JPS6356452A - Laser recorder - Google Patents
Laser recorderInfo
- Publication number
- JPS6356452A JPS6356452A JP61198989A JP19898986A JPS6356452A JP S6356452 A JPS6356452 A JP S6356452A JP 61198989 A JP61198989 A JP 61198989A JP 19898986 A JP19898986 A JP 19898986A JP S6356452 A JPS6356452 A JP S6356452A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- current
- bias current
- value
- light amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 241000331231 Amorphocerini gen. n. 1 DAD-2008 Species 0.000 abstract 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229960005265 selenium sulfide Drugs 0.000 description 1
Landscapes
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はレーザ記録装置に関し、特にレーザの光量自動
制御機能を有するレーザ記録装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a laser recording device, and more particularly to a laser recording device having an automatic laser light intensity control function.
[従来の技術]
従来、この種のレーザ記録装置としてはレーザビームプ
リンタが一般に知られている。このプリンタは入力した
情報に応じて変調されたレーザ光を用いて感光体を露光
走査することにより、静電潜像を形成し、この静電潜像
をトナーと呼ばれる磁性現像剤で顕画化して紙等の被記
録材に像転写している。[Prior Art] Conventionally, a laser beam printer is generally known as this type of laser recording device. This printer forms an electrostatic latent image by exposing and scanning a photoreceptor using laser light that is modulated according to input information, and this electrostatic latent image is developed using a magnetic developer called toner. The image is transferred onto a recording material such as paper.
第7図は上述の従来のレーザビームプリンタの一例を示
す。本図において、1はハウジングH内に回転可能に支
持されたセレン、もしくは硫化カドミウム等の半導体層
を表面に有する感光ドラムであり、本図矢印Aの方向に
定速に回転している。2はレーザ光りを射出する半導体
レーザ、2Aはその半導体レーザ2のレーザ光景および
点灯消灯を人力情報に応じて制御する制御回路である。FIG. 7 shows an example of the conventional laser beam printer mentioned above. In the figure, reference numeral 1 denotes a photosensitive drum having a semiconductor layer such as selenium or cadmium sulfide on its surface, which is rotatably supported in a housing H, and rotates at a constant speed in the direction of arrow A in the figure. 2 is a semiconductor laser that emits laser light, and 2A is a control circuit that controls the laser sight and turning on and off of the semiconductor laser 2 in accordance with human power information.
半導体レーザ2から射出されたレーザ光りはビームエキ
スパンダ3に入射されて、所定のビーム径をもったレー
ザ光となる。このレーザ光は鏡面を複数個有する多面体
ミラー4に入射される。この多面体ミラー4は低速回転
モータ(スキャナモータ)5により所定速度で回転する
ので、ビームエキスパンダ3から射出されたレーザ光は
この定速回転する多面体ミラー4で反射されて実質的に
水平方向に走査される。次に、レーザ光はf−θ特性を
有する結像レンズ6により、帯電器13により所定の極
性に一11F電されている感光ドラム1上にスポット光
として結像される。Laser light emitted from the semiconductor laser 2 is incident on the beam expander 3 and becomes laser light with a predetermined beam diameter. This laser light is incident on a polyhedral mirror 4 having a plurality of mirror surfaces. Since this polyhedral mirror 4 is rotated at a predetermined speed by a low-speed rotation motor (scanner motor) 5, the laser beam emitted from the beam expander 3 is reflected by this polyhedral mirror 4 rotating at a constant speed and is directed substantially horizontally. scanned. Next, the laser beam is imaged as a spot light by an imaging lens 6 having an f-theta characteristic on the photosensitive drum 1, which is charged with a predetermined polarity by a charger 13.
7は反射ミラー8によフて反mされたレーザ光を検知す
るビーム検出器である。感光ドラム1上に所望の光情報
を得るための半導体レーザ2の変調動作のタイミングは
、上述のビーム検出器7の検出信号により決定される。A beam detector 7 detects the laser beam reflected by the reflection mirror 8. The timing of the modulation operation of the semiconductor laser 2 to obtain desired optical information on the photosensitive drum 1 is determined by the detection signal of the beam detector 7 described above.
一方、感光ドラム1上には上述の人力(i’f報に応し
て結像走査されたし一ザ光により静電ン替像が形成され
る。この潜像は現像器9においてトナーにより顕画化さ
れた後、カセットto、 11のいずれかから給送され
た被記録材(一般的には用紙)上に転写される。その後
、この被記錨材が定着器12を通過することにより、像
は記録材に定着され、図示しない排出部(排出トレイ)
に排出される。On the other hand, an electrostatic replacement image is formed on the photosensitive drum 1 by the laser light that is image-formed and scanned in response to the above-mentioned manual input (i'f information). After the image is developed, it is transferred onto a recording material (generally paper) fed from either cassette to or 11. Thereafter, this recording anchor material passes through a fixing device 12. The image is fixed on the recording material, and the image is fixed on the recording material.
is discharged.
ところで、このようなレーザビームプリンタにおいて、
一般的に用いられている半導体レーザのレーザ電流(駆
動電流)に対するレーザ光量の特性(If特性)は、第
8図に示すようになフている。すなわち、第8図に示す
ように、半導体レーザはレーザ電流Iがある閾値(It
h)まではレーザ発光は行なわないが、その閾値を越え
た時点でレーザ発光を行ない、そのレーザ発光状態にお
いてはレーザ電流Iに対するレーザ光景℃がある一定の
傾きαを持っている。このαをスロープ効率と称してい
る。By the way, in such a laser beam printer,
The characteristic (If characteristic) of the amount of laser light with respect to the laser current (drive current) of a commonly used semiconductor laser is as shown in FIG. That is, as shown in FIG. 8, the semiconductor laser has a laser current I at a certain threshold (It
Until h), laser emission is not performed, but laser emission is performed when the threshold value is exceeded, and in that laser emission state, the laser sight degree C with respect to the laser current I has a certain slope α. This α is called slope efficiency.
レーザビームプリンタでは制御回路2Aにより半導体レ
ーザ2の光量制御を行なって、規定光量ATになるよう
にレーザ電流I↑を決めている。その際、レーザ電流I
7を定電流駆動することにより、レーザ光fc i T
を一定に保つようにしている。In the laser beam printer, the control circuit 2A controls the amount of light from the semiconductor laser 2, and determines the laser current I↑ so that the amount of light becomes a specified amount AT. At that time, the laser current I
By driving 7 with a constant current, the laser beam fc i T
I try to keep it constant.
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、半導体レーザはII特性において第9図
に示すように、当初Aという特性を有しており、所定の
規定光量−QTAに規定するためにレーザ電流をITA
で定電流駆動していた場合に、半導体レーザに電流を流
していることによる半導体レーザのチップ温度の上昇な
どに伴ない、■−1特性がその後にBまたはCのように
変化してしまうことがある。[Problems to be Solved by the Invention] However, as shown in FIG. 9 in II characteristics, a semiconductor laser initially has a characteristic A, and the laser current must be adjusted to a predetermined prescribed light amount - QTA. ITA
When the semiconductor laser is driven at a constant current, the -1 characteristic changes to B or C as the semiconductor laser chip temperature increases due to current flowing through the semiconductor laser. There is.
従って、必要規定光量ぶ、が感光ドラム1に走査されて
いる場合は、正常であるが、I−j2特性が第14図の
ように変化してしまい、レーザ電流が■7にもかかわら
すレーザ光量がBのようにλ丁Bと少なくなった場合に
は、上述の潜像ができないような状態が生ずることがあ
り、またCのようにflTcと多くなった場合にはレー
ザチップの破壊になるおそれがある。Therefore, when the required prescribed light intensity is scanned on the photosensitive drum 1, it is normal, but the I-j2 characteristic changes as shown in Fig. 14, and the laser current changes even though the laser current is When the amount of light decreases to λ B as shown in B, a situation may occur in which the latent image described above is not formed, and when it increases to flTc as shown in C, the laser chip may be destroyed. There is a risk that this may occur.
本発明は、上述の欠点を除去し、半導体レーザ電流のバ
イアス電流と発光電流を各々制御することにより、より
安定した高品位な記録が可能なレーザ記録装置を提供す
ることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to eliminate the above-mentioned drawbacks and to provide a laser recording device that can perform more stable and high-quality recording by controlling the bias current and the light emission current of the semiconductor laser.
[問題点を解決するための手段]
かかる目的を達成するため、本発明は半導体レーザを用
いて情報の記録を行う記録手段と、半導体レーザの光量
を光量モニタ電圧として検出するレーザ光量検出手段と
、半導体レーザを駆動するレーザ電流を変化させて行く
過程において、光量モニタ電圧があらかじめ定めた特定
の電圧になった時のレーザ電流の電流値の所定割合値を
レーザ電流のバイアス電流の電流値とする電流制御を行
うレーザ駆動電流制御手段とを具備したことを特徴とす
る。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention provides a recording means for recording information using a semiconductor laser, and a laser light amount detection means for detecting the light amount of the semiconductor laser as a light amount monitor voltage. In the process of changing the laser current that drives the semiconductor laser, a predetermined percentage value of the current value of the laser current when the light intensity monitor voltage reaches a predetermined specific voltage is determined as the current value of the bias current of the laser current. The present invention is characterized by comprising a laser drive current control means for controlling the current.
[作 用]
本発明では、レーザ電流を変化させて行きモニタ電圧が
特定電圧になった時点の所定割合をレーザのバイアス電
流とするようにしたので、より正確に半導体レーザのバ
イアス電流を制御することができる。したがって、本発
明によれば固定バイアス方式のように半導体レーザの温
度特性によってしきい値が上がってバイアス電流が十分
なバイアス電流の効果をはたさない状態や、しきい値が
小さすぎてレーザ発光してしまうような状態は発生しな
い。[Function] In the present invention, since the laser current is changed and the predetermined ratio at the time when the monitor voltage reaches a specific voltage is set as the laser bias current, the bias current of the semiconductor laser can be controlled more accurately. be able to. Therefore, according to the present invention, as in the fixed bias method, the threshold value rises depending on the temperature characteristics of the semiconductor laser and the bias current does not have a sufficient bias current effect, or the threshold value is too small and the laser There is no situation where light is emitted.
[実施例]
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。[Example] Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第1図は本発明実施例の要部回路構成を示す。FIG. 1 shows the main circuit configuration of an embodiment of the present invention.
第1図において、101は中央処理装置(CPU)であ
り、情報記録処理の全体制御を行う。102はレーザ光
量比較制御回路であり、A/D (アナログデジタル
)変換回路を内蔵したワンチップマイクロコンピュータ
からなり、後述の第3図の制御手順に従って、レーザ光
量に関する第2図に示すような制御を行う。103はレ
ーザ光量比較制御回路102の一方の出力B、〜Bnに
接続するD/^(デジタルアナログ)変換回路を有する
バイアス電流制御回路で−ある。104はその回路10
3により制御されるバイアス定電流回路であり、バイア
ス電流■、が入力する。また、105はレーザ光量比較
制御回路102の他方の出力D1〜D、に接続するD/
A変換回路を有する発光電流制御回路である。106は
その回路105により制御される発光定電流回路であり
、発光電流スイッチング回路107を介して発光電流I
I)が人力される。In FIG. 1, 101 is a central processing unit (CPU) that performs overall control of information recording processing. Reference numeral 102 denotes a laser light intensity comparison control circuit, which is composed of a one-chip microcomputer with a built-in A/D (analog-to-digital) conversion circuit, and controls the laser light intensity as shown in FIG. 2 in accordance with the control procedure shown in FIG. 3, which will be described later. I do. Reference numeral 103 denotes a bias current control circuit having a D/^ (digital-to-analog) conversion circuit connected to one of the outputs B, .about.Bn of the laser light amount comparison control circuit 102. 104 is the circuit 10
This is a bias constant current circuit controlled by 3, and the bias current 2 is input. Further, 105 is a D/D connected to the other outputs D1 to D of the laser light amount comparison control circuit 102.
This is a light emission current control circuit having an A conversion circuit. 106 is a light emitting constant current circuit controlled by the circuit 105, and the light emitting current I is controlled by the light emitting current switching circuit 107.
I) is done manually.
108は半導体レーザ、109はレーザ108のレーザ
光を受光するフォトダイオードである。110はフォト
ダイオード109からの検出信号を供給されるレーザ光
量モニタ回路であり、検出した光量に相当する7圧VM
がレーザ光量比較制御回路102に出力される。111
はレーザ光量を設定するレーザ光量設定回路である。1
21はアンドゲート、122はオアゲートである。108 is a semiconductor laser, and 109 is a photodiode that receives the laser beam from the laser 108. 110 is a laser light amount monitor circuit supplied with a detection signal from the photodiode 109, and a 7-voltage VM corresponding to the detected light amount.
is output to the laser light amount comparison control circuit 102. 111
is a laser light amount setting circuit that sets the laser light amount. 1
21 is an AND gate, and 122 is an OR gate.
次に、第3図のフローチャートを参照して上述のレーザ
光量比較制御回路102の動作を説明する。Next, the operation of the laser light amount comparison control circuit 102 described above will be explained with reference to the flowchart of FIG.
中央処理装置(CPU) 101から自動光量調整開始
信号(APC5T) 113が送られると(ステップ2
01 ) 、レーザ光量比較制御回路102はステップ
202において発光電流制御回路105およびバイアス
電流制御回路103のD/A変換回路の入力信号り。When the automatic light amount adjustment start signal (APC5T) 113 is sent from the central processing unit (CPU) 101 (step 2
01), the laser light amount comparison control circuit 102 receives input signals from the D/A conversion circuits of the light emission current control circuit 105 and the bias current control circuit 103 in step 202.
〜Do、 B、〜Bnを全てクリアし、それにより発光
定電流回路106とバイアス定電流回路104とを通じ
て、半導体レーザ108に流れているレーザ電流Iλ(
発光電流I。+バイアス電流IB)を十分に小さな値に
する(例えば、レーザ発光領域内にレーザ電流1.を設
定する)。次のステップ203において画像信号である
ビデオ信号(Video (LON) (a号)116
を1’RUE(真)として、半導体レーザ108に発光
電流が流れるように、スイッチング回路107のゲート
を開ける。〜Do, B, and 〜Bn are all cleared, so that the laser current Iλ(
Luminous current I. +bias current IB) to a sufficiently small value (for example, set laser current 1 within the laser emission region). In the next step 203, a video signal (Video (LON) (number a) 116 which is an image signal)
is set to 1'RUE (true), and the gate of the switching circuit 107 is opened so that a light emitting current flows through the semiconductor laser 108.
ここで、発光電流制御回路105およびバイアス電流制
御回路103は上述のようにD/八へンバータ等のディ
ジタル値をアナログ値に変換する回路を有しており、レ
ーザ光量比較制御回路102からの出力信号り、〜D0
およびB1〜B7により構成されるディジタル値をカウ
ントアツプ又はカウントダウンすることにより、発光定
電流回路10[i又はバイアス定電流回路104を介し
てレーザに流れるレーザ電流H2を上述のカウントアツ
プまたはカウントダウンに相当する電気量(アナログ値
)だけ変化させることができる回路構成となっている。Here, the light emission current control circuit 105 and the bias current control circuit 103 have a circuit for converting a digital value such as a D/8 converter into an analog value as described above, and the output from the laser light amount comparison control circuit 102 is Signal, ~D0
By counting up or down the digital value constituted by The circuit has a circuit configuration that can change the amount of electricity (analog value).
本実施例においては、第4図(A) に示すように、バ
イアス電流制御回路103でカウントされるバイアスカ
ウント値X8はレーザ光量比較制御回路102の出力B
工を最下位ビット(LSB)とし、Bnを最上位ビット
(MSB) とするnビットの2進数と考え、バイア
スカウント値XBをカウントアツプ、カウントダウンす
るという表現を用いる。第4図(A)はバイアスカウン
ト値X8をカウントアツプする状態を示している。ここ
で、′0”はLow (ロー)レベル:FへLSE (
偽)とし、“1゛′はIligh(ハイ)レベル: T
RUE (真)とする。また上述のバイアスカウント値
xBとバイアス電流I、の関係は第4図CB) に示
すようにバイアスカウント値XBの増加に伴ないバイア
ス電流■8が増加するものとする。また、発光カウント
値Xoと発光電流Inも第4図(B) に示すと同様な
関係にあるものとする。In this embodiment, as shown in FIG. 4(A), the bias count value X8 counted by the bias current control circuit 103 is the output B of the laser light amount comparison control circuit 102.
It is considered to be an n-bit binary number, with bit number being the least significant bit (LSB) and Bn being the most significant bit (MSB), and the bias count value XB is expressed as counting up and counting down. FIG. 4(A) shows a state in which the bias count value X8 is counted up. Here, '0' is Low level: LSE to F (
False), and “1゛′ is Ilight (high) level: T
Set to RUE (true). Furthermore, the relationship between the bias count value xB and the bias current I mentioned above is shown in FIG. 4 (CB), and it is assumed that the bias current 8 increases as the bias count value XB increases. It is also assumed that the light emission count value Xo and the light emission current In have the same relationship as shown in FIG. 4(B).
また、半導体レーザ108の発光状態はレーザ装置11
2に内蔵されているフォトダイオード109により光電
変換され、レーザ光量モニタ回路110により処理され
て、第5図に示すような光景−電圧特性のモニタ電圧V
Mとして、レーザ光量比較制御回路102にフォードバ
ックされる。Furthermore, the light emitting state of the semiconductor laser 108 is determined by the laser device 11.
2 is photoelectrically converted by the photodiode 109 built in, and processed by the laser light amount monitor circuit 110 to produce a monitor voltage V with the scene-voltage characteristic as shown in FIG.
It is fed back to the laser light amount comparison control circuit 102 as M.
さて、上述のステップ202においてバイアスカウント
値X8および発光カウント値XOを共に“0”にした後
、ステップ203以降のステップでバイアス主流制御を
行う。Now, after both the bias count value X8 and the emission count value XO are set to "0" in step 202 described above, bias mainstream control is performed in steps after step 203.
そのバイアス電流制御では第2図(A) 、 (B)の
A領域で示すように、発光電流カウントX。を“0”と
した状態で、バイアス電流カウント値xBを“1°゛づ
つカウントアツプすることにより(ステップ204 )
、そのカウントアツプされたカウント値X、に相当す
る電流(レーザ電流)をバイアス定電流回路104によ
り半導体レーザ108に流す。そのレーザ電流に伴なう
レーザ光量の検出値をレーザ光量モニタ回路110を通
じてレーザ光量比較制御回路102にフィードバックし
ている。In the bias current control, the light emitting current count is X, as shown in area A in FIGS. 2(A) and 2(B). is set to "0" and the bias current count value xB is counted up by "1°" (step 204).
, and the current (laser current) corresponding to the counted up count value X is caused to flow through the semiconductor laser 108 by the bias constant current circuit 104. A detected value of the laser light amount associated with the laser current is fed back to the laser light amount comparison control circuit 102 through the laser light amount monitor circuit 110.
半導体レーザ108はレーザ電流がしきい値電流Itl
+を趙えた時点で、レーザ発光を行なう。さらに、バイ
アス電流カウント値X、をカウントアツプして、半導体
レーザ108に流れる電流を増加させる。その後、モニ
タ電圧VMがバイアス電流規定電圧VBOに達した時点
でバイアス電流カウント値X8のカウントアツプを終わ
らせる(ステップ205)。The semiconductor laser 108 has a laser current equal to the threshold current Itl.
When + is pressed, laser emission is performed. Furthermore, the bias current count value X is counted up to increase the current flowing through the semiconductor laser 108. Thereafter, when the monitor voltage VM reaches the bias current regulation voltage VBO, the count-up of the bias current count value X8 is ended (step 205).
この時のバイアス電流カウント値をXao(バイアス電
流規定カウント値)とする。X、がXBOである状態で
は、レーザ108はレーザ発光を行なっており、感光ド
ラム1上に潜像を形成するのに十分な光量を出している
場合も存在するので、バイアス電流はバイアス電流規定
カウント値XBOにある一定の割合(例えば80%など
)を乗算した値にし、その値をX67とする(ステップ
206)。The bias current count value at this time is defined as Xao (bias current specified count value). In the state where The count value XBO is multiplied by a certain percentage (for example, 80%), and the resulting value is set as X67 (step 206).
レーザ108は上述のXat(バイアス電流設定カウン
ト値)に相当する電流が流れているが、この時の電流を
バイアス設定電流111Tとする。半導体レーザ108
にバイアス設定電流IBTが流れている状態で、モニタ
電圧vMの確認を行ない、モニタ電圧vMをバイアス電
流規定電圧VBOから減算した値の絶対値が電圧VBO
にある一定の割合(α)をかけた値vaoxαを越えて
いた場合には(ステップ207 ) 、ステップ202
に戻ってバイアス電流カウント値XBを“0”クリアに
してレーザ電?Fを止め、バイアス電流制御を始めから
やりなおす。すなわち、半導体レーザ108にバイアス
設定電流IBTを流した状態で、発光電流制御を行なう
。この時のVideo信号をTR1lEとし、発光電流
スイッチング回路107のゲートを開けておき、発光電
流10が半導体レーザ108に流れる状態にしておく。A current corresponding to the above-mentioned Xat (bias current setting count value) flows through the laser 108, and the current at this time is defined as a bias setting current 111T. Semiconductor laser 108
Check the monitor voltage vM while the bias setting current IBT is flowing through the voltage VBO.
If it exceeds the value vaoxα multiplied by a certain percentage (α) (step 207), step 202
Return to , clear the bias current count value XB to “0” and set the laser voltage? Stop F and restart bias current control from the beginning. That is, light emission current control is performed with the bias setting current IBT flowing through the semiconductor laser 108. At this time, the Video signal is set to TR11E, the gate of the light emitting current switching circuit 107 is opened, and the light emitting current 10 is kept flowing to the semiconductor laser 108.
次に、Iva。−VM l≦VB×αの計算式が成立し
たら、ステップ207からステップ208へ進む。Next, Iva. If the calculation formula -VM l≦VB×α is established, the process proceeds from step 207 to step 208.
このときの発光電流制御は第2図(A) 、 (B)の
B領域で示すように、バイアス電流カウント値X8をバ
イアス電流設定カウント値XBTとし、半導体レーザ1
08にバイアス設定電流IBTを流した状態で行なう。The light emission current control at this time is performed by setting the bias current count value X8 to the bias current setting count value XBT, as shown in region B of FIGS.
This is done with the bias setting current IBT flowing through 08.
発光電流カウント値XOを“0”状態から“1”づつカ
ウントアツプする(ステップ208)。このカウントア
ツプにより得られたそのカウント値XDに相当する電流
Inを発光定電流回路106によりバイアス規定電流I
BTに上乗せする。したがって、レーザ電流1j2はバ
イアス規定電流ratと発光電流■。を加算したもの(
IJ2−1ay+I、) となる。The light emitting current count value XO is counted up by "1" from the "0" state (step 208). A current In corresponding to the count value XD obtained by this count-up is applied to a bias specified current I
Add to BT. Therefore, the laser current 1j2 is the bias regulation current rat and the light emission current ■. (
IJ2-1ay+I,).
レーザ電流IJZに伴なうレーザ光量は半導体レーザ装
置112の内部に内蔵されているフォトダイオード10
9により光電変更され、レーザ光量モニタ回路110に
より、レーザ光量比較制御回路102にフォードバック
している。そのため、発光電流カウント値XOを“1”
づつカウントアツプして行くことにより、発光電流ID
が増加し、レーザ光量が増えることとなる。The amount of laser light accompanying the laser current IJZ is determined by the photodiode 10 built in the semiconductor laser device 112.
9, and the laser light amount monitor circuit 110 feeds back to the laser light amount comparison control circuit 102. Therefore, the light emitting current count value XO is set to “1”.
By counting up step by step, the light emitting current ID
increases, and the amount of laser light increases.
次に、そのレーザ光量が増えたことをモニタ電圧vMが
増加することにより検知する。すなわち、発光電流カウ
ント値XDをカウントアツプし、レーザ108に流れる
電流を増加させて、モニタ電圧VMが発光光量規定電圧
V。に達した時点で、発光電流カウント値XOのカウン
トアツプを終了させる(ステップ209)。Next, an increase in the amount of laser light is detected by an increase in the monitor voltage vM. That is, the light emitting current count value XD is counted up, the current flowing through the laser 108 is increased, and the monitor voltage VM becomes the light emitting light amount regulation voltage V. At the point in time, the count up of the light emitting current count value XO is terminated (step 209).
この時の発光電流カウント値をX。T(発光電流設定カ
ウント値)とする。半導体レーザ108にはXDT(発
光電流設定カウント値)に相当する電流が流れているが
、この時の発光電流を発光設定電流I。7とする。半導
体レーザ108に発光設定電流IDTが流れている状態
で、モニタ電圧VMめ確認を行なう。すなわち、モニタ
電圧VMが発光光量規定電圧V。に対しである一定の領
域(例えば±5%)内に入っていない場合(ステップ2
10)には、発光電流カウント値xDをクリアして(ス
テップ211)、発光電流It、を止め、ステップ20
8に戻って発光電流制御をやりなおす。The light emitting current count value at this time is X. T (emission current setting count value). A current corresponding to XDT (emission current setting count value) flows through the semiconductor laser 108, and the emission current at this time is called the emission setting current I. Set it to 7. While the emission setting current IDT is flowing through the semiconductor laser 108, the monitor voltage VM is checked. That is, the monitor voltage VM is the light emission amount regulation voltage V. If it is not within a certain range (for example, ±5%) (Step 2
10), clear the light emitting current count value xD (step 211), stop the light emitting current It, and perform step 20.
Return to step 8 and redo the light emitting current control.
モニタ電圧VMが発光光量規定電圧VDに対しである一
定領域に入っている場合で、中央処理装置101からの
へPC5T信号がFALSEである場合は、発光電流設
定カウント値XDTおよびバイアス電流設定カウント値
XIITを保持したままで、発光電流スイッチング回路
107のゲートを閉じて、半導体レーザ108への電流
をバイアス設定電流1117のみとする。また、上述の
APC5T信号がTRL!Eの場合には、発光電流スイ
ッチング回路107のゲートは開けたままにしておき、
APC5T(3号がFALSEになった時点でゲートを
閉じる。When the monitor voltage VM is within a certain range with respect to the light emitting light amount regulation voltage VD, and the PC5T signal from the central processing unit 101 is FALSE, the light emitting current setting count value XDT and the bias current setting count value While holding XIIT, the gate of the light emitting current switching circuit 107 is closed, and the current to the semiconductor laser 108 is set to only the bias setting current 1117. Also, the APC5T signal mentioned above is TRL! In case E, the gate of the light emitting current switching circuit 107 is left open,
APC5T (Close the gate when No. 3 becomes FALSE.
上述の発光光量規定電圧Voは次のように求められる。The above-mentioned light emitting light amount regulation voltage Vo is determined as follows.
まずレーザ光量設定回路111によりレーザ光量設定m
rEVOが決められる。この電圧V。First, the laser light intensity is set by the laser light intensity setting circuit 111.
rEVO is determined. This voltage V.
は、第6図に示すように、抵抗分割による電圧が考えら
れる。レーザ光量比較制御回路102に入力された設定
電圧■。は、記録装置内の感光ドラム1のレーザ感度の
差により補正される。感光ドラム1の感度は中央処理装
置1からC3ENI、C3EN2で示す信号114て入
力される。voに対する補正値は中心値のVoに対して
例えば+10%、または=10%等の値となり、Voを
補正した値を発光光量規定電圧■。とする。As shown in FIG. 6, a voltage based on resistance division can be considered. Setting voltage ■ input to the laser light amount comparison control circuit 102. is corrected by the difference in laser sensitivity of the photosensitive drum 1 in the recording apparatus. The sensitivity of the photosensitive drum 1 is input from the central processing unit 1 as signals 114 indicated by C3ENI and C3EN2. The correction value for vo is, for example, a value of +10% or =10% with respect to the center value Vo, and the value obtained by correcting Vo is the emitted light amount regulation voltage (■). shall be.
L発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば、レーザ電流を変
化させて行きモニタ電圧が特定電圧になった時点の所定
割合をレーザのバイアス1流とするようにしたので、よ
り正確に半導体レーザのバイアス電流を制御することが
できる。したがって、本発明によれば固定バイアス方式
のように半導体レーザの温度特性によってしきい値が上
がってバイアス電流が十分なバイアス電流の効果をはた
さない状態や、しきい値が小さすぎてレーザ発光してし
まうような状態は発生しない。[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, since the laser current is changed and the predetermined ratio at the time when the monitor voltage reaches a specific voltage is set as the first laser bias current, It is possible to accurately control the bias current of the semiconductor laser. Therefore, according to the present invention, as in the fixed bias method, the threshold value rises depending on the temperature characteristics of the semiconductor laser and the bias current does not have a sufficient bias current effect, or the threshold value is too small and the laser There is no situation where light is emitted.
第1図は本発明実施例のレーザ駆動電流制御回路の構成
を示すブロック図、
第2図は第1図のレーザ駆動電流制御回路の動作を示す
特性図、
第3図は第1図のレーザ光二比較制御回路の動作を示す
フローチャート、
第4図(八) 、 CB) は本発明実施例のバイアス
カウント値(または発光カウント値)とバイアス電流(
または発光電流)との関係を示す図、第5図は本発明実
施例のレーザ光量とモニタ電圧の関係を示す特性図、
第6図は第1図のレーザ光量設定回路の構成例を示す回
路図、
第7図は従来のレーザ記録装置の構成を示す斜視図、
第8図は半導体レーザの電流に対する光量の関係を示す
特性図、
第9図は半導体レーザの電流に対する光器の関係を示す
特性図である。
lot・・・中央処理装置、
102・・・レーザ光量比較制御回路、103・・・バ
イアス電流制御回路、
+04・・・バイアス定電流回路、
+05・・・発光電流制御回路、
106・・・発光定TL流回路、
107・・・発光電流スイッチング回路、ioa・・・
半導体レーザ、
109・・・フォトダイオード、
110・・・レーザ光量モニタ回路、
11!・・・レーザ光量設定回路。
MSB
Xa72−t=1 7 −−−−−− 7 1 1
突胞押りtr+XsとI8ヌ+IXoとIρとのμせ系
と示す2第4図
モニタ低
1ん
突瑣シ汐1」のレザ″L量ヒモニク電圧の関イ糸に斤、
す特・皿図十5V
賀胞イグ’J /l L−ザ尤層斧9刺り回路0胡g=
俸′jのブロック図第6図
第7図
レーY尤量
l
半導イ本し−ザ/lc琥、1;ズす]′る尤童ン精寺・
1工f乙第9図FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the laser drive current control circuit according to the embodiment of the present invention, FIG. 2 is a characteristic diagram showing the operation of the laser drive current control circuit of FIG. 1, and FIG. A flowchart showing the operation of the optical two comparison control circuit, FIG. 4 (8), CB) shows the bias count value (or light emission count value) and bias current (
5 is a characteristic diagram showing the relationship between the laser light amount and the monitor voltage according to the embodiment of the present invention. FIG. 6 is a circuit showing an example of the configuration of the laser light amount setting circuit shown in FIG. 1. Figure 7 is a perspective view showing the configuration of a conventional laser recording device, Figure 8 is a characteristic diagram showing the relationship between the light amount and the current of the semiconductor laser, and Figure 9 shows the relationship between the optical device and the current of the semiconductor laser. It is a characteristic diagram. lot...Central processing unit, 102...Laser light amount comparison control circuit, 103...Bias current control circuit, +04...Bias constant current circuit, +05...Emission current control circuit, 106...Light emission constant TL current circuit, 107... light emitting current switching circuit, ioa...
Semiconductor laser, 109... Photodiode, 110... Laser light amount monitor circuit, 11! ...Laser light intensity setting circuit. MSB Xa72-t=1 7 ------- 7 1 1
Fig. 4 shows the μ line system of tr +
Sutoku・Darazu 15V Kabo Ig'J /l L-The most common ax 9 stab circuit 0 Hug=
Figure 6 Figure 7 Block diagram of ``J''
Figure 9
Claims (1)
、 前記半導体レーザの光量を光量モニタ電圧として検出す
るレーザ光量検出手段と、 前記半導体レーザを駆動するレーザ電流を変化させて行
く過程において、前記光量モニタ電圧があらかじめ定め
た特定の電圧になった時の前記レーザ電流の電流値の所
定割合値を前記レーザ電流のバイアス電流の電流値とす
る電流制御を行うレーザ駆動電流制御手段と を具備したことを特徴とするレーザ記録装置。 2)特許請求の範囲第1項記載の装置において、 前記特定の電圧は前記半導体レーザのレーザ発光領域の
光量に相当する光量モニタ電圧であることを特徴とする
レーザ記録装置。 3)特許請求の範囲第1項または第2項記載の装置にお
いて、 前記所定割合値は該所定割合値を100%以下とし、前
記バイアス電流を前記半導体レーザに流した時に、該半
導体レーザがレーザ発光をしない値であることを特徴と
するレーザ記録装置。 4)特許請求の範囲第1項〜第3項のいずれかの項に記
載の装置において、 前記レーザ駆動電流制御手段は、前記バイアス電流をレ
ーザ発光領域外となるように設定しているときに、前記
光量モニタ電圧が前記特性の電圧または該特定の電圧の
所定割合を越えている場合は前記レーザ電流を十分に小
さくする電流制御を行うことを特徴とするレーザ記録装
置。 5)特許請求の範囲第1項〜第3項のいずれかの項に記
載の装置において、 前記レーザ駆動電流制御手段は前記バイアス電流をレー
ザ発光領域外となるように設定しているときに、前記光
量モニタ電圧が前記特定の電圧または該特定の電圧の所
定割合を越えている場合は前記レーザ電流を十分に小さ
くした後に、前記バイアス電流の調整を再度行なうこと
を特徴とするレーザ記録装置。[Scope of Claims] 1) Recording means for recording information using a semiconductor laser; Laser light amount detection means for detecting the light amount of the semiconductor laser as a light amount monitor voltage; and Changing the laser current for driving the semiconductor laser. a laser drive that performs current control such that a predetermined percentage value of the current value of the laser current when the light amount monitor voltage reaches a predetermined specific voltage is set as the current value of the bias current of the laser current in the process of increasing the light intensity; 1. A laser recording device comprising current control means. 2) A laser recording device according to claim 1, wherein the specific voltage is a light amount monitor voltage corresponding to the light amount of a laser emitting region of the semiconductor laser. 3) In the device according to claim 1 or 2, the predetermined ratio value is 100% or less, and when the bias current is applied to the semiconductor laser, the semiconductor laser becomes a laser beam. A laser recording device characterized by a value that does not emit light. 4) In the device according to any one of claims 1 to 3, when the laser drive current control means sets the bias current to be outside the laser emission region, . A laser recording apparatus, characterized in that when the light amount monitor voltage exceeds the characteristic voltage or a predetermined ratio of the specific voltage, current control is performed to sufficiently reduce the laser current. 5) In the device according to any one of claims 1 to 3, when the laser drive current control means sets the bias current to be outside the laser emission region, A laser recording device characterized in that when the light amount monitor voltage exceeds the specific voltage or a predetermined ratio of the specific voltage, the bias current is adjusted again after the laser current is sufficiently reduced.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61198989A JPH07100374B2 (en) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | Recording device |
US07/087,707 US4890288A (en) | 1986-08-27 | 1987-08-21 | Light quantity control device |
EP87307608A EP0258060B1 (en) | 1986-08-27 | 1987-08-27 | Light quantity control device |
DE3752136T DE3752136T2 (en) | 1986-08-27 | 1987-08-27 | Device for controlling the amount of light |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61198989A JPH07100374B2 (en) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | Recording device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6356452A true JPS6356452A (en) | 1988-03-11 |
JPH07100374B2 JPH07100374B2 (en) | 1995-11-01 |
Family
ID=16400258
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61198989A Expired - Lifetime JPH07100374B2 (en) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | Recording device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07100374B2 (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02165974A (en) * | 1988-12-20 | 1990-06-26 | Brother Ind Ltd | Modulator |
JPH03105368A (en) * | 1989-09-19 | 1991-05-02 | Canon Inc | Semiconductor laser driving device and laser recorder using the same |
JPH03132774A (en) * | 1989-10-19 | 1991-06-06 | Canon Inc | Image forming device |
JP2007223109A (en) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Brother Ind Ltd | Optical controller |
-
1986
- 1986-08-27 JP JP61198989A patent/JPH07100374B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02165974A (en) * | 1988-12-20 | 1990-06-26 | Brother Ind Ltd | Modulator |
JPH03105368A (en) * | 1989-09-19 | 1991-05-02 | Canon Inc | Semiconductor laser driving device and laser recorder using the same |
JPH03132774A (en) * | 1989-10-19 | 1991-06-06 | Canon Inc | Image forming device |
JP2007223109A (en) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Brother Ind Ltd | Optical controller |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07100374B2 (en) | 1995-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS58212256A (en) | Laser light source device | |
JPS61175656A (en) | Output controller of semiconductor laser | |
JPS62124576A (en) | Output adjusting device for semiconductor laser | |
JPS6356452A (en) | Laser recorder | |
JPS6356059A (en) | Laser recorder | |
US4870441A (en) | Photoelectric conversion apparatus for focus detection | |
JPS6356453A (en) | Laser recorder | |
JPS6356451A (en) | Laser recorder | |
JPS61138267A (en) | Method for correcting sensitivity of photosensitive body | |
JP3007306B2 (en) | Information recording device | |
US6574447B2 (en) | Laser beam emission control for electrophotographic device | |
JPS62203140A (en) | Photometer for camera with automatic focus function | |
JPH0417497B2 (en) | ||
JPS6317582A (en) | Semiconductor laser driving circuit | |
US5162837A (en) | Electronic camera having a built-in strobe | |
JPS60189766A (en) | Image density controller | |
JP3360449B2 (en) | Image density control device | |
JPH01224783A (en) | Image recorder | |
JPH01283576A (en) | Image forming device | |
JPS58187922A (en) | Automatic exposure control device of microfilm reader printer | |
JPH06312531A (en) | Semiconductor-laser driving apparatus | |
JP3401947B2 (en) | Image forming device | |
JPH0432872A (en) | Image forming device | |
JPH05328070A (en) | Image forming device | |
JPS62242972A (en) | Image forming device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |