz glass or the like having a high etching rate can also be used.

発明の効果 以上のように本発明は、異なる幅を有するマスクを設け
た平板状基板に対してプラズマ気体を作用させ、マスク
幅に対応した深さの溝やピント列を形成することによシ
、同一基板上に異なる深さの溝やビット列をもった光デ
イスク基板を容易に作成することができる。
Effects of the Invention As described above, the present invention enables plasma gas to act on a flat substrate provided with masks having different widths to form grooves and focus rows with depths corresponding to the mask widths. , it is possible to easily create optical disk substrates having grooves and bit rows of different depths on the same substrate.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例における平板状情報記録担体
の基板作成方法を示す工程図、第2図は従来の平板状情
報記録担体の基板作成方法を示す工程図である。 1・・・・・・ガラス板、2・・・・・・フォトレジス
ト、3・・・・・・レーザー光、4・・・−・・金属板
、5・・・・・・アクリル基板0 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名l 
 ガラス板 Z   フォトしシスト °ご二ニ1訳。
FIG. 1 is a process diagram showing a method for manufacturing a substrate for a flat information recording carrier according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a process diagram showing a conventional method for manufacturing a substrate for a flat information recording carrier. 1...Glass plate, 2...Photoresist, 3...Laser light, 4...Metal plate, 5...Acrylic substrate 0 Name of agent: Patent attorney Toshio Nakao and 1 other person
Glass plate Z Photo cyst ° Goni 1 translation.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)幅の異なる連続的または断続的な開口部を有する
マスクを設けた平板状基板にプラズマ状態の気体を作用
させて、前記開口部の幅に対応した異なる深さを有する
溝またはピット列を形成することを特徴とする平板状情
報記録担体の基板作成方法。
(1) A gas in a plasma state is applied to a flat substrate provided with a mask having continuous or intermittent openings of different widths, and grooves or pit rows having different depths corresponding to the widths of the openings are formed. 1. A method for producing a substrate for a flat information recording carrier, the method comprising: forming a substrate for a flat information recording carrier;
(2)マスクとして、ポジ型フォトレジストを用いるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の平板状情
報記録担体の基板作成方法。
(2) A method for producing a substrate for a flat information recording carrier according to claim 1, characterized in that a positive photoresist is used as a mask.
(3)平板状基板は、少なくとも溝またはピット列を形
成する部位がSiO_2を主成分とする材料で形成され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の
平板状情報記録担体の基板作成方法。
(3) The flat information recording carrier according to claim 1, wherein the flat substrate is formed of a material whose main component is SiO_2 at least at the portion where the groove or pit row is formed. How to create a board.
(4)平板状基板は、少なくとも溝またはピット列を形
成する部位がSiO_2およびNa_2Oを主成分とす
る材料で形成されていることを特徴とする特許請求の範
囲第1項に記載の平板状情報記録担体の基板作成方法。
(4) The planar information according to claim 1, wherein the planar substrate is formed of a material whose main components are SiO_2 and Na_2O at least in the portion where the grooves or pit rows are formed. A method for producing a record carrier substrate.
(5)プラズマ状態の気体としてCHF_3、CF_4
、C_2F_6、C_3F_8、NF_3のうち少なく
とも一つを用いることを特徴とする特許請求の範囲第1
項に記載の平板状情報記録担体の基板作成方法。
(5) CHF_3 and CF_4 as gases in plasma state
, C_2F_6, C_3F_8, and NF_3.
A method for producing a substrate for a flat information recording carrier as described in 2.
(6)プラズマ状態の気体として、Arを用いることを
特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の平板状情報記
録担体の基板作成方法。
(6) A method for producing a substrate for a flat information recording carrier according to claim 1, characterized in that Ar is used as the gas in a plasma state.
JP5675585A 1985-03-20 1985-03-20 Method of making substrate of flat information recording medium Expired - Lifetime JPH0630175B2 (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2002239317A (en) * 2001-02-13 2002-08-27 Dainippon Printing Co Ltd Filter

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002239317A (en) * 2001-02-13 2002-08-27 Dainippon Printing Co Ltd Filter
JP4736199B2 (en) * 2001-02-13 2011-07-27 大日本印刷株式会社 filter

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