JPS6354619A - 静電容量型の座標検出装置 - Google Patents
静電容量型の座標検出装置Info
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- JPS6354619A JPS6354619A JP61198132A JP19813286A JPS6354619A JP S6354619 A JPS6354619 A JP S6354619A JP 61198132 A JP61198132 A JP 61198132A JP 19813286 A JP19813286 A JP 19813286A JP S6354619 A JPS6354619 A JP S6354619A
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- capacitance
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- Pending
Links
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Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は操作者によって指示さ九た位置を静電容量の変
化として検出する座標検出装置に係り、さらに具体的に
は検出すべき座標位置に対応して配置した複数のタッチ
検出電極と当該検出電極の静電容量の変化を検出するタ
ッチ検出装置の構造の改良に関するものである。
化として検出する座標検出装置に係り、さらに具体的に
は検出すべき座標位置に対応して配置した複数のタッチ
検出電極と当該検出電極の静電容量の変化を検出するタ
ッチ検出装置の構造の改良に関するものである。
静電容量？利用して指示さｎた位置全検出する装置は人
体等が指示する接舷部は、電極だけ存在すればよく、従
来周知のキースイッチの如き機械的な接点全必要としな
いので、透明な導電性薄膜を蒸着した電極基板を用い之
検出パネルの透明化が容易に可能となる。
体等が指示する接舷部は、電極だけ存在すればよく、従
来周知のキースイッチの如き機械的な接点全必要としな
いので、透明な導電性薄膜を蒸着した電極基板を用い之
検出パネルの透明化が容易に可能となる。
そのｋめ表示装置等と組合わさ九で、情報入力手段とし
て近年注目を集めている。
て近年注目を集めている。
すなわち表示装置の表示面前面に透明化され次位置検出
用のパネルを設置、情報の表示位置に対応するパネル上
の接触部を指示することにより所望の情報を入力するも
のである。
用のパネルを設置、情報の表示位置に対応するパネル上
の接触部を指示することにより所望の情報を入力するも
のである。
このような座標検出装置に用いられているタッチ式座標
検出パネルを図−１１図−２に示す。すなわち、図−１
はタッチ式座標検出パネルの構造を示す要部である。
検出パネルを図−１１図−２に示す。すなわち、図−１
はタッチ式座標検出パネルの構造を示す要部である。
図−２は図−１におけるＡ −Ａ’断面図である。
図において１は例えば、従来ガラス基板であって、その
ガラス基板の上には検出電極が行列状に配置され、それ
ら検出電極２は細い導電体により検出回路に接続される
。各検出電柩２はその表面に誘電体膜を形放し１通常は
１対の検出電極は、ある微小な静電容量でもって結合し
ている。その１対の検出電砥部の中間部分を指で接触す
ることによフ、検出電極間の静電容量に指の静電容量型
付加して、検出電極間の静電容量の変化がもたらされる
。ところで、このような構造の静電容量塁の座標検出パ
ネルでは、誘電体の誘電率により又厚さにより検出感度
は犬きく左右される。通常はガラス基板に誘電体を薄く
蒸着してい友が、製作費用が高価であった。また、フィ
ルム基板の導電膜はガラス基板への密着力より弱くはが
れやすい。この上に誘電体を蒸着することは、さらに密
着力の弱い誘電体膜を形成し問題があった。従って静電
容量型の座標位置検出装置には、フィルム基板を用いる
ことは間厘であった。
ガラス基板の上には検出電極が行列状に配置され、それ
ら検出電極２は細い導電体により検出回路に接続される
。各検出電柩２はその表面に誘電体膜を形放し１通常は
１対の検出電極は、ある微小な静電容量でもって結合し
ている。その１対の検出電砥部の中間部分を指で接触す
ることによフ、検出電極間の静電容量に指の静電容量型
付加して、検出電極間の静電容量の変化がもたらされる
。ところで、このような構造の静電容量塁の座標検出パ
ネルでは、誘電体の誘電率により又厚さにより検出感度
は犬きく左右される。通常はガラス基板に誘電体を薄く
蒸着してい友が、製作費用が高価であった。また、フィ
ルム基板の導電膜はガラス基板への密着力より弱くはが
れやすい。この上に誘電体を蒸着することは、さらに密
着力の弱い誘電体膜を形成し問題があった。従って静電
容量型の座標位置検出装置には、フィルム基板を用いる
ことは間厘であった。
本発明は前述の点に鑑みなされたもので、フィルム基板
？用い、しかも誘電体に高分子誘電体を利用し、しかも
誘電率の異なる誘電体を用いることにより、簡単に製作
ができ、しかも安定な位置検出が可能な静電容量型座標
検出パネルの提供を目的とするものである。
？用い、しかも誘電体に高分子誘電体を利用し、しかも
誘電率の異なる誘電体を用いることにより、簡単に製作
ができ、しかも安定な位置検出が可能な静電容量型座標
検出パネルの提供を目的とするものである。
本発明による静電容量型庄原検出パネルはフィルム基板
上に検出すべき淫探位置に対応して、隣接配置し几複数
の検出篭筒をそなえ、さらに轟該複数の検出電極表面を
それぞれ誘電率の異なる高分子誘電体膜、例えば透明な
樹脂又はインキで被覆して、１対の検出電極を静電容量
結合させる。
上に検出すべき淫探位置に対応して、隣接配置し几複数
の検出篭筒をそなえ、さらに轟該複数の検出電極表面を
それぞれ誘電率の異なる高分子誘電体膜、例えば透明な
樹脂又はインキで被覆して、１対の検出電極を静電容量
結合させる。
こ０静電容量変化はそれぞれのキーにより異なる。
従って、この静電容量の変化の相違を明確に区別する回
路を用いることにより入カキ−の位置を検出することを
特薇とするものである。
路を用いることにより入カキ−の位置を検出することを
特薇とするものである。
以下本発明の実施例につき、図面を参照して説明する。
図−１は本発明によるタッチ式座凛検呂ハネルの１例の
構造を示す要部上面図である。図−２は図−１における
Ａ −Ａ’断面図である。両図に示すように、フィルム
基板にインジューム・スズ・酸化物［ＩＴＯ］を２００
〜３ｏｏＡ蒸着し之導電性フィルムを＜シ型の２つを１
対とする検出電極をエツチングして形成する。この検出
電極の表面（ａ）部を０．１冨〜０．３ ｗｎのアクリ
ル系樹脂（大日本インキ製；商品名Ｐ−１３３０１を塗
布しｆｃｏ（ｂ）部には。
構造を示す要部上面図である。図−２は図−１における
Ａ −Ａ’断面図である。両図に示すように、フィルム
基板にインジューム・スズ・酸化物［ＩＴＯ］を２００
〜３ｏｏＡ蒸着し之導電性フィルムを＜シ型の２つを１
対とする検出電極をエツチングして形成する。この検出
電極の表面（ａ）部を０．１冨〜０．３ ｗｎのアクリ
ル系樹脂（大日本インキ製；商品名Ｐ−１３３０１を塗
布しｆｃｏ（ｂ）部には。
同様に７リカ系樹脂（信越シリコン製；商品名ＫＲ−２
５１１を塗布した。（Ｃ）部、（ｄ）部にはそれぞれウ
レタン系樹脂（犬日本インキ製ＣＬ−２１゜（日本アテ
ンン製、アテノンメジ二−ム５Ｓ−２４１１２１’ｒ塗
布し１図−１に示す検出回路を結合して動作させ友とこ
ろ、（ａ） 、 （ｂ） 、 （Ｃ） 、 （ｄ）部に
ついて電極に指を接触しない状態でパルス発振回路から
は２６．４ ＫＨｚそれぞれ検出され、この時のＦ−■
変換回路の出力は約１４Ｖであっ之。次に指を接触した
状態でパルス発振周波数およびＦ−Ｖ変換回路の出力は
次のような値となった。
５１１を塗布した。（Ｃ）部、（ｄ）部にはそれぞれウ
レタン系樹脂（犬日本インキ製ＣＬ−２１゜（日本アテ
ンン製、アテノンメジ二−ム５Ｓ−２４１１２１’ｒ塗
布し１図−１に示す検出回路を結合して動作させ友とこ
ろ、（ａ） 、 （ｂ） 、 （Ｃ） 、 （ｄ）部に
ついて電極に指を接触しない状態でパルス発振回路から
は２６．４ ＫＨｚそれぞれ検出され、この時のＦ−■
変換回路の出力は約１４Ｖであっ之。次に指を接触した
状態でパルス発振周波数およびＦ−Ｖ変換回路の出力は
次のような値となった。
１１ （ａ）ｍｃツイテは ８．５ ＫＨｚで ６Ｖ
２］ （ｂ）部については ７．０ＫＨｚで ７Ｖ３
］ （ｃ）部叫ついて’ｔ’： ２０． ＯＫＨｚで
１２Ｖ４１ （ｄ）部にツｌ／１ては２６、ＯＫＨｚ
で１３Ｖ従って、上記検出電圧をＡ／Ｄ変換して比較す
ることにより、接触の有無と同時に接触した場所を即時
に判断できる静電容量検出座標装置が可能となっ之。
２］ （ｂ）部については ７．０ＫＨｚで ７Ｖ３
］ （ｃ）部叫ついて’ｔ’： ２０． ＯＫＨｚで
１２Ｖ４１ （ｄ）部にツｌ／１ては２６、ＯＫＨｚ
で１３Ｖ従って、上記検出電圧をＡ／Ｄ変換して比較す
ることにより、接触の有無と同時に接触した場所を即時
に判断できる静電容量検出座標装置が可能となっ之。
以上の説明から明らかなように１本発明はフィルム基板
上に誘電率の異なる高分子誘電体を各入力キー毎に塗布
すると、指入力時の静電容量変化が各入力キー毎に相違
する。
上に誘電率の異なる高分子誘電体を各入力キー毎に塗布
すると、指入力時の静電容量変化が各入力キー毎に相違
する。
このことを利用することよシ、入力感知と同時に入力位
置が即時にわかり、複雑なタイミング処理することなく
位置入力ができる。しかも高分子誘電体はスクリーン印
刷による誘電体層の形成により従来に比べて工程が簡略
でき、安価に製造することができるので実用性が大きい
。
置が即時にわかり、複雑なタイミング処理することなく
位置入力ができる。しかも高分子誘電体はスクリーン印
刷による誘電体層の形成により従来に比べて工程が簡略
でき、安価に製造することができるので実用性が大きい
。
図−１はキー毎に静電容量変化の異なるタッチパネルと
、°この変化をパルス発振周波数に変換し、さらに周波
数−電圧変換回路を組合せた座標位置検出装置の一例の
構成を示す要部原理図である。 図−２は図−１におけるＡ −Ａ’断面図である。 （１） フィルム基板 （２）検出電極 （３）誘電体、嗅（ａ） （４） 、 （ｂ） （５） ミラー積分回路 （６）パルス発振回路 （７）Ｆ−Ｖ変換回路 （８） Ａ／Ｄ変換回路 （９）検出電極切りかえ回路 αＱ指 特許出題人 ダイセル化学工業株式会社代理人弁理士
越 場 隆 図−１タッチ式静電容量型座標検出装置要部上面図図−
２断面Ａ−Ａ’
、°この変化をパルス発振周波数に変換し、さらに周波
数−電圧変換回路を組合せた座標位置検出装置の一例の
構成を示す要部原理図である。 図−２は図−１におけるＡ −Ａ’断面図である。 （１） フィルム基板 （２）検出電極 （３）誘電体、嗅（ａ） （４） 、 （ｂ） （５） ミラー積分回路 （６）パルス発振回路 （７）Ｆ−Ｖ変換回路 （８） Ａ／Ｄ変換回路 （９）検出電極切りかえ回路 αＱ指 特許出題人 ダイセル化学工業株式会社代理人弁理士
越 場 隆 図−１タッチ式静電容量型座標検出装置要部上面図図−
２断面Ａ−Ａ’
Claims (1)
- プラスチックフィルム、基板上に検出すべき座標位置に
対応して隣接配置した複数の検出電極をそなえ、さらに
当該検出電極表面をそれぞれ誘電率のことなる高分子誘
電体で被覆してなる静電容量型の座標検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61198132A JPS6354619A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 静電容量型の座標検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61198132A JPS6354619A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 静電容量型の座標検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6354619A true JPS6354619A (ja) | 1988-03-09 |
Family
ID=16385980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61198132A Pending JPS6354619A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 静電容量型の座標検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6354619A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6066303A (en) * | 1996-11-01 | 2000-05-23 | Noxtech, Inc. | Apparatus and method for reducing NOx from exhaust gases produced by industrial processes |
| KR100369349B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2003-01-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 지문인식용 집적소자 |
| JP2005084982A (ja) * | 2003-09-09 | 2005-03-31 | Pentel Corp | 静電容量型タッチパネル装置 |
| JP2006221829A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光透過性タッチパネル及びこれを用いた検出装置 |
| JP2009037373A (ja) * | 2007-08-01 | 2009-02-19 | Hosiden Corp | タッチパネル入力装置 |
| JP2009266197A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Korea Advanced Inst Of Sci Technol | 織物タイプの入力装置 |
| JP2011170511A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Alps Electric Co Ltd | 静電容量式の入力装置 |
| US8866537B2 (en) | 2012-01-10 | 2014-10-21 | Denso Corporation | Input apparatus |
-
1986
- 1986-08-26 JP JP61198132A patent/JPS6354619A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6066303A (en) * | 1996-11-01 | 2000-05-23 | Noxtech, Inc. | Apparatus and method for reducing NOx from exhaust gases produced by industrial processes |
| KR100369349B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2003-01-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 지문인식용 집적소자 |
| JP2005084982A (ja) * | 2003-09-09 | 2005-03-31 | Pentel Corp | 静電容量型タッチパネル装置 |
| JP2006221829A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光透過性タッチパネル及びこれを用いた検出装置 |
| JP2009037373A (ja) * | 2007-08-01 | 2009-02-19 | Hosiden Corp | タッチパネル入力装置 |
| JP4554651B2 (ja) * | 2007-08-01 | 2010-09-29 | ホシデン株式会社 | タッチパネル入力装置 |
| JP2009266197A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Korea Advanced Inst Of Sci Technol | 織物タイプの入力装置 |
| JP2011170511A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Alps Electric Co Ltd | 静電容量式の入力装置 |
| US8866537B2 (en) | 2012-01-10 | 2014-10-21 | Denso Corporation | Input apparatus |
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