JP3728090B2 - Image forming apparatus - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は画像形成装置に関し、特に、レーザー光源からのレーザー光を検知した検知信号に基づいてレーザー光源を駆動して感光体を露光し、感光面に潜像を形成する複写機、プリンタ、ファクシミリ装置などの画像形成装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
デジタル光通信や電子写真の画像形成装置などで、電気パルス信号を光パルスに変換するために発光素子としてレーザーダイオードが用いられており、その発光量は素子の動作温度が変化しても所望の光量が得られることが要求されている。しかしながら、レーザーダイオードの発光特性は、動作温度に大きく依存しており、動作温度の変化に伴い所望の光量を得るためには、発光素子駆動回路によりレーザーダイオード駆動電流を制御する必要がある。
【0003】
図9は、第1の従来例として、カソード駆動タイプレーザーのパルス電流制御によるレーザーダイオード駆動回路の構成を示す。
【0004】
図9において、101はコンパレータ、102、106は基準電圧源、103はサンプルホールド回路(S/H)、104はホールドコンデンサ(CH)、105は電流増幅回路、108は基準電流源(I0)、107はスイッチング回路(SW)、111はレーザーダイオード(LD)、112はフォトダイオード(PD)、110はモニタ抵抗(RM)である。
【0005】
図9の従来例において、サンプルホールド回路103がサンプリング状態にある期間中(以下、APC:(Automatic Powor Control)動作中という)は、スイッチング回路107はオン状態にあり、また、入力データ(DATA)はレーザーダイオード111が全面発光状態になるように設定されている。レーザーダイオード111の発光量が所望の光量になるよう、フォトダイオード112でレーザーダイオード111からの光量をモニタし、フォトダイオード112に発生するモニタ電流IMをモニタ抵抗110に流すことにより、モニタ抵抗端110にはモニタ電圧VMが発生する。モニタ電圧VMが一定(すなわち発光量が一定)になるように、電流増幅回路105が基準電流源108を基にレーザーダイオード駆動電流を制御する。
【0006】
また、サンプルホールド回路103がホールド期間中は、入力データに応じスイッチング回路107がレーザーダイオード駆動電流をオン/オフさせることで、レーザーダイオード111にパルス変調信号を与える。
【0007】
しかしながら、図9の構成では、光パルス変調の動作周波数が高くなるとレーザーダイオード特有の発光遅延が問題となり、変調された光パルスの過渡特性が悪くなる。
【0008】
図10は、第1の従来例の問題点を解決する手法の1つである第2の従来例を示す。第2の従来例は、レーザーダイオードの発光遅延による光パルスの過渡特性を改善するために、レーザーダイオード駆動電流に直流のバイアス電流を加えたものである。基本的な構成は図9の第1の従来例と同じなので、詳細な説明は省略する。109はバイアス電流を与える電流源(IB)、115は基準パルス電流源(IP0)である。
【0009】
図10の従来例でも、APC動作中はスイッチング回路107はオン状態にあり、また入力データはレーザーダイオード111が全面発光状態になるように設定されている。全面発光状態でレーザーダイオード111の発光量が一定になるよう、フォトダイオード112とモニタ抵抗110の構成によって得られるモニタ電圧VMを基に、基準パルス電流IP0から電流増幅回路105でパルス電流IPを制御し、パルス電流IPとバイアス電流IBを重畳することでレーザーダイオード駆動電流ILDを決定している。
【0010】
また、ホールド期間中は、入力データに応じてスイッチング回路107がパルス電流IPをオン/オフさせることで、レーザーダイオード駆動電流ILDパルパルス変調信号を与えている。
【0011】
図10の従来例では、バイアス電流IBをレーザーダイオード111が発光するしきい値電流付近まで加えなければ、レーザーダイオード111の発光遅延を効果的に減少させることができない。
【0012】
しかし、図10の従来例では、レーザーダイオード111の発振しきい値電流は先に述べたように動作温度により変化し、また、個々の素子によっても変化するため、光パルスが完全にオフせず、十分な消光比を取ることができなくなる可能性が高い。したがって、実際の使用上は、しきい値電流付近にバイアス電流を固定値で設定することは困難である。
【0013】
図11は第3の従来例を示す。第3の従来例は、第2の従来例と同様に駆動電流にバイアス電流を加えたものであるが、制御する電流の対象がバイアス電流になっており、パルス電流は固定としている。図9の参照番号と同じものに関しては詳細な説明を省く。113はバイアス電流IBを決定する基準バイアス電流源(IB0)、114はパルス電流IPを与えるパルス電流源(IP)である。
【0014】
図11の従来例でも、APC動作中は、スイッチング回路107はオン状態にあり、また、入力データはレーザーダイオード111が発光状態になるように設定されている。発光状態でレーザーダイオード111の発光量が所望の値になるよう、フォトダイオード112とモニタ抵抗110の構成によって得られるモニタ電圧VMと所望の光量に相当する基準電圧Vref1との誤差電圧を基に、基準バイアス電流IB0を電流増幅回路105にてバイアス電流IBを制御し、レーザーダイオード駆動電流ILDを制御している。また、ホールド期間中は入力データに応じてパルス電流IPをスイッチング回路107にてオン/オフさせることで、レーザーダイオード駆動電流ILDにパルスデータを与え光パルス変調を行なっている。
【0015】
しかし、図11の従来例では、レーザーダイオード111の低温動作時等、レーザーダイオード駆動電流が少なくてよいときに、バイアス電流が不用となり制壇咐能状態に陥る可能性がある。
【0016】
以下、制御不能な状態に陥る場合について更に詳しく説明する。
【0017】
図12は、一般的なレーザーダイオードの動作温度変化によるレーザー駆動ダイオード電流と光出力の関係を示す。
【0018】
動作温度が上昇するとしきい値電流は高くなり、レーザーダイオード駆動電流IDLが増加する。この場合は、先に述べたような問題は起こらない。反対に、動作温度が低下するとしきい値電流は低くなり、レーザーダイオード駆動電流IDLは少なくてすむので、レーザーダイオードからの光出力pを所望の値にするためにバイアス電流IBを減少させる。しかし、バイアス電流IBが不要で、さらに、パルス電流IPの設定値よりも少ない値で所望の光出力が得られるようなところでは、光量を一定にする制御ができなくなってしまう。これは、固定値であるパルス電流IPを設定値以下にすることができないからである。
【0019】
また、レーザーダイオードの温度特性にはもう一つ特有の現象がある。特有の現象は、レーザー発振領域でのスロープ効率(微分効率ともいう)が低下するというものである。したがって、光パルス変調を行なう上で、動作温度の上昇等によりレーザーダイオード駆動電流が増加し、スロープ効率が低下した場合、パルス電流を大きくしなければレーザーダイオードの消光比を十分に確保することができない。
【0020】
図13は、温度変化に対するレーザ駆動電流ILDの変化とパルス電流およびバイアス電流の割合の関係を示している。
【0021】
動作温度Taが高温から低温に低下すると、レーザー駆動電流ILDは減少する。さらに動作温度が低下し、バイアス電流IBがIB=0のところまでは、レーザーダイオードからの発光量を一定にする制御が可能であるが、バイアス電流IBが不要なところになると、制御ができなくなってしまう。すなわち、図13中の領域Aではパルス電流IPを減少させる電流が必要となるため、所望の光量にする制御を行えない。
【0022】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように従来の技術では、レーザーダイオードの発光動作の高速性を確保するために、通常、発振しきい値電流に近い直流電流をバイアス電流として供給しておき、入力データに応じたパルス電流をバイアス電流に重畳してレーザーダイオードに電流を供給している。レーザーダイオードの発光動作の駆動方法としては、パルス電流制御とバイアス電流制御があり、それぞれ一長一短がある。
【0023】
バイアス電流制御においては、光パルス変調において高速性を確保できるが、レーザーダイオードの動作温度変化などによって、発振しきい値電流やスロープ効率の変化により、レーザー光の消光比を十分に取れない可能性が高く、また、バイアス電流がゼロ以下のとこでは、所望の光量にする制御を行えない。一方、パルス電流制御においては、いかなる動作温度においてもバイアス電流をしきい値電流を超えない程度に設定することにより、レーザー光の消光比を十分確保できるが、周波数の高い光パルス変調を行なったときに光パルスの過渡特性が悪くなってしまう。
【0024】
そこで、本発明は上記の課題に鑑みて成されたものであって、その目的は、上記の課題を解決した画像形成装置を提供することにある。
【0025】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために請求項1の本発明の装置は、光源が所望の光量の光ビームを発生するための駆動電流値を決定する決定手段と、前記決定手段により決定される駆動電流値に基づいて、入力信号に応じて変調されるパルス電流を前記光源へ供給する手段とを有し、所望の光量の変調光ビームを光源より発生させて画像を形成する画像形成装置において、前記パルス電流の振幅が所定の制限値を超えない様に該パルス電流を該制限値に制限する制限手段を設け、前記制限手段により制限されたパルス電流の振幅値と前記決定手段により決定された駆動電流値との差分が前記入力信号にかかわらず前記光源へ供給される様構成したことを特徴とする。
【0026】
また、請求項2の本発明の装置は、前記光源から発生される光ビームの光量をモニタするモニタ手段を有し、前記決定手段が、前記モニタ手段によりモニタされた光量に基いて、前記駆動電流の値を決定する手段を有することを特徴とする。
【0027】
また、請求項3の本発明の装置は、前記決定手段が、電流増幅器を含むことを特徴とする。
【0028】
また、請求項4の本発明の装置は、前記光源が半導体レーザであることを特徴とする。
【0029】
また、請求項5の本発明の装置は、前記決定手段により決定された駆動電流から、前記制限されるパルス電流の振幅分を減算する電流減算手段と、前記電流減算手段の出力と、前記制限手段により制限されたパルス電流とを加算する電流加算手段とを有し、前記電流加算手段の出力を前記半導体レーザのカソードへ供給することを特徴とする。
【0030】
また、請求項6の本発明の装置は、前記決定手段により決定された駆動電流から、前記制限手段により制限されたパルス電流を減算する電流減算手段を有し、前記電流減算手段の出力を、前記半導体レーザのアノードに供給することを特徴とする。
また、請求項7の本発明の装置は、前記制限手段が前記駆動電流の値に基いて前記パルス電流の振幅を制限することを特徴とする。
【0031】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【0032】
(実施の形態1)
図1は本発明を適用した画像形成装置の実施の形態1を示す側面透視図である。
【0033】
図1が示す複写機1は画像形成装置の一種であり、原稿給紙装置2上に積載された原稿が1枚づつ順次原稿台ガラス面3上に搬送される。原稿が原稿台ガラス面嘘代に搬送されると、スキャナーユニット4内のランプ5が点灯すると共に、スキャナーユニット4が図中X方向に移動して原稿面全体を照射する。
【0034】
原稿からの反射光はミラー6a,6b,6cを介した後にレンズ系7を通り、図中Z方向に延在するリニアイメージセンサ8の撮像面に、原稿に記載された画像を結像する。リニアイメージセンサ8は結像した画像を光電変換し、画像信号を出力する。この画像信号は、信号処理回路(図示せず)によって相関二重サンプリング、波形整形等の処理を施された後、例えばDRAMで構成される画像メモリ(図示せず)に一旦格納され、再び読み出される。読み出された画像信号は、露光制御部9に入力される。
【0035】
露光制御部9は光源に相当する半導体レーザを含んでおり、この半導体レーザは画像メモリから読み出された画像信号に応じて発光タイミングを制御される。半導体レーザからのレーザビームは、回転多面鏡10に照射される。円筒状の感光ドラム11は図中時計回り方向(CW)に回転しており、帯電器12によって感光面を一様に帯電されている。回転多面鏡10からの反射光はミラー6dで反射された後に感光ドラム11の感光面に照射されて帯電した電荷の一部を除去し、感光面に静電潜像を形成する。半導体レーザに代えて、たとえばガスレーザを光源として使用することも考えられるが、この場合には高速で光変調する光変調装置が必要になる。
【0036】
ここで、図2は図1中の要部の構成を示す図である。図2において、図1の構成要素と同一構成要素には同一の符号を付してあり、ミラー6aは省略してある。
【0037】
半導体レーザ20からのレーザビームLは、コリメータレンズ21および絞り22によりほぼ平行光にされて、所定のビーム経で回転多面鏡10に入射する。回転多面鏡10は、図中反時計回り方向(CCW)に等角速度で回転している。この回転により、回転多面鏡10に入射したレーザビームLは連続的に反射角度を変える偏向ビームLdとなって反射される。
【0038】
円弧走査光である偏向ビームLdはf−θレンズ23により集光作用を受け、感光ドラム11の感光面上の直線に焦点を結ばせる。同時に、f−θレンズ23が走査の時間的な直線性を保証するような歪曲収差の補正を行うので、偏向ビームLdは感光ドラム11の感光面を図中矢印方向に等速で走査する。感光ドラム11への静電潜像の形成は、半導体レーザ20の発光タイミングを前記した画像メモリからの画像信号に応じて可変制御することによって行われる。
【0039】
ビームディテクタ24は回転多面鏡10からの偏向ビームLdを検知し、距離dに応じた一定時間後に画像信号に基づいてレーザビームLの変調を開始するように半導体レーザ20の駆動タイミングが制御される。これにより、感光ドラム11の感光面上での画像の記録開始位置を一定にすることができる。
【0040】
図1に戻って説明するに、偏向ビームLdによって感光面上の電荷を画像信号に応じて除去されて露光されることで、感光ドラム11に静電潜像が形成される。この静電潜像は、現像器13によってトナーを塗布されることで現像される。感光ドラム11に形成された静電潜像が現像されるタイミングに合わせて、被転写紙が被転写紙積載部14aまたは14bから搬送機構によって感光ドラム11近傍位置まで搬送されてくる。
【0041】
そして、被転写紙が感光ドラム11の下方に配設された転写器15と感光ドラム11の間を通ることで、現像された画像が被転写紙に転写される。その後、被転写紙上の画像は定着器16によって加熱され、被転写紙に定着される。画像を定着されて印刷が終了した被転写紙は、排紙ローラ17によってマルチトレイ装置18の所定のトレイに排紙される。
【0042】
図3は、本発明を適用した画像形成装置に用いられるカソード駆動タイプレーザーダイオードを駆動する発光素子駆動回路の実施の形態1を示すものである。
【0043】
図3において、31はコンパレータ、32はサンプルホールド回路(S/H)、33はホールドコンデンサ(CH)、34は可変gmアンプ、35は電流制限回路(LIM)、36はスイッチング回路(SW)、37、38は電流バッファ、39は電流減算回路、40は電流加算回路、41はレーザーダイオード(LD)、42はフォトダイオード(PD)、43は電流電圧変換回路(I/V)を示す。
【0044】
まず、本実施の形態で使用する可変gmアンプ34の定義について説明する。可変gmアンプ34は2つの電圧と1つの基準電流Iinを入力とする電流増幅器であり、出力電流が基準電流Iinに対してある関数を持っている。可変gmアンプ34の出力電流Ioutは、2つの入力電圧の電位差を△viとすると、以下の式で表される。なおここでは、説明を簡単にするために、可変gmアンプ34のゲインは1とする。
【0045】
【数1】
Iout=f(△vi)・Iin=k・Iin
ただし、k=f(△vi)
ここで、kは0≦k≦1の値をとり、以下、制御関数kと呼ぶことにする。
【0046】
入力電位差△viが−1〜+1間において変化した時、制御関数k、出力電流Ioutは、以下のように変化するものとする。なお、上記変化範囲では、制御関数k、出力電流Ioutは線形に変化しているものとする。
【0047】
【数2】
△vi=−1〜 0 〜+1
k= 0〜 0.5 〜1
Iout= 0〜Iin/2〜Iin
図3において、フォトダイオード42の出力のモニタ電流IMは電流電圧変換回路43に入力され、電流電圧変換回路43の出力電圧VMはコンパレータ31の負入力端子に入力されている。コンパレータ31の正入力端子には、所望の光量に相当する基準電圧Vref1が入力され、コンパレータ31の出力はサンプルホールド回路32に入力されている。サンプルホールド回路32には、ホールドコンデンサ33が接続されている。サンプルホールド回路32の出力電圧Verrは、可変gmアンプ34の正入力端子に入力されている。
【0048】
可変gmアンプ34の負入力端子には基準電圧Vref2が入力され、基準電流としてI0が入力されており、2つの入力電圧Verr、Vref2の電位差に応じて出力される電流が発光量を決定するレーザーダイオード駆動電流ILD(=k・I0)となる。レーザーダイオード駆動電流ILDは、電流制限回路35と電流バッファ37に入力されている。電流制限回路35には電流制限値として基準パルス電流IP0が入力されており、電流制限回路35の出力をレーザーダイオード41の出力光に光パルス変調信号の振幅レベルを与える電流としている。
【0049】
電流制限回路35の出力電流は、スイッチング回路36と電流バッファ38に入力されている。電流バッファ37の出力電流と電流バッファ38の出力電流は電流減算回路39にて電流減算され、減算された電流をパルス変調時のローレベルの電流とし、バイアス電流IBと呼ぶことにする。スイッチング回路36の出力電流IP(これをパルス電流とする)とバイアス電流IBは、電流加算回路40にて電流加算される。加算された電流はレーザーダイオード41のカソードに供給される。
【0050】
ここで、電流制限回路35の入出力特性は、出力電流IPの最大値が図4の(a)の曲線に示すように入力のレーザーダイオード駆動電流ILDの増大に対して一定の電流制限値(k2・IPO=IP0)に制限されるものとする。
【0051】
次に、本実施の形態においてレーザーダイオード駆動電流ILDを決定する動作について説明する。
【0052】
APC動作中は、スイッチング回路36はオン状態で、画像信号に基づいた入力データ(DATA)はレーザーダイオード41が全面発光状態になるように設定されているものとする。スイッチング回路36がオンの状態で、レーザーダイオード41の光出力をフォトダイオード42でモニタすることにより、電流電圧変換回路43にモニタ電流IMが流れ、電流電圧変換回路43の出力にはモニタ電圧VMが発生する。
【0053】
コンパレータ31はモニタ電圧VMと所望の光量に相当する基準電圧Vref1を比較し、その結果をサンプルホールド回路32を介して誤差電圧Verrとして可変gmアンプ34に出力する。可変gmアンプ34は、誤差電圧Verrと基準電圧Vref2の電位差を基に制御関数kを決定し、レーザーダイオード駆動電流ILDを制御する。
【0054】
制御関数kが0から1まで線形に変化したとき、レーザーダイオード駆動電流ILDも線形に変化しており、その時のパルス電流IPとバイアス電流IBは、以下のように決定される。なお、下記で使用している変数k1は電流制御が働きはじめるときの制御関数値であり、変数k2は電流制御が完全に働いているときの制御関数値である。
【0055】
▲1▼制御関数kが0≦k≦k1の範囲では、レーザーダイオード駆動電流ILDが基準パルス電流IP0より小さいので電流制限回路35が動作せず、レーザーダイオード駆動電流ILDがパルス電流IPとなる。すなわち、0≦k≦k1の領域では、レーザーダイオード41はパルス電流制御によって発光動作を制御されている。
【0056】
▲2▼制御関数kがk1≦k≦k2の範囲では、レーザーダイオード駆動電流ILDが基準パルス電流IP0に近づくため、電流制限回路35が徐々に動作し始め、レーザーダイオード駆動電流ILDとパルス電流IPに差が生じる。電流ILDと電流IPの差分がバイアス電流IBとなり、制御関数kがさらに増加するとバイアス電流IBも徐々に増加していく。つまり、k1≦k≦k2の領域はパルス電流制御からバイアス電流制御へ移行している領域であり、レーザーダイオード41はパルス電流制御とバイアス電流制御が混在した状態で発光動作を制御されている。
【0057】
▲3▼制御関数kが、k2≦k≦1の範囲では、レーザーダイオード駆動電流ILDが基準パルス電流IP0よりも大きいので電流制御回路35が十分に動作しており、パルス電流IPは電流制限値である基準パルス電流IP0となり、バイアス電流IBは線形に増加していく。すなわち、k2≦k≦1の領域では、レーザーダイオード41はバイアス電流制御によって発光動作を制御されている。
【0058】
図5は上記説明を図示したものであり、本実施の形態のレーザーダイオード駆動回路は、パルス電流制御からバイアス電流制御への移行を連続的に行なえる。また、移行途中では両者が混在する状態での制御を行なえる。本実施の形態のレーザーダイオード駆動回路はさらに、バイアス電流制御からパルス電流制御への、上記説明とは逆方向の移行も連続的に行なえる。
【0059】
また、サンプルホールド回路32がホールド状態にある時は、ホールドコンデンサ33にホールドされた誤差電圧Verrにより制御関数kが決まり、レーザーダイオード駆動電流ILDが決定され、パルス電流IPとバイアス電流IBも決定される。
【0060】
なお、入力データに応じた光パルス変調を行なうためには、スイッチング回路36を入力データに応じてオン/オフさせる。
【0061】
図6は動作温度が変化したときの本実施の形態におけるレーザーダイオード駆動電流示す図であり、図13に対応している。
【0062】
縦軸のレーザーダイオード駆動電流ILDを構成するパルス電流IPおよびバイアス電流IBの割合は、横軸の動作温度Taに対して図示の関係となっている。図6と図13を比較すると分かるように、本実施の形態を用いると、従来の技術で制御不能だった領域(図13に示した領域Aに相当する領域)でも制御できる。すなわち、動作温度Taが高いときはパルス電流が一定となってバイアス電流制御、動作温度Taが低いときはパルス電流制御により制御範囲を従来よりも広くすることができる。
【0063】
また、本実施の形態の更なる特徴は、電流制限回路35の電流制限値である基準パルス電流IP0の値を変えることで、パルス電流制御からバイアス電流制御への制御の移行点、あるいは、バイアス電流制御からパルス電流制御への制御の移行点を自由に変えることができる点である。極論するならば、基準パルスIP0を最大レーザーダイオード駆動電流ILD以上に設定すると、レーザーダイオード41の発光動作はパルス電流制御によって行われる。
【0064】
さらに、バイアス電流IBはレーザ駆動電流ILDとパルス電流IPの差から決定しているので、レーザーダイオード駆動電流ILDは、制御の移行点に関係なくコンパレータ31が出力する誤差電圧Verrによってのみ決定される。
【0065】
以上説明したように本実施の形態では、可変gmアンプ34により所望の光量が得られるよう制御されたレーザーダイオード駆動電流IDLから、電流制限回路35とスイッチング回路36を用いてパルス電流IPを決定し、また、レーザーダイオード駆動電流IDLとパルス電流IPとの差分を電流減算回路39により求めてバイアス電流IBとし、パルス電流IPとバイアス電流IBを電流減加算回路40により重畳したものをレーザーダイオード41のカソードに供給している。
【0066】
これにより、レーザーダイオード駆動電流IDLが少なくてすむ低温動作時には、レーザーダイオード駆動電流IDLが電流制限回路35の制限値以下であり、レーザーダイオード駆動電流IDLのすべてがパルス電流IPでパルス電流IPのみで制御可能となる。したがって、完全にパルス電流制御によってのみレーザーダイオード駆動電流IDLを制御することでレーザーダイオード41の発光動作が制御される。
【0067】
レーザーダイオード駆動電流IDLが電流制限回路35の制限値(基準パルス電流値)に近づき、パルス電流IPの増加量が徐々に減少し、レーザダイオード駆動電流IDLが少なくて済みバイアス電流IBが不要となりつつある場合には、レーザーダイオード駆動電流IDLとパルス電流IPとの差分がバイアス電流IBとして発生する。つまりこの時は、パルス制御とバイアス制御が混在した状態でレーザーダイオード駆動電流IDLを制御することでレーザーダイオード41の発光動作が制御される。
【0068】
さらに、レーザーダイオード41の動作温度変化等によりレーザーダイオード駆動電流IDLを多く必要とする高温動作時には、レーザーダイオード駆動電流IDLが電流制限回路35の制限値以上であり、パルス電流IPは電流制限回路35の制限値となり、バイアス電流IBはレーザーダイオード駆動電流IDLとパルス電流IPの差になる。したがって、バイアス電流制御によってのみレーザーダイオード駆動電流IDLを制御することでレーザーダイオード41の発光動作が制御される。
【0069】
上記の制御の移行、つまり、バイアス電流制御からパルス電流制御への移行、あるいは、パルス電流からバイアス電流への移行は、自動的且つ連続的に行なうことができる。また、電流制限値を決定する基準パルス電流は任意に設定することができるので、制御の移行点を自由に変えることもできる。
【0070】
(実施の形態2)
図7は、実施の形態2として、アノード駆動タイプのレーザーダイオード駆動回路を示すものである。図7中で使用している参照番号は実施の形態1と同じなので、図中の構成要素についての説明は省略する。
【0071】
図7において、フォトダイオード42の出力のモニタ電流IMは電流電圧変換回路43に入力され、電流電圧変換回路43の出力電圧VMはコンパレータ31の負入力端子に入力されている。コンパレータ31の正入力端子には所望の光量に相当する基準電圧Vref1が入力され、コンパレータ31の出力はサンプルホールド回路32に入力されている。サンプルホールド回路32には、ホールドコンデンサ33が接続されている。サンプルホールド回路32の出力電圧Verrは、可変gmアンプ34の正入力端子に入力されている。
【0072】
可変gmアンプ34には基準電流としてI0が入力されており、その負入力端子には基準電圧Vref2が入力され、2つの入力電圧Verr、Vref2の電位差に応じて出力される電流が発光量を決定するレーザー駆動電流ILD(=k・I0)となる。レーザーダイオード駆動電流ILDは、電流制限回路35と電流バッファ37に入力されており、電流制限回路35の出力をレーザーダイオード41の出力光に光パルス変調信号の振幅レベルを与える電流とし、電流制限回路35には電流制限値として基準パルス電流IP0が入力されている。
【0073】
電流制限回路35の出力電流はスイッチング回路36に入力され、電流バッファ37の出力電流とスイッチング回路36の出力電流(この電流をパルス電流IPとする)は電流減算回路39にて電流減算され、減算した電流をレーザーダイオード41のアノードに供給する。ここで、電流制限回路35の特性は、実施の形態1と同じように、制御関数kの変化に対して図4の(a)の曲線に示すような特性を持つものとする。
【0074】
次に、本実施の形態の動作について説明する。なお、APC動作中は、スイッチング回路36はオフ状態であるとする。スイッチング回路36がオフの状態で、レーザーダイオード41からの出力光をフォトダイオード42で検出することで、フォトダイオード42にはモニタ電流IMが流れる。モニタ電流IMを電流電圧変換回路43を用いてモニタ電圧VMに変換し、モニタ電圧VMと所望の光量に相当する基準電圧Vref1とをコンパレータ31で比較し、その結果をサンプルホールド回路32を介して誤差電圧Verrとして可変gmアンプ34に出力する。可変gmアンプ34では、誤差電圧Verrと基準電圧Vref2との電位差により制御関数kが決定され、レーザーダイオード駆動電流ILD(=k・I0)が制御される。
【0075】
サンプルホールド回路32がホールド状態の時は、電流制限回路35から出される電流が、光パルス変調時にレーザーダイオード駆動信号IDLに変調信号を与える電流となり、スイッチング回路36に入力される。レーザーダイオード41にパルス変調を与えるには、スイッチング回路36を入力データに応じオン/オフさせる。スイッチング回路36の出力電流(この電流をパルス電流IPとする)と電流バッファ37の出力電流は電流減算回路39に入力され、電流バッファ37の出力電流からパルス電流IPを減算された電流がレーザーダイオード41のアノードに供給される。
【0076】
このとき、電流バッファ37の出力電流からパルス電流IPを減算した電流が、光パルス変調におけるローレベルを決める電流となり、この電流がバイアス電流IBとなる。
【0077】
また、本実施の形態においても、基準パルス電流IP0の値を変えることで、パルス電流制御からバイアス電流制御への制御移行点、あるいは、バイアス電流制御からパルス電流制御への制御移行点を自由に変えることができる。さらに、バイアス電流IBは、レーザー駆動電流ILDとパルス電流IPの差から決定しているので、レーザーダイオード駆動電流ILDは、制御の移行点に関係なくコンパレータ31が出力する誤差電圧Verrによってのみ決定される。
【0078】
以上説明したとおり本実施の形態によれば、レーザーダイオード駆動電流ILDからパルス電流IPを減じた電流をレーザーダイオード41のアノードに供給することで、実施の形態1と同様に、温度変化に応じたレーザーダイオード駆動電流ILDの値によりパルス電流制御とバイアス電流制御の両方またはいずれかを選択的に行ってレーザーダイオードの発光動作を制御して同様の効果を得ることができる。
【0079】
(実施の形態3)
一般的に、レーザーダイオードの温度特性は、図12に示したように、動作温度が上昇するとしきい値が増大し、所望の光量を得るためには、レーザーダイオード駆動電流を大きくする必要があることはこれまで述べてきた。しかし、レーザーダイオードの温度特性にはもう一つ特有の現象がある。この現象は、レーザー発振領域でのスロープ効率(微分効率ともいう)が低下するというものである。
【0080】
したがって、光パルス変調を行なう上でレーザーダイオードの消光比を十分に確保するためには、スロープ効率の低下に伴いパルス電流を大きくしなければならない。
【0081】
本発明を適用した画像形成装置に用いられる発光素子駆動回路では、実施の形態1、2の構成において電流制限回路の電流制限能力を有限なものにすることで、この問題点に対応することができる。
【0082】
すなわち、例えば図4の(b)の曲線のように、本発明を適用した画像形成装置に用いられる発光素子駆動回路におけるバイアス電流制御領域で、レーザーダイオード駆動電流の増加に伴いパルス電流もわずかに増加させるような電流制限能力を持たせればよい。曲線(b)が示す特性を電流制限回路に持たせることは簡単なことであり、その実施例の構成例を図8に示す。
【0083】
電流制限回路80の電流制限値を与える基準パルス電流IP0は、ダイオード81のアノードとオペアンプ85の正入力端子に供給されており、ダイオード81のカソードは抵抗R81の上端に接続されている。抵抗R81の他端は接地されている。オペアンプ85の出力は、トランジスタQ2のベースに接続されている。トランジスタQ2のコレタタは電源電圧Vccに接続されており、トランジスタQ2のエミッタは、抵抗R82の一端と定電流源I1とオペアンプ85の負入力端子に接続されている。
【0084】
一方、電流制限回路80の入力であるレーザーダイオード駆動電流ILDは、ダイオード89のアノードと可変gmアンプ87の出力に供給されている。ダイオード89のカソードは、トランジスタQ6のコレクタおよびベースと、トランジスタQ8のベースと、オペアンプ86の正入力端子に接続されている。トランジスタQ4のコレクタは可変gmアンプ87の基準電流入力端子に接続されており、オペアンプ86の出力はトランジスタQ4のベースに接続されている。トランジスタQ4のエミッタは、抵抗R82の他端とオペアンプ86の負入力端子に接続されている。
【0085】
トランジスタQ6のエミッタは抵抗R83の上端に接続され、トラシジスタQ8のエミッタは抵抗R84の上端に接続されている。抵抗R83および抵抗R84の他端は接地されている。出力電流IPは、トランジスタQ8のコレクタより取り出すことができる。なお、抵抗R82の抵抗値をR1,抵抗R81,R83,R83の抵抗値をR2とし、可変gmアンプ87には制御関数αを決定する電位差Vcが入力され、電流ゲインを1とする。
【0086】
次に、上記構成の電流制限回路80の動作について説明する。まず、基本動作を簡単に説明するために、可変gmアンプ87の制御関数αは、α=1とする。
【0087】
入力電流(レーザーダイオード駆動電流ILD)が基準パルス電流IP0以下のときは抵抗R82に電流は流れず、出力電流IPとして入力電流ILDがそのまま出力される。
【0088】
入力電流ILDが基準パルス電流IP0以上になったとき、抵抗R82の両端で電位差が発生して電流が流れ、電流制限動作が行われる。この時の出力電流IPは、以下の式で与えられる。ただし、トランジスタQ2、Q4の各エミッタ電圧をVlE、V2E、トランジスタQ6のベースエミッタ間電圧をVBE、ダイオード81の順方向電圧をVFとする。
【0089】
【数3】
ここで、VF=VBEとすると、
【0090】
【数4】
ゆえに、(2)式を(1)式に代入して、
【0091】
【数5】
ここで、係数aが非常に大きな値となるように抵抗比を選ぶと、図8の構成の電流制限回路80の制限能力を非常に強力なものとすることができ、出力電流IPは、ほぼIP=IP0となる。反対に係数aが小さな値となるように抵抗比を選ぶと、電流制限回路80の電流制限能力を弱くすることができ、出力電流IPは(3)式で与えられる電流値になる。
【0092】
したがって、抵抗比を選択して(3)式における係数aの値をスロープ効率の温度変化に合った適切な値にすることで、本発明を適用した画像形成装置に用いられる発光素子駆動回路におけるバイアス制御領域でのパルス電流の増加分を制御することができる。これにより、レーザーダイオード駆動電流が増加し、スロープ効率が低下しても、十分な消光比を確保することができる。
【0093】
さらに、上記の説明において可変gmアンプ87の制御係数αを1としていたが、可変gmアンプ87に入力される電位差Vcを制御することで制御関数αを変化させ、これにより見掛け上の係数aを可変することもできる。したがって、一度設定した抵抗R81〜R84の値を変えることなく、本発明を適用した画像形成装置に用いられる発光素子駆動回路におけるバイアス制御領域でのパルス電流の増加分を制御することができ、スロープ効率の温度特性が異なるレーザーダイオードにも対応することができる。
【0094】
以上説明したとおり本実施の形態によれば、スロープ効率の温度特性を考慮し、レーザーダイオード駆動電流ILDが基準パルス電流以上で増加したとき、電流制限回路の出力電流がある関数で増加するように電流制限能力を有限なものすることで、バイアス電流制御領域でパルス電流が徐々に増加していくので、レーザーダイオード駆動電流が増加しレーザ発振領域のスロープ効率が低下しても、消光比を十分に確保することができる。また、入力する電位差を可変して可変gmアンプの制御関数を制御することで、一度設定した抵抗値を変えることなく電流制御能力を制御することもできる。
【0095】
【発明の効果】
以上説明した様に本発明によれば、パルス電流に上限を設定すべく、パルス電流が所定レベルを超えないように該パルス電流を所定レベルに制限する制限手段を設け、この制限による駆動電流の不足分をバイアス電流として供給する様に構成し、これにより、必要とされる駆動電流が比較的大きい条件(高温)においては、変調電流のみで駆動電流を達成するのではなく、入力信号に対するレーザ発光の応答性が損なわれない様、補助的にバイアス電流を付加することでバイアス電流を調整し、一方、必要とされる駆動電流が比較的小さい条件(低温)においては、バイアス電流を供給することなく、パルス電流のみで駆動電流を達成してパルス電流を調整するため、従来方式に比べ広い動作温度範囲内で、良好な画像形成を行えるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用した画像形成装置の実施の形態1を示す側面透視図である。
【図2】図1中の要部の構成を示す図である。
【図3】本発明の実施の形態1におけるレーザーダイオード駆動回路の構成図である。
【図4】本発明で使用する電流制限回路の特性図である。
【図5】本発明の実施の形態におけるレーザーダイオード駆動回路の制御関数kに対するパルス電流とバイアス電流の関係を示す特性図である。
【図6】本発明の実施の形態における動作温度の変化に対するパルス電流とバイアス電流の関係を示す特性図である。
【図7】本発明の実施の形態2におけるレーザーダイオード駆動回路の構成図である。
【図8】本発明の実施の形態3における電流制限回路の構成図である。
【図9】従来の画像形成装置におけるレーザーダイオード駆動回路の回路図である。
【図10】従来の画像形成装置におけるパルス電流制御によるレーザーダイオード駆動回路の回路図である。
【図11】従来の画像形成装置におけるバイアス電流制御によるレーザーダイオード駆動回路の回路図である。
【図12】レーザーダイオードの温度変化に対する駆動電流の関係を示す特性図である。
【図13】従来の画像形成装置における駆動回路の動作温度の変化に対するパルス電流とバイアス電流の関係を示す特性図である。
【符号の説明】
31,101 コンパレータ
32,103 サンプルホールド回路
33,104 ホールドコンデンサ
34,87 可変gmアンプ
35 電流制限回路
36,107 スイッチング回路
37,38 電流バッファ
39 電流減算回路
40 電流加算回路
41,111 レーザーダイオード
42,112 フォトダイオード
43 電流電圧変換回路
81,89 ダイオード
102,106 基準電圧源
105 電流増幅回路
108 基準電流源
109 バイアス電流源
110 モニタ抵抗
113 基準バイアス電流源
114 パルス電流源
115 基準パルス電流源
Q2,Q4,Q6,Q8 トランジスタ
R81〜R84 抵抗[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
BACKGROUND OF THE
[0002]
[Prior art]
Laser diodes are used as light-emitting elements to convert electrical pulse signals into optical pulses in digital optical communication and electrophotographic image forming apparatuses, and the amount of light emitted can be as desired even if the operating temperature of the elements changes. It is required that the amount of light be obtained. However, the light emission characteristics of the laser diode are largely dependent on the operating temperature, and it is necessary to control the laser diode driving current by the light emitting element driving circuit in order to obtain a desired light amount as the operating temperature changes.
[0003]
FIG. 9 shows a configuration of a laser diode driving circuit based on pulse current control of a cathode driving type laser as a first conventional example.
[0004]
In FIG. 9, 101 is a comparator, 102 and 106 are reference voltage sources, 103 is a sample hold circuit (S / H), 104 is a hold capacitor (CH), 105 is a current amplifier circuit, 108 is a reference current source (I0), 107 is a switching circuit (SW), 111 is a laser diode (LD), 112 is a photodiode (PD), and 110 is a monitor resistor (RM).
[0005]
In the conventional example of FIG. 9, the
[0006]
During the hold period of the
[0007]
However, in the configuration of FIG. 9, when the operating frequency of optical pulse modulation increases, the light emission delay peculiar to the laser diode becomes a problem, and the transient characteristics of the modulated optical pulse deteriorate.
[0008]
FIG. 10 shows a second conventional example which is one of the techniques for solving the problems of the first conventional example. In the second conventional example, a direct current bias current is added to the laser diode driving current in order to improve the transient characteristics of the optical pulse due to the light emission delay of the laser diode. Since the basic configuration is the same as that of the first conventional example of FIG. 9, detailed description thereof is omitted.
[0009]
Also in the conventional example of FIG. 10, the
[0010]
Further, during the hold period, the
[0011]
In the conventional example of FIG. 10, the light emission delay of the
[0012]
However, in the conventional example of FIG. 10, the oscillation threshold current of the
[0013]
FIG. 11 shows a third conventional example. The third conventional example is obtained by adding a bias current to the drive current as in the second conventional example. However, the target of the current to be controlled is the bias current, and the pulse current is fixed. Detailed descriptions of the same reference numerals as those in FIG. 9 are omitted.
[0014]
Also in the conventional example of FIG. 11, during the APC operation, the
[0015]
However, in the conventional example of FIG. 11, when the laser diode drive current may be small, such as when the
[0016]
Hereinafter, the case of falling into an uncontrollable state will be described in more detail.
[0017]
FIG. 12 shows the relationship between the laser drive diode current and the light output due to the change in the operating temperature of a general laser diode.
[0018]
As the operating temperature rises, the threshold current increases and the laser diode drive current IDL increases. In this case, the problem described above does not occur. On the contrary, when the operating temperature is lowered, the threshold current is lowered and the laser diode driving current IDL is reduced, so that the bias current IB is decreased in order to set the optical output p from the laser diode to a desired value. However, when the bias current IB is unnecessary and a desired light output can be obtained with a value smaller than the set value of the pulse current IP, it becomes impossible to control the light amount to be constant. This is because the pulse current IP, which is a fixed value, cannot be set below the set value.
[0019]
In addition, there is another characteristic phenomenon in the temperature characteristics of laser diodes. A unique phenomenon is that the slope efficiency (also referred to as differential efficiency) in the laser oscillation region decreases. Therefore, when optical pulse modulation is performed, if the laser diode drive current increases due to an increase in operating temperature, etc., and the slope efficiency decreases, a sufficient extinction ratio of the laser diode can be secured unless the pulse current is increased. Can not.
[0020]
FIG. 13 shows the relationship between the change in the laser drive current ILD with respect to the temperature change and the ratio of the pulse current and the bias current.
[0021]
When the operating temperature Ta decreases from a high temperature to a low temperature, the laser drive current ILD decreases. Furthermore, it is possible to control the amount of light emitted from the laser diode to be constant until the operating temperature is lowered and the bias current IB is IB = 0. However, if the bias current IB is unnecessary, the control cannot be performed. End up. That is, in region A in FIG. 13, a current that decreases the pulse current IP is required, and thus it is not possible to perform control to obtain a desired light amount.
[0022]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, in the conventional technique, in order to ensure the high speed of the light emitting operation of the laser diode, a direct current close to the oscillation threshold current is usually supplied as a bias current, and a pulse current corresponding to the input data is supplied. Is superimposed on the bias current to supply current to the laser diode. As a driving method of the light emitting operation of the laser diode, there are a pulse current control and a bias current control, each having advantages and disadvantages.
[0023]
In bias current control, high speed can be secured in optical pulse modulation, but there is a possibility that the laser light extinction ratio cannot be sufficiently obtained due to changes in the oscillation threshold current and slope efficiency due to changes in the operating temperature of the laser diode. If the bias current is high and the bias current is less than or equal to zero, it is impossible to control the light quantity to a desired level. On the other hand, in the pulse current control, by setting the bias current so as not to exceed the threshold current at any operating temperature, a sufficient extinction ratio of the laser beam can be ensured, but optical pulse modulation with a high frequency was performed. Sometimes the transient characteristics of the light pulse become worse.
[0024]
Accordingly, the present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide an image forming apparatus that solves the above problems.
[0025]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-mentioned problem, the apparatus of the present invention according to
[0026]
The apparatus of the present invention according to
[0027]
According to a third aspect of the present invention, the determining means includes a current amplifier.
[0028]
According to a fourth aspect of the present invention, the light source is a semiconductor laser.
[0029]
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided an apparatus according to the present invention, wherein a current subtracting means for subtracting an amplitude of the limited pulse current from the drive current determined by the determining means, an output of the current subtracting means, and the limiting Current adding means for adding the pulse current limited by the means, and supplying the output of the current adding means to the cathode of the semiconductor laser.
[0030]
The apparatus of the present invention of claim 6 further comprises current subtracting means for subtracting the pulse current limited by the limiting means from the drive current determined by the determining means, and the output of the current subtracting means is The semiconductor laser is supplied to the anode of the semiconductor laser.
The apparatus of the present invention according to claim 7 is characterized in that the limiting means limits the amplitude of the pulse current based on the value of the driving current.
[0031]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0032]
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a side perspective
[0033]
The copying
[0034]
The reflected light from the original passes through the lens system 7 after passing through the
[0035]
The
[0036]
Here, FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a main part in FIG. In FIG. 2, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and the mirror 6a is omitted.
[0037]
The laser beam L from the
[0038]
The deflected beam Ld, which is arc scanning light, is focused by the f-
[0039]
The
[0040]
Returning to FIG. 1, the electrostatic latent image is formed on the
[0041]
Then, the developed image is transferred to the transfer paper by the transfer paper passing between the
[0042]
FIG. 3 shows a first embodiment of a light emitting element driving circuit for driving a cathode driving type laser diode used in an image forming apparatus to which the present invention is applied.
[0043]
In FIG. 3, 31 is a comparator, 32 is a sample hold circuit (S / H), 33 is a hold capacitor (CH), 34 is a variable gm amplifier, 35 is a current limiting circuit (LIM), 36 is a switching circuit (SW),
[0044]
First, the definition of the
[0045]
[Expression 1]
Iout = f (Δvi) · Iin = k · Iin
However, k = f (Δvi)
Here, k takes a value of 0 ≦ k ≦ 1, and is hereinafter referred to as a control function k.
[0046]
When the input potential difference Δvi changes between −1 and +1, the control function k and the output current Iout are assumed to change as follows. In the change range, it is assumed that the control function k and the output current Iout change linearly.
[0047]
[Expression 2]
Δvi = −1 to 0 to +1
k = 0 to 0.5 to 1
Iout = 0-Iin / 2-Iin
In FIG. 3, the monitor current IM output from the
[0048]
The reference voltage Vref2 is input to the negative input terminal of the
[0049]
The output current of the current limiting
[0050]
Here, the input / output characteristics of the current limiting
[0051]
Next, an operation for determining the laser diode drive current ILD in the present embodiment will be described.
[0052]
During the APC operation, it is assumed that the switching
[0053]
The
[0054]
When the control function k changes linearly from 0 to 1, the laser diode drive current ILD also changes linearly, and the pulse current IP and bias current IB at that time are determined as follows. Note that the variable k1 used below is a control function value when the current control starts working, and the variable k2 is a control function value when the current control works completely.
[0055]
(1) When the control function k is in the range of 0 ≦ k ≦ k1, since the laser diode driving current ILD is smaller than the reference pulse current IP0, the current limiting
[0056]
(2) When the control function k is in the range of k1 ≦ k ≦ k2, the laser diode driving current ILD approaches the reference pulse current IP0. There will be a difference. The difference between the current ILD and the current IP becomes the bias current IB, and the bias current IB gradually increases as the control function k further increases. That is, the region of k1 ≦ k ≦ k2 is a region where the pulse current control is shifted to the bias current control, and the
[0057]
(3) When the control function k is in the range of k2 ≦ k ≦ 1, since the laser diode drive current ILD is larger than the reference pulse current IP0, the
[0058]
FIG. 5 illustrates the above description, and the laser diode driving circuit of the present embodiment can continuously shift from pulse current control to bias current control. Also, control can be performed in a state where both are mixed during the transition. Further, the laser diode drive circuit of the present embodiment can continuously perform a shift from the bias current control to the pulse current control in the direction opposite to the above description.
[0059]
When the
[0060]
In order to perform optical pulse modulation according to the input data, the switching
[0061]
FIG. 6 is a diagram showing the laser diode drive current in the present embodiment when the operating temperature changes, and corresponds to FIG.
[0062]
The ratio of the pulse current IP and the bias current IB constituting the laser diode drive current ILD on the vertical axis has the relationship shown in the figure with respect to the operating temperature Ta on the horizontal axis. As can be seen from a comparison between FIG. 6 and FIG. 13, when this embodiment is used, it is possible to control even an area that cannot be controlled by the conventional technique (an area corresponding to the area A shown in FIG. 13). That is, when the operating temperature Ta is high, the pulse current is constant and the bias current control can be performed. When the operating temperature Ta is low, the control range can be widened by the pulse current control.
[0063]
Further, a further feature of the present embodiment is that by changing the value of the reference pulse current IP0 that is the current limit value of the
[0064]
Further, since the bias current IB is determined from the difference between the laser drive current ILD and the pulse current IP, the laser diode drive current ILD is determined only by the error voltage Verr output from the
[0065]
As described above, in the present embodiment, the pulse current IP is determined from the laser diode drive current IDL controlled so as to obtain a desired light amount by the
[0066]
As a result, during low temperature operation where the laser diode drive current IDL is small, the laser diode drive current IDL is less than or equal to the limit value of the
[0067]
The laser diode driving current IDL approaches the limit value (reference pulse current value) of the current limiting
[0068]
Further, during high temperature operation that requires a large amount of laser diode drive current IDL due to changes in the operating temperature of the
[0069]
The transition of the control, that is, the transition from the bias current control to the pulse current control, or the transition from the pulse current to the bias current can be performed automatically and continuously. Further, since the reference pulse current for determining the current limit value can be set arbitrarily, the transition point of control can be freely changed.
[0070]
(Embodiment 2)
FIG. 7 shows an anode drive type laser diode drive circuit as a second embodiment. Since the reference numbers used in FIG. 7 are the same as those in the first embodiment, description of components in the figure is omitted.
[0071]
In FIG. 7, the monitor current IM output from the
[0072]
The
[0073]
The output current of the current limiting
[0074]
Next, the operation of the present embodiment will be described. It is assumed that the switching
[0075]
When the
[0076]
At this time, the current obtained by subtracting the pulse current IP from the output current of the
[0077]
Also in the present embodiment, the control transition point from the pulse current control to the bias current control or the control transition point from the bias current control to the pulse current control can be freely changed by changing the value of the reference pulse current IP0. Can be changed. Further, since the bias current IB is determined from the difference between the laser drive current ILD and the pulse current IP, the laser diode drive current ILD is determined only by the error voltage Verr output from the
[0078]
As described above, according to the present embodiment, by supplying a current obtained by subtracting the pulse current IP from the laser diode drive current ILD to the anode of the
[0079]
(Embodiment 3)
In general, as shown in FIG. 12, the temperature characteristic of a laser diode increases as the operating temperature rises, and the threshold value increases. In order to obtain a desired light amount, it is necessary to increase the laser diode drive current. That has been said so far. However, there is another characteristic phenomenon in the temperature characteristics of laser diodes. This phenomenon is that the slope efficiency (also referred to as differential efficiency) in the laser oscillation region decreases.
[0080]
Therefore, in order to ensure a sufficient extinction ratio of the laser diode in performing optical pulse modulation, it is necessary to increase the pulse current as the slope efficiency decreases.
[0081]
In the light emitting element driving circuit used in the image forming apparatus to which the present invention is applied, the current limiting capability of the current limiting circuit in the configurations of the first and second embodiments can be limited to cope with this problem. it can.
[0082]
That is, for example, as shown in the curve of FIG. 4B, in the bias current control region in the light emitting element driving circuit used in the image forming apparatus to which the present invention is applied, the pulse current slightly increases as the laser diode driving current increases. What is necessary is just to give the current limiting capability to increase. It is easy to give the current limiting circuit the characteristics shown by the curve (b), and FIG. 8 shows a configuration example of this embodiment.
[0083]
The reference pulse current IP0 that gives the current limit value of the
[0084]
On the other hand, the laser diode drive current ILD that is the input of the current limiting
[0085]
The emitter of the transistor Q6 is connected to the upper end of the resistor R83, and the emitter of the transistor Q8 is connected to the upper end of the resistor R84. The other ends of the resistor R83 and the resistor R84 are grounded. The output current IP can be taken from the collector of the transistor Q8. Note that the resistance value of the resistor R82 is R1, the resistance values of the resistors R81, R83, and R83 are R2, the potential difference Vc that determines the control function α is input to the
[0086]
Next, the operation of the current limiting
[0087]
When the input current (laser diode drive current ILD) is equal to or less than the reference pulse current IP0, no current flows through the resistor R82, and the input current ILD is output as it is as the output current IP.
[0088]
When the input current ILD becomes equal to or higher than the reference pulse current IP0, a potential difference occurs between both ends of the resistor R82, current flows, and a current limiting operation is performed. The output current IP at this time is given by the following equation. However, the emitter voltages of the transistors Q2 and Q4 are VlE and V2E, the base-emitter voltage of the transistor Q6 is VBE, and the forward voltage of the
[0089]
[Equation 3]
Here, if VF = VBE,
[0090]
[Expression 4]
Therefore, substituting equation (2) into equation (1),
[0091]
[Equation 5]
Here, if the resistance ratio is selected so that the coefficient a becomes a very large value, the limiting capability of the current limiting
[0092]
Therefore, in the light emitting element driving circuit used in the image forming apparatus to which the present invention is applied, by selecting the resistance ratio and setting the value of the coefficient a in the equation (3) to an appropriate value that matches the temperature change of the slope efficiency. The increase in pulse current in the bias control region can be controlled. Thereby, even if the laser diode drive current increases and the slope efficiency decreases, a sufficient extinction ratio can be ensured.
[0093]
Furthermore, in the above description, the control coefficient α of the
[0094]
As described above, according to the present embodiment, in consideration of the temperature characteristics of the slope efficiency, when the laser diode drive current ILD increases above the reference pulse current, the output current of the current limiting circuit increases as a function. By limiting the current limiting capability, the pulse current gradually increases in the bias current control region, so even if the laser diode drive current increases and the slope efficiency of the laser oscillation region decreases, the extinction ratio is sufficient. Can be secured. Further, by controlling the control function of the variable gm amplifier by changing the input potential difference, the current control capability can be controlled without changing the resistance value once set.
[0095]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, there is provided limiting means for limiting the pulse current to a predetermined level so that the pulse current does not exceed a predetermined level in order to set an upper limit to the pulse current, The configuration is such that the shortage is supplied as a bias current, so that in a condition where the required drive current is relatively large (high temperature), the drive current is not achieved only by the modulation current, but the laser for the input signal The bias current is adjusted by adding a supplementary bias current so that the response of light emission is not impaired. On the other hand, the bias current is supplied in a condition where the required drive current is relatively small (low temperature). Without adjusting the pulse current by achieving the drive current only with the pulse current, Within a wider operating temperature range than conventional methods, There is an effect that a good image can be formed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a side perspective
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of a main part in FIG. 1;
FIG. 3 is a configuration diagram of a laser diode drive circuit according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a characteristic diagram of a current limiting circuit used in the present invention.
FIG. 5 is a characteristic diagram showing a relationship between a pulse current and a bias current with respect to a control function k of the laser diode driving circuit in the embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a characteristic diagram showing a relationship between a pulse current and a bias current with respect to a change in operating temperature in the embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a configuration diagram of a laser diode drive circuit according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a configuration diagram of a current limiting circuit according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a circuit diagram of a laser diode driving circuit in a conventional image forming apparatus.
FIG. 10 is a circuit diagram of a laser diode driving circuit based on pulse current control in a conventional image forming apparatus.
FIG. 11 is a circuit diagram of a laser diode driving circuit based on bias current control in a conventional image forming apparatus.
FIG. 12 is a characteristic diagram showing a relationship of a drive current with respect to a temperature change of a laser diode.
FIG. 13 is a characteristic diagram illustrating a relationship between a pulse current and a bias current with respect to a change in operating temperature of a driving circuit in a conventional image forming apparatus.
[Explanation of symbols]
31,101 Comparator
32,103 Sample hold circuit
33,104 Hold capacitor
34,87 Variable gm amplifier
35 Current limit circuit
36,107 switching circuit
37,38 Current buffer
39 Current subtraction circuit
40 Current adder circuit
41,111 Laser diode
42,112 photodiode
43 Current-voltage converter
81,89 diode
102, 106 Reference voltage source
105 Current amplifier circuit
108 Reference current source
109 Bias current source
110 Monitor resistance
113 Reference bias current source
114 Pulse current source
115 Reference pulse current source
Q2, Q4, Q6, Q8 transistors
R81-R84 resistors
Claims (7)
前記決定手段により決定される駆動電流値に基づいて、入力信号に応じて変調されるパルス電流を前記光源へ供給する手段とを有し、
所望の光量の変調光ビームを光源より発生させて画像を形成する画像形成装置において、
前記パルス電流の振幅が所定の制限値を超えない様に該パルス電流を該制限値に制限する制限手段を設け、
前記制限手段により制限されたパルス電流の振幅値と前記決定手段により決定された駆動電流値との差分が前記入力信号にかかわらず前記光源へ供給される様構成したことを特徴とする画像形成装置。Determining means for determining a drive current value for the light source to generate a light beam having a desired light amount;
Means for supplying, to the light source, a pulse current that is modulated in accordance with an input signal based on a drive current value determined by the determining means
In an image forming apparatus that forms an image by generating a modulated light beam of a desired light amount from a light source,
Providing a limiting means for limiting the pulse current to the limit value so that the amplitude of the pulse current does not exceed a predetermined limit value;
An image forming apparatus characterized in that the difference between the amplitude value of the pulse current limited by the limiting means and the drive current value determined by the determining means is supplied to the light source regardless of the input signal. .
前記決定手段は、前記モニタ手段によりモニタされた光量に基いて、前記駆動電流の値を決定する手段を有することを特徴とする請求項1記載の画像形成装置。Monitoring means for monitoring the amount of light beam generated from the light source;
The image forming apparatus according to claim 1, wherein the determining unit includes a unit that determines a value of the driving current based on a light amount monitored by the monitoring unit.
前記電流減算手段の出力と、前記制限手段により制限されたパルス電流とを加算する電流加算手段とを有し、
前記電流加算手段の出力を前記半導体レーザのカソードへ供給することを特徴とする請求項4記載の画像形成装置。Current subtracting means for subtracting the amplitude of the limited pulse current from the drive current determined by the determining means;
Current adding means for adding the output of the current subtracting means and the pulse current limited by the limiting means;
The image forming apparatus according to claim 4, wherein an output of the current adding unit is supplied to a cathode of the semiconductor laser.
前記電流減算手段の出力を、前記半導体レーザのアノードに供給することを特徴とする請求項4記載の画像形成装置。Current subtracting means for subtracting the pulse current limited by the limiting means from the drive current determined by the determining means;
5. An image forming apparatus according to claim 4, wherein an output of said current subtracting means is supplied to an anode of said semiconductor laser.
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