JPS6352352A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は光磁気記録媒体、特に、基板上に少なくとも
誘電体膜と光磁気記録層とを積層して成る光磁気記録媒
体に関するものである。

（従来の技術） 光磁気記録媒体は書き換えの出来る高密度記録媒体とし
て、研究開発が活発に行なわれている。

光磁気記録材料の内でも希ト類金属と遷移全屈の合金１
？２　（以下、ＲＥ−７Ｍ膜と称する。）は、磁化方向
が膜面に垂直に配向した垂直磁化膜となること、保磁力
が数ＫＯｅと大きいこと、スバ・ンタリング、真空蒸看
、その他の方法で比較的容易に膜形成が可能であること
等の点で、最も研究が進み、実用化が有望である。しか
しながら、ＲＥ−７Ｍ膜は＃食性が悪く（文献工：　「
光磁気ディスク」今村修ａ監修、（株）トリケプス発行
、第４２７頁）、しかも、磁気光学効果が小さいという
欠点が有る。

そこで、誘電体膜でＲＥ−７Ｍ膜を挟む構造を採ること
により、ＲＥ−７Ｍ膜の腐食を防ぐと共に、光の多重反
射を利用して見掛けとのカー回転角を大きくするという
試みが行なわれている（前記文献Ｉ：第１１９頁）。こ
の場合、カー回転角は信号強度を決定する要因であるた
め、ＲＥ−７Ｍ膜を挟む：／Ｓ電体膜のうち読み出し側
とは反対側の誘電体膜にはカー回転角を大きくする効果
は無い。

従来、このような耐食性の向上と、カー回転角を大きく
する機７１を有する誘電体膜として、５１０（漠、５ｉ
ｓＮａ　Ｉ模、　Ａ父Ｎ膜等を利用する研究が進められ
ているが、その理由は、これら５ｉＯ１Ｓｉ３Ｎａ、Ａ
文Ｎ等が光磁気記録媒体としての使用波長、即ち、）ト
導体レーザーの波長域で良好な透光性を有し、かつ屈折
率が大きいためである（文献ＩＩ　：　日木応用物理学
会学術講演概要集、２９ａＢ−１０（１９８５年１１月
）、第３０３頁）。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、５ｉ３Ｎａ及びＡｉＮの誘電体膜は密着
性が悪い。又、ＳｉＯの誘電体膜は成膜方法によって屈
折率が変わり、最大でも１．８〜１．８程度であって不
十分である。これら誘電体膜を用いて、光磁気記録媒体
を構成した場合、誘電体膜の密着性が悪いと保護膜とし
ての機１近が乏しくなり、又、屈折率が小さいとカー回
転角の増大効果が得られず、従って、記録媒体としての
性能及び信頼性が不七分であるという問題点が有った。

この発明の目的は、北述した従来の問題点に鑑み、信頼
性の高い光磁気記録媒体を提供することに有る。

（問題点を解決するための手段） この目的の達成を図るため、誘電体膜として、冨着力が
強く、屈折率が大きく、しかも腐食からの保護機悌が大
きい誘電体膜を用いれば良い。

従って、この発明による光磁気記録媒体によれば、光磁
気記録層と積層すべき誘電体膜として、ＳｉＯにＴｉを
添加して成る誘゛屯体膜を用いることを特徴とする。

（作用） この発明に用いる誘電体膜は、後述するＴ１添加量を調
整することによって、屈折率を２．０以北とすることが
出来、これがため、この発明の光磁気記録媒体のカー回
転角の増大及びＧ／Ｎの向丘を図ることが出来る。

又、この誘電体膜を用いた、この発明の光磁気記録媒体
の保磁力の変化は、Ｔ１添加量の増大に従って少なくな
るので、１耐食性が向ヒレ、逆って保護効果が増大する
。

更に、この誘電体膜の基板又は磁気記録層への密着性も
優れているので、この誘電体膜は保護膜としての信頼性
が大である。

（実施例） 以下、図面を参照して、この発明の光磁気記録媒体の一
実施例につき説明する。尚５以Ｆ説明する実施例は、こ
の発明の範囲の好ましい数値例、その他の条件で説明す
るが、これらは中なる例示であって、この発明がこれら
の数値或いはその他の条件に限定されるものではないこ
とを理解されたい。

既に説明した通り、この発明の光磁気記録媒体は、光磁
気記録層と積層すべき誘電体膜としてＴ１が添加された
ＳｉＯ膜を用いている。従って、先ず、この誘電体膜の
屈折率を説明し、次に、この誘電体膜を用いて構成した
光磁気記録媒体のＣ／Ｎ　、保磁力及び密着性につき順
次説明する。

（Ｉ）誘電体膜の屈折率 透明基板、例えばＰＣ（ポリカーボネート）基板にに、
高周波スパッタ法により、ＳｉＯターゲットを用い５ｉ
Ｏｌ］２を形成した。この時の成膜条件は、ターゲット
直径１５０ｍｍ　、基板ターゲット間距離５０】ｆｆｉ
、投入゛心力３００臀、アルゴンカス圧２０Ｔｏｒｒと
した。５１０１Ｉ！２へのＴ１の添加は、５（ＩＩＩ　
Ｘ５ｍｍ　Ｘ　１ｍｍのチンブをＳｉＯターゲットｈに
均一に並へる複合ターケント方式により行なった。

第１図は、ＳｉＯへのＴｉ％ｉ加量と屈折率との関係を
示す、実験により得られた特性曲線図であり、横軸にＴ
ｉ添加量（原子％で表わす。）及び縦軸に屈折率を取っ
て示しである。この屈折率は、エリプソメーター（波長
８３３ｎｆｆｉ）により測定した。

第１図の実験データから理解出来るように、ＳｉＯ膜に
対するＴｉ添加量の増大と共に屈折率は大きく増大する
。

又、この実験に際し、同時に吸収係数の変化を測定した
。その結果を下記の表１に示す。

表１ （但し、Ｔｉ添加量は原子％、吸収係数は１／ｃｍ　（
波長８００　ｎｍ）で表わす、） この表１から理解出来るように、Ｔ１添加量が４．５原
子％で吸収係数は５０００（１／ｃｍ）と犬きくなるが
、この時の吸収による損失は、光磁気記録媒体を構成し
た場合のＳｉＯにＴ１を添加した膜の膜厚を８０ｎｍト
するとランパート−ヘールの式から約８タロであること
がわかった。

（Ｉｌ）ＣＡＭ この誘電体膜を用いて、第２図に示すような断面構造の
光磁気記録媒体を構成し、ＣＡＭを測定した。この場合
、基板ｌＯとして溝付きＰＣ基板を用い、この基板ｌＯ
上に誘電体１！２１２としてＴｉを所定量添加したＳｉ
Ｏ膜を所定膜厚に形成、その上に光磁気記録層１４とし
て、例えば、Ｔｂ２ｓＦｅ＋ｏＣｏｓ層を１２０ｎｍ厚
に形成し、続いて、その丘に前述した誘電体膜ｚ２と同
じ組成の誘電体膜１６を１５Ｏｎ＋ｗ厚に形成した。こ
の時の誘電体膜のＴ１の添加量をＯｌｏ、５　、１．２
及び２．６原子％の４種類とし、かつ、この膜１２の膜
厚を６０．６５．７０．７５及び８０ｎｍの５種類とし
、従って、合計２０種類の光磁気記録媒体を作成した。

これらの光磁気記録媒体を回転数１８０゜ｒｐｍ　、デ
ユーティ５０％、記録周波数ＩＭＨｚ、記録パワー７ｍ
Ｗで記録し、その後、読み出しパワー４　ｚＷ、バンド
幅３０ＫＨｚでＣＡＭの測定を行なった。

又、比較のためＴｉ添加量Ｏ原子％の光磁気記録媒体に
ついても測定を行なった。その結果を下記の表２に示す
。

表２ （但し、Ｔｉ添加量は原子％で、ＣＡＭはｄＢで表わす
、） この表２に示したＣＡＭは、各Ｔ１添加量での、５種類
の誘電体膜１２の膜厚で形成した５種類の光磁気記録媒
体中での最大値を取って示した。

この表２の実験結果からも理解出来るように、誘電体膜
１２がＳｉＯのみのものに比べて、Ｔｉを添加したもの
は、屈折率増大に基づくカー回転角の増大効果のために
、ＣＡＭが３〜５ｄＢ向トしたことがわかる。

（ｍ）保磁力 丘述した２０種類の記録媒体のうちで、誘電体膜１２の
膜厚が８０ｎｍの媒体構成のものを選び、温度６０℃、
相対湿度８０％の大気中に保持して、保磁力の変化を測
定した。保磁力の測定は、基板１０側からＨｅ−Ｎｅレ
ーザを照射した時のカーヒステリシヌループ（カールー
プ）を測定し、このカーループより求めた。

第３図は、保磁力特性を示す曲線図で、横軸にエーシン
グ時間（ｈ）及び縦軸に初期値で初期化した規格化保磁
力を取って示した。図中、Ｏ印はＴｉ添加量Ｏ原子％（
比較例）であり、・、Δ及びム印は；順次にＴｉ添加量
０．５ＪｆＸ’７−％、１．２原子％、及び２．６原子
％の場合の実験データをそれぞれ示している。

尚、この保磁力の実験測定に当り、Ｔｂ２ｓＦｅ＋ｏＣ
ｏｓのエージング前の保磁力の値はほぼ４　ＫＯｅであ
り、各光磁気記録媒体の保磁力は、４±０．２ＫＯｅの
幅の中におさまっており、エーシングによる保磁力の変
化を測定するには問題のない値であった。

又、試料の磁気センスはＴｂリッチである。これらの光
磁気記録媒体は、酸化によりＴｂが選択的に酸化され、
保磁力は増加するので、保磁力の変化により酸化の程度
を判断出来る。

第３図の実験結果から理解出来るように、Ｔｉを添加さ
れた５ｉｌｌ誘゛、Ｕ体Ｉ＋４２１２は、Ｔ１を添加し
ていないＳｉＯ誘電体膜よりも保磁力の変化が小さくな
っている。又、Ｔ１添加量が多い程、保磁力の変化量は
小さくなっている。従って、　ＳｉＯ％を体膜にＴｉを
ね加することにより保護効果が増大することが理解出来
る。

（ＩＶ）密着性 又、比較例として、ＰＣＣ基板に５ｉ３Ｎａ　よりなる
誘電体１１５２１２を７０ｎｍの膜厚に形成し、そのＥ
にＴｂ：＋　５Ｆ　Ｏｌｏ　Ｇａ４　よりなる光磁気記
録層１４を１２０ｎｍの膜厚に形成し、更に、そのＬに
Ｓｉ３Ｎ４　よりなる誘電体ｊ模１６を１５０ｎｍの膜
厚に形成した光磁気記録媒体を作成し、一方、この発明
の光磁気記録媒体として、誘電体膜１２の膜厚を７０ｎ
ｍとした構造のもの（第２図参照）を選んで、誘電体膜
の密着性試験を行なった。この試験は、光磁気記録媒体
上６０℃に保持したものを２０℃の冷水に債けることを
３０回繰り返して、誘電体膜のはがれを観察した。この
実験の結果、５１３Ｎａ　よりなる光磁気記録媒体は、
膜のはがれが多いが、ＳｉＯとＳｉＯにＴｉを添加した
光磁気記録媒体においては膜のはがれが全く認められな
かった。

上述した各実験結果からも明らかなように、光磁気記録
層とｖＩＰｊ！：すべき誘電体膜としてＴ１添加のＳｉ
Ｏ％を用いると、この誘電体膜の屈折率の増大によりカ
ー回転角が増大し、よってＣ／Ｎが増大するため、その
結果、読出し性能が向旧する。この場合のＴｉ添加量は
、好ましくは、屈折率が約２以りとなる程度に、設計に
応じて適ちな値に設定すれば良い。

又、このＴｉ添加量によって規格化保磁力の安定を図る
ことが出来、この添加量を増大するに従って、この規格
化保磁力は理想的な１．０に近づく。

従って、この観点からも、Ｔｉ添加量は設計に応じた適
当な値に設定すれば良い。

この発明は、丘述した実施例のみ限定されるものではな
く、多くの変形又は変更）行ない得る。

例えば、誘電体膜の成膜方法及び光磁気配！２媒体の構
造は、上述した実施例で説明した以外の方法及び構造で
あっても良い。

（Ｑ明の効果） 上述した説明からも明らかなように、この発すｊの光磁
気記録媒体においては、誘電体膜としてＳｌＯにＴｉを
添加した膜を用いることにより、読出し性能を向上させ
ることが出来ると共に密着性にも優れているので、信頼
性の優れた光８ｉ気記録媒体を得ることが出来る。

又、Ｓ１０にＴ】を添加して得られた誘″セ体膜を用い
ているため、保磁力の変化が小さく、保護機住の優れた
膜となる。

更に、この発明による誘電体膜は、光磁気記録層の腐食
防止機能にも優れているため、カー回転角増大機濠を必
要としない場合でも、巾なる保護膜として用いることも
回走である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の光磁気記録媒体の説り］に供する
、誘電体膜のＴｉ添加量と屈折率との関係を示す特性曲
線図、 第２図は、この発明の光磁気記録媒体の構造の一実施例
を示す４１！［重要部断面シく。 第３図は、この発明の光磁気記録媒体の説明に供する規
格化保磁力の説明図である。 １０・・・・ｐｃ基板、１２・・・・誘’Ｉｆ体膜１４
　　・・光磁気記録層、１６・・・誘電体膜。 特　許　出　願　人　　沖電気Ｔ業株式会社ＳｉＯへの
丁；濾トｍ１（０象＋２） 丁・七トカｏｉ！−１１−屈、πｒ話の所冒東＆示す袷
おｈも、（第１図 二の発明の＆ｋｆｉ　・ｌの言←閂に伝ｊ３．９５７朔
ｉ間第２図 エージ゛ン２−ルλガσ　（パノ ラξρ、イ」４、イヒ、Ｅぜ、１石１１くブフーー＋＃
ｙγプ【イど、εプ←、ｋ「；でγ７と芒、ａ、ｉ泉、
間第３図 手斥売ネ甫正書 昭和６２年５月６日

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に少なくとも誘電体膜と光磁気記録層とを
   積層して成る光磁気記録媒体において、前記誘電体膜を
   ＳｉＯにＴｉを添加して成る膜としたことを特徴とする
   光磁気記録媒体。