JPS6355015B2 - - Google Patents

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JPS6355015B2
JPS6355015B2 JP56131999A JP13199981A JPS6355015B2 JP S6355015 B2 JPS6355015 B2 JP S6355015B2 JP 56131999 A JP56131999 A JP 56131999A JP 13199981 A JP13199981 A JP 13199981A JP S6355015 B2 JPS6355015 B2 JP S6355015B2
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JP
Japan
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soft magnetic
amorphous metal
metal soft
pressure sensor
core
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Application number
JP56131999A
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English (en)
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JPS5772037A (en
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Shinichiro Iwasaki
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Aisin Corp
Original Assignee
Aisin Seiki Co Ltd
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Publication date
Application filed by Aisin Seiki Co Ltd filed Critical Aisin Seiki Co Ltd
Publication of JPS5772037A publication Critical patent/JPS5772037A/ja
Publication of JPS6355015B2 publication Critical patent/JPS6355015B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/007Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in inductance
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/10Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in inductance, i.e. electric circuits therefor

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は流体圧力を電気信号に変換する圧力セ
ンサーに関し、特に流体圧を可動体で受けて、可
動体の作用により、非晶質金属軟磁性体に生ずる
応力変化を電気信号に変換するタイプの圧力セン
サーに関する。 この種の従来のものの一つに、半導体で歪ゲー
ジを形成して、圧力に応じた抵抗変化をアナログ
電圧に変換して、圧力検出信号を得るものがあ
る。この圧力センサーにおいては圧力に応じた抵
抗変化は微小であることから、ノイズ防止のため
に回路構成も複雑となり、しかも半導体は温度ド
リフトによる影響が大きく、使用温度範囲は約マ
イナス30℃〜プラス100℃に限られるものである。 本発明の第1の目的は圧力検出信号の電気処理
が比較的簡単な圧力センサーを提供することであ
る。 本発明の第2の目的は温度変化による影響を受
けにくく、しかも機械的強度、復元性も高く、耐
久性の向上した圧力センサーを提供することであ
る。 本発明の第3の目的は最近目覚しい進歩をとげ
たマイクロコンピユータなどのLSIにて比較的に
単純な読取ロジツクで圧力データを読み取り得る
圧力センサーを提供することである。 本発明によれば、ケーシングの内空間は可動体
で、その圧力が測定される流体が供給される第1
の空間と、所定圧力(通常は大気)の流体(通常
は空気)が封入もしくは通流する第2の空間に区
分され、一方の空間に電気コイルが巻回された非
晶質金属軟磁性体が配置され、この非晶質金属軟
磁性体は可動体に連結されて、圧力に応じた応力
が可動体により加えられる荷重にて生ずる。非晶
質金属軟磁性体の電気コイル巻回数は比較的に低
い印加電圧すなわち(or)比較的に低い通電電流
レベルで非晶質金属軟磁性体が磁気飽和するに十
分に多い巻回数とされる。非晶質金属軟磁性体に
巻回したコイルに電圧を印加し、電圧印加始点よ
り、電気コイルに流れる電流が所定レベルに達す
る迄の時間をTとすると、 T=N/EΦ ……(1) となる。 但し、 E:電気コイルの印加電圧 N:電気コイルの巻回数 Φ:残留磁束密度から電流所定レベルの磁界に対
する磁束密度に達する迄の磁束変化量 である。 そしてΦは非晶質金属軟磁性体の透磁率の大き
さに正比例するもので、非晶質金属軟磁性体に応
力、例えば引張応力が生ずると、非晶質金属軟磁
性体の透磁率はその引張応力の大きさに応じて増
大することにより、Φもそれに対応して増大し、
又圧縮応力が生ずれば、非晶質金属軟磁性体の透
磁率はその圧縮応力の大きさに応じて減少するこ
とにより、Φもそれに対応して減少することか
ら、コイルに電圧を印加してからコイル電流が所
定レベルになる迄の時間Tは非晶質金属軟磁性体
に生ずる引張応力に応じて増大変化し、又圧縮応
力に応じて減少変化する。それ故本発明の圧力セ
ンサーには、Tを計測しそれを電圧レベル、デジ
タルコード等の電気信号で表わす電気回路又は半
導体電子装置を接続する。非晶質金属軟磁性体
は、液相金属を急冷して作らざるを得ないため薄
板であり、しかも磁気的には強磁性であつて透磁
率及び飽和磁化は大きくそして保持力が小さく、
又機械的には破断強さがきわめて高く、弾力性お
よび復元性に優れ、温度による特性変化も半導体
に比べて著しく少いものである。 このような非晶質金属軟磁性体の特性は、本発
明の圧力センサーにきわめて好都合であり、これ
を用いると、電気的にはTの計測において、信号
処理が簡単かつ高精度となるメリツトがあり、機
械的には製造が簡単になり、耐久性が向上し、温
度変化による影響を受けなくなる。 本発明の他の目的及び特徴は図面を参照した以
下の実施例説明において明確になろう。 以下本発明装置の実施例について説明する。 第1実施例(第1図〜第6d図) 第1図に示す実施例において圧力センサー1
は、例えば車輌上エンジンのインテークマニホー
ルド負圧が導入される入口2を有する第1の樹脂
製ボデイ3およびボデイ3に超音波溶着された第
2の樹脂製ボデイ4を有する。第1および第2の
ボデイ3,4間にダイヤフラム6の外周が挟着さ
れており、このダイヤフラム6の中心の平面部
に、該ダイヤフラム6を貫通するピストン7が固
着されている。これらのダイヤフラム6およびピ
ストン7で第1および第2のボデイ3,4内の空
間が、入口2に連通する第1の内空間8と大気圧
に連通する第2の内空間9に2区分されている。
ピストン7は第1の内空間8内に配置された圧縮
コイルスプリング10の反撥力で常時第2の内空
間9を縮める方向(右方)に強制され、これによ
り第1の内空間8が大気圧にあるときには、ピス
トン7の背面に形成されている突状鉤11が第1
ボデイ3に螺合されているねじ12の脚部フラン
ジ13に当接している(第1図)。なお、ねじ1
2はその回動操作に応じてダイヤフラム6に近付
く方向に、もしくはダイヤフラム6より離れる方
向に移動する。すなわち、ピストン7の右方向移
動がある点でねじ12で拘止され、その拘止点は
ねじ12の回動操作で調整される。ピストン7の
右端部にはコアとして板状の非晶質金属軟磁性体
14の長手方向の一端部がリベツト15にてピス
トン7に固着される。又その非晶質金属軟磁性体
14の他端部はボルト16にてボデイ4に固着さ
れる。第1の内空間8が大気圧である第1図示状
態では、ねじ12の調整により突状鉤11がフラ
ンジ13に係合して、ピストン7は非晶質金属軟
磁性体14に応力を何ら生ぜしめない。外周に電
気コイル17を巻回したボビン18はボデイ4に
固定されるとともにそのボビン18の内孔19に
は非晶質金属軟磁性体14が挿通されている。フ
ランジ13の右側端に形成したストツパ20はピ
ストン7の右方変位を規制する。コイル17の両
端はそれぞれターミナル21および22(第1図
示略)を介してリード線23,24に接続され
る。25は第2の内空間9に大気を導入する孔を
示す。入口2から第1の内空間8に負圧が加わる
と、その負圧値に応じてダイヤフラム6及びピス
トン7がスプリング10の反撥力に抗して第1の
内空間8を縮める方向(左方)に作用し、このピ
ストン7の作用による荷重にて非晶質金属軟磁性
体14は第1図左方向への引張応力が生ずる。非
晶質金属軟磁性体14に生ずる引張応力は電気処
理回路もしくは論理処理電子装置で検出される。 第2a図は一つの電気処理回路100を示す。
回路100の定電圧電源端子101には一定レベ
ルの直流電圧(例えば+5V)が印加される。入
力端子102には、例えば5〜25KHzの電圧パル
スが印加され、該電圧パルスのプラス電圧区間に
NPNトランジスタ103が導通し、アースレベ
ル間NPNトランジスタ103は非導通となる。
PNPトランジスタ104はトランジスタ103
がオンの間オンとなり、オフの間オフとなる。し
たがつて電気コイル17には、入力端子102に
印加される電圧パルスのプラスレベル区間に定電
圧(Vcc)が印加され、アースレベル区間には電
圧は加わらない。コイル17に流れる電流に比例
した電圧が抵抗105に現われ、この電圧が抵抗
106とキヤパシタ107でなる積分回路で積分
され、積分電圧Vxが出力端108に現われる。
第2b図は第2a図に示す回路の入、出力電圧波
形を示す。入力電圧(IN)がプラスレベルに立
上つてから、抵抗105の電圧があるレベル以上
に立上るまでの時間tdおよび抵抗105の電圧a
の積分電圧Vxは非晶質金属軟磁性体14に生ず
る応力に対応する。 第3a図は他の一つの電気処理回路120を示
す。入力電圧(IN)がプラスレベルの間NPNト
ランジスタ103がオン、PNPトランジスタ1
04がオンして、コイル17に電圧が印加され
る。入力電圧(IN)がアースレベルの間トラン
ジスタ103がオフ、PNPトランジスタ104
がオフとなり、コイル17には電圧が印加されな
い。コイル電流は定電流接続とした接合形Nチヤ
ンネルFET1およびFET2に流れ、FET1およ
びFET2で一定レベル電流値に制御される。
FET2を流れる電流のレベルは可変抵抗122
で設定される。FET1およびFET2に接続され
たコイル端子の電圧は、反転増幅器IN1および
IN2で増幅および波形成形される。第3b図は
第3a図に示す回路の入、出力電圧波形を示す。
回路120の出力(OUT)は、入力パルス
(IN)よりもtdだけ遅れて立上る電圧パルスであ
り、このtdが非晶質金属軟磁性体14に生ずる応
力に対応する。tdは第4図に示す計数回路140
でデジタルコードで表わされる。回路140にお
いて、入力電圧(IN)の立上りでフリツプフロ
ツプF1がセツトされてそのQ出力が高レベル
「1」となり、アンドゲートA1がゲート開(オ
ン)となつてクロツクパルス発抗器141の発生
パルスがカウンタ142のカウントパルス入力端
CKに印加される。出力パルス(OUT)とF1の
Q出力がアンドゲートA2に印加され、出力パル
ス(OUT)が立上るとアンドゲートA2が高レ
ベル「1」に立上り、その立上り点でフリツプフ
ロツプF1がリセツトされそのQ出力が低レベル
「0」となる。これによりアンドゲートA1がゲ
ート閉(オフ)となり、カウンタ142へのクロ
ツクパルスは遮断される。アンドゲートA2の出
力が「1」になつたとき、ラツチ143にカウン
タ142のカウントコードが取り込まれる。フリ
ツプフロツプF1がリセツトされ、ラツチ143
にカウントコードが取り込まれた後に、アンドゲ
ートA3がクロツクパルスを出力し、カウンタ1
42をクリアする。ラツチ143の出力コードは
tdの間のクロツクパルス発生個数を示し、このコ
ードがTdを示すことになる。 第5図に示す電子処理ユニツト160は、1チ
ツプマイクロコンピユータ(大規模集積半導体装
置)161、増幅器162、定電流制御用の接合
形NチヤンネルFET1、抵抗163、キヤパシ
タ164、増幅器165およびフロツクパルス発
振器166で構成する。抵抗163とキヤパシタ
164は、入、出力パルス周波数よりも高い周波
数の電圧振動を吸収するフイルタを構成してい
る。マイクロコンピユータ161はクロツクパル
スを基本に5KHz〜30KHzの範囲内の一定周波数
のパルスを形成しこれを増幅器162に与える。
一方、マイクロコンピユータ161はNチヤンネ
ルFET1とコイル17の一端との接続点の電圧
(増幅器165の出力電圧)を監視し、それ自身
が出力したパルスの立上り点から増幅器165の
出力電圧の立上り点まで(td)の間クロツクパル
スをカウントし、tdを示すコードを出力する
(DATA OUT)。 以上のように、第1図に示す圧力センサー1に
は、各種の電気処理回路および論理処理電子装置
を接続して、圧力センサー1の非晶質金属軟磁性
体14に生ずる応力に対応した電気信号を得るこ
とができる。次に第1図に示す圧力センサー1お
よび前述の電気処理回路100,120,14
0、又は論理処理装置160で流体負圧に応じた
電気信号が得られることを説明する。まず圧力セ
ンサー1の、ダイヤフラム6、ピストン7および
スプリング10で入口2の流体負圧が非晶質金属
軟磁性体14に生ずる応力に変換される。そこで
次に非晶質金属軟磁性体14に生ずる引張応力が
電気信号に変換される点を第6c〜6d図に示す
実験データを参照して説明する。発明者(単数)
は、第6a,6b図に示す如く、非晶質金属軟磁
性体14の右端をダイス81にて固定し、その長
軸左方向なるX方向にプツシユプルゲージ(図示
略)にて引張荷重を作用させて、非晶質金属軟磁
性体14への引張荷重xに対するVxおよびtdを測
定した。形状の寸法a〜b及び非晶質金属軟磁性
体の材質等と測定データの対応関係を次のテーブ
ル1のケースNo.1〜2に示す。
【表】 ケースNo.1の場合には、第6c図に示すデータ
より、引張荷重xが0〜0.8Kgまで精度が高い電
圧Vxが得られることが分る。ケースNo.2の場合
には第6d図に示すデータより0〜0.3Kg及び0.3
〜0.8Kgの広い範囲に対してリニアリテイが高く、
しかも変化の大きい遅れ時間tdを得られる。 第2実施例(第7図〜第8図) 第7図に示す本発明の圧力センサー1ではボデ
イ4の右側端を開口にして、その開口端に長手状
のコア26の両端を支承可能な溝27,28が形
成されている。コア26は第1の内空間8が大気
圧であるときには、ピストン7の右側端に形成さ
れコア26の右側中央部に当接可能なピン29に
より第7図の如く溝27,28の左側に変位して
支承されかつ、コア26はピン29から何ら荷重
を受けない状態にねじ12にて調整され、コア2
6には何ら応力は生じていない。コア26は非晶
質金属軟磁性体14を例えばエポキシ樹脂、塩化
ビニル樹脂又はベリウム銅等の弾性体30に例え
ばエポキシ系接着剤(図示略)にて一体に接合し
た構成である。コア26の表面にはビニルテープ
(図示略)を巻いた後に巻方向が同一のコイル1
7aとコイル17bとを直列接続したコイル17
が巻回されている。ボデイ4の右側開口端は大気
連通孔25を有するカバー31がボルト32,3
3にて固定されている。入口2から第1の内空間
8に負圧が加わると、その負圧値に応じてダイヤ
フラム6及びピストン7がスプリング10の反撥
力に抗して第1の内空間8を縮める方向(左方)
に変位し、このピストン7の変位にて、コア26
はその中央部がピン29により加えられる荷重に
て左方へ湾曲することにより、弾性体30に一体
的に接合された非晶質金属軟磁性体14全体に圧
縮応力が生ずる。第7図に示す圧力センサー1は
第1図に示す圧力センサーと同様に前記の電気処
理回路100,120,140又は論理処理装置
160で流体負圧に応じた電気信号が得られるこ
とを説明する。まず、圧力センサー1のダイヤフ
ラム6、ピストン7およびスプリング10で入口
2の流体負圧が非晶質金属軟磁性体14の圧縮応
力に変換される。そこで次に非晶質金属軟磁性体
14の圧縮応力が電気信号に変換される点を第8
e〜8f図に示す実験データを参照して説明す
る。 発明者(単数)は第8a〜8d図に示す如く、
非晶質金属軟磁性体14をそれぞれ2枚づつエポ
キシ系接続剤にて一体に接着した2組を、更にエ
ポキシ系接着剤にてエポキシ樹脂製の基板30上
に平行に一体接合したコア26を、非晶質金属軟
磁性体14を上側にして支持台82,83に載置
して、コア26の上面中央部にY方向へプツシユ
プルゲージにて荷重を作用させて、非晶質金属軟
磁性体14への圧縮荷重yに対するVxおよびtd
測定した。形状の寸法a〜e及び非晶質金属軟磁
性体の材質等と測定データの対応関係を次のテー
ブル2のケースNo.3〜4に示す。
【表】 ケースNo.3の場合には第8e図に示すデータよ
り圧縮縮荷重yが0〜0.7Kgまで精度が高くしか
も変化の大きい電圧Vxが得られることが分る。
ケースNo.4の場合には第8f図に示すデータより
0〜0.2Kg及び0.4〜0.7Kgの範囲に対してリニアリ
テイが高く、しかも変化の大きい遅れ時間tdを得
られる。 第3実施例(第9図〜第10図) 第9図に示す圧力センサー1では第7図に示す
圧力センサー1と同様にコア26の中央部がピン
29の変位にて押圧付勢されるものであるが、コ
ア26はピン29との当接側に弾性体30を配置
し、その弾性体30の反対側に非晶質金属軟磁性
体14を一体的に接合する構成としている。従つ
て入口2から第1の内空間8に負圧が加わると、
その負圧値に応じてダイヤフラム6及びピストン
7がスプリング10の反撥力に抗して第1の内空
間8を縮める方向(左方)に変位し、このピスト
ン7の変位にて、コア26はその中央部がピン2
9により加えられる荷重にて左方へ湾曲すること
により、弾性体30に一体的に接合された非晶質
金属軟磁性体14全体に引張応力が生ずる。第9
図に示す圧力センサー1は第1図に示す圧力セン
サー1と同様に前述の電気処理回路100,12
0,140又は論理処理装置160で流体負圧に
応じた電気信号が得られることを説明する。まず
圧力センサー1のダイヤフラム6、ピストン7お
よびスプリング10で入口2の流体負圧が非晶質
金属軟磁性体14に生ずる引張応力に変換され
る。そこで次に非晶質金属軟磁性体14に生ずる
引張応力が電気信号に変換される点第10e〜1
0f図に示す実験データを参照して説明する。 発明者(単数)は、第10a〜10d図に示す
如く、非晶質金属軟磁性体14それぞれを2枚づ
つエポキシ系接着剤にて一体に接着した2組を、
更にエポキシ系接着剤にてエポキシ樹脂製の基板
30上に平行に一体接合したコア26を非晶質金
属軟磁性体14を下側にして、支持台82,83
に載置して、コア26の上面中央部にY方向へプ
ツシユプルゲージにて荷重を作用させて、非晶質
金属軟磁性体14への引張荷重xに対するVx
よびtdを測定した。形状の寸法a〜e及び非晶質
金属軟磁性体の材質等と測定データの対応関係を
前述のテーブル2のケースNo.5〜6に示す。 ケースNo.5の場合には、第10e図に示すデー
タより引張荷重yが0〜0.3Kgまで精度の高い電
圧Vxが得られることが分る。ケースNo.6の場合
には、第10f図に示すデータより0〜0.3Kgま
での範囲に対してリニアリテイが高く、しかも変
化の大きい遅れ時間tdを得られる。 第4実施例(第11図) 第11図に示す圧力センサー1では、第11図
状態よりも更に湾曲した形状をフリー状態形状と
する弾性体30の凸面側なる右側面に、非晶質金
属軟磁性体14をフリー状態の弾性体30と一体
的に接合して、コア26を構成し、このコア26
の両端は溝27,28に支承されるとともにコア
26の中央部をピストン7の右側端にカシメにて
結合されている。そして第1の空間8が大気圧で
あるときには、ねじ12の調整にてコア26は第
11図に示される如くピストン7により加えられ
る荷重にて予めフラツト方向へ変形付勢されて装
着されるもので、非晶質金属軟磁性体14全体は
その変形付勢により、初期圧縮応力が生じてい
る。ボビン18a,18bにそれぞれ同一方向に
巻回したコイル17aとコイル17bとは直列接
続されてコイル17を構成している。ストツパ2
0はコア26が反転するのを防止するためにピス
トン7の左方変位を規制している。従つて入口2
から第1の内空間8に負圧が加わるとその負圧値
に応じてダイヤフラム6及びピストン7がスプリ
ング10の反撥力に抗して第1の内空間8を縮め
る方向(左方)に変位し、このピストン7の変位
にて、コア26はフラツト方向へ変位することに
より、弾性体30に一体的に接合された非晶質金
属軟磁性体14に生ずる圧縮応力は、初期圧縮応
力からピストン7の左方変位に応じて増大する。
第11図に示す圧力センサー1は前述の電気処理
回路100,120,140又は論理処理装置1
60で流体負圧に応じた電気信号が得られる。 第5実施例(第12図) 第12図で示す圧力センサー1では、第12図
状態よりも更に湾曲した形状をフリー状態形状と
する弾性体30の凹面側なる左側面に、非晶質金
属軟磁性体14をフリー状態の弾性体30と一体
的に接合してコア26を構成する。そして第1の
内空間8が大気圧であるときには、ねじ12の調
整にてコア26は第12図に示される如くピスト
ン7により加えられる荷重にて予めフラツト方向
へ変形付勢されて装着されることから、非晶質金
属軟磁性体14全体はその変形付勢により、初期
引張応力が生じている。従つて入口2から第1の
内空間8に負圧が加わると、その負圧値に応じ
て、ダイヤフラム6及びピストン7がスプリング
10の反撥力に抗して第1の内空間8を縮める方
向(左方)に変位し、このピストン7の変位にて
コア26はフラツト方向へ変形することにより、
弾性体30に一体的に接合された非晶質金属軟磁
性体14に生ずる引張応力は初期引張応力からピ
ストン7の左方変位に応じて増大する。第12図
に示す圧力センサー1は前述の電気処理回路10
0,120,140又は論理処理装置160で流
体負圧に応じた電気信号が得られる。又、第11
図及び第12図に示す圧力センサーでは、コア2
6が第2の内空間9を縮め方向に付勢作用するこ
とから、スプリング10は付勢力の小さいものを
使用することができる。更に第11図及び第12
図に示す圧力センサーでは、非晶質金属軟磁性体
14には予め初期応力を生ぜしめて、圧力に対応
した電気信号の直線性の良い部分を使用するのに
適し、精度の良い電気信号が得られる。 第6実施例(第13図〜第14c図) 第13図に示す圧力センサー1では、第11図
の圧力センサーで使用したコア26の他にもう一
つのコア36を使用している。コア36はコア2
6と同様にフリー状態では、第13図状態よりも
更に湾曲した形状をフリー状態形状とする例えば
エポキシ樹脂、塩化ビニル樹脂又はベリリウム銅
等の弾性体37の凸面側なる左側面に非晶質金属
軟磁性体38を弾性体37のフリー状態形状時に
一体に接合した構成である。コア26及びコア3
6はその凸面側に一体的に接合した非晶質金属軟
磁性体14及び38がその中央部が当接した状態
で、ピストン7の右側端にカシメにて固定される
とともに各コアの両端はそれぞれ溝27,28の
左側端及びカバー31の左側端に支承される。そ
して第1の内空間8が大気圧であるときは、ねじ
12の調整にて第13図に示される如くピストン
7により加えられる荷重にて、両コア26,36
はフラツト方向へ変形付勢されて装着されること
により、非晶質金属軟磁性体14及び38にはそ
れぞれ予め同等の初期圧縮応力が生じている。コ
ア36にもコア26と同様にビニールテープを巻
いた後に巻方向が同一のコイル39aとコイル3
9bとを直列接続したコイル39が巻回されてい
る。又40,41はコイル39の両端のターミナ
ルを示す。なおストツパ20はコア26の反転防
止及びコア36の両端の支承保持のためにピスト
ン7の左方変位を規制している。入口2から第1
の内空間8に負圧が加わると、その負圧値に応じ
てダイヤフラム6及びピストン7がスプリング1
0の反撥力に抗して、第1の内空間8を縮める方
向(左方)に変位し、このピストン7の変位に
て、コア26はフラツト方向へ、又コア36はフ
リー状態方向へ変形することにより、コア26の
非晶質金属軟磁性体14に生ずる圧縮応力は初期
圧縮応力からピストン7の左方変位に応じて増大
し、又コア36の非晶質金属軟磁性体38に生ず
る圧縮応力は初期圧縮応力からピストン7の左方
変位に応じて減少する。 そして、第13図に示す圧力センサー1はそれ
ぞれ第14a,14b,14c図に示す電気処理
回路180,200及び論理処理装置220にて
流体負圧に応じた電気信号が得られる。 第14a図に示す電気処理回路180は第13
図に示す圧力センサー1のピストン7の作用に対
応したアナログ電圧Vxを生ずる。回路180に
おいて、入力電圧パルス(IN)のプラスレベル
の間NPNトランジスタ103がオン、アースレ
ベルの間103がオフとなる。トランジスタ10
3のコレクタ電圧は、2個の反転増幅器IN3お
よびIN4を通して増幅および波形整形されて
NPNトランジスタ121のベースに印加される。
それ故入力電圧パルス(IN)のプラスレベルの
間トランジスタ103がオン、121がオフで
PNPトランジスタ104がオフ、アースレベル
の間トランジスタ103がオフ、121がオンで
トランジスタ104がオンとなる。つまりコイル
17には、第3a図の回路120の動作と同様な
動作でパルス状に電圧が印加され、抵抗105
に、非晶質金属軟磁性体14に生ずる応力に対応
した入力電圧パルス(IN)の立上りからtd1遅れ
て立上る電圧パルスが現われる。もう一方の電気
コイル39にはPNPトランジスタ181を介し
て定電圧が印加される。このトランジスタ181
は、入力電圧パルス(IN)がプラスレベルの間、
トランジスタ103がオンで反転増幅器IN5の
出力がプラスレベルでNPNトランジスタ182
がオンであるため、オンであり、トランジスタ1
81は入力電圧パルス(IN)がアースレベルの
間オフである。これにより、第2の電気コイル3
9には、第1の電気コイル17に電圧が印加され
ていない間に一定電圧が印加され、コイル17に
電圧が印加されている間には電圧は印加されな
い。つまり入力電圧パルス(IN)に応じて、第
1および第2のコイル17,39には交互に一定
電圧が印加される。第2の電気コイル39には抵
抗183が接続されており、この抵抗に、非晶質
金属軟磁性体38に生ずる応力に対応した、入力
電圧パルス(IN)の立上りからtd2遅れて立上る
電圧パルスが現われる。抵抗105の電圧Vx1
キヤパシタ184の一方の電極に、また抵抗18
3の電圧Vx2はキヤパシタ184の他方の電極に
印加される。非晶質金属軟磁性体14及び38に
生ずる応力がそれぞれx1およびX2であり、x1
x2=K(定数)であるので、またVx1x1∝および
Vx2x2∝であるので、キヤパシタ184の両端
間の電位差はx1−x2に対応する。キヤパシタ18
4と抵抗185で積分回路が構成されているの
で、キヤパシタ184の電圧はx1−x2に対応す
る。ここでx2=K−x1であるから、x1−x2=2x1
+Kで、キヤパシタ184の電圧は2x1に対応す
る。つまり、コア26の非晶質金属軟磁性体14
を基点にとつてその非晶質金属軟磁性体14に生
ずる応力x1の2倍に対応するアナログ電圧が得ら
れる。キヤパシタ184の両端は、差動増幅設定
とした演算増幅器186に印加される。増幅器1
86のアナログ出力Vxは、したがつて2x1に対応
する。第14b図に示す電気処理回路200は、
二つの回路120のそれぞれで入力パルスの立上
りよりtd1およびtd2遅れたパルスが得られ、これ
らは2個の計数回路140のそれぞれに印加さ
れ、td1およびtd2を示すコードS18およびS29に変
換され、引算器201に印加される。引算器20
1はS18とS29を用いてtd1−td2の減算をして、td1
−td2つまり2x1を表わすデジタルコードSx=S18
−S29を出力する。第14c図に示す論理処理電
子装置220では、1チツプマイクロコンピユー
タ221が、まず、電気コイル17に接続された
回路120に1パルスを与えて、その立上りから
時間カウントを開始してtd1カウントデータS18を
作成して保持し、次に電気コイル39に接続され
た回路120に1パルスを与えてその立上りから
時間カウントを開始してtd2カウントデータS29を
作成して、td1−td2を演算してそれを示すコード
Sx=S18−S29を出力し、測定指令信号が与えら
れている間、これを継続する。 第7実施例(第15図) 第15図に示した圧力センサー1では、第13
図の圧力センサーとは、各弾性体30,37の凹
側に各非晶質金属軟磁性体14,38を一体的に
接合してコア26,36を構成した点のみが相違
する。この構成によれば、各コア26,36は第
15図に示す如くフラツト方向へ変形付勢されて
装着されることにより、第1の内空間8が大気圧
であるときは非晶質金属軟磁性体14,38には
それぞれピストン7により加えられる荷重にて予
め同等の初期圧縮応力が生じている。入口2から
第1の内空間8に負圧が加わると、その負圧値に
応じてダイヤフラム6及びピストン7がスプリン
グ10の反撥力に抗して、第1の内空間8を縮め
る方向(左方)に変位し、このピストン7の変位
にて、コア26はフラツト方向へ、又コア36は
フリー状態方向へ変位することにより、コア26
の非晶質金属軟磁性体14に生ずる引張応力は初
期引張応力からピストン7の左方変位に応じて増
大し、又コア36の非晶質金属軟磁性体38に生
ずる引張応力は初期引張応力からピストン7の左
方変位に応じて減少する。そして第15図に示す
圧力センサー1はそれぞれ第14a図、第14b
図、第14c図に示す電気処理回路180,20
0及び論理処理回路220にて流体負圧に応じた
電気信号が得られる。 第8実施例(第16図) 第16図に示した圧力センサー1では、長手状
の弾性体30,37のそれぞれの一端はブツシユ
42にて所定の離間をもつてカバー31をボデイ
4に取付けるボルト32にてボデイ4に固定され
る。弾性体30,37はフリー状態では平板状で
あり、その平板状態時に弾性体30の左面及び弾
性体37の右面にはそれぞれ非晶質金属軟磁性体
14,38が一体に接合されて、コア26,36
が構成される。コア26,36には非晶質金属軟
磁性体14,38が接合されている部分にコイル
17,39が巻回されている。弾性体30,37
の他端側の両者間にピストン7の右側端に形成さ
れたピン29が挿入されて、第1の内空間8が大
気圧である時には、コア26,36を第16図に
示す如くそれぞれ同等に湾曲させて、非晶質金属
軟磁性体14,38それぞれに予め同等の初期圧
縮応力を作用させている。入口2から第1の内空
間8に負圧が加わると、その負圧値に応じてダイ
ヤフラム6及びピストン7がスプリング10の反
撥力に抗して、第1の内空間8を縮める方向(左
方)に変位し、このピストン7の変位にて、コア
26は更に湾曲する方向へ変形し、又コア36は
フリー状態なるフラツト方向へ復帰することによ
り、コア26の非晶質金属軟磁性体14に生ずる
圧縮応力は初期圧縮応力からピストン7の左方変
位に応じて増大し、又コア36の非晶質金属軟磁
性体38に生ずる圧縮応力は初期引張応力からピ
ストン7の左方変位に応じて減少する。なお非晶
質金属軟磁性体14,38は弾性体30,37が
その変形により応力集中する位置即ち作用点なる
ピン29及び支点となるブツシユ42間の表面に
一体に接合すれば応力変化が大きくなり、非晶質
金属軟磁性体の透磁率変化を大きくすることがで
きる。そして第16図に示す圧力センサー1はそ
れぞれ第14a,14b,14c図に示す電気処
理回路180,200及び論理処理装置220に
て流体負圧に応じた電気信号が得られる。 第9実施例(第17図) 第17図に示した圧力センサー1は、第16図
に示した圧力センサー1とは非晶質金属軟磁性体
14を弾性体30の右面、又非晶質金属軟磁性体
38を弾性体37の左面にそれぞれ一体に接合し
てコア26,36を構成した点が相違する。この
構成によれば、第1の内空間8が大気圧であると
きには、非晶質金属軟磁性体14,38は第17
図の如くそれぞれ同等の初期引張応力を受けてい
る。入口2から第1の内空間8に負圧が加わる
と、その負圧値に応じてダイヤフラム6及びピス
トン7がスプリング10の反撥力に抗して、第1
の内空間8を縮める方向(左方)に変位し、この
ピストン7の変位にて、コア26は更に湾曲する
方向へ変形し、又コア36はフリー状態なるフラ
ツト方向へ復帰することにより、コア26の非晶
質金属軟磁性体14に生ずる引張応力は初期引張
応力からピストン7の左方変位に応じて増大し、
又コア36の非晶質金属軟磁性体38に生ずる引
張応力は初期引張応力からピストン7の左方変位
に応じて減少する。そして第17図に示す圧力セ
ンサー1はそれぞれ第14a,14b,14c図
に示す電気処理回路180,200及び論理処理
装置220にて流体負圧に応じた電気信号が得ら
れる。 そして第13,15,16,17図に示した圧
力センサーは非晶質金属軟磁性体から構成される
コアを2組使用して、一方は圧力に応じて応力を
増大させ、又その他方は圧力に応じて応力を減少
させて、両非晶質金属軟磁性体の応力変化による
透磁率変化の差を検出することにより、その透過
率変化に応じた信号を増幅できるのみならず、た
とえ圧力検出作動中に外部磁界が作用したとして
も、その外部磁界による非晶質金属軟磁性体の透
磁率変化分は相殺され、外部磁界による影響は何
ら生じないものである。 第10実施例(第18図) 第18図に示した圧力センサー1では、長手状
の弾性体30の一端はブツシユ42とカバー32
の間にボルト32にて圧着して固定されている。
コア26は非晶質金属軟磁性体14を弾性体30
の右面には第18図に示す如く一体に接合して構
成される。コア26に非晶質金属軟磁性体14が
接合された部分にコイル17が巻回されている。
コア26は第1の内空間8が大気圧であるときに
は、ピストン7の右側端に形成されて、弾性体3
0の他端側の右面に当接可能なピン29から、何
ら荷重を受けない状態にねじ12にて調整され、
非晶質金属軟磁性体14には何ら応力は生じてい
ない。そして入口2から第1の内空間8に負圧が
加わると、その負圧値に応じてダイヤフラム6及
びピストン7がスプリング10の反撥力に抗して
第1の内空間8を縮める方向(左方)に変位し、
このピストン7の変位にて、コア26はその他端
側がピン29により加えられる荷重にて左方へ湾
曲することにより、弾性体30と一体に接合され
た非晶質金属軟磁性体14全体に引張応力が生ず
る。 第18図に示す圧力センサー1は前述の電気処
理回路100,120,140又は論理処理装置
160で流体負圧に応じた電気信号が得られるこ
とを説明する。まず圧力センサー1のダイヤフラ
ム6、ピストン7およびスプリング10で入口2
の流体負圧が非晶質金属軟磁性体14の引張応力
に変換される。そこで次に非晶質金属軟磁性体1
4の引張応力が電気信号に変換される点を第19
e〜19h図に示す実験データを参照して説明す
る。 発明者(単数)は、第19a〜19d図に示す
如く非晶質金属軟磁性体14それぞれを2枚づつ
エポキシ系接着剤にて一体に接着した2組を、更
にエポキシ樹脂製の基板30上に平行に一体接合
したコア26を、非晶質金属軟磁性体14を上側
にして、コア26の左端をダイス81にて固定し
た。そのコア26の右端から5mmの位置にダイヤ
ルゲージ(図示略)をセツトして、コア26のY
方向へのたわみ量Zに対するVxおよびtdの測定を
した。又コア26のその位置でプツシユブルゲー
ジ(図示略)にてY方向へ荷重を作用させて、非
晶質金属軟磁性体14への引張荷重xに対する
Vxおよびtdを測定した。形状の寸法a〜e及び非
晶質金属軟磁性体の材質等と測定データの対応関
係を次のテーブル3のケースNo.7〜10に示す。
【表】 ケースNo.7の場合には、第19e図に示すデー
タよりたわみ量Zが0〜18mmの範囲で精度の高い
電圧Vxが得られることが分る。 ケースNo.8の場合には、第19f図に示すデー
タよりたわみ量Zが0〜9mm及び10〜18mmの範囲
に対してリニアリテイが高く、しかも変化の大き
い遅れ時間tdを得られる。 ケースNo.9の場合には、第19g図に示すデー
タより引張荷重yが0〜100gの範囲で精度の高
い電圧Vxが得られることが分る。 ケースNo.10の場合には、第19h図に示すデー
タより0〜0.1Kgまでの範囲に対してリニアリテ
イが高く、しかも変化の大きい遅れ時間Tdを得
られる。 第11実施例(第20図) 第20図に示した圧力センサー1では、第18
図に示した圧力センサーとは、非晶質金属軟磁性
体14を弾性体30の左面に一体に接合してコア
26を構成した点が相違する。この構成によれ
ば、入口2から第1の内空間8に負圧が加わる
と、その負圧値に応じてダイヤフラム6及びピス
トン7がスプリング10の反撥力に抗して第1の
内空間8を縮める方向(左方)に変位し、このピ
ストン7の変位にて、コア26は他端側(ピン2
9との当接側)がピン29により加えられる荷重
にて左方へ湾曲することにより、弾性体30と一
体に接合された非晶質金属軟磁性体14全体に圧
縮応力が生ずる。 第20図に示す圧力センサーは前述の電気処理
回路100,120,140又は論理処理装置1
60で流体負圧に応じた電気信号が得られること
を説明する。まず圧力センサー1のダイヤフラム
6、ピストン7およびスプリング10で入口2の
流体負圧が非晶質金属軟磁性体14の圧縮応力に
変換される。そこで次に非晶質金属軟磁性体14
の圧縮応力が電気信号に変換される点を第21e
〜21h図に示す実験データを参照して説明す
る。 発明者(単数)は、第21a〜21d図に示す
如く非晶質金属軟磁性体14それぞれを2枚づつ
エポキシ系接着剤にて一体に接着した2組を更に
エポキシ樹脂製の基板30上に平行に一体接合し
たコア26を非晶質金属軟磁性体14を下側にし
て、コア26の左端をダイス81にて固定した。
そのコア26の右端から5mmの位置にダイヤルゲ
ージ(図示略)をセツトして、コア26のY方向
へのたわみ量Zに対するVxおよびtdの測定をし
た。又コア26のその位置でプツシユブルゲージ
(図示略)にてY方向へ荷重を作用させて、非晶
質金属軟磁性体14への圧縮荷重yに対するVx
およびtdを測定した。形状の寸法a〜e及び非晶
質金属軟磁性体の材質等と測定データの対応関係
を前述のテーブル3のケースNo.11〜14に示す。 ケースNo.11の場合には、第21e図に示すデー
タよりたわみ量が0〜3mmの範囲で精度の高い電
圧Vxが得られる。 ケースNo.12の場合には、第21f図に示すデー
タよりたわみ量が0〜0.8mm及び0.9〜2mmの範囲
でリニアリテイが高く、しかも変化の大きい遅れ
時間tdを得られる。 ケースNo.13の場合には、第21g図に示すデー
タより圧縮荷重yが0〜150gの範囲で精度の高
い電圧Vxが得られる。 ケースNo.14の場合には、第21h図に示すデー
タより圧縮荷重yが0〜0.1Kg及び0.2〜0.35Kgの
範囲内でリニアリテイが高く、しかも変化の大き
い遅れ時間tdを得られる。 第12実施例(第22図) 第22図の圧力センサー1では、図示の如く対
象に配置した弾性体30a,30bのそれぞれの
一端をボデイ4にボルト43,44にて固定され
る。非晶質金属軟磁性体14は弾性体30aの他
端側の下面及び弾性体30bの上面にそれぞれ非
晶質金属軟磁性体14a,14bが一体に接合さ
れて、コア26が構成される。非晶質金属軟磁性
体14aにコイル17aが巻かれ、又非晶質金属
軟磁性体14bには、コイル17と直列に接続さ
れるとともにコイル17aとは巻方向が逆なるコ
イル17bが巻かれて、コイル17が構成され
る。ピストン7の右側端部には弾性体30aの下
面及び弾性体30bの上面に当接可能なスライダ
45が固定される。このスライダ45はボテイ4
に形成したガイド46にて軸方向に変位可能に案
内される。第1の内空間8が大気圧であるときに
は、スプリング10のリテーナ47の位置を変位
なすねじ12の調整にて、スライダ45はガイド
46の先端なる左端に当接した図示位置に変位し
て、各弾性体30a,30bを拡開方向へ変形付
勢させて、各弾性体30a,30bと一体に接合
された各非晶質金属軟磁性体14a,14bには
それぞれ同等の初期引張応力が生じている。そし
て入口2から第1の内空間8に負圧が加わると、
その負圧値に応じてダイヤフラム6及びピストン
7がスプリング10の反撥力に抗して第1の内空
間8を縮める方向(左方)に変位し、この各ピス
トン7及びスライダ45の変位にて、各弾性体3
0a,30bはその変形付勢が弱められる二点鎖
線に示す位置方向へ変位する。従つて負圧値に応
じて各非晶質金属軟磁性体14a,14bに生ず
る引張応力は初期引張応力からそれぞれ同等に減
少する。なおこの様に応力変化する非晶質金属軟
磁性体14a,14bに巻回したコイルは一方の
コイルの巻方向とは逆方向に巻回したコイルを直
列接続する構成とすれば、各部磁界が作用して
も、両コイルにて外部磁界による影響を相殺で
き、流体負圧に応じた精度の良い電気信号が得ら
れるものである。 第22図に示す圧力センサー1は、前述の電気
処理回路100,120,140又は論理処理装
置160で流体負圧に応じた電気信号が得られ
る。 第13実施例(第23図) 第23図に示す圧力センサー1では、第22図
に示した圧力センサーとは、非晶質金属軟磁性体
14aを弾性体30aの上面そして非晶質金属軟
磁性体14bの下面に一体に接合してコア26を
構成した点が相違する。この構成によれば第1の
内空間8が大気圧であるときには、各非晶質金属
軟磁性体14a,14bにはそれぞれ同等の初期
圧縮応力が生じている。入口2から第1の内空間
8に負圧が加わると、その負圧値に応じて変位す
るスライダ45により、弾性体30a,30bの
変形付勢は弱められて、各非晶質金属軟磁性体1
4a,14bに生ずる圧縮応力は初期圧縮応力か
らそれぞれ同等に減少する。 第23図に示す圧力センサー1は、前述の電気
処理回路100,120,140又は論理処理装
置160で流体負圧に応じた電気信号が得られ
る。 上述した各実施例に於ては、測定される流体圧
が負圧の例を示したが、ダイヤフラムとピストン
を付勢するスプリングを大気等の所定圧力が封入
もしくは通流される第2の内空間側に配置すれ
ば、正圧の変化を検出する圧力センサーとして構
成することは容易に考慮できることであろう。同
様に測定される流体圧は液圧であつても良い。 以上本発明の好ましい実施例を開示したが、本
発明の思想を逸脱することなく、これを変形又は
変更することは可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1実施例の圧力センサーの
縦断面図、第2a図は圧力センサーの電気コイル
17に接続され、検出圧に対応したレベルのアナ
ログ電圧を生ずる電気処理回路100を示す回路
図、第2b図は第2a図に示す電気処理回路10
0の入、出力信号を示す波形図、第3a図は圧力
センサーの電気コイル17に接続され、検出圧に
対応した時間差のパルスを生ずる電気処理回路1
20を示す回路図、第3b図は第3a図に示す電
気処理回路120の入、出力信号を示す波形図、
第4図は第3a図に示す電気処理回路120の
入、出力パルス時間差をデジタルコードに変換す
る計数回路140を示すブロツク図、第5図は圧
力センサーの電気コイル17に接続され、1チツ
プマイクロコンピユータで圧力センサーの電気コ
イル17に印加するパルス電圧に対する電気コイ
ル17に流れる電流の立上りの遅れ時間を計数す
る電子処理ユニツト160を示すブロツク図、第
6a図は非晶質金属軟磁性体14を長手方向に引
張荷重を作用させて、その荷重に対応した表示電
圧Vx及びパルス時間差tdを実験で求めた時の非晶
質金属軟磁性体14の寸法関係を示す斜視図、第
6b図は非晶質金属軟磁性体14を長手方向なる
X方向に引張荷重を作用させる実験の配置関係を
示す正面図、−電気コイル17は図示略とした−、
第6c図は第6a,6b図に示す寸法及び配置関
係で電気コイル17には第2a図に示す電気処理
回路100に接続して、引張荷重xに対する表示
電圧Vxを測定したデータを示すグラフ、第6d
図は第6a,6b図に示す寸法及び配置関係で、
電気コイル17には第3a図に示す電気処理回路
120を接続して、引張荷重xに対する時間差td
を測定したデータを示すグラフ、第7図は本発明
の第2実施例の圧力センサーの縦断面図、第8a
図はコア26の長手方向中央部に垂直方向上方か
ら荷重を作用させて、その荷重に対応した表示電
圧Vx及びパルス時間差tdを実験で求めた時のコア
26の斜視図、第8b図は第8a図に示したコア
26の平面図−電気コイル17は図示略とした
−、第8c図は第8b図の右側面図、第8d図は
第8a〜8c図にて示したコア26において、非
晶質金属軟磁性体14に対して圧縮荷重を作用さ
せる実験の配置関係を示す正面図−電気コイル1
7は図示略とした−、第8e図は第8a〜8d図
に示す寸法及び配置関係で、電気コイル17には
第2a図に示す電気処理回路100に接続して、
圧縮荷重yに対する表示電圧Vxを測定したデー
タを示すグラフ、第8f図は第8a〜8d図に示
す寸法及び配置関係で、電気コイル17には第3
a図に示す電気処理回路120を接続して、圧縮
荷重yに対する時間差tdを測定したデータを示す
グラフ、第9図は本発明の第3実施例の圧力セン
サーの縦断面図、第10a図はコア26の長手方
向中央部に垂直方向上方から荷重を作用させ、そ
の荷重に対応した表示電圧Vx及びパルス時間差td
を実験で求めた時のコア26の斜視図、第10b
図は第10a図に示したコア26の底面図−電気
コイル17は図示略とした−、第10c図は第1
0b図の右側面図、第10d図は第10a〜10
c図にて示したコア26において、非晶質金属軟
磁性体14に対して引張荷重を作用させる実験の
配置関係を示す正面図−電気コイル17は図示略
とした−、第10e図は第10a〜10d図に示
す寸法及び配置関係で、電気コイル17には第2
a図に示す電気処理回路100に接続して、引張
荷重xに対する表示電圧Vxを測定したデータを
示すグラフ、第10f図は第10a〜10d図に
示す寸法及び配置関係で、電気コイル17には第
3a図に示す電気処理回路120を接続して、引
張荷重yに対する時間差tdを測定したデータを示
すグラフ、第11図は本発明の第4実施例の圧力
センサーの縦断面図、第12図は本発明の第5実
施例の圧力センサーの縦断面図、第13図は本発
明の第6実施例の圧力センサーの縦断面図、第1
4a図は圧力センサーの電気コイル17,39に
接続され、検出圧に対応したレベルのアナログ電
圧を生ずる電気処理回路180を示す回路図、第
14b図は圧力センサーの電気コイル17,39
に接続され、検出圧に対応したデジタルコードを
生ずる電気処理回路200の構成を示すブロツク
図、第14c図は圧力センサーの電気コイル1
7,39に接続され、検出圧に対応したデジタル
コードを生ずる論理処理電子装置220の構成を
示すブロツク図、第15図は本発明の第7実施例
の圧力センサーの縦断面図、第16図は本発明の
第8実施例の圧力センサーの縦断面図、第17図
は本発明の第9実施例の圧力センサーの縦断面
図、第18図は本発明の第10実施例の圧力センサ
ーの縦断面図、第19a図はコア26の一端のた
わみ変形又はその一端に荷重を作用させ、そのた
わみ量、作用なした荷重に対応した表示電圧Vx
及びパルス時間差tdを実験で求めた時のコア26
の斜視図、第19b図は第19a図に示したコア
26の平面図−電気コイル17は図示略とした
−、第19c図は第19b図の右側面図、第19
d図は第19a〜19c図にて示したコア26に
おいて、非晶質金属軟磁性体14のたわみ量、引
張荷重を作用させる実験の配置関係を示す正面図
−電気コイル17は図示略とした−、第19e図
は第19a〜19d図に示す寸法及び配置関係
で、電気コイル17には第2a図に示す電気処理
回路100に接続して、たわみ量zに対する表示
電圧Vxを測定したデータを示すグラフ、第19
f図は第19a〜19d図に示す寸法及び配置関
係で、電気コイル17には第3a図に示す電気処
理回路120に接続して、たわみ量zに対する時
間差tdを測定したデータを示すグラフ、第19g
図は第19a〜19d図に示す寸法及び配置関係
で電気コイル17には第2a図に示す電気処理回
路100に接続して、引張荷重xに対する表示電
圧Vxを測定したデータを示すグラフ、第19h
図は第19a〜19d図に示す寸法及び配置関係
で、電気コイル17には第3a図に示す電気処理
回路120を接続して、引張荷重xに対する時間
差tdを測定したデータを示すグラフ、第20図は
本発明の第11実施例の圧力センサーの縦断面図、
第21a図はコア26の一端のたわみ変形又はそ
の一端に荷重を作用させ、そのたわみ量、作用な
した荷重に対応した表示電圧Vx及びパルス時間
差tdを実験で求めた時のコア26の斜視図、第2
1b図は第21a図に示したコア26の底面図−
電気コイル17は図示略とした−、第21c図は
第21b図の右側面図、第21d図は第21a〜
21c図に示したコア26において、非晶質金属
軟磁性体14のたわみ量、圧縮荷重を作用させる
実験の配置関係を示す正面図−電気コイル17は
図示略とした−、第21e図は第21a〜21d
図に示す寸法及び配置関係で、電気コイル17に
は第2a図に示す電気処理回路100に接続し
て、たわみ量Zに対する表示電圧Vxを測定した
データを示すグラフ、第21f図は第21a〜2
1d図に示す寸法及び配置関係で、電気コイル1
7には第3a図に示す電気処理回路120に接続
して、たわみ量Zに対する時間差tdを測定したデ
ータを示すグラフ、第21g図は第21a〜21
d図に示す寸法及び配置関係で、電気コイル17
には第2a図に示す電気処理回路100に接続し
て、圧縮荷重yに対する表示電圧Vxを測定した
データを示すグラフ、第21h図は第21a〜2
1d図に示す寸法及び配置関係で、電気コイル1
7には第3a図に示す電気処理回路120に接続
して、圧縮荷重yに対する時間差tdを測定したデ
ータを示すグラフ、第22図は本発明の第12実施
例の圧力センサーの縦断面図、及び第23図は本
発明の第13実施例の圧力センサーの縦断面図であ
る。 3……第1ボデイ、4……第2ボデイ、8……
第1の内空間、9……第2の内空間、2……入
口、10……スプリング、14……非晶質金属軟
磁性体、17……電気コイル。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 ケーシングの内部に位置してケーシングの内
    部を第1の空間と第2の空間に区分する可動体、
    第1の空間に連通する流体ポート、可動体を圧力
    に抗する方向に付勢するばね手段、可動体に連結
    されて可動体の作用により応力が生ずる非晶質金
    属軟磁性体コア手段、非晶質金属軟磁性体コア手
    段に巻回された電気コイル手段、および、該電気
    コイル手段に接続され、電気コイル手段に電圧を
    印加し、前記非晶質金属軟磁性体コア手段が磁気
    飽和したときにその出力信号を切り換える検出手
    段、を備える圧力センサー。 2 非晶質金属軟磁性体コア手段は弾性体の表面
    に非晶質金属軟磁性体を一体に接合した前記特許
    請求の範囲第1項記載の圧力センサー。 3 可動体はダイヤフラムとそれに固着されたピ
    ストンで構成され、ピストンに非晶質金属軟磁性
    体コア手段が連結された前記特許請求の範囲第1
    項記載の圧力センサー。 4 非晶質金属軟磁性体コア手段は第2の空間に
    配置された前記特許請求の範囲第1項記載の圧力
    センサー。 5 予め初期応力が非晶質金属軟磁性体コア手段
    に生ぜしめる手段を可動体に設けた前記特許請求
    の範囲第1項記載の圧力センサー。 6 非晶質金属軟磁性体コア手段を2組対向して
    配置し、可動体の作用により、一方の非晶質金属
    軟磁性体コア手段に生ずる応力は初期応力から増
    大し、又他方の非晶質金属軟磁性体コア手段に生
    ずる応力は初期応力から減少する前記特許請求の
    範囲第5項記載の圧力センサー。 7 前記検出手段は、定電圧を発生する定電圧発
    生手段と、その両端の電気的接続を遮断・結合す
    るスイツチング手段と、電流検出手段を備え、前
    記電気コイル手段とスイツチング手段と電流検出
    手段は前記定電圧発生手段の+端子と−端子間に
    直列に接続されており、前記検出手段は、前記ス
    イツチング手段を電気的に結合し、前記電流検出
    手段の検出する電流が所定値以上になつたときを
    前記非晶質金属軟磁性体コア手段が磁気飽和した
    ときとして出力信号を切り換える、前記特許請求
    の範囲第1項記載の圧力センサー。
JP56131999A 1980-08-29 1981-08-21 Pressure sensor Granted JPS5772037A (en)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/182,848 US4339956A (en) 1980-08-29 1980-08-29 Pressure sensor

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Publication Number Publication Date
JPS5772037A JPS5772037A (en) 1982-05-06
JPS6355015B2 true JPS6355015B2 (ja) 1988-11-01

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JP56131999A Granted JPS5772037A (en) 1980-08-29 1981-08-21 Pressure sensor

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DE (1) DE3133065A1 (ja)

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Also Published As

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DE3133065A1 (de) 1982-04-01
US4339956A (en) 1982-07-20
JPS5772037A (en) 1982-05-06

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