JPH0754957B2 - Light quantity control device for recording device - Google Patents
Light quantity control device for recording deviceInfo
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- JPH0754957B2 JPH0754957B2 JP61198990A JP19899086A JPH0754957B2 JP H0754957 B2 JPH0754957 B2 JP H0754957B2 JP 61198990 A JP61198990 A JP 61198990A JP 19899086 A JP19899086 A JP 19899086A JP H0754957 B2 JPH0754957 B2 JP H0754957B2
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、情報記録のためのビームを発生するビーム発
生手段を有する記録装置の光量制御装置に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a light amount control device for a recording apparatus having a beam generating means for generating a beam for recording information.
[従来の技術] 従来、この種のレーザ記録装置としてはレーザビームプ
リンタが一般に知られている。このプリンタは入力した
情報に応じて変調されたレーザ光を用いて感光体を露光
走査することにより、静電潜像を形成し、この静電潜像
をトナーと呼ばれる磁性現像剤で顕画化して紙等の被記
録材に像転写している。[Prior Art] Conventionally, a laser beam printer is generally known as a laser recording apparatus of this type. This printer forms an electrostatic latent image by exposing and scanning a photoconductor using laser light modulated according to the input information, and visualizes this electrostatic latent image with a magnetic developer called toner. The image is transferred onto a recording material such as paper.
第10図は上述の従来のレーザビームプリンタの一例を示
す。本図において、1はハウジングH内に回転可能に支
持されたセレン、もしくは硫化カドミウム等の半導体層
を表面に有する感光ドラムであり、本図矢印Aの方向に
定速に回転している。2はレーザ光Lを射出する半導体
レーザ、2Aはその半導体レーザ2のレーザ光量および点
灯消灯を入力情報に応じて制御する制御回路である。FIG. 10 shows an example of the above-mentioned conventional laser beam printer. In the figure, reference numeral 1 denotes a photosensitive drum which is rotatably supported in a housing H and has a semiconductor layer such as selenium or cadmium sulfide on its surface, which rotates at a constant speed in the direction of arrow A in the figure. Reference numeral 2 is a semiconductor laser that emits a laser beam L, and 2A is a control circuit that controls the laser light amount and turning on / off of the semiconductor laser 2 according to input information.
半導体レーザ2から射出されたレーザ光Lはビームエキ
スパンダ3に入射されて、所定のビーム径をもったレー
ザ光となる。このレーザ光は鏡面を複数個有する多面体
ミラー4に入射される。この多面体ミラー4は低速回転
モータ(スキャナモータ)5により所定速度で回転する
ので、ビームエキスパンダ3から射出されたレーザ光は
この定速回転する多面体ミラー4で反射されて実質的に
水平方向に走査される。次に、レーザ光はf−θ特性を
有する結像レンズ6により、帯電器13により所定の極性
に帯電されている感光ドラム1上にスポット光として結
像される。The laser light L emitted from the semiconductor laser 2 is incident on the beam expander 3 and becomes a laser light having a predetermined beam diameter. This laser light is incident on a polyhedral mirror 4 having a plurality of mirror surfaces. The polygon mirror 4 is rotated at a predetermined speed by a low-speed rotation motor (scanner motor) 5, so that the laser light emitted from the beam expander 3 is reflected by the polygon mirror 4 rotating at a constant speed and is substantially horizontal. To be scanned. Next, the laser light is imaged as spot light on the photosensitive drum 1 which is charged to a predetermined polarity by the charger 13 by the imaging lens 6 having the f-θ characteristic.
7は反射ミラー8によって反射されたレーザ光を検知す
るビーム検出器である。感光ドラム1上に所望の光情報
を得るための半導体レーザ2の変調動作のタイミング
は、上述のビーム検出器7の検出信号により決定され
る。一方、感光ドラム1上には上述の入力情報に応じて
結像走査されたレーザ光により静電潜像が形成される。
この潜像は現像器9においてトナーにより顕画化された
後、カセット10,11のいずれかから給送された被記録材
(一般的には用紙)上に転写される。その後、この被記
録材が定着器12を通過することにより、像は記録材に定
着され、図示しない排出部(排出トレイ)に排出され
る。A beam detector 7 detects the laser light reflected by the reflection mirror 8. The timing of the modulation operation of the semiconductor laser 2 for obtaining the desired optical information on the photosensitive drum 1 is determined by the detection signal of the beam detector 7 described above. On the other hand, an electrostatic latent image is formed on the photosensitive drum 1 by the laser light image-formed and scanned according to the above-mentioned input information.
This latent image is visualized with toner in the developing device 9 and then transferred onto a recording material (generally, a sheet) fed from one of the cassettes 10 and 11. Thereafter, the recording material passes through the fixing device 12, so that the image is fixed on the recording material and is discharged to a discharging portion (discharge tray) not shown.
ところで、このようなレーザビームプリンタにおいて、
一般的に用いられている半導体レーザのレーザ電流(駆
動電流)に対するレーザ光量の特性(I−l特性)は、
第11図に示すようになっている。すなわち、第11図に示
すように、半導体レーザはレーザ電流Iがある閾値(I
th)まではレーザ発光は行なわないが、その閾値を越え
た時点でレーザ発光を行ない、そのレーザ発光状態にお
いてはレーザ電流Iに対するレーザ光量lがある一定の
傾きαを持っている。このαをスロープ効率と称してい
る。By the way, in such a laser beam printer,
The characteristic of the laser light amount (I-l characteristic) with respect to the laser current (driving current) of a semiconductor laser that is generally used is
It is as shown in FIG. That is, as shown in FIG. 11, the semiconductor laser has a laser current I with a certain threshold value (I
Although the laser emission is not performed until th ), the laser emission is performed when the threshold value is exceeded, and in the laser emission state, the laser light amount 1 with respect to the laser current I has a certain inclination α. This α is called slope efficiency.
レーザビームプリンタでは制御回路2Aにより半導体レー
ザ2の光量制御を行なって、規定光量lTになるようにレ
ーザ電流ITを決めている。その際、レーザ電流ITを定電
流駆動することにより、ルーザ光量lTを一定に保つよう
にしている。In the laser beam printer by performing the light quantity control of the semiconductor laser 2 by the control circuit 2A, and determines the laser current I T to be defined quantity l T. At that time, the laser light amount I T is kept constant by driving the laser current I T at a constant current.
しかしながら、半導体レーザはI−l特性において第12
図に示すように、当初Aという特性を有しており、所定
の規定光量lTAに規定するためにレーザ電流をITAで定電
流駆動していた場合に、半導体レーザに電流を流してい
ることによる半導体レーザのチップ温度の上昇などに伴
ない、I−l特性がその後にBまたはCのように変化し
てしまうことがある。However, the semiconductor laser has the 12th characteristic in the I-l characteristic.
As shown in the figure, it initially has a characteristic of A, and when the laser current is constant current driven by I TA in order to regulate it to a predetermined prescribed light amount l TA , a current is passed through the semiconductor laser. Due to the increase in the chip temperature of the semiconductor laser and the like, the I-l characteristic may change to B or C after that.
従って、必要規定光量lTAが感光ドラム1に走査されて
いる場合は、正常であるが、I−l特性が第14図のよう
に変化してしまい、レーザ電流がITにもかかわらずレー
ザ光量がBのようにlTBと少なくなった場合には、上述
の潜像ができないような状態が生ずることがあり、また
CのようlTCと多くなった場合にはレーザチップの破壊
になるおそれがある。Therefore, when the required specified light amount l TA is scanned on the photosensitive drum 1, it is normal, but the I-l characteristic changes as shown in FIG. 14, and the laser current is I T despite the laser current. When the amount of light is as small as 1 TB as in B, the above-mentioned latent image may not be possible, and when it is as large as 1 TC as in C, the laser chip is destroyed. There is a risk.
そこで、従来からプリントの紙間などの非プリント期間
において、半導体レーザの発光量を検出し、検出光量が
規定光量lTAになる様に駆動電流を制御する光量制御動
作を実行している。すなわち、デジタル/アナログ変換
器を用いて、出力するデジタル値に対応する駆動電流が
半導体レーザに印加される様に構成し、前記検出光量が
規定光量lTAに達するまでデジタル値を逐次カウントア
ップし、規定光量lTAに達したときのデジタル値を保持
しておく。プリント期間においては、保持されたデジタ
ル値に対応する駆動電流を記録信号に応じて半導体レー
ザに印加している。Therefore, conventionally, in a non-printing period such as a sheet interval of printing, a light amount control operation is performed in which the light emission amount of the semiconductor laser is detected and the drive current is controlled so that the detected light amount becomes the specified light amount l TA . That is, by using a digital / analog converter, a driving current corresponding to the output digital value is configured to be applied to the semiconductor laser, and the digital value is sequentially counted up until the detected light amount reaches a specified light amount l TA. , Hold the digital value when the specified light intensity l TA is reached. During the printing period, a drive current corresponding to the held digital value is applied to the semiconductor laser according to the recording signal.
[発明が解決しようとする問題点] 上記従来技術では、いわゆる量子化誤差を軽減して高精
度に光量制御を行うために、出力するデジタル値のビッ
ト数を多くすると、多ビット数のデジタル/アナログ変
換器が高価であるため、コストアップを招来するととも
に、1回のカウントアップで変化する駆動電流の変化量
が小さいため、光量制御動作に長時間を要するという問
題点があった。[Problems to be Solved by the Invention] In the above-mentioned conventional technology, in order to reduce the so-called quantization error and control the light quantity with high accuracy, if the number of bits of the digital value to be output is increased, the digital / multi-bit Since the analog converter is expensive, the cost is increased, and since the amount of change in the drive current that changes with one count-up is small, the light amount control operation takes a long time.
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたもので、大幅
なコストアップを招来することなく、短時間で高精度の
光量制御か可能な記録装置の光量制御装置を提供するこ
とを目的とする。The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a light amount control device of a recording device capable of highly accurate light amount control in a short time without causing a significant increase in cost. .
[問題点を解決するための手段] 斯かる目的を達成するために、本発明に従う記録装置の
光量制御装置は、 情報記録のためのビームを発生するビーム発生手段と、 前記ビーム発生手段から発生されるビームの光量を検出
する検出手段と、 第1、第2デジタル値をそれぞれ出力するデジタル値出
力手段と、 前記第1、第2デジタル値をそれぞれアナログ値に変換
する第1、第2D/A変換手段と、 前記第1、第2D/A変換手段の出力に基づいて前記ビーム
発生手段に印加されるべき電流を発生する電流発生手段
と、 前記デジタル値出力手段から逐次増加する第1デジタル
値を出力させることにより、前記ビーム発生手段への印
加電流を徐々に増加させる第1手段と、前記第1手段に
よる前記ビーム発生手段への印加電流の増加により前記
検出手段からの出力が第1の値に到達したことに応じて
特定の第1デジタル値を決定する第2手段と、前記第2
手段により決定された前記特定の第1デジタル値が出力
されている状態で、前記デジタル値出力手段から逐次増
加する第2デジタル値を出力させることにより、前記ビ
ーム発生手段への印加電流を更に徐々に増加させる第3
手段と、前記第3手段による前記ビーム発生手段への印
加電流の増加により前記検出手段からの出力が第2の値
に到達したことに応じて特定の第2デジタル値を決定す
る第4手段とを有する制御手段とを備え、 前記第1手段による単位時間当たりの電流増加量を、前
記第3手段による単位時間当たりの電流増加量よりも大
きくしたことを特徴とする。[Means for Solving the Problems] In order to achieve such an object, a light quantity control device for a recording apparatus according to the present invention comprises: a beam generating means for generating a beam for information recording; and a beam generating means for generating the beam from the beam generating means. Detecting means for detecting the light quantity of the emitted beam, digital value outputting means for outputting the first and second digital values respectively, and first and second D / for converting the first and second digital values into analog values, respectively. A conversion means, a current generation means for generating a current to be applied to the beam generation means based on the outputs of the first and second D / A conversion means, and a first digital value which is sequentially increased from the digital value output means. A first means for gradually increasing the current applied to the beam generating means by outputting a value; and the detecting means for increasing the current applied to the beam generating means by the first means. Second means for determining a specific first digital value in response to the output of the reaches the first value, the second
While the specific first digital value determined by the means is being output, the second digital value that is sequentially increased is output from the digital value output means, whereby the current applied to the beam generating means is further gradually increased. Increase to the third
Means and fourth means for determining a particular second digital value in response to the output from the detecting means reaching a second value due to an increase in the current applied to the beam generating means by the third means. And a control means having the above-mentioned means, wherein the current increase amount per unit time by the first means is made larger than the current increase amount per unit time by the third means.
[作用] 本発明に従う光量制御装置は、前記第1手段により、前
記第1D/A変換手段に出力すべき第1デジタル値を逐次増
加させるときには、単位時間当たりの電流増加量が大き
いので、高速に前記ビーム発生手段への印加電流の増加
させることができるとともに、第3手段により、前記第
2手段により決定された前記特定の第1デジタル値が出
力されている状態で、前記デジタル値出力手段から逐次
増加する第2デジタル値を出力させるときには、単位時
間当たりの電流増加量が小さいので、前記半導体レーザ
の発光量を高精度に制御することができる。[Operation] In the light quantity control device according to the present invention, when the first means sequentially increases the first digital value to be output to the first D / A conversion means, the current increase amount per unit time is large, and thus the high speed The current applied to the beam generating means can be increased, and the third digital means outputs the specific first digital value determined by the second digital means. When outputting the second digital value that sequentially increases from 0 to 1, since the amount of increase in current per unit time is small, the light emission amount of the semiconductor laser can be controlled with high accuracy.
[実施例] 以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明す
る。Embodiments Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
第1図は本発明実施例の要部回路構成を示す。FIG. 1 shows a circuit configuration of essential parts of an embodiment of the present invention.
第1図において、101は中央処理装置(CPU)であり、情
報記録処理の全体制御を行う。102はレーザ光量比較制
御回路であり、A/D(アナログデジタル)変換回路を内
蔵したワンチップマイクロコンピュータからなり、後述
の第3図の制御手順に従って、レーザ光量に関する第2
図に示すような制御を行う。103はレーザ光量比較制御
回路102の一方の出力B1〜Bnに接続するD/A(デジタルア
ナログ)変換回路を有するバイアス電流制御回路であ
る。104はその回路103により制御されるバイアス定電流
回路であり、バイアス電流IBが入力する。また、105は
レーザ光量比較制御回路102の他方の出力D1〜Dnに接続
するD/A変換回路を有する発光電流制御回路である。106
はその回路105により制御される発光定電流回路であ
り、発光電流スイッチング回路107を介して発光電流ID
が入力される。In FIG. 1, reference numeral 101 denotes a central processing unit (CPU), which controls the entire information recording process. Reference numeral 102 denotes a laser light amount comparison control circuit, which is composed of a one-chip microcomputer having an A / D (analog / digital) conversion circuit built-in, and which controls the laser light amount according to the control procedure shown in FIG.
The control shown in the figure is performed. Reference numeral 103 is a bias current control circuit having a D / A (digital-analog) conversion circuit connected to one output B 1 to B n of the laser light amount comparison control circuit 102. Reference numeral 104 denotes a bias constant current circuit controlled by the circuit 103, to which the bias current I B is input. Reference numeral 105 denotes a light emission current control circuit having a D / A conversion circuit connected to the other outputs D 1 to D n of the laser light amount comparison control circuit 102. 106
Is a light emission constant current circuit controlled by the circuit 105, and through the light emission current switching circuit 107, the light emission current I D
Is entered.
108は半導体レーザ、109はレーザ108のレーザ光を受光
するフォトダイオードである。110はフォトダイオード1
09からの検出信号を供給されるレーザ光量モニタ回路で
あり、検出した光量に相当する電圧VMがレーザ光量比較
制御回路102に出力される。111はレーザ光量を設定する
レーザ光量設定回路である。121はアンドゲート、122は
オアゲートである。Reference numeral 108 is a semiconductor laser, and 109 is a photodiode for receiving the laser beam of the laser 108. 110 is the photodiode 1
A laser light amount monitor circuit supplied with the detection signal from 09, and a voltage V M corresponding to the detected light amount is output to the laser light amount comparison control circuit 102. 111 is a laser light amount setting circuit for setting the laser light amount. 121 is an AND gate and 122 is an OR gate.
次に、第3図のフローチャートを参照して上述のレーザ
光量比較制御回路102の動作を説明する。Next, the operation of the above laser light amount comparison control circuit 102 will be described with reference to the flowchart of FIG.
中央処理装置(CPU)101から自動光量調整開始信号(AP
CST)113が送られると(ステップ201)、レーザ光量比
較制御回路102はステップ202において発光電流制御回路
105およびバイアス電流制御回路103のD/A変換回路の入
力信号D1〜Dn、B1〜Bnを全てクリアし、それにより発光
定電流回路106とバイアス定電流回路104とを通じて、半
導体レーザ108に流れているレーザ電流Il(発光電流ID
+バイアス電流IB)を十分に小さな値にする(例えば、
レーザ発光領域内にレーザ電流Ilを設定する。)。次の
ステップ203において画像信号であるビデオ信号(Video
(LON)信号)116をTRUE(真)として、半導体レーザ10
8に発光電流が流れるように、スイッチング回路107のゲ
ートを開ける。Automatic light intensity adjustment start signal (AP) from central processing unit (CPU) 101
CST) 113 is sent (step 201), the laser light amount comparison control circuit 102 determines in step 202 the emission current control circuit.
The input signals D 1 to D n and B 1 to B n of the D / A conversion circuit of the bias current control circuit 103 and the bias current control circuit 103 are all cleared, whereby the semiconductor laser is passed through the light emission constant current circuit 106 and the bias constant current circuit 104. Laser current Il flowing through 108 (emission current I D
+ Bias current I B ) to a sufficiently small value (for example,
A laser current Il is set within the laser emission region. ). In the next step 203, a video signal (Video
(LON) signal) 116 is set to TRUE and the semiconductor laser 10
The gate of the switching circuit 107 is opened so that the light emission current flows to the switch 8.
ここで、発光電流制御回路105およびバイアス電流制御
回路103は上述のようにD/Aコンバータ等のディジタル値
をアナログ値に変換する回路を有しており、レーザ光量
比較制御回路102からの出力信号D1〜DnおよびB1〜Bnに
より構成されるディジタル値をカウントアップ又はカウ
ントダウンすることにより、発光定電流回路106又はバ
イアス定電流回路104を介してレーザに流れるレーザ電
流Ilを上述のカウントアップまたはカウントダウンに相
当する電気量(アナログ値)だけ変化させることができ
る回路構成となっている。Here, the emission current control circuit 105 and the bias current control circuit 103 have a circuit for converting a digital value such as a D / A converter into an analog value as described above, and an output signal from the laser light amount comparison control circuit 102. By counting up or down the digital value composed of D 1 to D n and B 1 to B n , the laser current Il flowing through the laser through the emission constant current circuit 106 or the bias constant current circuit 104 is counted as described above. The circuit configuration is such that the amount of electricity (analog value) corresponding to up or countdown can be changed.
本実施例においては、第4図(A)に示すように、バイ
アス電流制御回路103でカウントされるバイアスカウン
ト値XBはレーザ光量比較制御回路102の出力B1を最下位
ビット(LSB)とし、Bnを最上位ビット(MSB)とするn
ビットの2進数と考え、バイアスカウント値XBをカウン
トアップ,カウントダウンするという表現を用いる。第
4図(A)はバイアスカウント値XBをカウントアップす
る状態を示している。ここで、“0"はLow(ロー)レベ
ル:FALSE(偽)とし、“1"はHigh(ハイ)レベル:TRUE
(真)とする。また上述のバイアスカウント値XBとバイ
アス電流IBの関係は第4図(B)に示すようにバイアス
カウント値XBの増加に伴ないバイアス電流IBが増加する
ものとする。また、発光カウント値XDと発光電流IDも第
4図(B)に示すと同様な関係にあるものとする。In this embodiment, as shown in FIG. 4A, the bias count value X B counted by the bias current control circuit 103 is the output B 1 of the laser light amount comparison control circuit 102 being the least significant bit (LSB). , B n as the most significant bit (MSB) n
Considered binary bits, counting up the bias count X B, the term counts down using. FIG. 4 (A) shows a state of counting up the bias count X B. Here, "0" is Low level: FALSE, "1" is High level: TRUE
(True) The relationship between the above-mentioned bias count X B and the bias current I B is assumed to have accompanied no bias current I B to the increase of the bias count X B as shown in Figure No. 4 (B) increases. Further, it is assumed that the light emission count value X D and the light emission current I D have the same relationship as shown in FIG. 4 (B).
また、半導体レーザ108の発光状態はレーザ装置112に内
蔵されているフォトダイオード109により光電変換さ
れ、レーザ光量モニタ回路110により処理されて、第5
図に示すような光量−電圧特性のモニタ電圧VMとして、
レーザ光量比較制御回路102にフォードバックされる。Further, the light emission state of the semiconductor laser 108 is photoelectrically converted by the photodiode 109 incorporated in the laser device 112, processed by the laser light amount monitor circuit 110, and the fifth state is obtained.
As the monitor voltage V M of the light quantity-voltage characteristic as shown in the figure,
The laser light amount comparison control circuit 102 is fed back.
さて、上述のステップ202においてバイアスカウント値X
Bおよび発光カウント値XDを共に“0"にした後、ステッ
プ203以降のステップでバイアス電流制御を行う。Now, in step 202 described above, the bias count value X
After setting both B and the light emission count value X D to “0”, the bias current control is performed in steps after step 203.
そのバイアス電流制御では第2図(A),(B)のA領
域で示すように、発光電流カウントXDを“0"とした状態
で、バイアス電流カウント値XBを“1"づつカウントアッ
プすることにより(ステップ204)、そのカウントアッ
プされたカウント値XBに相当する電流(レーザ電流)を
バイアス定電流回路104により半導体レーザ108に流す。
そのレーザ電流に伴なうレーザ光量の検出値をレーザ光
量モニタ回路110を通じてレーザ光量比較制御回路102に
フィードバックしている。Figure 2 is the bias current control (A), as shown in region A of (B), the light emission current count to X D in a state where "0" and the bias current count X B "1" by one count-up By doing so (step 204), a current (laser current) corresponding to the counted-up count value X B is passed through the semiconductor laser 108 by the bias constant current circuit 104.
The detected value of the laser light amount accompanying the laser current is fed back to the laser light amount comparison control circuit 102 through the laser light amount monitor circuit 110.
半導体レーザ108はレーザ電流がしきい値電流Ithを越え
た時点で、レーザ発光を行なう。さらに、バイアス電流
カウント値XBをカウントアップして、半導体レーザ108
に流れる電流を増加させる。その後、モニタ電圧VMがバ
イアス電流規定電圧VBOに達した時点でバイアス電流カ
ウント値XBのカウントアップを終わらせる(ステップ20
5)。The semiconductor laser 108 emits laser light when the laser current exceeds the threshold current I th . Further, the bias current count value X B is incremented and the semiconductor laser 108
Increase the current flowing through. After that, when the monitor voltage V M reaches the bias current specified voltage V BO , the count up of the bias current count value X B is finished (step 20
Five).
この時のバイアス電流カウント値をXBO(バイアス電流
規定カウント値)とする。XBがXBOである状態では、レ
ーザ108はレーザ発光を行なっており、感光ドラム1上
に潜像を形成するのに十分な光量を出している場合も存
在するので、バイアス電流はバイアス電流規定カウント
値XBOにある一定の場合(例えば80%など)を乗算した
値にし、その値をXBTとする(ステップ206)。The bias current count value at this time is X BO (bias current specified count value). When X B is X BO , the laser 108 emits laser light, and there is a case where the laser 108 emits a sufficient amount of light to form a latent image on the photosensitive drum 1. Therefore, the bias current is the bias current. The prescribed count value X BO is multiplied by a certain case (for example, 80%) to obtain a value, which is set as X BT (step 206).
レーザ108は上述のXBT(バイアス電流設定カウント値)
に相当する電流が流れているが、この時の電流をバイア
ス設定電流IBTとする。半導体レーザ108にバイアス設定
電流IBTが流れている状態で、モニタ電圧VMの確認を行
ない、モニタ電圧VMをバイアス電流規定電圧VBOから減
算した値の絶対値が電圧VBOにある一定の割合(α)を
かけた値VBO×αを越えていた場合には(ステップ20
7)、ステップ202に戻ってバイアス電流カウント値XBを
“0"クリアにしてレーザ電流を止め、バイアス電流制御
を始めからやりなおす。すなわち、半導体レーザ108に
バイアス設定電流IBTを流した状態で、発光電流制御を
行なう。この時のVideo信号をTRUEとし、発光電流スイ
ッチング回路107のゲートを開けておき、発光電流IDが
半導体レーザ108に流れる状態にしておく。The laser 108 is the above-mentioned X BT (bias current setting count value)
The current at this time is the bias setting current I BT . While the bias setting current I BT is flowing through the semiconductor laser 108, the monitor voltage V M is checked and the absolute value of the value obtained by subtracting the monitor voltage V M from the bias current specified voltage V BO is constant at the voltage V BO. Multiplying the ratio (α) by V BO × α is exceeded (step 20
7), stop the laser current is set to "0" clears the bias current count X B returns to step 202, it restarts the bias current control from the beginning. That is, the emission current control is performed with the bias setting current I BT flowing through the semiconductor laser 108. The video signal at this time is set to TRUE, the gate of the light emission current switching circuit 107 is opened, and the light emission current ID is made to flow to the semiconductor laser 108.
次に、|VBO−VM|≦VB×αの計算式が成立したら、ステ
ップ207からステップ208へ進む。Next, if the formula | V BO −V M | ≦ V B × α holds, the process proceeds from step 207 to step 208.
このときの発光電流制御は第2図(A),(B)のB領
域で示すように、バイアス電流カウント値XBをバイアス
電流設定カウント値XBTとし、半導体レーザ108にバイア
ス設定電流IBTを流した状態で行なう。発光電流カウン
ト値XDを“0"状態から“1"づつカウントアップする(ス
テップ208)。このカウントアップにより得られたその
カウント値XDに相当する電流IDを発光定電流回路106に
よりバイアス規定電流IBTに上乗せする。したがって、
レーザ電流Ilはバイアス規定電流IBTと発光電流IDを加
算したもの(Il=IBT+ID)となる。The emission current control at this time is performed by setting the bias current count value X B to the bias current setting count value X BT as shown in the region B of FIGS. 2A and 2B, and setting the bias setting current I BT to the semiconductor laser 108. Perform with the flow. Light emission current count value X D "0" from the state "1" at a time is counted up (step 208). A current I D corresponding to the count value X D obtained by this count-up is added to the bias specified current I BT by the light emission constant current circuit 106. Therefore,
The laser current Il is the sum of the bias regulation current I BT and the emission current I D (Il = I BT + I D ).
レーザ電流Ilに伴なうレーザ光量は半導体レーザ装置11
2の内部に内蔵されているフォトダイオード109により光
電変更され、レーザ光量モニタ回路110により、レーザ
光量比較制御回路102にフォードバックしている。その
ため、発光電流カウント値XDを“1"づつカウントアップ
して行くことにより、発光電流IDが増加し、レーザ光量
が増えることとなる。The amount of laser light accompanying the laser current Il is determined by the semiconductor laser device 11
The photoelectric conversion is performed by the photodiode 109 built in the inside of 2, and the laser light amount monitor circuit 110 performs the feedback to the laser light amount comparison control circuit 102. Therefore, by counting up the light emission current count value X D by “1”, the light emission current I D increases and the laser light amount increases.
次に、そのレーザ光量が増えたことをモニタ電圧VMが増
加することにより検知する。すなわち、発光電流カウン
ト値XDをカウントアップし、レーザ108に流れる電流を
増加させて、モニタ電圧VMが発光光量規定電圧VDに達し
た時点で、発光電流カウント値XDのカウントアップを終
了させる(ステップ209)。Next, the increase in the laser light amount is detected by the increase in the monitor voltage V M. That is, the emission current count value X D is counted up, the current flowing through the laser 108 is increased, and when the monitor voltage V M reaches the emission light amount regulation voltage V D , the emission current count value X D is incremented. It is ended (step 209).
この時の発光電流カウント値をXDT(発光電流設定カウ
ント値)とする。半導体レーザ108にはXDT(発光電流設
定カウント値)に相当する電流が流ているが、この時の
発光電流を発光設定電流IDTとする。半導体レーザ108に
発光設定電流IDTが流れている状態で、モニタ電圧VMの
確認を行なう。すなわち、モニタ電圧VMが発光光量規定
電圧VDに対してある一定の領域(例えば±5%)内に入
っていない場合(ステップ210)には、発光電流カウン
ト値XDをクリアして(ステップ211)、発光電流IDを止
め、ステップ208に戻って発光電流制御をやりなおす。The light emitting current count value at this time is XDT (light emitting current setting count value). A current corresponding to X DT (light emission current setting count value) is flowing through the semiconductor laser 108, and the light emission current at this time is set as the light emission setting current I DT . The monitor voltage V M is checked with the light emission setting current I DT flowing through the semiconductor laser 108. That is, when the monitor voltage V M is not within a certain range (for example, ± 5%) with respect to the emitted light amount regulation voltage V D (step 210), the emission current count value X D is cleared ( In step 211), the light emission current ID is stopped, the process returns to step 208, and the light emission current control is performed again.
モニタ電圧VMが発光光量規定電圧VDに対してある一定領
域に入っている場合で、中央処理装置101からのAPCST信
号がFALSEである場合は、発光電流設定カウント値XDTお
よびバイアス電流設定カウント値XBTを保持したまま
で、発光電流スイッチング回路107のゲートを閉じて、
半導体レーザ108への電流をバイアス設定電流IBTのみと
する。また、上述のAPCST信号がTRUEの場合には、発光
電流スイッチング回路107のゲートは開けたままにして
おき、APCST信号がFALSEになった時点でゲートを閉じ
る。When the monitor voltage V M is within a certain range with respect to the emission light amount regulation voltage V D and the APCST signal from the central processing unit 101 is FALSE, the emission current setting count value X DT and the bias current setting While holding the count value X BT , close the gate of the emission current switching circuit 107,
Only the bias setting current I BT is supplied to the semiconductor laser 108. When the above APCST signal is TRUE, the gate of the light emission current switching circuit 107 is left open, and the gate is closed when the APCST signal becomes FALSE.
上述の発光光量規定電圧VDは次のように求められる。ま
ずレーザ光量設定回路111によりレーザ光量設定電圧VO
が決められる。この電圧VOは、第6図に示すように、抵
抗分割による電圧が考えられる。レーザ光量比較制御回
路102に入力された設定電圧VOは、記録装置内の感光ド
ラム1のレーザ感度の差により補正される。感光ドラム
1の感度は中央処理装置1からCSEN1、CSEN2で示す信号
114で入力される。VOに対する補正値は中心値のVOに対
して例えば+10%、または−10%等の値となり、VOを補
正した値を発光光量規定電圧VDとする。The above-mentioned emission light amount regulation voltage V D is obtained as follows. First, the laser light amount setting voltage V O is set by the laser light amount setting circuit 111.
Can be decided. As shown in FIG. 6, this voltage V O may be a voltage due to resistance division. The set voltage V O input to the laser light amount comparison control circuit 102 is corrected by the difference in laser sensitivity of the photosensitive drum 1 in the recording device. The sensitivity of the photosensitive drum 1 is the signal indicated by CSEN1 and CSEN2 from the central processing unit 1.
Entered at 114. The correction value for V O has a value of, for example, + 10% or −10% with respect to the central value V O , and the value obtained by correcting V O is defined as the emission light amount regulation voltage V D.
本実施例では、第2図(A)に示されるように、バイア
スカウント値XBの1ステップずつのカウントアップ(第
3図A)による単位時間当たりの電流増加量は、発光カ
ウント値XDの1ステップずつのカウントアップ(第3図
B)による単位時間あたりの電流増加量よりも大きくな
るように構成されている。In the present embodiment, as shown in FIG. 2 (A), the amount of current increase per unit time by incrementing the bias count value X B step by step (FIG. 3A) is the emission count value X D It is configured to be larger than the amount of increase in current per unit time by counting up by 1 step (FIG. 3B).
ところで、第2図のフローチャートにおけるA域、B域
に示すように、モニタ電圧VMがバイアス規定電圧VBOま
たは発光光量設定電圧VDになるまで、バイアスカウント
値XBおよび発光カウント値XDを1ステップずつカウント
アップしている(第3図のステップ204およびステップ2
08参照)。Incidentally, A zone in the flowchart of FIG. 2, as shown in B region, until the monitor voltage V M is the bias specified voltage V BO or emission light quantity setting voltage V D, the bias count X B and the light emitting count X D Is incremented step by step (step 204 and step 2 in FIG. 3).
08).
このように1ステップずつカウントアップすることによ
り精度の高い光量制御が可能であるが、カウント値XBお
よびXDのビット数を多くして、より高精度の光量制御を
行おうとした場合には、より多くの時間が必要となって
来る。通常、プリントの紙間で自動光量調整動作を行な
っているので、あまり時間をかけることはできない。Although the light quantity can be controlled with high accuracy by incrementing by one step in this way, if the number of bits of the count values X B and X D is increased to achieve more accurate light quantity control, , Will need more time. Usually, since the automatic light amount adjustment operation is performed between the print sheets, it does not take much time.
そこで、第7図および第8図に示すような高速高精度の
光量制御を本実施例では行っている。次に、第8図のフ
ローチャートに従ってこの光量制御動作を説明する。第
3図のフローチャートのA域およびB域を第8図の手順
に入れ変える。従って、第3図のステップ203および207
の後に第8図のステップ301が実行され、モニタ電圧VM
がVBO(またはVD)の所定割合値VBOβ(または
VDβ)になったか否かの判断を行ない、VMがV
BOβ(またはVDβ)以下の場合は、次のステップ302
においてバイアスカウント値XB(または発光カウント値
XD)のカウント値を3カウントずつ増加させる。Therefore, in this embodiment, high-speed and high-accuracy light quantity control as shown in FIGS. 7 and 8 is performed. Next, the light amount control operation will be described with reference to the flowchart of FIG. The areas A and B of the flowchart of FIG. 3 are replaced with the procedure of FIG. Therefore, steps 203 and 207 of FIG.
After that, step 301 in FIG. 8 is executed, and the monitor voltage V M
Is determined to be a predetermined percentage value V BOβ (or V Dβ ) of V BO (or V D ), and V M is V
If BOβ (or V Dβ ) or less, the next step 302
Bias count value X B (or emission count value
X D ) count value is increased by 3 counts.
その後、モニタ電圧VMがVBOβ(またはVDβ)を越え
た場合は、ステップ303に進んでモニタ電圧VMとVBO(ま
たはVD)の別の所定割合値VBOα(またはVDα)の大
小比較を行ない、モニタ電圧VMの方が小さい場合はステ
ップ304においてXB(またはXD)のカウント値を2カウ
ントずつ増加させる。After that, when the monitor voltage V M exceeds V BOβ (or V Dβ ), the process proceeds to step 303 and another predetermined ratio value V BOα (or V Dα ) of the monitor voltages V M and V BO (or V D ) Is compared, and if the monitor voltage V M is smaller, the count value of X B (or X D ) is incremented by 2 in step 304.
その後、モニタ電圧VMがVBOα(またはVDd)を越えた
場合は、ステップ305に進んでモニタ電圧VMとバイアス
規定電圧VBO(または発光光量設定電圧XB)との比較を
行ない、モニタ電圧VMが小さい場合にはモニタ電圧VMが
VBO(またはVD)にまるまで、XB(またはXD)のカウン
ト値を1カウントずつ増加させる。VMがVBO(または
VD)になった後は、第3図のステップ206またはステッ
プ210に進む。このように制御することによって、第7
図に示すように短時間で高精度の自動光量調整機能が実
現できる。なお、上述の( )内は、第3図でのB域の
処理の場合に該当する。After that, when the monitor voltage V M exceeds V BOα (or V Dd ), the routine proceeds to step 305, where the monitor voltage V M is compared with the bias specified voltage V BO (or the light emission amount setting voltage X B ) and If the monitor voltage V M is small, the monitor voltage V M
The count value of X B (or X D ) is incremented by 1 until it reaches V BO (or V D ). V M is V BO (or
After reaching V D ), the routine proceeds to step 206 or step 210 in FIG. By controlling in this way,
As shown in the figure, a highly accurate automatic light quantity adjustment function can be realized in a short time. In addition, the above () corresponds to the case of the processing of the B area in FIG.
また、第8図(A),(B)に示すように、バイアスカ
ウント値XBをカウントアップすることによりレーザ電流
Iを増加させ、バイアスカウント値XBが最大値(MAX)
になった時点TBにおいても、モニタ電圧VMがバイアス電
流規定電圧VBOに到達しない場合には、電流IBMAX(バイ
アスカウント値がMAXになった時の電流)または、電流I
BMAXの所定割合値をバイアス電流とする。Further, Figure 8 (A), as shown (B), the increased laser current I by counting up the bias count X B, the bias count X B is the maximum value (MAX)
When the monitor voltage V M does not reach the bias current specified voltage V BO even at the time T B , the current I BMAX (current when the bias count value reaches MAX) or the current I BMAX
A predetermined percentage value of BMAX is used as the bias current.
また、発光電流において所定のバイアス電流が流れてい
る状態において、発光電流制御を行なう。発光カウント
値XDをカウントアップすることにより、レーザ電流を増
加させ、発光カウント値XDが最大値になった時点TDにお
いてもモニタ電圧VMが発光光量規定電圧VDに到達しない
場合には、電流IDMAX(発光カウント値がMAXになった時
の発光電流)を流した状態で、発光電流制御を終了させ
る。Further, the light emission current control is performed in a state where a predetermined bias current is flowing in the light emission current. By counting up the light emission count X D, increasing the laser current, when the monitor voltage V M even at the time T D which emission count X D becomes maximum does not reach the light emission amount specified voltage V D Ends the light emission current control in a state where the current I DMAX (light emission current when the light emission count value reaches MAX) is supplied.
[発明の効果] 以上説明した様に、本発明によれば、大幅なコストアッ
プを招来することなく、短時間で高精度の光量制御を行
うことが可能になる。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, it is possible to perform highly accurate light amount control in a short time without causing a significant increase in cost.
第1図は本発明実施例のレーザ駆動電流制御回路の構成
を示すブロック図、 第2図は第1図のレーザ駆動電流制御回路の動作を示す
特性図、 第3図は第1図のレーザ光量比較制御回路の動作を示す
フローチャート、 第4図(A),(B)は本発明実施例のバイアスカウン
ト値(または発光カウント値)とバイアス電流(または
発光電流)との関係を示す図、 第5図は本発明実施例のレーザ光量とモニタ電圧の関係
を示す特性図、 第6図は第1図のレーザ光量設定回路の構成例を示す回
路図、 第7図(A),(B)は、本発明実施例の高速高精度制
御動作時の特性図、 第8図は本発明実施例の高速高精度制御動作を示すフロ
ーチャート、 第9図(A),(B)は第1図のレーザ光量比較制御回
路の動作を示す特性図、 第10図は従来のレーザ記録装置の構成を示す斜視図、 第11図は半導体レーザの電流に対する光量の関係を示す
特性図、 第12図は半導体レーザの電流に対する光量の関係を示す
特性図である。 101……中央処理装置、 102……レーザ光量比較制御回路、 103……バイアス電流制御回路、 104……バイアス定電流回路、 105……発光電流制御回路、 106……発光定電流回路、 107……発光電流スイッチング回路、 108……半導体レーザ、 109……フォトダイオード、 110……レーザ光量モニタ回路、 111……レーザ光量設定回路。FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a laser drive current control circuit of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a characteristic diagram showing the operation of the laser drive current control circuit of FIG. 1, and FIG. 3 is a laser of FIG. 4 is a flow chart showing the operation of the light quantity comparison control circuit, FIGS. 4 (A) and 4 (B) are diagrams showing the relationship between the bias count value (or light emission count value) and the bias current (or light emission current) in the embodiment of the present invention, FIG. 5 is a characteristic diagram showing the relationship between the laser light amount and the monitor voltage in the embodiment of the present invention, FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration example of the laser light amount setting circuit in FIG. 1, and FIGS. 7 (A) and 7 (B). ) Is a characteristic diagram during high speed and high precision control operation of the embodiment of the present invention, FIG. 8 is a flow chart showing high speed and high precision control operation of the embodiment of the present invention, and FIGS. 9 (A) and 9 (B) are FIG. Fig. 10 is a characteristic diagram showing the operation of the laser light amount comparison control circuit of Perspective view showing a configuration of a recording apparatus, FIG. 11 is a characteristic diagram showing the light intensity relationship to the semiconductor laser of the current, Fig. 12 is a characteristic diagram showing the light intensity relationship to the semiconductor laser of the current. 101 ... Central processing unit, 102 ... Laser light amount comparison control circuit, 103 ... Bias current control circuit, 104 ... Bias constant current circuit, 105 ... Emission current control circuit, 106 ... Emission constant current circuit, 107 ... … Light emission current switching circuit, 108 …… Semiconductor laser, 109 …… Photodiode, 110 …… Laser light quantity monitor circuit, 111 …… Laser light quantity setting circuit.
フロントページの続き (72)発明者 佐藤 馨 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 征矢 隆志 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−81329(JP,A) 特開 昭58−212256(JP,A) 特開 昭63−17582(JP,A) 特開 昭63−56060(JP,A) 特開 昭60−115278(JP,A) 特開 昭62−32767(JP,A)Front page continued (72) Inventor Kaoru Sato 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Takashi Seiya 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (56) References JP-A-58-81329 (JP, A) JP-A-58-212256 (JP, A) JP-A-63-17582 (JP, A) JP-A-63-56060 (JP, A) Kai 60-115278 (JP, A) JP 62-32767 (JP, A)
Claims (1)
発生手段と、 前記ビーム発生手段から発生されるビームの光量を検出
する検出手段と、 第1、第2デジタル値をそれぞれ出力するデジタル値出
力手段と、 前記第1、第2デジタル値をそれぞれアナログ値に変換
する第1、第2D/A変換手段と、 前記第1、第2D/A変換手段の出力に基づいて前記ビーム
発生手段に印加されるべき電流を発生する電流発生手段
と、 前記デジタル値出力手段から逐次増加する第1デジタル
値を出力させることにより、前記ビーム発生手段への印
加電流を徐々に増加させる第1手段と、前記第1手段に
よる前記ビーム発生手段への印加電流の増加により前記
検出手段からの出力が第1の値に到達したことに応じて
特定の第1デジタル値を決定する第2手段と、前記第2
手段により決定された前記特定の第1デジタル値が出力
されている状態で、前記デジタル値出力手段から逐次増
加する第2デジタル値を出力させることにより、前記ビ
ーム発生手段への印加電流を更に徐々に増加させる第3
手段と、前記第3手段による前記ビーム発生手段への印
加電流の増加により前記検出手段からの出力が第2の値
に到達したことに応じて特定の第2デジタル値を決定す
る第4手段とを有する制御手段とを備え、 前記第1手段による単位時間当たりの電流増加量を、前
記第3手段による単位時間当たりの電流増加量よりも大
きくしたことを特徴とする記録装置の光量制御装置。1. A beam generating means for generating a beam for recording information, a detecting means for detecting a light amount of the beam generated by the beam generating means, and a digital value for outputting a first and a second digital value, respectively. Output means, first and second D / A conversion means for converting the first and second digital values into analog values, respectively, and to the beam generation means based on outputs of the first and second D / A conversion means A current generating means for generating a current to be applied, and a first means for gradually increasing the applied current to the beam generating means by causing the digital value output means to output a first digital value that increases sequentially. Second means for determining a specific first digital value in response to an output from the detecting means reaching a first value due to an increase in current applied to the beam generating means by the first means; Second
While the specific first digital value determined by the means is being output, the second digital value that is sequentially increased is output from the digital value output means, whereby the current applied to the beam generating means is further gradually increased. Increase to the third
Means and fourth means for determining a particular second digital value in response to the output from the detecting means reaching a second value due to an increase in the current applied to the beam generating means by the third means. A light amount control device for a recording apparatus, wherein the amount of increase in current per unit time by the first unit is larger than the amount of increase in current per unit time by the third unit.
Priority Applications (4)
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---|---|---|---|
JP61198990A JPH0754957B2 (en) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | Light quantity control device for recording device |
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EP87307608A EP0258060B1 (en) | 1986-08-27 | 1987-08-27 | Light quantity control device |
DE3752136T DE3752136T2 (en) | 1986-08-27 | 1987-08-27 | Device for controlling the amount of light |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP61198990A JPH0754957B2 (en) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | Light quantity control device for recording device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPS6356059A JPS6356059A (en) | 1988-03-10 |
JPH0754957B2 true JPH0754957B2 (en) | 1995-06-07 |
Family
ID=16400275
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP61198990A Expired - Lifetime JPH0754957B2 (en) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | Light quantity control device for recording device |
Country Status (1)
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Families Citing this family (5)
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JPH0358065A (en) * | 1989-07-27 | 1991-03-13 | Ricoh Co Ltd | Light emission output controller for laser diode |
JP2785974B2 (en) * | 1989-10-19 | 1998-08-13 | キヤノン株式会社 | Image forming apparatus and setting method of bias current |
JPH0985988A (en) * | 1995-09-27 | 1997-03-31 | Nec Off Syst Ltd | Printing device |
JP4582199B2 (en) | 2008-06-02 | 2010-11-17 | ブラザー工業株式会社 | Optical output device and image forming apparatus provided with the same |
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1986
- 1986-08-27 JP JP61198990A patent/JPH0754957B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPS6356059A (en) | 1988-03-10 |
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