JPS6356451A - Laser recorder - Google Patents

Laser recorder

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JPS6356451A
JPS6356451A JP61198988A JP19898886A JPS6356451A JP S6356451 A JPS6356451 A JP S6356451A JP 61198988 A JP61198988 A JP 61198988A JP 19898886 A JP19898886 A JP 19898886A JP S6356451 A JPS6356451 A JP S6356451A
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control circuit
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Satohiko Inuyama
犬山 聡彦
Junichi Kimizuka
純一 君塚
Akihisa Kusano
草野 昭久
Kaoru Sato
馨 佐藤
Takashi Soya
征矢 隆志
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Abstract

PURPOSE:To obtain a laser recorder which is capable of more stable and higher quality recording by controlling the bias current and light-emitting current of a semiconductor laser current respectively. CONSTITUTION:If an automatic light quantity adjustment signal 113 is transmitted from a central processing unit 101, a laser light quantity comparison control circuit 102 clears all input signal D1-Dn, B1-Bn to D/A conversion circuits of a light-emitting control circuit 105 and a bias current control circuit 103, and reduces to a sufficiently small value a laser current I1 (light emitting current ID + bias current IB) which passes to a semiconductor laser 108 via a light- emitting constant current circuit 106 and a bias constant current circuit 104. A video signal 116 which is an image signal is set to 'tire', and the gate of a switching circuit 107 is opened so that a light-emitting current may flow to the semiconductor laser 108. The light-emitting current control circuit 105 and the bias current control circuit 103 are provided with a circuit which converts a digital value to an anlong value of a D/A converter, and are capable of changing a laser current I which flows in the laser by an electric value (analog value) which is equivalent to a count up or count down.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はレーザ記録装置に関し、特にレーザの光量自動
制御機能を有するレーザ記録装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a laser recording device, and more particularly to a laser recording device having an automatic laser light intensity control function.

[従来の技術] 従来、この種のレーザ記録装置としてはレーザビームプ
リンタが一般に知られている。このプリンタは入力した
情報に応じて変調されたレーザ光を用いて感光体を露光
走査することにより、静電潜像を形成し、この静電潜像
をトナーと呼ばれる磁性現像剤で顕画化して紙等の被記
録材に像転写している。
[Prior Art] Conventionally, a laser beam printer is generally known as this type of laser recording device. This printer forms an electrostatic latent image by exposing and scanning a photoreceptor using laser light that is modulated according to input information, and this electrostatic latent image is developed using a magnetic developer called toner. The image is transferred onto a recording material such as paper.

第12図は上述の従来のレーザビームプリンタの一例を
示す。本図において、1はハウジングH内に回転可能に
支持されたセレン、もしくは硫化カドミウム等の半導体
層を表面に有する感光ドラムであり、本図矢印Aの方向
に定速に回転している。2はレーザ光りを射出する半導
体レーザ、2Aはその半導体レーザ2のレーザ光量およ
び点灯消灯を人力情報に応じて制御する制御回路である
FIG. 12 shows an example of the conventional laser beam printer mentioned above. In the figure, reference numeral 1 denotes a photosensitive drum having a semiconductor layer such as selenium or cadmium sulfide on its surface, which is rotatably supported in a housing H, and rotates at a constant speed in the direction of arrow A in the figure. 2 is a semiconductor laser that emits laser light, and 2A is a control circuit that controls the amount of laser light and turning on/off of the semiconductor laser 2 in accordance with human power information.

半導体レーザ2から射出されたレーザ光りはビームエキ
スパンダ3に入射されて、所定のビーム径をもったレー
ザ光となる。このレーザ光は鏡面を複数個有する多面体
ミラー4に入射される。この多面体ミラー4は低速回転
モータ(スキャナモータ)5により所定速度で回転する
ので、ビームエキスパンダ3から射出されたレーザ光は
この定速回転する多面体ミラー4で反射されて実質的に
水平方向に走査される。次に、レーザ光はf−θ特性を
有する結像レンズ6により、帯電器13により所定の極
性に帯電されている感光ドラムl上にスポット光として
結像される。
Laser light emitted from the semiconductor laser 2 is incident on the beam expander 3 and becomes laser light with a predetermined beam diameter. This laser light is incident on a polyhedral mirror 4 having a plurality of mirror surfaces. Since this polyhedral mirror 4 is rotated at a predetermined speed by a low-speed rotation motor (scanner motor) 5, the laser beam emitted from the beam expander 3 is reflected by this polyhedral mirror 4 rotating at a constant speed and is directed substantially horizontally. scanned. Next, the laser beam is imaged as a spot light by an imaging lens 6 having an f-θ characteristic onto a photosensitive drum l which is charged to a predetermined polarity by a charger 13.

7は反射ミラー8によって反射されたレーザ光を検知す
るビーム検出器である。感光ドラム1上に所望の光情報
を得るための半導体レーザ2の変調動作のタイミングは
、上述のビーム検出器7の検出信号により決定される。
A beam detector 7 detects the laser beam reflected by the reflecting mirror 8. The timing of the modulation operation of the semiconductor laser 2 to obtain desired optical information on the photosensitive drum 1 is determined by the detection signal of the beam detector 7 described above.

一方、感光ドラムl上には上述の人力情報に応じて結像
走査されたし一ザ光により静電潜像が形成される。この
潜像は現像器9においてトナーにより顕画化された後、
カセット10.11のいずれかから給送された被記録材
(一般的には用紙)上に転写される。その後、この被記
録材が定着器12を通過することにより、像は記録材に
定着され、図示しない排出部(排出トレイ)に排出され
る。
On the other hand, an electrostatic latent image is formed on the photosensitive drum l by the laser light that is imaged and scanned in accordance with the above-mentioned manual information. After this latent image is developed with toner in the developing device 9,
The image is transferred onto a recording material (generally paper) fed from one of the cassettes 10 and 11. Thereafter, this recording material passes through the fixing device 12, so that the image is fixed on the recording material and is discharged to a discharge section (discharge tray) not shown.

ところで、このようなレーザビームプリンタにおいて、
一般的に用いられている半導体レーザのレーザ電流(駆
動電流)に対するレーザ光量の特性(1−1特性)は、
第13図に示すようになっている。すなわち、第13図
に示すように、半導体レーザはレーザ電流Iがある闇値
(Ith)  まではレーザ発光は行なわないが、その
闇値を越えた時点でレーザ発光を行ない、そのレーザ発
光状態においてはレーザ電流■に対するレーザ光Nfl
がある一定の傾きαを持っている。このαをスロープ効
率と称している。
By the way, in such a laser beam printer,
The characteristics (1-1 characteristics) of the amount of laser light with respect to the laser current (drive current) of commonly used semiconductor lasers are as follows:
It is as shown in FIG. That is, as shown in FIG. 13, a semiconductor laser does not emit laser light until the laser current I reaches a certain darkness value (Ith), but it emits laser light when the darkness value is exceeded, and in that laser emission state. is the laser light Nfl for the laser current ■
has a certain slope α. This α is called slope efficiency.

レーザビームプリンタでは制御回路2Aにより半導体レ
ーザ2の光量制御を行なって、規定光量flTになるよ
うにレーザ電流■1を決めている。その際、レーザ電流
■7を定電流駆動することにより、レーザ光Rflアを
一定に保つようにしている。
In the laser beam printer, the control circuit 2A controls the amount of light from the semiconductor laser 2, and determines the laser current 1 so that the amount of light flT becomes a specified amount. At this time, by driving the laser current (7) at a constant current, the laser beam Rfl is kept constant.

[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、半導体レーザはI−jZ特性において第
14図に示すように、当初Aという特性を有しており、
所定の規定光量uTAに規定するためにレーザ電流をI
TAで定電流駆動していた場合に、半導体レーザに電流
を流していることによる半導体レーザのチップ温度の上
昇などに伴ない、I−1特性がその後にBまたはCのよ
うに変化してしまうことがある。
[Problems to be Solved by the Invention] However, as shown in FIG. 14 in I-jZ characteristics, a semiconductor laser initially has a characteristic A.
The laser current is adjusted to a predetermined specified light amount uTA.
When driving at constant current with TA, the I-1 characteristic changes to B or C as the semiconductor laser chip temperature rises due to current flowing through the semiconductor laser. Sometimes.

従って、必要規定光ff1lTAが感光ドラムlに走査
されている場合は、正常であるが、I−n特性が第14
図のように変化してしまい、レーザ電流が■7にもかか
わらすレーザ光量がBのように立、Bと少なくなった場
合には、上述の潜像ができないような状態が生ずること
があり、またCのようにl1Tcと多くなった場合には
レーザチップの破壊になるおそれがある。
Therefore, when the required prescribed light ff1lTA is scanned on the photosensitive drum l, it is normal, but the I-n characteristic is the 14th
If the changes occur as shown in the figure, and the laser light intensity increases as shown in B and decreases as shown in B despite the laser current (7), a situation may occur in which the latent image described above is not formed. , C, when the amount increases to l1Tc, there is a risk of the laser chip being destroyed.

本発明は、上述の欠点を除去し、半導体レーザ電流のバ
イアス電流と発光電流を各々制御することにより、より
安定した高品位な記録が可能なレーザ記録装置を提供す
ることを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to eliminate the above-mentioned drawbacks and to provide a laser recording device that can perform more stable and high-quality recording by controlling the bias current and the light emission current of the semiconductor laser.

[問題点を解決するための手段] かかる目的を達成するため、本発明は半導体レーザと感
光体を用いて情報の記録を行う記録手段7・・ と、半導体レーザを駆動する駆動電流のう佼労イアス電
流と発光電流を各々独立に制御し、かつ感光体の停止時
または停止前後の一定時間内では少くともバイアス電流
および発光電流のいずれか一方を制御して半導体レーザ
に流れる電流を十分に小さくする半導体レーザ駆動電流
制御手段とを具備したことを特徴とする。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention provides a recording means 7 for recording information using a semiconductor laser and a photoreceptor, and a drive current channel for driving the semiconductor laser. The bias current and the emission current are each controlled independently, and at least one of the bias current and the emission current is controlled when the photoreceptor is stopped or within a certain period of time before and after the photoconductor is stopped, so that the current flowing to the semiconductor laser is sufficiently controlled. The present invention is characterized by comprising a semiconductor laser drive current control means for reducing the size of the semiconductor laser drive current.

[作 用] 本発明では、感光体の停止時または停止前後の一定時間
に半導体、レーザに流れるレーザ電流を十分小さくする
ようにしたので、半導体レーザの寿命を伸ばすことがで
き、また感光体停止時においてドアオープンなどがあっ
ても装置外へのレーザの放射を防ぐことができる。
[Function] In the present invention, since the laser current flowing through the semiconductor and laser is made sufficiently small when the photoconductor is stopped or for a certain period of time before and after the photoconductor is stopped, the life of the semiconductor laser can be extended, and the photoconductor is stopped. Even if the door is opened, laser radiation to the outside of the device can be prevented.

[実施例] 以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
[Example] Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図は本発明実施例の要部回路構成を示す。FIG. 1 shows the main circuit configuration of an embodiment of the present invention.

第1図において、101は中央処理装置(cpu )で
あり、情報記録処理の全体制御を行う。102゛はレー
ザ光量比較制御回路であり、A/D  (アナログデジ
タル)変換回路を内蔵したワンチップマイクロコンピュ
ータからなり、後述の第3図の制御手順に従って、レー
ザ光量に関する第2図に示すような制御を行う。103
はレーザ光量比較制御回路102の一方の出力81〜B
nに接続するD/A (デジタルアナログ)変換回路を
有するバイアス電流制御回路である。104はその回路
103により制御されるバイアス定電流回路であり、バ
イアス電流■8が入力する。また、105はレーザ光量
比較制御回路102の他方の出力り、−Onに接続する
D/A変換回路を有する発光電流制御回路である。10
6はその回路105により制御される発光定電流回路で
あり、発光電流スイッチング回路107を介して発光電
流10が人力される。
In FIG. 1, a central processing unit (CPU) 101 performs overall control of information recording processing. Reference numeral 102 denotes a laser light intensity comparison control circuit, which consists of a one-chip microcomputer with a built-in A/D (analog-digital) conversion circuit. Take control. 103
is one output 81 to B of the laser light amount comparison control circuit 102
This is a bias current control circuit having a D/A (digital-to-analog) conversion circuit connected to n. Reference numeral 104 denotes a bias constant current circuit controlled by the circuit 103, into which a bias current 8 is input. Further, 105 is a light emission current control circuit having a D/A conversion circuit connected to the other output of the laser light amount comparison control circuit 102 and -On. 10
6 is a light emitting constant current circuit controlled by the circuit 105, and the light emitting current 10 is manually supplied via the light emitting current switching circuit 107.

108は半導体レーザ、109はレーザ108のレーザ
光を受光するフォトダイオードである。110はフォト
ダイオード109からの検出信号を供給されるレーザ光
量モニタ回路であり、検出した光量に相当する電圧vM
がレーザ光量比較制御回路102に出力される。111
 jよレーザ光量を設定するレーザ光量設定回路である
。121はアンドゲート、122はオアゲートである。
108 is a semiconductor laser, and 109 is a photodiode that receives the laser beam from the laser 108. 110 is a laser light amount monitor circuit supplied with a detection signal from the photodiode 109, and a voltage vM corresponding to the detected light amount
is output to the laser light amount comparison control circuit 102. 111
This is a laser light amount setting circuit that sets the laser light amount. 121 is an AND gate, and 122 is an OR gate.

次に、第3図のフローチャートを参照して上述のレーザ
光量比較制御回路102の動作を説明する。
Next, the operation of the laser light amount comparison control circuit 102 described above will be explained with reference to the flowchart of FIG.

中央!A理装置(CPU) 101から自動光量調整開
始信号(APC5T) 113が送られると(ステップ
201)、レーザ光量比較制御回路102はステップ2
02において発光電流制御回路105およびバイアス電
流制御回路103のD/A変換回路の入力信号[1゜〜
Dn%B、〜Bnを全てクリアし、それにより発光定電
流回路106とバイアス定電流回路!04とを通じて、
半導体レーザ108に流れているレーザ電流■t(発光
電流ll1l+バイアス電流ts)を十分に小さな値に
する(例えば、レーザ発生領域内にレーザ電流LAを設
定する)。次のステップ203において画像信号である
ビデオ信号(Video (LON)信号)116をT
RIJE (真)として、半導体レーザ108に発光電
流が流れるように、スイッチング回路107のゲートを
開ける。
Central! When the automatic light amount adjustment start signal (APC5T) 113 is sent from the A control unit (CPU) 101 (step 201), the laser light amount comparison control circuit 102 performs step 2.
At 02, the input signal [1°~
Clear all Dn%B, ~Bn, and thereby the light emitting constant current circuit 106 and the bias constant current circuit! Through 04,
The laser current ■t (emission current ll1l+bias current ts) flowing through the semiconductor laser 108 is set to a sufficiently small value (for example, the laser current LA is set within the laser generation region). In the next step 203, the video signal (Video (LON) signal) 116, which is an image signal, is
As RIJE (true), the gate of the switching circuit 107 is opened so that a light emitting current flows through the semiconductor laser 108.

ここで、発光電流制御回路105およびバイアス電流制
御回路103は上述のようにD/Aコンバータ等のディ
ジタル値をアナログ値に変換する回路を有しており、レ
ーザ光量比較制御回路102からの出力信号p、〜Do
およびB、〜Bnにより構成されるディジタル値をカウ
ントアツプ又はカウントダウンすることにより、発光定
電流回路106又はバイアス定電流回路104を介して
レーザに流れるレーザ電流Iを上述のカウントアツプま
たはカウントダウンに相当する電気量(アナログ値)だ
け変化させるごとができる回路構成となっている。
Here, the light emission current control circuit 105 and the bias current control circuit 103 have a circuit such as a D/A converter that converts a digital value into an analog value as described above, and the output signal from the laser light amount comparison control circuit 102 is p, ~Do
By counting up or down the digital value constituted by The circuit configuration allows only the amount of electricity (analog value) to be changed.

本実施例においては、第4図(A)に示すように、バイ
アス電流制御回路103でカウントされるバイアスカウ
ント値xIlはレーザ光量比較制御回路102の出力8
1を最下位ビット(LSD)とし、Boを最上位ビット
(MSB)とするnビットの2進数と考え、バイアスカ
ウント値×8をカウントアツプ、カウントダウンすると
いう表現を用いる。第4図(A)はバイアスカウント値
XBをカウントアツプする状態を示している。ここで、
°゛0”はしOW(ロー)レベル: FALSE(偽)
とし、°°1”は旧gh(ハイ)レベル: TRIIE
 (真)とする。また上述のバイアスカウント値XBと
バイアス電流■8の関係は第4図(B)に示すようにバ
イアスカウント値X、の増加に伴ないバイアス電流1a
が増加するものとする。また、発光カウント値XI)と
発光電流■。も第4図(B) に示すと同様な関係にあ
るものとする。
In this embodiment, as shown in FIG. 4(A), the bias count value xIl counted by the bias current control circuit 103 is the output 8
It is considered to be an n-bit binary number with 1 as the least significant bit (LSD) and Bo as the most significant bit (MSB), and an expression of counting up and down by bias count value x 8 is used. FIG. 4(A) shows a state in which the bias count value XB is counted up. here,
°゛0” OW (low) level: FALSE
and °°1” is the old gh (high) level: TRIIE
(true). Furthermore, the relationship between the bias count value XB and the bias current 8 described above is as shown in FIG. 4(B).
shall increase. Also, the luminescence count value XI) and the luminescence current ■. It is assumed that the relationship is similar to that shown in FIG. 4(B).

また、半導体レーザ108の発光状態はレーザ装置11
2に内蔵されているフォトダイオード109により光電
変換され、レーザ光量モニタ回路110により処理され
て、第5図に示すような光量−電圧特性ノモニタ電圧■
4として、レーザ光量比較制御回路102にフォードバ
ックされる。
Furthermore, the light emitting state of the semiconductor laser 108 is determined by the laser device 11.
The photoelectric conversion is carried out by the photodiode 109 built in the laser light intensity monitor circuit 110, and the light intensity-voltage characteristic monitor voltage as shown in FIG.
4, it is fed back to the laser light amount comparison control circuit 102.

さて、上述のステップ202においてバイアスカウント
値XBおよび発光カウント値X。を共に“0″にした後
、ステップ203以降のステップでバイアス電流制御を
行う。
Now, in step 202 described above, the bias count value XB and the emission count value X are determined. After both are set to "0", bias current control is performed in steps after step 203.

そのバイアス電流制御では第2図(A) 、 (B)の
A領域で示すように、発光電流カウントX。を“0”と
した状態で、バイアス電流カウント値x11を“1′°
つつカウントアツプすることにより(ステップ204 
) 、そのカウントアツプされたカウント値XBに相当
する電流(レーザ電流)をバイアス定電流回路104に
より半導体レーザ108に流す。そのレーザ電流に伴な
うレーザ光量の検出値をレーザ光量モニタ回路110を
通じてレーザ光量比較制御回路】02にフィードバック
している。
In the bias current control, the light emitting current count is X, as shown in area A in FIGS. 2(A) and 2(B). is set to “0”, bias current count value x11 is set to “1’°
(step 204)
), a current (laser current) corresponding to the counted up count value XB is caused to flow through the semiconductor laser 108 by the bias constant current circuit 104. The detected value of the amount of laser light associated with the laser current is fed back to the laser light amount comparison control circuit 02 through the laser light amount monitor circuit 110.

半導体レーザ108はレーザ電流がしきい値電流Ith
ei!Aえた時点で、レーザ発光を行なう。さらに、バ
イアス電流カウント値X8をカウントアツプして、半導
体レーザ108に流れる電流を増加させる。その後、モ
ニタ電圧vMがバイアス電流規定電圧vnoに達した時
点でバイアス電流カウント値Xaのカウントアツプを終
わらせる(ステップ205)。
The laser current of the semiconductor laser 108 is the threshold current Ith.
ei! When A is reached, laser light is emitted. Furthermore, the bias current count value X8 is counted up to increase the current flowing through the semiconductor laser 108. Thereafter, when the monitor voltage vM reaches the bias current regulation voltage vno, the count-up of the bias current count value Xa is ended (step 205).

この時のバイアス電流カウント値をXao(バイアス電
流規定カウント値)とする。XI、がXaOである状態
では、レーザ108はレーザ発光を行なっており、感光
ドラム1上に潜像を形成するのに十分な光量を出してい
る場合も存在するので、バイアス電流はバイアス電流規
定カウント値xBoにある一定の割合(例えば80%な
ど)を乗算した値にし、その値をXIITとする(ステ
ップ206)。   ・レーザ108は上述のXa丁(
バイアス電流設定カウント値)に相当する電流が流れて
いるが、この時の電流をバイアス設定電流1117とす
る。半導体レーザ10Bにバイアス設定電流18Tが流
れている状態で、モニタ電圧VMの確認を行ない、モニ
タ電圧vMをバイアス電流規定電圧VBOから減算した
値の絶対値が電圧VBoにある一定の割合(α)をかけ
た値■8゜×αを越えていた場合には(ステップ207
)、ステップ202 に戻ってバイアス電流カウント値
×5を“0バクリアにしてレーザ電流を止め、バイアス
電流制御を始めからやりなおす。すなわち、半導体レー
ザ108にバイアス設定電流I。Tを流した状態で、発
光電流制御を行なう。この時の’Jideo侶号をTR
IJEとし、発光電流スイッチング回路107のゲート
を開けておき、発光電流】。が半導体レーザ108に流
れる状態にしておく。
The bias current count value at this time is defined as Xao (bias current specified count value). When XI is XaO, the laser 108 is emitting laser light, and there are cases where the amount of light is sufficient to form a latent image on the photosensitive drum 1. Therefore, the bias current is within the bias current specification. The count value xBo is multiplied by a certain percentage (for example, 80%), and the resulting value is set as XIIT (step 206).・The laser 108 is the above-mentioned Xa
A current corresponding to the bias current setting count value) is flowing, and the current at this time is defined as a bias setting current 1117. While the bias setting current 18T is flowing through the semiconductor laser 10B, monitor voltage VM is checked, and the absolute value of the value obtained by subtracting the monitor voltage vM from the bias current specified voltage VBO is a certain percentage (α) that is equal to the voltage VBo. If the multiplied value exceeds ■8°×α (step 207
), return to step 202, set the bias current count value x 5 to "0", stop the laser current, and restart the bias current control from the beginning. That is, with the bias setting current I.T flowing through the semiconductor laser 108, Perform light emission current control. At this time, TR
IJE, the gate of the light emitting current switching circuit 107 is opened, and the light emitting current]. is kept flowing to the semiconductor laser 108.

次に、lva。−VM  l≦VB×αの計算式が成立
したら、ステップ207からステップ208へ進む。
Next, lva. If the calculation formula -VM l≦VB×α is established, the process proceeds from step 207 to step 208.

このときの発光電流制御は第2図(A) 、 (B)の
B領域で示すように、バイアス電流カウント値X8をバ
イアス電流設定カウント値x8丁とし、半導体レーザ1
08にバイアス設定電流IBTを流した状態で行なう。
The light emission current control at this time is performed by setting the bias current count value X8 to the bias current setting count value x8, as shown in area B of FIGS. 2(A) and (B), and
This is done with the bias setting current IBT flowing through 08.

発光電流カウント値X。を0”状態から“1”づつカウ
ントアツプする(ステップ208)。このカウントアツ
プにより得られたそのカウント値XOに相当する電流I
。を発光定電流回路106によりバイアス規定電流TB
丁に上乗せする。したがって、レーザ電流IJ2はバイ
アス規定電流IBTと発光電流l。を加算したもの(L
2・181+io) となる。
Light emitting current count value X. is counted up by "1" from the "0" state (step 208).The current I corresponding to the count value XO obtained by this count-up is
. The bias specified current TB is set by the light emitting constant current circuit 106.
Add it to the ding. Therefore, the laser current IJ2 is equal to the bias regulation current IBT and the light emission current l. (L
2・181+io).

レーザ電流1j2に伴なうレーザ光量は半導体レーザ装
置112の内部に内蔵されているフォトダイオード10
9により光電変更され、レーザ光量モニタ回路110に
より、レーザ光量比較制御回路102にフォードバック
している。そのため、発光電流カウント値XDを“1”
つつカウントアツプして行くことにより、発光電流I。
The amount of laser light accompanying the laser current 1j2 is determined by the photodiode 10 built in the semiconductor laser device 112.
9, and the laser light amount monitor circuit 110 feeds back to the laser light amount comparison control circuit 102. Therefore, the light emitting current count value XD is set to “1”.
By counting up the luminescent current I.

が増加し、レーザ光量が増えることとなる。increases, and the amount of laser light increases.

次に、そのレーザ光量が増えたことをモニタ電圧■。が
増加することにより検知する。すなわち、発光電流カウ
ント値XOをカウントアツプし、レーザ108に流れる
電流を増加させて、モニタ電圧VMが発光光量規定電圧
■。に達した時点で、発光電流カウント値XOのカウン
トアツプを終了させる(ステップ209)。
Next, monitor voltage ■ to see if the laser light intensity has increased. Detected by an increase in That is, the light emitting current count value XO is counted up, the current flowing through the laser 108 is increased, and the monitor voltage VM becomes the light emitting light amount specified voltage (2). At the point in time, the count up of the light emitting current count value XO is terminated (step 209).

この時の発光電流カウント値をX0〒(発光電流設定カ
ウント値)とする。半導体レーザ108にはXDT(発
光電流設定カウント値)に相当する電流が流れているが
、この時の発光電流を発光設定電流IDTとする。半導
体レーザ108に発光設定電流IDTが流れている状態
で、モニタ電圧vMの確認を行なう。すなわち、モニタ
電圧v2が発光光量規定電圧voに対しである一定の領
域(例えば±5%)内に入っていない場合(ステップ2
1O)には、発光電流カウント値X111をクリアして
(ステップ211)、発光電流I。を止め、ステップ2
08に戻って発光電流制御をやりなおす。
The light emitting current count value at this time is assumed to be X0 (light emitting current setting count value). A current corresponding to XDT (light emission current setting count value) flows through the semiconductor laser 108, and the light emission current at this time is defined as the light emission setting current IDT. The monitor voltage vM is checked while the emission setting current IDT is flowing through the semiconductor laser 108. That is, if the monitor voltage v2 is not within a certain range (for example, ±5%) with respect to the light emitting light amount regulation voltage vo (step 2
1O), the light emitting current count value X111 is cleared (step 211), and the light emitting current I is cleared. stop, step 2
Return to step 08 and perform the light emitting current control again.

モニタ電圧vMが発光光量規定電圧VDに対しである一
定領域に入っている場合で、中央処理装置101からの
へPC5T信号がFALSEである場合は、発光電流設
定カウント値XD’rおよびバイアス電流設定カウント
値Xatを保持したままで、発光電流スイッチング回路
107のゲートを閉じて、半導体レーザ108への電流
をバイアス設定電流IBTのみとする。また、上述のA
PC5T信号がTRIIEの場合には、発光電流スイッ
チング回路107のゲートは開けたままにしておき、A
PC5T信号がFALSEになった時点でゲートを閉じ
る。
When the monitor voltage vM is within a certain range with respect to the light emitting light amount regulation voltage VD, and the PC5T signal from the central processing unit 101 is FALSE, the light emitting current setting count value XD'r and the bias current setting While holding the count value Xat, the gate of the light emitting current switching circuit 107 is closed, and the current to the semiconductor laser 108 is set to only the bias setting current IBT. In addition, the above A
When the PC5T signal is TRIIE, the gate of the light emitting current switching circuit 107 is left open and the A
The gate is closed when the PC5T signal becomes FALSE.

上述の発光光量規定電圧V、は次のように求められる。The above-mentioned emission light amount regulation voltage V is determined as follows.

まずレーザ光量設定回路111によりレーザ光量設定電
圧v0が決められる。この電圧■。
First, the laser light amount setting voltage v0 is determined by the laser light amount setting circuit 111. This voltage ■.

は、第6図に示すように、抵抗分割による電圧が考えら
れる。レーザ光量比較制御回路102に入力された設定
電圧V。は、記録装置内の感光ドラム1のレーザ感度の
差により補正される。感光ドラム1の感度は中央処理装
置1からC3EN1.C3EN2で示す信号11’4で
入力される。voに対する補正値は中心値のvoに対し
て例えば+10%、または−10%等の値となり、vo
を補正した値を発光光量規定電圧v0とする。
As shown in FIG. 6, a voltage based on resistance division can be considered. A set voltage V input to the laser light amount comparison control circuit 102. is corrected by the difference in laser sensitivity of the photosensitive drum 1 in the recording apparatus. The sensitivity of the photosensitive drum 1 is determined from the central processing unit 1 by C3EN1. It is input as a signal 11'4 indicated by C3EN2. The correction value for vo is, for example, +10% or -10% with respect to the central value of vo.
The corrected value is set as the emitted light amount regulation voltage v0.

また、第7図(A) 、 (B)  に示すように、バ
イアスカウント値xISをカウントアツプすることによ
りレーザ電流ILを増加させ、バイアスカウント値x8
が最大値(MAX)になった時点T8においても、モニ
タ電圧Vイがバイアス電流規定電圧v6゜に到達しない
場合には、電流IBMAX (バイアスカウント値がM
AXになった時の電流)または、電流IBMAXの所定
割合値をバイアス電流とする。
Furthermore, as shown in FIGS. 7(A) and (B), the laser current IL is increased by counting up the bias count value xIS, and the bias count value x8
Even at time T8 when the current IBM has reached its maximum value (MAX), if the monitor voltage V does not reach the bias current specified voltage v6°, the current IBM
(current when the current reaches AX) or a predetermined ratio value of the current IBMMAX is set as the bias current.

また、発光電流において所定のバイアス電流が流れてい
る状態において、発光電流制御を行なう。発光カウント
値xDをカウントアツプすることにより、レーザ電流を
増加させ、発光カウント値XOが最大値になった時点T
Dにおいてもモニタ電圧V。が発光光量規定電圧Voに
到達しない場合には、電流IDMAX (発光カウント
値がMAXになった時の発光電流)を流した状態で、発
光電流制御を終了させる。
Further, the light emitting current is controlled in a state where a predetermined bias current is flowing in the light emitting current. By counting up the light emission count value xD, the laser current is increased, and the time point T when the light emission count value XO reaches the maximum value is reached.
Also at D, monitor voltage V. If the light emission amount does not reach the specified voltage Vo, the light emission current control is ended while the current IDMAX (the light emission current when the light emission count value reaches MAX) is flowing.

第8図は第1図に詳述したレーザ駆動電流制御回路50
1以外の実施例の回路構成を示す。
FIG. 8 shows the laser drive current control circuit 50 detailed in FIG.
1 shows a circuit configuration of an embodiment other than 1.

本図において、503はスキャナモータ制御回路、50
4は感光ドラム回転制御回路、505は感光ドラム検知
回路である。中央処理装置(cpu ) tは公知のP
LL等の制御集積回路を用いて制御されているスキャナ
モータ制御回路503、感光ドラム回転制御回路504
、およびマイクロスイッチやフォトインターラブタなど
を用いた感光ドラム検知回路505などを制御している
。また、CPII 101は制御卓やリーダなどの外部
制御装置からのプリント制御信号(PRINT) 50
6やビデオ信号(Video)507を受けたり、外部
制御装置からのテスト信号(MLON) 508を受信
し、それらの信号に伴ない、第1図に示すようにレーザ
駆動電流制御回路501を制御している。
In this figure, 503 is a scanner motor control circuit;
4 is a photosensitive drum rotation control circuit, and 505 is a photosensitive drum detection circuit. Central processing unit (cpu) t is the well-known P
A scanner motor control circuit 503 and a photosensitive drum rotation control circuit 504 are controlled using a control integrated circuit such as LL.
, and a photosensitive drum detection circuit 505 using a microswitch, a photointerrupter, and the like. In addition, CPII 101 is a print control signal (PRINT) 50 from an external control device such as a control console or reader.
6, a video signal (Video) 507, and a test signal (MLON) 508 from an external control device, and according to these signals, the laser drive current control circuit 501 is controlled as shown in FIG. ing.

次に、第9図のタイミングチャートと第1O図のフロー
チャートを参照して上述のCPU 101の制御動作を
説明する。
Next, the control operation of the CPU 101 described above will be explained with reference to the timing chart of FIG. 9 and the flowchart of FIG. 1O.

まず、ステップ601において外部制御装置から信号P
RIN7506が入力した場合、ステップ602てドラ
ム駆動信号([1RIID) 513およびスキャナモ
ータ駆TBJ信号(5CNON) 509をTl1tl
Eにする。次に、ステップ603においてスキャナモー
タ5がレディーになったことをつげる信号である5CN
RflY510がTRIJEになったことを確認の上、
続くステップ604で自勅光量調整開始イ8号(APC
5T) +13をTRLIEにする。
First, in step 601, a signal P is sent from an external control device.
If RIN 7506 is input, in step 602, the drum drive signal ([1RIID) 513 and scanner motor drive TBJ signal (5CNON) 509 are set to Tl1tl.
Make it E. Next, in step 603, a signal 5CN indicating that the scanner motor 5 is ready is sent.
After confirming that RflY510 has become TRIJE,
In the following step 604, automatic light amount adjustment starts No. 8 (APC
5T) Set +13 to TRLIE.

すると、ステップ605においてレーザ駆動電流制御回
路501のレーザ光量比較制御回路102はすてに詳述
したように、半導体レーザ108の自動光量調整を行な
う。その後、ドラム駆動信号(DRMD)5i3がFA
LSE状態に、又はスキャナモータ回転レディー信号(
SCNRY) 510がF糺Sεになった場合には(ス
テップ606)、次のステップ607においてバイアス
カウント値x8および発光カウント値xoをレーザ光量
比較制御回路102を通じてクリアさせて、半導体レー
ザ108に流れる電流を十分小さくなるように制御する
Then, in step 605, the laser light amount comparison control circuit 102 of the laser drive current control circuit 501 automatically adjusts the light amount of the semiconductor laser 108, as described in detail above. After that, the drum drive signal (DRMD) 5i3 is
LSE state or scanner motor rotation ready signal (
SCNRY) 510 becomes F-Sε (step 606), in the next step 607, the bias count value x8 and the emission count value xo are cleared through the laser light amount comparison control circuit 102, and the current flowing through the semiconductor laser 108 is control so that it is sufficiently small.

この時、ドラム駆動信号(DRMD) 513がFAL
SEになった時点、またはFALSEになる前後の一定
時間において、ステップ607の処理を行なってもよい
At this time, the drum drive signal (DRMD) 513 is FAL.
The process in step 607 may be performed at the time when SE becomes SE or during a certain period of time before and after becoming FALSE.

また、信号APC5T 113は連続プリント時におい
てはプリントとプリントの間の期間、すなわち紙と紙の
間の非画像域においてTRIIEとなり、その非画像域
中に自動光量調整を終わらせている。また、一定時間T
APC以上、信号APC5T 113が発生するタイミ
ングが無い場合は、そのTAPC時間後に自動光量調整
を行なう。第11図の信号TOPER601は上述の非
画像域を示す。
Further, during continuous printing, the signal APC5T 113 becomes TRIIE during the period between prints, that is, in the non-image area between sheets of paper, and the automatic light amount adjustment is completed during the non-image area. Also, for a certain period of time T
If there is no timing at which the signal APC5T 113 is generated beyond APC, automatic light amount adjustment is performed after that TAPC time. Signal TOPER601 in FIG. 11 indicates the above-mentioned non-image area.

[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、感光体の停止時
または停止前後の一定時間に半導体レーザに流れるレー
ザ電流を十分小さくするようにしたので、半導体レーザ
の寿命を伸ばすことができ、また感光体停止時において
ドアオーブンなどがあっても装置外へのレーザの放射を
防ぐことができる効果が得られる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, the laser current flowing through the semiconductor laser is sufficiently reduced when the photoreceptor is stopped or during a certain period of time before and after the photoreceptor is stopped, thereby extending the life of the semiconductor laser. Furthermore, even if there is a door oven or the like when the photoreceptor is stopped, the effect of preventing laser radiation to the outside of the apparatus can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明実施例のレーザ駆動電流制御回路の構成
を示すブロック図、 第2図は第1図のレーザ駆動電流制御回路の動作を示す
特性図、 第3図は第1図のレーザ光量比較制御回路の動作を示す
フローチャート、 第4図(A) 、 (B)は本発明実施例のバイアスカ
ウント値(または発光カウント値)とバイアス電流(ま
たは発光電流)との関係を示す図、第5図は本発明実施
例のレーザ光量とモニタ電圧の関係を示す特性図、 第6図は第1図のレーザ光量設定回路の構成例を示す回
路図、 第7図(A) 、 (B)は、第1図のレーザ光量比較
制御回路の動作を示す特性図、 第8図は本発明実施例のその他の回路の構成を示すブロ
ック図、 第9図は第8図の回路の出力信号のタイミングを示すタ
イミングチャート、 第1O図は第8図の中央処理装置の動作を示すフローチ
ャート、 第11図は第8図の回路の出力信号のタイミングチャー
ト、 第12図は従来のレーザ記録装置の構成を示す斜視図、 第13図は半導体レーザの電流に対する光量の関係を示
す特性図、 第14図は半導体レーザの電流に対する光量の関係を示
す特性図である。 101・・・中央処理装置、 102・・・レーザ光ヱ比較ホ1」御回路、103・・
・バイアス電流制御回路、 104・・・バイアス定電流回路、 105・・・発光電流制御回路、 108・・・発光定電流回路、 107・・・発光電流スイッヂング回路、108・・・
半導体レーザ、 109・・・フォトダイオード、 110・・・レーザ光量モニタ回路、 111・・・レーザ光量設定回路、 501・・・Lノーザ制御回路 (レーザ駆動電流制御回路)、 503・・・スキャナモータ制御回路、504・・・感
光ドラム回転制御回路、505・・・感光ドラム検知回
路。 MSB Xs72−t=1 1  −−−−−−  7  7 
7実力色押りのXβとbヌ1工XoとIoとのμイ系Σ
示す〔コ第4図 モニタミゾE 1に 実艷μ′」めレザ児量託二タ電圧り関係と斤、す特・1
坐図第5図 ゛X方包イタIJのレザL童」9定1回路/1ホ酊に倚
ツのブロック図第6図 実相層“」のし−ザ°尤量rlJ:省」存P回跨刷動イ
γシ片す特・1生図第7図 吏ス也仔1jq中史πV里装置のすカイ乍友示すフロー
乎マート第1O図 第12図 し−プ光量 半型イーt−L−ザ巧」毘t;対する光tの竹・圧図第
13図
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the laser drive current control circuit according to the embodiment of the present invention, FIG. 2 is a characteristic diagram showing the operation of the laser drive current control circuit of FIG. 1, and FIG. A flowchart showing the operation of the light amount comparison control circuit; FIGS. 4(A) and 4(B) are diagrams showing the relationship between the bias count value (or light emission count value) and the bias current (or light emission current) in the embodiment of the present invention; FIG. 5 is a characteristic diagram showing the relationship between the laser light amount and monitor voltage in the embodiment of the present invention, FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration example of the laser light amount setting circuit of FIG. 1, and FIGS. 7(A), (B) ) is a characteristic diagram showing the operation of the laser light amount comparison control circuit shown in FIG. 1, FIG. 8 is a block diagram showing the configuration of other circuits according to the embodiment of the present invention, and FIG. 9 is an output signal of the circuit shown in FIG. 8. 10 is a flowchart showing the operation of the central processing unit of FIG. 8, FIG. 11 is a timing chart of the output signal of the circuit of FIG. 8, and FIG. FIG. 13 is a characteristic diagram showing the relationship between the amount of light and the current of the semiconductor laser; FIG. 14 is a characteristic diagram showing the relationship between the amount of light and the current of the semiconductor laser. 101...Central processing unit, 102...Laser light comparison ho 1'' control circuit, 103...
- Bias current control circuit, 104... Bias constant current circuit, 105... Light emission current control circuit, 108... Light emission constant current circuit, 107... Light emission current switching circuit, 108...
Semiconductor laser, 109... Photodiode, 110... Laser light amount monitor circuit, 111... Laser light amount setting circuit, 501... L noser control circuit (laser drive current control circuit), 503... Scanner motor Control circuit, 504... Photosensitive drum rotation control circuit, 505... Photosensitive drum detection circuit. MSB Xs72-t=1 1 ------- 7 7
7 ability-filled Xβ and b-1 engineering Xo and Io μI system Σ
[Fig. 4] Monitor groove E 1 shows the actual output μ'.
Fig. 5: Block diagram of 9-constant 1 circuit/1 point Rotating printing I gamma cut special / 1 raw diagram Figure 7 staff and child 1 jq middle history πV village showing the flow of the equipment Figure 1 Figure 13: Bamboo pressure map of light t against -L-The Takumi

Claims (1)

【特許請求の範囲】 半導体レーザと感光体を用いて情報の記録を行う記録手
段と、 前記半導体レーザを駆動する駆動電流のうちでバイアス
電流と発光電流を各々独立に制御し、かつ前記感光体の
停止時または該停止前後の一定時間内では少くとも前記
バイアス電流および前記発光電流のいずれか一方を制御
して前記半導体レーザに流れる電流を十分に小さくする
半導体レーザ駆動電流制御手段と を具備したことを特徴とするレーザ記録装置。
[Scope of Claims] A recording means for recording information using a semiconductor laser and a photoreceptor; a bias current and a light emitting current among drive currents for driving the semiconductor laser are each independently controlled; semiconductor laser drive current control means for controlling at least one of the bias current and the light emitting current to sufficiently reduce the current flowing through the semiconductor laser when the laser is stopped or within a certain period of time before and after the stop. A laser recording device characterized by:
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