JPS63502712A

JPS63502712A - 可変抵抗体のための改良サーメット抵抗素子

Info

Publication number: JPS63502712A
Application number: JP62506165A
Authority: JP
Inventors: ボゼ，ウェイン　ポール; フレーベ，ロナルド　レロイ; マクリュア，ゴードン; トマス，ロナルド　エルウィン，ジュニア; ワインガートナー，フィリップ　フレデリック
Original assignee: ボアンズ，インコーポレイテッド
Priority date: 1986-09-26
Filing date: 1987-09-18
Publication date: 1988-10-06
Also published as: WO1988002309A1; US4732802A; GB2206244A; GB8810457D0; DE3790612T1; GB2206244B

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】可変抵抗体のための改良サーメット抵抗素子発明の背景本発明は、一般に可変抵抗体（電位計及びレオスタット）に使用する抵抗素子の分野に関する。より詳細には本発明は、改良サーメット抵抗素子に関するものである。

厚い薄膜サーメットインキで作成された抵抗素子は、電子工業において広範囲の用途を有する。たとえば米国特許第２，９５０，９９５号、第３，１４９，００２号、第３，２００，０１０号、第３，２０７，７０６号、第３，２５２，８３１号、第３，３０８，５２８号、第３．３２６．７２０号、第３．３４８．９８５号、第３．４７９．２１６号及び第３．５７３．２２９号参照。サーメット抵抗素子を加工する際、達成することがめられる幾つかの基準が存在する。たとえば、接触抵抗を最小化させると共に耐久性（素子及びワイパの寿命に関し）と託宣定性と分解能と整定適性とを最大化させることが望ましい。特にコストが因子となる場合には、これらの目標に幾つかの条件設定を設けねばならないことが極めて大である。

可変抵抗体の接触抵抗は、導電性ワイパと抵抗素子との間に示される抵抗でおる。実際上、この接触抵抗は２種の成分：すなわち「集中抵抗」及び「汚染物」抵抗の合計である。前者はワイパ抵抗と抵抗素子抵抗との合計に比例し、かつワイパと抵抗素子との間の表面対表面接触の有効直径に反比例する。

後者は、接触領域を占めうる汚染物又は酸化物薄膜の抵抗の関数である。

従来技術は、接触抵抗を最小化させるため多くの手段を採用している。一般的手段は、接点の個数を増加させるための多フィンガーワイパの使用である。「汚灸物」抵抗を減少させるには、ワイパに貴金属が使用される。これらの両手段は、製造経費を著しく増大させる。伯の手段は抵抗素子に対するワイパの力を増大させることである。しかしながら、この技術はワイパ及び抵抗素子の期待寿命を減少させる。ざらに従来技術は、抵抗薄膜における表面不規則性及び汚染物を除去するため化学的及び機械的（すなわち、研磨剤）手段を採用している。しかしながら、この種の表面処理は素子の全抵抗に変化をもたらし、かつ不安定性を惹起する。

成る程度期待が持てる手段は、ワイパとの接触点にて抵抗素子の表面抵抗率をこの素子のバルク抵抗を顕著に低下させることなく減少させることにより、所望の全抵抗を維持することである。この種の技術の例は、マツクラバランに係る米国特許第３，７１７，８３７号公報に開示されている。ここに開示された技術は、蒸着されたサーメット抵抗素子の表面上に貴金属（たとえば金、パラジウム、ロジウム若しくは白金）を蒸着させることからなっている。このマクラバラン特許に記載されたように、その結果は接触抵抗を減少させる一方、極く僅かにサーメット素子の全抵抗をも低下させる。

マクラバラン特許により教示された手段は期待が持てるが、まだ欠点を有する。

たとえば、サーメット表面上における導電性金属「アイランド」のランダムな形状、寸法及び分布は、アイランドの不均一な分布に基づきかつこれらアイランドの不規則な形状及び寸法に基づいて分解能、直線性及び整定適性の問題をもたらしうる。さらに、蒸着された貴金属の高導電率は、望ましくない抵抗素子の分路を回避すると共にその全抵抗の過大な低下を回避するため、慎重な使用制御を必要とする。

したがって、従来技術は接触抵抗を低下させる必要性を認識する一方、まだ他の重要な設計上の配慮を充分調和させず、これを行なう能力をまだ開発していないことが了解されよう。

発明の要点広義において本発明は改良された薄膜型の抵抗素子であり、ここで改良は抵抗素子の表面上へ個々の比較的高い導電率アイランドの列若しくはマトリックスをこれらアイランド間に所定の間隔を設けた反復パターンで施すことからなっている。

より詳細には、このパターンは、可変抵抗体のワイパをできるだけ等電位のアイランドと電気接触させると共に、必要とされるよりも大きく抵抗素子の長さを短縮させないような形状である。これは多くの「メイク・ビフォア・ブレーク」工程を与え、極めて微細な分解能をもたらす。１つの好適具体例において、アイランドは高導電率の厚い薄膜インキで形成され、このインキはベース層が焼結（「焼成」）された後にサーメット抵抗素子層（「ベース層」）の上にスクリーン印刷される。他の好適具体例において、これらのアイランドは貴金属で形成することもでき、これを所望パターンに一致するマスクを介し付着させる（蒸着、スパッタリング又はイオン注入法による）。いずれの具体例においても、これらアイランドは好ましくは実質的に均一な形状及び寸法を有する。

以下一層詳細に説明するように、これらアイランドには数種の材料が適している。たとえば、高重量％の金若しくはルテニウム酸鉛を有する厚い薄膜インキが良好な結果を示したが、二酸化ルテニウム、銀及び銀／パラジウム合金のインキも期待がもてる。本発明の蒸着の具体例においては、ニッケル／クロム合金が良好な結果をもたらし、ニッケル／クロムが酸化を受ける傾向を有するような高温度環境では貴金属（特に金）が好適である。

したがって、本発明はベース層の上に均一寸法かつ均一形状のアイランドの反復パターンを所定間隔で与え、これらのアイランドはベース層よりも測定上高い導電率（より低い抵抗率）を有する。これらのアイランドはベース層と対比して比較的高い表面導電率を示すが、そのバルク導電率はベース層の導電率に対しそれ程大でない。その結果、抵抗素子の全抵抗における許容しえない低下なしに、相当に接触抵抗が低下する。ざらに、接触抵抗安定性は低電流（「乾燥回路」）条件の下においても向上される。ざらに、複数のアイランドからなる反復パターンは優秀な直線性及び整定適性を微細な分解能と共に与える。事実、直線性、整定適性及び分解能のパラメータはこれらアイランドに対する種々異なる間隔、寸法及び形状により必要に応じて変化させることができる。

さらに他の利点は、これらアイランドの均−性及び規則性がワイパとベース層との間の直接接触の可能性を最小化させることにより低い接触抵抗に貢献すると共に、良好な直線性及び整定適性を維持しうろことにある。殆んどの場合、ワイパ摩耗は、ワイパが比較的腐蝕性のベース層でなく比較的平滑なアイランドと接触することにより相当に減少する。同様に、抵抗素子に対する摩耗も一般に相当低下する。

均一アイランドの規則的パターンにより与えられる他の利点は大規模生産の下における高収率の電気的同一性を与えうる能力であり、これは従来技術のランダムなアイランド分布では不可能でないにせよ達成困難である。

本発明により示される上記利点並びにその伯の利点は、以下の詳細な説明から一層良く理解されるであろう。

図面の簡単な説明第１図は本発明にしたがって作成された抵抗素子を組込んだ可変抵抗体の部分破断斜視図であり、第２図は第１図の可変抵抗体にあける抵抗素子の部分平面図であり、第３図は第２図の３−３線断面図であり、第４図は第３図の１部の拡大詳細図である。

発明の詳細な説明次に図面を参照して、第１図は本発明にしたがって作成された薄膜型の抵抗素子１２を有利に組込んだ１種の可変抵抗体１０を示している。この可変抵抗体１０は線状作用型であるが、本発明は回転作用型並びに線状作用型を包含する広範な種類の可変抵抗体に適用しうろことを了解すべきである。

抵抗素子１２（下記に説明）を別にして、可変抵抗体１０は当業界で周知された慣用のの装置であって、本発明をその適切な意味で充分説明するだけでよい。したがって、この可変抵抗体１０は単に絶縁基板１４（典型的にはセラミック材料）からなり、その上表面に抵抗素子１２と導電性コレクタ素子１６とをほぼ平行な帯片として配置してなると説明するだけでよい。抵抗素子１２はその各端部を導電性終端部１８で終端させ、そのそれぞれを基板１４の下表面から延在するリード線２０に導電接続する。同様に、コレクタ帯片の１端部を第３のリード線２０に導電接続する。

ワイパ２４をキャリヤ２６の下側に取付け、このキャリヤはリードネジ２８に係合してワイパ２４を抵抗素子１２及びコレクタ素子１６に沿って移動させる。ワイパ２４は有利には図示したように多フィンガ型であるが、このワイパの特定形状は本発明にとって臨界的でない。同様に、キャリヤを移動させるメカニズムも任意適当な種類の当業界で知られたものとすることができる。

最後に、基板１４とワイパ２４とキャリヤ２６とリードネジ２８の本体とは、典型的には適するプラスチック材料よりなるハウジング３０の内部に封入される。

リードネジ２８はハウジングの１端部から突出するヘッド３２を備え、このヘッドは適当な工具（たとえばネジドライバ）によって操作する形状を有する。

本発明の新規な抵抗素子１２を第２図、第３図及び第４図に示す。この抵抗素子１２は好ましくはセラミック材料の薄膜であるベース層３４を備え、この上に導電性「アイランド」３６の列若しくはマトリックスを施す。好ましくは、ベース層３４は数種の市販されているサーメットの厚い薄膜インキのいずれかで形成され、これについては以下詳細に説明する。

ベース層３４は慣用のスクリーン印刷技術により施され、次いでこれを焼結させ（「焼成させ」）た後、アイランド３６の列を下記するいずれかの方法によって施す。或いは、ベース層３４はたとえば当業界で知られた蒸着のような技術によって施される薄い薄膜サーメットとすることもできる。ざらに、ベース層３４は既知の抵抗率を有する炭素充填重合体の薄膜（ここには導電性プラスチックと称する）とすることもできる。

アイランド３６はベース層３４の材料よりも相当大きい導電性を有する材料で形成され、好ましくは少なくともベース層材料の抵抗率よりもほぼ一次数低い抵抗率を有する。アイランドを形成するには数種の材料が適している。好適材料は、約８５〜９２重量％の金含有量を有する厚い薄膜インキである。

その主たる成分としてたとえば銀及び銀／パラジウム合金のような他の金属を有する高金属含有量の厚い薄膜インキも使用することができる。さらに、主としてルテニウム酸鉛又は二酸化ルテニウムでおるサーメットは、成る種のベース層材料において所望の結果を与える（しかしながら、この種の厚い薄膜インキは導電性プラスチックのベース層には適していない）。ざらに、これらのアイランドは実質的に純粋な導電性金属、好ましくはたとえば金のような負金属で形成することもできる。ざらに、ニッケル／クロム合金も良好な結果を与えるが、これは特に高温度環境において酸化する傾向を有する。特に、導電性プラスチック（より低い導電率）をベース層に用いる場合には、導電性プラスチックもアイランドに方法は、アイランドを作成する材料に依存する。特に、アイランドを実質的に純粋なたとえば負金属のような金属又はニッケル／クロム合金で形成する場合、これらは蒸着、スパッタリング又はイオン注入法により所定パターンに適当に形成されたマスクを介して施すことができ、これについては以下詳細に説明する。アイランドが主として導電性成分を有するインキで作成される場合、慣用のスクリーン印刷技術を使用することができ、ここでも適当な形状のスクリーン若しくはマスクを使用する。次いで、第２の焼成工程を行なってアイランドを焼結させる。ベース層をアイランドが施される前に焼成すれば、任意の方法で最良の結果が得られる。成る種の厚い薄膜インキをアイランド用に使用する場合、塗布工程（特に第２焼成工程）に際しアイランドの「上塗り」、すなわちアイランドを作成した厚い薄膜インキの非金属成分（ガ抵抗という所望の結果を無効にする。

良好な整定適性を与えるにはアイランドが実質的に均一な形状及び寸法を持たねばならず、かつこれらを所定のアイランド間の間隔を有する反復パターンで施さねばならない。用いる特定パターンは臨界的でないが、抵抗素子の１端部から仙端部まで移動する際常にこの抵抗素子１２における同一の等電位ライン又はその近傍にてワイパ２４が最大個数のアイランドと電気接触するようなパターンを用いれば最良の結果が得られる。この種の多くのパターンは当業者により容易に案出することができ、図示したパターンは単に例示の目的である。典型的には、これらのアイランド間における所定間隔は列全体にわたり実質的に均一である。しかしながら、成る種の場合、この間隔は均一でなくてもよい。たとえば回転型可変抵抗体に対する円弧状抵抗素子の場合、この間隔を所定の方法で半径方向に変化させて、均一な電流密度を維持することもできる。ざらに、非直線抵抗機能が望ましければ、間隔を所定の方法でワイパ移動の通路に沿って変化させることもできる。同様に、アイランドの特定形状及び寸法は臨界的なパラメータでないが、ただしアイランドの厚さくすなわちベース層３４の表面より上の高さ）は均一とせねばならない。

分解能は、アイランドの寸法及びアイランド間の間隔を上記ことか了解されよう。

特定実施例によれば、本発明の実験的な抵抗素子を、約３０％のルテニウム酸ビスマスと約３５〜４０％の硼珪酸鉛ガラスと残部と揮発性ベヒクル（焼成前）とからなる市販のサーメット抵抗インキのベース層を用いて作成した（％は全で重量による）。このシートの抵抗率は、厚さ１０顯にて１平方当り１キロオームであった。これらのアイランドは市販の金サーメットインキで構成し、このインキは約９０重量％の金と残部のガラス及び揮発性ベヒクルとからなり、シートの抵抗率は厚さ１０７ｍにて１平方当り約２〜１０ミリオームの範囲であった。

この金サーメットインキを、サーメットが適切に焼成された後に適当なマスクを介してサーメットの表面に施した。次いで、この抵抗素子を再焼成して、金サーメットインキを焼結させた。得られた抵抗素子は、アイランドを持たないが同じサーメット抵抗層からなる比較素子と対比して、測定上減少した接触抵抗を示した。全抵抗における低下は許容しうる範囲内であった。約２５％のルテニウム酸ビスマスと３５〜４０％の硼珪酸鉛ガラスとからなるサーメット抵抗インキで形成されかつ厚さ１０．ｃｍにて１平方当り１０キロオームのシート抵抗率を有するベース層を用いて同様な結果が得られた。

試験試料で得られた接触抵抗の低下は、各アイランドとこれを包囲する抵抗薄膜との間で形成する冶金学的結合（これは連続的金属結合を意味する）並びにアイランド自身の固有の導電率の結果であると思われる。より詳細には、アイランドがなれけば、接触抵抗は高導電性ワイパと高抵抗率サーメット薄膜との間の機械的圧力接合部を介する抵抗である。

アイランドが存在する場合、ワイパ対サーメット圧力接合部の接触抵抗は、アイランドのバルク導電率と上記冶金学的結合により与えられる導電性接合部の導電率とに対し直列のワイパ対アイランド圧力接合部によって置換される。アイランドのバルク導電率及び冶金学的結合接合部の導電率は、それぞれワイパ対サーメット圧力接合部の導電率よりも数層倍大とすることができる。

要するに、本発明は、顕著に低下した接触抵抗を有すると共に従来の薄膜型抵抗素子と対比して測定しうる接触抵抗安定性の改善を有する抵抗素子を提供する。

これらの利点は良好な直線性及び整定適性を犠牲にすることなく達成され、さらに微細に分解能を達成する能力を維持する。さらに、大規模生産に基づく電気特性の再現性及び均一性も容易に達成される。ざらに、典型的にはワイパ及び抵抗素子の摩耗低下により操作寿命の増大が得られる。多くの場合、接触抵抗変化（ＣＲＶ）の減少も得られる。

ここに説明した本発明の実施例は好適実施例の例示である。

当業者は、特定の要求に適するよう多くの改変を行なうことができる。たとえば上記したように、アイランドについては満足しうる結果を与えるような広範な種類のパターンを存在させることもできる。ざらに、用いる材料の改変も可能であり、さらにアイランド形成材料をベース層に施す技術も改変が可能である。たとえば金、銀及びパニジウム以外の負金属を有する厚い薄膜インキも、アイランドにつき使用しうると思われる。他の実施例として、ベース層又はアイランドは上記したように導電性プラスチックで形成することもできる。

これら及びその他の自明の改変は、本発明の思想及び範囲内にあると考えるべきである。

手続補正書昭和６３年７月４日発明の名称可変抵抗体のための改良サーメット抵抗素子補正をする者事件との関係　特許出願人名　称　ボアンズ、インコーポレイテッド住　所　東京都中央区日本橋３丁目１３番１１号住所　同上明細書の特許請求の範囲の欄明細書の特許請求の範囲を次の通り改める。

「２．特ｇ晴　の範１、絶縁基板と、この基板上に位置し、第１導電率を有する抵抗薄膜の層と、前記層の表面上に所定間隔を有する反復パターンで形成された個々の離間したアイランドの列とからなり、前記アイランドが前記第１導電率よりも大きい第２導電率を有する材料で形成されてなることを特徴とする可変抵抗体などのための抵抗素子。

旦、前記反復パターンが実質的に均一な間隔を有する特許請求の範囲第１項記載の抵抗素子。

旦、前記抵抗薄膜がサーメットである特許請求の範囲第１項記載の抵抗素子。

丘、前記アイランドが高金属含有量の厚い薄膜インキから形成されてなる特許請求の範囲第３項記載の抵抗素子。

旦、前記厚い薄膜インキが金、銀及び銀／パラジウム合金よりなる群から選択された金属成分な有する特許請求の範囲第４項記載の抵抗素子。

旦、前記アイランドが実質的に均一な形状及び寸法である特許請求の範囲第２項記載の抵抗素子。

ヱ、前記アイランドが実質的に貴金属から形成されてなる特許請求の範囲第１項記載の抵抗素子。

旦、前記アイランドが実質的にニッケルとクロムとの合金から形成されてなる特許請求の範囲第１項記載の抵抗素子。

ユ、前記抵抗薄膜が炭素充填重合体である特許請求の範囲第１項記載の抵抗素子。

ユ、前記抵抗薄膜が第１導電率を有する第１炭素充填重合体から形成され、かつ前記アイランドが前記第１導電率よりも高い第２導電率を有する第２炭素充填重合体で形成されてなる特許請求の範囲第９項記載の抵抗素子。

よユ、前記アイランドが高金属酸化物含有量の厚い薄膜インキから形成されてなる特許請求の範囲第３項記載の抵抗素子。

皿、前記アイランドが主として二酸化ルテニウム及びルテニウム酸鉛よりなる群から選択された材料である特許請求の範囲第１１項記載の抵抗素子。

１３、（ａ）第１導電率を有するサーメツト層を絶縁基板上に形成し、（ｂ）前記サーメツト層を有する前記基板を焼成し、（ｃ）主として導電性の厚い薄膜材料よりなる個々のアイランドの列を前記焼成サーメツト層の表面上に反復パターンで施し、前記アイランドは前記第１導電率よりも実質的に大きい第２導電率を有し、かつ（ｄ）前記サーメツト層上に前記アイランドを有する前記基板を焼成することを特徴とする可変抵抗体などのための抵抗素子の製造方法。

上Ａ、前記アイランドが実質的に均一な寸法及び形状を有する特許請求の範囲第１３項記載の方法。

上五、前記サーメット層を前記基板上に厚い薄膜としてスクリーン印刷により形成する特許請求の範囲第１３項記載の方法。

１６、前記サーメツト層を前記基板上に薄い薄膜として蒸着により形成する特許請求の範囲第１３項記載の方法。

上ユ、前記アイランドが、前記サーメツト層に対し導電性接合部を形成する特許請求の範囲第１３項記載の方法。

上澄、前記厚い薄膜材料が高金属含有量の厚い薄膜インキである特許請求の範囲第１３項記載の方法。

上旦、前記厚い薄膜インキが金、銀及び銀／パラジウム合金よりなる群から選択された金属成分を有する特許請求の範囲第１８項記載の方法。

且、前記厚い薄膜材料をルテニウム酸鉛及び二酸化ルテニウムよりなる群から選択する特許請求の範囲第１３項記載の方法。

ｌユ、（ａ）サーメツト層を絶縁基板上に形成し、（ｂ）前記サーメツト層を有する前記基板を焼成し、かつ（Ｃ）前記焼成サーメツト層の表面上へ導電性金属の個々のアイランドの列を所定のアイランド間の間隔を有する反復パターンで施すことを特徴とする抵抗素子などの製造方法。

且、前記アイランドが実質的に均一な形状及び寸法を有する特許請求の範囲第２１項記載の方法。

２３、前記所定のアイランド間の間隔が実質的に前記列全体にわたり均一である特許請求の範囲第２１項記載の方法。

、λ４．前記サーメット層を厚い薄膜としてスクリーン印刷により形成する特許請求の範囲第２１項記載の方法。

λ五、前記サーメット層を薄い薄膜として蒸着により形成する特許請求の範囲第２１項記載の方法。

旦、前記アイランドが、前記アイランドの列を施す際に前記サーメツト層に対し導電性接合部を形成する特許請求の範囲第２１項記載の方法。

λユ、アイランドの列を蒸着により施す特許請求の範囲第２１項記載の方法。

且、アイランドの列をスパッタリングにより施す特許請求の範囲第２１項記載の方法。

且、アイランドの列をイオン注入法により施す特許請求の範囲第２１項記載の方法。

３０、導電性金属が貴金属である特許請求の範囲第２１項記載の方法。

ｌユ、導電性金属がニッケルとクロムとの合金である特許請求の範囲第２１項記載の方法。」国際調査報告力合衆国　９１１０６　カリフォルニア、パサデナ、カリフォルブールバード　１０００．ナンバー　３０７力合衆国　９１７０１　カリフォルニア、アルタ　ロマ、オーチストリート　８１３５力合衆国　９１７０１　カリフォルニア、アルタ　ロマ、アンノくド　ドライブ　６７６１

Claims

【特許請求の範囲】

１．絶縁基板と、この絶縁基板上の抵抗薄膜の層と、前記層の表面上に所定間隔の反復パターンで形成された主として導電材料よりなる個々の離間したアイランドの列とからなり、前記アイランドと前記層との間に導電性接合部が形成されてなることを特徴とする可変抵抗体などのための抵抗素子。
２．前記アイランドの導電率が前記層の導電率よりも実質的に大である請求の範囲第１項記載の抵抗素子。
３．前記抵抗薄膜がサーメットである請求の範囲第１項記載の抵抗素子。
４．前記アイランドが実質的に均一な寸法及び形状である請求の範囲第１項記載の抵抗素子。
５．前記アイランドが高金属含有量の厚い薄膜インキで形成されてなる請求の範囲第３項記載の抵抗素子。
６．前記厚い薄膜インキが金、銀及び銀／パラジウム合金よりなる群から選択された金属成分を有する請求の範囲第５項記載の抵抗素子。
７．前記アイランドが主として二酸化ルテニウム及びルテニウム酸鉛よりなる群から選択された材料である請求の範囲第３項記載の抵抗素子。
８．前記アイランドが実質的に純粋な導電性金属である請求の範囲第１項記載の抵抗素子。
９．前記金属が貴金属である請求の範囲第８項記載の抵抗素子。
１０．前記金属がニッケルとクロムとの合金である請求の範囲第８項記載の抵抗素子。
１１．絶縁基板と、この基板上に形成されかつ第１導電率を有する抵抗薄膜の層と、前記層の表面上に所定間隔を有する反復パターンで形成された個々の離間したアイランドの列とからなり、前記アイランドが前記第１導電率よりも大きい第２導電率を有する材料で形成されてなることを特徴とする可変抵抗体などのための抵抗素子。
１２．前記反復パターンが実質的に均一な間隔を有する請求の範囲第１１項記載の抵抗素子。
１３．前記抵抗薄膜がサーメットである請求の範囲第１１項記載の抵抗素子。
１４．前記アイランドが高金属含有量の厚い薄膜インキで形成されてなる請求の範囲第１３項記載の抵抗素子。
１５．前記厚い薄膜インキが金、銀及び銀／パラジウム合金よりなる群から選択された金属成分を有する請求の範囲第１４項記載の抵抗素子。
１６．前記アイランドが主として二酸化ルテニウム及びルテニウム酸鉛よりなる群から選択された材料である請求の範囲第１３項記載の抵抗素子。
１７．前記アイランドが実質的に均一な形状及び寸法である請求の範囲第１２項記載の抵抗素子。
１８．前記アイランドが実質的に貴金属から形成されてなる請求の範囲第１１項記載の抵抗素子。
１９．前記アイランドが実質的にニッケルとクロムとの合金から形成されてなる請求の範囲第１１項記載の抵抗素子。
２０．絶縁基板と、この基板上のサーメット層と、前記サーメット層の表面上に反復パターンで形成された主として導電性材料よりなる個々のアイランドの列とからなり、前記アイランドが実質的に均一な寸法及び形状を有すると共に前記サーメット層の導電率よりも大きい導電率を有することを特徴とする可変抵抗体などのための抵抗素子。
２１．前記アイランドが高金属高含有量の厚い薄膜インキで形成されてなる請求の範囲第２０項記載の抵抗素子。
２２．前記厚い薄膜インキが金、銀及び銀／パラジウム合金よりなる群から選択された金属成分を有する請求の範囲第２１項記載の抵抗素子。
２３．前記アイランドが主としてルテニウム酸鉛及び二酸化ルテニウムよりなる群から選択された材料である請求の範囲第２０項記載の抵抗素子。
２４．前記アイランドが実質的に純粋な導電性金属である請求の範囲第２０項記載の抵抗素子。
２５．前記金属が貴金属である請求の範囲第２４項記載の抵抗素子。
２６．前記金属がニッケルとクロムとの合金である請求の範囲第２４項記載の抵抗素子。
２７．前記サーメット層が厚い薄膜である請求の範囲第２０項記載の抵抗素子
２８．（ａ）第１導電率を有するサーメット層を絶縁基板上に形成し、（ｂ）前記サーメット層を有する前記基板を焼成し、（ｃ）主として導電性の厚い薄膜材料よりなる個々のアイランドの列を前記焼成サーメット層の表面上に反復パターンで施し、前記アイランドは前記第１導電率よりも実質的に大きい第２導電率を有し、かつ（ｄ）前記サーメット層上に前記アイランドを有する前記基板を焼成することを特徴とする可変抵抗体などのための抵抗素子の製造方法。
２９．前記アイランドが実質的に均一な寸法及び形状を有する請求の範囲第２８項記載の方法。
３０．前記サーメット層を前記基板上に厚い薄膜としてスクリーン印刷により形成する請求の範囲第２８項記載の方法。
３１．前記サーメット層を前記基板上に薄い薄膜として蒸着により形成する請求の範囲第２８項記載の方法。
３２．前記アイランドが、前記サーメット層に対し導電性接合部を形成する請求の範囲第２８項記載の方法。
３３．前記厚い薄膜材料が高金属含有量の厚い薄膜インキである請求の範囲第２８項記載の方法。
３４．前記厚い薄膜インキが金、銀及び銀／パラジウム合金よりなる群から選択された金属成分を有する請求の範囲第３３項記載の方法。
３５．前記厚い薄膜材料をルテニウム酸鉛及び二酸化ルテニウムよりなる群から選択する請求の範囲第２８項記載の方法。
３６．（ａ）サーメット層を絶縁基板上に形成し、（ｂ）前記サーメット層を有する前記基板を焼成し、かつ（ｃ）前記焼成サーメット層の表面上へ導電性金属の個々のアイランドの列を所定のアイランド間の間隔を有する反復パターンで施すことを特徴とする抵抗素子などのの製造方法。
３７．前記アイランドが実質的に均一な形状及び寸法を有する請求の範囲第３６項記載の方法。
３８．前記所定のアイランド間の間隔が実質的に前記列全体にわたり均一である請求の範囲第３６項記載の方法。
３９．前記サーメット層を厚い薄膜としてスクリーン印刷により形成する請求の範囲第３６項記載の方法。
４０．前記サーメット層を薄い薄膜として蒸着により形成する請求の範囲第３６項記載の方法。
４１．前記アイランドが、前記アイランドの列を施す際に前記サーメット層に対し導電性接合部を形成する請求の範囲第３６項記載の方法。
４２．アイランドの列を蒸着により施す請求の範囲第３６項記載の方法。
４３．アイランドの列をスパッタリングにより施す請求の範囲第３６項記載の方法。
４４．アイランドの列をイオン注入法により施す請求の範囲第３６項記載の方法。
４５．導電性金属が貴金属である請求の範囲第３６項記載の方法。
４６．導電性金属がニッケルとクロムとの合金である請求の範囲第３６項記載の方法。