JPH07100374B2 - Recording device - Google Patents

Recording device

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JPH07100374B2
JPH07100374B2 JP61198989A JP19898986A JPH07100374B2 JP H07100374 B2 JPH07100374 B2 JP H07100374B2 JP 61198989 A JP61198989 A JP 61198989A JP 19898986 A JP19898986 A JP 19898986A JP H07100374 B2 JPH07100374 B2 JP H07100374B2
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純一 君塚
昭久 草野
馨 佐藤
隆志 征矢
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、例えばレーザビームプリンタ等の記録装置に
関する。
The present invention relates to a recording device such as a laser beam printer.

[従来の技術] 従来、この種のレーザ記録装置としてはレーザビームプ
リンタが一般に知られている。このプリンタは入力した
情報に応じて変調されたレーザ光を用いて感光体を露光
走査することにより、静電潜像を形成し、この静電潜像
をトナーと呼ばれる磁性現像剤で顕画化して紙等の被記
録材に像転写している。
[Prior Art] Conventionally, a laser beam printer is generally known as a laser recording apparatus of this type. This printer forms an electrostatic latent image by exposing and scanning a photoconductor using laser light modulated according to the input information, and visualizes this electrostatic latent image with a magnetic developer called toner. The image is transferred onto a recording material such as paper.

第7図は上述の従来のレーザビームプリンタの一例を示
す。本図において、1はハウジングH内に回転可能に支
持されたセレン、もしくは硫化カドミウム等の半導体層
を表面に有する感光ドラムであり、本図矢印Aの方向に
定速に回転している。2はレーザ光Lを射出する半導体
レーザ、2Aはその半導体レーザ2のレーザ光量および点
灯消灯を入力情報に応じて制御する制御回路である。
FIG. 7 shows an example of the above-mentioned conventional laser beam printer. In the figure, reference numeral 1 denotes a photosensitive drum which is rotatably supported in a housing H and has a semiconductor layer such as selenium or cadmium sulfide on its surface, which rotates at a constant speed in the direction of arrow A in the figure. Reference numeral 2 is a semiconductor laser that emits a laser beam L, and 2A is a control circuit that controls the laser light amount and turning on / off of the semiconductor laser 2 according to input information.

半導体レーザ2から射出されたレーザ光Lはビームエキ
スパンダ3に入射されて、所定のビーム径をもったレー
ザ光となる。このレーザ光は鏡面を複数個有する多面体
ミラー4に入射される。この多面体ミラー4は低速回転
モータ(スキャナモータ)5により所定速度で回転する
ので、ビームエキスパンダ3から射出されたレーザ光は
この定速回転する多面体ミラー4で反射されて実質的に
水平方向に走査される。次に、レーザ光はf−θ特性を
有する結像レンズ6により、帯電器13により所定の極性
に帯電されている感光ドラム1上にスポット光として結
像される。
The laser light L emitted from the semiconductor laser 2 is incident on the beam expander 3 and becomes a laser light having a predetermined beam diameter. This laser light is incident on a polyhedral mirror 4 having a plurality of mirror surfaces. The polygon mirror 4 is rotated at a predetermined speed by a low-speed rotation motor (scanner motor) 5, so that the laser light emitted from the beam expander 3 is reflected by the polygon mirror 4 rotating at a constant speed to be substantially horizontal. To be scanned. Next, the laser light is imaged as spot light on the photosensitive drum 1 which is charged to a predetermined polarity by the charger 13 by the imaging lens 6 having the f-θ characteristic.

7は反射ミラー8によって反射されたレーザ光を検知す
るビーム検出器である。感光ドラム1上に所望の光情報
を得るための半導体レーザ2の変調動作のタイミング
は、上述のビーム検出器7の検出信号により決定され
る。一方、感光ドラム1上には上述の入力情報に応じて
結像走査されたレーザ光によ静電潜像が形成される。こ
の潜像は現像器9においてトナーにより顕画化された
後、カセット10,11のいずれかから給送された被記録材
(一般的には用紙)上に転写される。その後、この被記
録材が定着器12を通過することにより、像は記録材に定
着され、図示しない排出部(排出トレイ)に排出され
る。
A beam detector 7 detects the laser light reflected by the reflection mirror 8. The timing of the modulation operation of the semiconductor laser 2 for obtaining the desired optical information on the photosensitive drum 1 is determined by the detection signal of the beam detector 7 described above. On the other hand, an electrostatic latent image is formed on the photosensitive drum 1 by the laser light image-formed and scanned according to the above-mentioned input information. This latent image is visualized with toner in the developing device 9 and then transferred onto a recording material (generally, a sheet) fed from one of the cassettes 10 and 11. Thereafter, the recording material passes through the fixing device 12, so that the image is fixed on the recording material and is discharged to a discharging portion (discharge tray) not shown.

ところで、このようなレーザビームプリンタにおいて、
一般的に用いられて半導体レーザのレーザ電流(駆動電
流)に対するレーザ光量の特性(I−l特性)は、第8
図に示すようになっている。すなわち、第8図に示すよ
うに、半導体レーザはレーザ電流Iがある閾値(Tth
まではレーザ発光は行なわないが、その閾値を越えた時
点でレーザ発光を行ない、そのレーザ発光状態において
はレーザ電流Iに対するレーザ光量lがある一定の傾き
αを持っている。このαをスロープ効率と称している。
By the way, in such a laser beam printer,
The characteristics (I-l characteristics) of the amount of laser light with respect to the laser current (driving current) of a semiconductor laser that is generally used are
It is as shown in the figure. That is, as shown in FIG. 8, in the semiconductor laser, the laser current I has a certain threshold value (T th )
However, the laser light is emitted when the threshold value is exceeded, and in the laser light emission state, the laser light amount 1 with respect to the laser current I has a certain inclination α. This α is called slope efficiency.

レーザビームプリンタでは制御回路2Aにより半導体レー
ザ2の光量制御を行なって、規定光量lTになるようにレ
ーザ電流ITを決めている。その際、レーザ電流ITを定電
流駆動することにより、レーザ光量lTを一定に保つよう
にしている。
In the laser beam printer by performing the light quantity control of the semiconductor laser 2 by the control circuit 2A, and determines the laser current I T to be defined quantity l T. At this time, the laser light amount I T is kept constant by driving the laser current I T at a constant current.

[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、半導体レーザはI−l特性において第9
図に示すように、当初Aという特性を有しており、所定
の規定光量lTAに規定するためにレーザ電流をITAで定電
流駆動していた場合に、半導体レーザに電流を流してい
ることによる半導体レーザのチップ温度の上昇などに伴
ない、I−l特性がその後にBまたはCのように変化し
てしまうことがある。
[Problems to be Solved by the Invention] However, the semiconductor laser has the ninth characteristic in the I-l characteristic.
As shown in the figure, it initially has a characteristic of A, and when the laser current is constant current driven by I TA in order to regulate it to a predetermined prescribed light amount l TA , a current is passed through the semiconductor laser. Due to the increase in the chip temperature of the semiconductor laser and the like, the I-l characteristic may change to B or C after that.

従って、必要規定光量lTAか感光ドラム1に走査されて
いる場合は、正常であるが、I−l特性が第14図のよう
に変化してしまい、レーザ電流がITにもかかわらずレー
ザ光量がBのようにlTBと少なくなった場合には、上述
の潜像ができないような状態が生ずることがあり、また
CのようにlTCと多くなった場合にはレーザチップの破
壊になるおそれがある。
Therefore, when the required prescribed light amount l TA or the photosensitive drum 1 is scanned, it is normal, but the I-l characteristic changes as shown in FIG. 14, and the laser current is I T despite the laser current. When the amount of light is as small as 1 TB as in B, the above-mentioned latent image may not be possible, and when it is as large as 1 TC as in C, the laser chip may be destroyed. May be.

そこで、レーザ光量を検出する手段を設け、この検出手
段により検出される光量が所望の値となる様に半導体レ
ーザに印加すべき電流を決定する方法が考えられてい
る。
Therefore, a method of providing a means for detecting the amount of laser light and determining the current to be applied to the semiconductor laser so that the amount of light detected by this detecting means becomes a desired value has been considered.

斯かる方法を、コンデンサなどに充電された電荷量に応
じて半導体レーザに印加すべき電流を決定するアナログ
回路で実現しようとすると、時間の経過にともなう充電
電荷量の変動によりレーザ光量が変動するという問題が
生じる。また、D/A変換回路を用いて、デジタル値に応
じた電流が半導体レーザに印加される様に構成し、デジ
タル値を変化させていき、検出手段により検出される光
量が所望の値となるデジタル値を特定する方法も考えら
れる。
When such a method is to be realized by an analog circuit that determines the current to be applied to the semiconductor laser according to the charge amount charged in the capacitor etc., the laser light amount changes due to the change in the charged charge amount with the passage of time. The problem arises. Further, by using a D / A conversion circuit, a current corresponding to a digital value is configured to be applied to the semiconductor laser, the digital value is changed, and the light amount detected by the detection means becomes a desired value. A method of specifying the digital value is also possible.

しかしながら、デジタル制御による量子化誤差を低減さ
せるためには、ビット数の大きなD/A変換回路が必要と
なり、大幅なコストアップを招来するという問題が生じ
る。
However, in order to reduce the quantization error due to digital control, a D / A conversion circuit with a large number of bits is required, which causes a problem of a significant cost increase.

本発明の目的は、上記問題を解決し、大幅なコストアッ
プを招来することなく、情報記録に用いられるビーム発
生手段の光量を高精度に制御することができる記録装置
を提供することである。
An object of the present invention is to solve the above problems and to provide a recording apparatus capable of controlling the light quantity of a beam generating means used for information recording with high accuracy without causing a significant increase in cost.

また本発明の他の目的は、第1、第2D/A変換手段を用い
て半導体レーザの光量を制御する場合に、前記第1D/A変
換手段からの出力が、前記半導体レーザの閾値電流を越
えない適正な電流に対応する様に、前記第1D/A変換手段
へのデジタル値を決定することができる記録装置を提供
することである。
Another object of the present invention is to control the light quantity of the semiconductor laser by using the first and second D / A converting means, wherein the output from the first D / A converting means is the threshold current of the semiconductor laser. It is an object of the present invention to provide a recording device capable of determining a digital value for the first D / A conversion means so as to correspond to an appropriate current that does not exceed.

[問題点を解決するための手段及び作用] 上記目的を達成すために、本発明に従う記録装置は、 情報記録のためにビームを発生するビーム発生手段と、 前記ビーム発生手段から発生されるビームの光量を検出
する検出手段と、 第1、第2デジタル値をそれぞれ出力するデジタル値出
力手段と、 前記第1、第2デジタル値をそれぞれアナログ値に変換
する第1、第2D/A変換手段と、 前記第1、第2D/A変換手段の出力に基づいて前記ビーム
発生手段に印加されるべき電流を発生する電流発生手段
と、 前記デジタル値出力手段から逐次増加する第1デジタル
値を出力させることにより、前記ビーム発生手段への印
加電流を徐々に増加させる第1手段と、前記第1手段に
よる前記ビーム発生手段への印加電流の増加により前記
検出手段からの出力が所定の値を越えたか否かを判断す
る第2手段と、前記第2手段により前記検出手段からの
出力が所定の値を越えた判と断された場合に、前記検出
手段からの出力が所定の値を越えたときのデジタル値よ
りも小さい特定の第1デジタル値を決定する第3手段
と、前記第3手段により決定された前記特定の第1デジ
タル値が出力されている状態で、前記デジタル値出力手
段から逐次増加する第2デジタル値を出力させることに
より、前記ビーム発生手段への印加電流を更に徐々に増
加させる第4手段と、前記第4手段による前記ビーム発
生手段への印加電流の増加により前記検出手段からの出
力が所望の値になったことに応じて特定の第2デジタル
値を決定する第5手段とを有する制御手段とを備えるこ
とを特徴とする。
[Means and Actions for Solving Problems] In order to achieve the above-mentioned object, a recording apparatus according to the present invention comprises a beam generating means for generating a beam for recording information, and a beam generated by the beam generating means. Detecting means for detecting the amount of light, digital value outputting means for outputting the first and second digital values, and first and second D / A converting means for converting the first and second digital values into analog values, respectively. A current generating means for generating a current to be applied to the beam generating means on the basis of the outputs of the first and second D / A converting means; and a first digital value which is sequentially increased from the digital value output means. The first means for gradually increasing the applied current to the beam generating means, and the output from the detecting means due to the increase of the applied current to the beam generating means by the first means. Second means for determining whether or not a predetermined value is exceeded, and when the second means determines that the output from the detecting means exceeds a predetermined value, the output from the detecting means is predetermined. And a third means for determining a specific first digital value smaller than the digital value when the value exceeds the value of, and the specific first digital value determined by the third means being output, Fourth means for further gradually increasing the applied current to the beam generating means by causing the digital value output means to output a second digital value that increases sequentially, and an applied current to the beam generating means by the fourth means. And a control means having a fifth means for determining a specific second digital value when the output from the detection means has reached a desired value due to the increase of.

また、本発明においては、好適には、前記ビーム発生手
段は、半導体レーザを有し、前記第3手段により決定さ
れる特定の第1デジタル値は、前記半導体レーザの閾値
電流以下の電流に対応することを特徴とする。
Further, in the present invention, it is preferable that the beam generating means includes a semiconductor laser, and the specific first digital value determined by the third means corresponds to a current equal to or less than a threshold current of the semiconductor laser. It is characterized by doing.

[実施例] 以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明す
る。
Embodiments Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第1図は本発明実施例の要部回路構成を示す。FIG. 1 shows a circuit configuration of essential parts of an embodiment of the present invention.

第1図において、101は中央処理装置(CPU)であり、情
報記録処理の全体制御を行なう。102はレーザ光量比較
制御回路であり、A/D(アナログデジタル)変換回路を
内蔵したワンチップマイクロコンピュータからなり、後
述の第3図の制御手順に従って、レーザ光量に関する第
2図に示すような制御を行う。103はレーザ光量比較制
御回路102の一方の出力B1〜Bnに接続するD/A(デジタル
アナログ)変換回路を有するバイアス電流制御回路であ
る。104はその回路103により制御されるバイアス定電流
回路であり、バイアス電流IBが入力する。また、105は
レーザ光量比較制御回路102の他方の出力D1〜Dnに接続
するD/A変換回路を有する発光電流制御回路である。106
はその回路105により制御される発光定電流回路であ
り、発光電流スイッチング回路107を介して発光電流ID
が入力される。
In FIG. 1, reference numeral 101 denotes a central processing unit (CPU), which controls the entire information recording process. Reference numeral 102 denotes a laser light amount comparison control circuit, which is composed of a one-chip microcomputer having an A / D (analog / digital) conversion circuit built-in, and controls the laser light amount as shown in FIG. 2 in accordance with the control procedure shown in FIG. I do. Reference numeral 103 is a bias current control circuit having a D / A (digital-analog) conversion circuit connected to one output B 1 to B n of the laser light amount comparison control circuit 102. Reference numeral 104 denotes a bias constant current circuit controlled by the circuit 103, to which the bias current I B is input. Reference numeral 105 denotes a light emission current control circuit having a D / A conversion circuit connected to the other outputs D 1 to D n of the laser light amount comparison control circuit 102. 106
Is a light emission constant current circuit controlled by the circuit 105, and through the light emission current switching circuit 107, the light emission current I D
Is entered.

108は半導体レーザ、109はレーザ108のレーザ光を受光
するフォトダイオードである。110はフォトダイオード1
09からの検出信号を供給されるレーザ光量モニタ回路で
あり、検出した光量に相当する電圧VMがレーザ光量比較
制御回路102に出力される。111はレーザ光量を設定する
レーザ光量設定回路である。121はアンドゲート、122は
オアゲートである。
Reference numeral 108 is a semiconductor laser, and 109 is a photodiode for receiving the laser beam of the laser 108. 110 is the photodiode 1
A laser light amount monitor circuit supplied with the detection signal from 09, and a voltage V M corresponding to the detected light amount is output to the laser light amount comparison control circuit 102. 111 is a laser light amount setting circuit for setting the laser light amount. 121 is an AND gate and 122 is an OR gate.

次に、第3図のフローチャートを参照して上述のレーザ
光量比較制御回路102の動作を説明する。
Next, the operation of the above laser light amount comparison control circuit 102 will be described with reference to the flowchart of FIG.

中央処理装置(CPU)101から自動光量調整開始信号(AP
CST)113が送られると(ステップ201)、レーザ光量比
較制御回路102はステップ202において発光電流制御回路
105およびバイアス電流制御回路103のD/A変換回路の入
力信号D1〜Dn、B1〜Bnを全てクリアし、それにより発光
定電流回路106とバイアス定電流回路104とを通じて、半
導体レーザ108に流れているレーザ電流Il(発光電流ID
+バイアス電流IB)を十分に小さな値にする(例えば、
レーザ発光領域内にレーザ電流Ilを設定する)。次のス
テップ203において画像信号であるビデオ信号(video
(LON)信号)116をTRUE(真)として、半導体レーザ10
8に発光電流が流れるように、スイッチング回路107のゲ
ートを開ける。
Automatic light intensity adjustment start signal (AP) from central processing unit (CPU) 101
CST) 113 is sent (step 201), the laser light amount comparison control circuit 102 determines in step 202 the emission current control circuit.
The input signals D 1 to D n and B 1 to B n of the D / A conversion circuit of the bias current control circuit 103 and the bias current control circuit 103 are all cleared, whereby the semiconductor laser is emitted through the light emission constant current circuit 106 and the bias constant current circuit 104. Laser current Il flowing through 108 (emission current I D
+ Bias current I B ) to a sufficiently small value (for example,
The laser current Il is set within the laser emission region). In the next step 203, a video signal (video
(LON) signal) 116 is set to TRUE and the semiconductor laser 10
The gate of the switching circuit 107 is opened so that the light emission current flows to the switch 8.

ここで、発光電流制御回路105およびバイアス電流制御
回路103は上述のようにD/Aコンバータ等のディジタル値
をアナログ値に変換する回路を有しており、レーザ光量
比較制御回路102からの出力信号D1〜DnおよびB1〜Bn
より構成されるディジタル値をカウントアップ又はカウ
ントダウンすることにより、発光定電流回路106又はバ
イアス定電流回路104を介してレーザに流れるレーザ電
流Ilを上述のカウントアップまたはカウントダウンに相
当する電気量(アナログ値)だけ変化させることができ
る回路構成となっている。
Here, the emission current control circuit 105 and the bias current control circuit 103 have a circuit for converting a digital value such as a D / A converter into an analog value as described above, and an output signal from the laser light amount comparison control circuit 102. By counting up or down the digital value composed of D 1 to D n and B 1 to B n , the laser current Il flowing through the laser through the emission constant current circuit 106 or the bias constant current circuit 104 is counted as described above. The circuit configuration is such that the amount of electricity (analog value) corresponding to up or countdown can be changed.

本実施例においては、第4図(A)に示すように、バイ
アス電流制御回路103でカウントされるバイアスカウン
ト値XBはレーザ光量比較制御回路102の出力B1を最下位
ビット(LSB)とし、Bnを最上位ビット(MSB)とするn
ビットの2進数と考え、バイアスカウント値XBをカウン
トアップ,カウントダウンするという表現を用いる。第
4図(A)はバイアスカウント値XBをカウントアップす
る状態を示している。ここで、“0"はLow(ロー)レベ
ル:FALSE(為)とし、“1"はHigh(ハイ)レベル:TRUE
(真)とする。また上述のバイアスカウント値XBとバイ
アス電流IBの関係は第4図(B)に示すようにバイアス
カウント値XBの増加に伴ないバイアス電流IBが増加する
ものとする。また、発光カウント値XDと発光電流IDも第
4図(B)に示すと同様な関係にあるものとする。
In this embodiment, as shown in FIG. 4A, the bias count value X B counted by the bias current control circuit 103 is the output B 1 of the laser light amount comparison control circuit 102 being the least significant bit (LSB). , B n as the most significant bit (MSB) n
Considered binary bits, counting up the bias count X B, the term counts down using. FIG. 4 (A) shows a state of counting up the bias count X B. Here, "0" is Low level: FALSE, and "1" is High level: TRUE
(True) The relationship between the above-mentioned bias count X B and the bias current I B is assumed to have accompanied no bias current I B to the increase of the bias count X B as shown in Figure No. 4 (B) increases. Further, it is assumed that the light emission count value X D and the light emission current I D have the same relationship as shown in FIG. 4 (B).

また、半導体レーザ108の発光状態はレーザ装置112に内
蔵されているフォトダイオート109により光電変換さ
れ、レーザ光量モニタ回路110により処理されて、第5
図に示すような光量−電圧特性のモニタ電圧VMとして、
レーザ光量比較制御回路102にフォードバックされる。
Further, the light emission state of the semiconductor laser 108 is photoelectrically converted by a photodiode 109 built in the laser device 112, processed by a laser light amount monitor circuit 110, and a fifth state is obtained.
As the monitor voltage V M of the light quantity-voltage characteristic as shown in the figure,
The laser light amount comparison control circuit 102 is fed back.

さて、上述のステップ202においてバイアスカウント値X
Bおよび発光カウント値XDを共に“0"にした後、ステッ
プ203以降のステップでバイアス電流制御を行う。
Now, in step 202 described above, the bias count value X
After setting both B and the light emission count value X D to “0”, the bias current control is performed in steps after step 203.

そのバイアス電流制御では第2図(A),(B)のA領
域で示すように、発光電流カウントXDを“0"とした状態
で、バイアス電流カウント値XBを“1"づつカウントアッ
プすることにより(ステップ204)、そのカウントアッ
プされたカウント値XBに相当する電流(レーザ電流)を
バイアス定電流回路104により半導体レーザ108に流す。
そのレーザ電流に伴なうレーザ光量の検出値をレーザ光
量モニタ回路110を通じてレーザ光量比較制御回路102に
フィードバックしている。
Figure 2 is the bias current control (A), as shown in region A of (B), the light emission current count to X D in a state where "0" and the bias current count X B "1" by one count-up By doing so (step 204), a current (laser current) corresponding to the counted-up count value X B is passed through the semiconductor laser 108 by the bias constant current circuit 104.
The detected value of the laser light amount accompanying the laser current is fed back to the laser light amount comparison control circuit 102 through the laser light amount monitor circuit 110.

半導体レーザ108はレーザ電流がしきい値電流Ithを越え
た時点で、レーザ発光を行なう。さらに、バイアス電流
カウント値XBをカウントアップして、半導体レーザ108
に流れる電流を増加させる。その後、モニタ電圧VMがバ
イアス電流規定電圧VBOに達した時点でバイアス電流カ
ウント値XBのカウントアップを終わらせる(ステップ20
5)。
The semiconductor laser 108 emits laser light when the laser current exceeds the threshold current I th . Further, the bias current count value X B is incremented and the semiconductor laser 108
Increase the current flowing through. After that, when the monitor voltage V M reaches the bias current specified voltage V BO , the count up of the bias current count value X B is finished (step 20
Five).

この時のバイアス電流カウント値をXBO(バイアス電流
規定カウント値)とする。XBがXBOである状態では、レ
ーザ108はレーザ発光を行なっており、感光ドラム1上
に潜像を形成するのに十分な光量を出している場合も存
在するので、バイアス電流はバイアス電流規定カウント
値XBOにある一定の割合(例えば80%など)を乗算した
値にし、その値をXBTとする(ステップ206)。
The bias current count value at this time is X BO (bias current specified count value). When X B is X BO , the laser 108 emits laser light, and there is a case where the laser 108 emits a sufficient amount of light to form a latent image on the photosensitive drum 1. Therefore, the bias current is the bias current. A value obtained by multiplying the specified count value X BO by a certain ratio (for example, 80%) is set as X BT (step 206).

レーザ108は上述のXBT(バイアス電流設定カウント値)
に相当する電流が流れているが、この時の電流をバイア
ス設定電流IBTとする。半導体レーザ108にバイアス設定
電流IBTが流れている状態で、モニタ電圧VMの確認を行
ない、モニタ電圧VMをバイアス電流規定電圧VBOから減
算した値の絶対値が電圧VBOにある一定の割合(α)を
かけた値VBO×αを越えていた場合には(ステップ20
7)、ステップに戻ってバイアス電流カウント値XB
“0"クリアにしてレーザ電流を止め、バイアス電流制御
を始めからやりなおす。すなわち、半導体レーザ108に
バイアス設定電流IBTを流した状態で、発光電流制御を
行なう。この時のVideo信号をTRUEとし、発光電流スイ
ッチング回路107のゲートを開けておき、発光電流ID
半導体レーザ108に流れる状態にしておく。
The laser 108 is the above-mentioned X BT (bias current setting count value)
The current at this time is the bias setting current I BT . While the bias setting current I BT is flowing through the semiconductor laser 108, the monitor voltage V M is checked and the absolute value of the value obtained by subtracting the monitor voltage V M from the bias current specified voltage V BO is constant at the voltage V BO. Multiplying the ratio (α) by V BO × α is exceeded (step 20
7), stop the laser current is set to "0" clears the bias current count X B returns to step, restart the bias current control from the beginning. That is, the emission current control is performed with the bias setting current I BT flowing through the semiconductor laser 108. The video signal at this time is set to TRUE, the gate of the light emission current switching circuit 107 is opened, and the light emission current ID is made to flow to the semiconductor laser 108.

次に、|VBO−VM|≦VB×αの計算式が成立したら、ステ
ップ207からステップ208へ進む。
Next, if the formula | V BO −V M | ≦ V B × α holds, the process proceeds from step 207 to step 208.

このときの発光電流制御は第2図(A),(B)のB領
域で示すように、バイアス電流カウント値XBをバイアス
電流設定カウント値XBTとし、半導体レーザ108にバイア
ス設定電流IBTを流した状態で行なう。発光電流カウン
ト値XDを“0"状態から“1"づつカウントアップする(ス
テップ208)。このカウントアップにより得られたその
カウント値XDに相当する電流IDを発光定電流回路106に
よりバイアス規定電流IBTに上乗せする。したがって、
レーザ電流Ilはバイアス規定電流IBTと発光電流IDを加
算したもの(Il=IBT+ID)となる。
The emission current control at this time is performed by setting the bias current count value X B to the bias current setting count value X BT as shown in the region B of FIGS. 2A and 2B, and setting the bias setting current I BT to the semiconductor laser 108. Perform with the flow. Light emission current count value X D "0" from the state "1" at a time is counted up (step 208). A current I D corresponding to the count value X D obtained by this count-up is added to the bias specified current I BT by the light emission constant current circuit 106. Therefore,
The laser current Il is the sum of the bias regulation current I BT and the emission current I D (Il = I BT + I D ).

レーザ電流Ilに伴なうレーザ光量は半導体レーザ装置11
2の内部に内蔵されているフォトダイオード109により光
電変更され、レーザ光量モニタ回路110により、レーザ
光量比較制御回路102にフォードバックしている。その
ため、発光電流カウント値XDを“1"づくカウントアップ
して行くことにより、発光電流IDが増加し、レーザ光量
が増えることとなる。
The amount of laser light accompanying the laser current Il is determined by the semiconductor laser device 11
The photoelectric conversion is performed by the photodiode 109 built in the inside of 2, and the laser light amount monitor circuit 110 performs the feedback to the laser light amount comparison control circuit 102. Therefore, by counting up the emission current count value X D by "1", the emission current I D increases and the laser light amount increases.

次に、そのレーザ光量が増えたことをモニタ電圧VMが増
加することにより検知する。すなわち、発光電流カウン
ト値XDをカウントアップし、レーザ108に流れる電流を
増加させて、モニタ電圧VMが発光光量規定電圧VDに達し
た時点で、発光電流カウント値XDのカウントアップを終
了させる(ステップ209)。
Next, the increase in the laser light amount is detected by the increase in the monitor voltage V M. That is, the emission current count value X D is counted up, the current flowing through the laser 108 is increased, and when the monitor voltage V M reaches the emission light amount regulation voltage V D , the emission current count value X D is incremented. It is ended (step 209).

この時の発光電流カウント値をXDT(発光電流設定カウ
ント値)とする。半導体レーザ108にはXDT(発光電流設
定カウント値)に相当する電流が流れているが、この時
の発光電流を発光設定電流IDTとする。半導体レーザ108
に発光設定電流IDTが流れている状態で、モニタ電圧VM
の確認を行なう。すなわち、モニタ電圧VMが発光光量規
定電圧VDに対してある一定の領域(例えば±5%)内に
入っていない場合(ステップ210)には、発光電流カウ
ント値XDをクリアして(ステップ211)、発光電流ID
止め、ステップ208に戻って発光電流制御をやりなお
す。
The light emitting current count value at this time is XDT (light emitting current setting count value). A current corresponding to X DT (light emission current setting count value) is flowing through the semiconductor laser 108, and the light emission current at this time is set as the light emission setting current I DT . Semiconductor laser 108
In a state where the flash setting current I DT is flowing to the monitor voltage V M
Check. That is, when the monitor voltage V M is not within a certain range (for example, ± 5%) with respect to the emitted light amount regulation voltage V D (step 210), the emission current count value X D is cleared ( In step 211), the light emission current ID is stopped, the process returns to step 208, and the light emission current control is performed again.

モニタ電圧VMが発光光量規定電圧VDに対してある一定領
域に入っている場合で、中央処理装置101からのAPCST信
号がFALSEである場合は、発光電流設定カウント値XDT
よびバイアス電流設定カウント値XBTを保持したまま
で、発光電流スイッチング回路107のゲートを閉じて、
半導体レーザ108への電流をバイアス設定電流IBTのみと
する。また、上述のAPCST信号がTRUEの場合には、発光
電流スイッチング回路107のゲートは開けたままにして
おき、APCST信号がFALSEになった時点がゲートを閉じ
る。
When the monitor voltage V M is within a certain range with respect to the emission light amount regulation voltage V D and the APCST signal from the central processing unit 101 is FALSE, the emission current setting count value X DT and the bias current setting While holding the count value X BT , close the gate of the emission current switching circuit 107,
Only the bias setting current I BT is supplied to the semiconductor laser 108. When the above APCST signal is TRUE, the gate of the light emission current switching circuit 107 is left open, and the gate is closed when the APCST signal becomes FALSE.

上述の発光光量規定電圧VDは次のように求められる。ま
ずレーザ光量設定回路111によりレーザ光量設定電圧VO
が決められる。この電圧VOは、第6図に示すように、抵
抗分割により電圧が考えられる。レーザ光量比較制御回
路102に入力された設定電圧VOは、記録装置内の感光ド
ラム1のレーザ感度の差により補正される。感光ドラム
1の感度は中央処理装置1からCSEN1、CSEN2で示す信号
114で入力される。VOに対する補正値は中心値のVOに対
して例えば+10%、または−10%等の値となり、VO補正
した値を発光光量規定電圧VDとする。
The above-mentioned emission light amount regulation voltage V D is obtained as follows. First, the laser light amount setting voltage V O is set by the laser light amount setting circuit 111.
Can be decided. This voltage V O can be considered to be a voltage due to resistance division, as shown in FIG. The set voltage V O input to the laser light amount comparison control circuit 102 is corrected by the difference in laser sensitivity of the photosensitive drum 1 in the recording device. The sensitivity of the photosensitive drum 1 is the signal indicated by CSEN1 and CSEN2 from the central processing unit 1.
Entered at 114. Correction value for V O is V O with respect to for example + 10% of the center value, or is the value of -10% or the like, the V O corrected value as the amount of emitted light specified voltage V D.

[発明の効果] 以上説明した様に、本発明によれば、大幅なコストアッ
プを招来することなく、情報記録に用いられるビーム発
生手段の光量を高精度に制御することができる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, it is possible to control the light quantity of the beam generating means used for information recording with high accuracy without significantly increasing the cost.

また本発明によれば、第1、第2D/A変換手段を用いて半
導体レーザの光量を制御する場合に、前記第1D/A変換手
段からの出力が、前記半導体レーザの閾値電流を越えな
い適正な電流に対応する様に、前記第1D/A変換手段への
デジタル値を決定することができる。
Further, according to the present invention, when the light amount of the semiconductor laser is controlled by using the first and second D / A converting means, the output from the first D / A converting means does not exceed the threshold current of the semiconductor laser. The digital value to the first D / A conversion means can be determined to correspond to the proper current.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明実施例レーザの駆動電流制御回路の構成
を示すブロック図、 第2図に第1図のレーザ駆動電流制御回路の動作を示す
特性図、 第3図は第1図のレーザ光量比較制御回路の動作を示す
フローチャート、 第4図(A),(B)は本発明実施例のバイアスカウン
ト値(または発光カウント値)とバイアス電流(または
発光電流)との関係を示す図、 第5図は本発明実施例のレーザ光量とモニタ電圧の関係
を示す特性図、 第6図は第1図のレーザ光量設定回路の構成例を示す回
路図、 第7図は従来のレーザ記録装置の構成を示す斜視図、 第8図は半導体レーザの電流に対する光量の関係を示す
特性図、 第9図は半導体レーザの電流に対する光量の関係を示す
特性図である。 101……中央処理装置、 102……レーザ光量比較制御回路、 103……バイアス電流制御回路、 104……バイアス定電流回路、 105……発光電流制御回路、 106……発光定電流回路、 107……発光電流スイッチング回路、 108……半導体レーザ、 109……フォトダイオード、 110……レーザ光量モニタ回路、 111……レーザ光量設定回路。
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a drive current control circuit of a laser according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a characteristic diagram showing the operation of the laser drive current control circuit of FIG. 1, and FIG. 3 is a laser of FIG. 4 is a flow chart showing the operation of the light quantity comparison control circuit, FIGS. 4 (A) and 4 (B) are diagrams showing the relationship between the bias count value (or light emission count value) and the bias current (or light emission current) in the embodiment of the present invention, FIG. 5 is a characteristic diagram showing the relationship between the laser light amount and the monitor voltage in the embodiment of the present invention, FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration example of the laser light amount setting circuit in FIG. 1, and FIG. 7 is a conventional laser recording device. FIG. 8 is a characteristic diagram showing the relationship of the light amount with respect to the current of the semiconductor laser, and FIG. 9 is a characteristic diagram showing the relationship of the light amount with respect to the current of the semiconductor laser. 101 ... Central processing unit, 102 ... Laser light amount comparison control circuit, 103 ... Bias current control circuit, 104 ... Bias constant current circuit, 105 ... Emission current control circuit, 106 ... Emission constant current circuit, 107 ... … Light emission current switching circuit, 108 …… Semiconductor laser, 109 …… Photodiode, 110 …… Laser light quantity monitor circuit, 111 …… Laser light quantity setting circuit.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 馨 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 征矢 隆志 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Kaoru Sato 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Takashi Seiya 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Within the corporation

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】情報記録のためにビームを発生するビーム
発生手段と、 前記ビーム発生手段から発生されるビームの光量を検出
する検出手段と、 第1、第2デジタル値をそれぞれ出力するデジタル値出
力手段と、 前記第1、第2デジタル値をそれぞれアナログ値に変換
する第1、第2D/A変換手段と、 前記第1、第2D/A変換手段の出力に基づいて前記ビーム
発明手段に印加されるべき電流を発生する電流発生手段
と、 前記デジタル値出力手段から逐次増加する第1デジタル
値を力させることにより、前記ビーム発生手段への印加
電流を徐々に増加させる第1手段と、前記第1手段によ
る前記ビーム発生手段への印加電流の増加により前記検
出手段からの出力が所定の値を越えたか否かを判断する
第2手段と、前記第2手段により前記検出手段からの出
力が所定の値を越えたと判断された場合に、前記検出手
段からの出力が所定の値を越えたときのデジタル値より
も小さい特定の第1デジタル値を決定する第3手段と、
前記第3手段により決定された前記特定の第1デジタル
値が出力されている状態で、前記デジタル値出力手段か
ら逐次増加する第2デジタル値を出力させることによ
り、前記ビーム発生手段への印加電流を更に徐々に増加
させる第4手段と、前記第4手段による前記ビーム発生
手段への印加電流の増加により前記検出手段からの出力
が所望の値になったことに応じて特定の第2デジタル値
を決定する第5手段とを有する制御手段とを備えること
を特徴とする記録装置。
1. A beam generating means for generating a beam for recording information, a detecting means for detecting a light amount of the beam generated by the beam generating means, and a digital value for outputting a first and a second digital value, respectively. Output means, first and second D / A conversion means for converting the first and second digital values into analog values, respectively, and to the beam invention means based on the outputs of the first and second D / A conversion means. Current generating means for generating a current to be applied, and first means for gradually increasing the current applied to the beam generating means by applying a sequentially increasing first digital value from the digital value output means, Second means for determining whether or not the output from the detecting means exceeds a predetermined value due to the increase of the current applied to the beam generating means by the first means, and the second means for detecting from the detecting means. Third means for determining a specific first digital value smaller than the digital value when the output from the detecting means exceeds a predetermined value when it is determined that the output of the above-mentioned exceeds a predetermined value.
The current applied to the beam generating means is generated by causing the digital value output means to output the second digital value which is successively increased while the specific first digital value determined by the third means is being output. And a second digital value that is specific to the output from the detection means due to an increase in the current applied to the beam generation means by the fourth means. And a control means having a fifth means for determining.
【請求項2】前記ビーム発生手段は、半導体レーザを有
し、前記第3手段により決定される特定の第1デジタル
値は、前記半導体レーザの閾値電流以下の電流に対応す
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の記録装
置。
2. The beam generating means includes a semiconductor laser, and the specific first digital value determined by the third means corresponds to a current equal to or lower than a threshold current of the semiconductor laser. The recording apparatus according to claim 1.
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