JPS63500918A - 真空蒸気伝送制御 - Google Patents

真空蒸気伝送制御

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JPS63500918A
JPS63500918A JP60504170A JP50417085A JPS63500918A JP S63500918 A JPS63500918 A JP S63500918A JP 60504170 A JP60504170 A JP 60504170A JP 50417085 A JP50417085 A JP 50417085A JP S63500918 A JPS63500918 A JP S63500918A
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グラーフ,ハンス・ユルゲン
フレッチャー,ロバート・イー
ランドック,ピーター・テイ
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モンコウスキイ,ジェイ・アール
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エアー・プロダクツ・アンド・ケミカルズ・インコーポレーテツド
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    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野 この発明は半導体の製作に関するものであり、かつ特に半導体デバイスの製作で 用いられる真空システムへのオリフィスを介する流量試液蒸気の制御に関するも のである。
発明の背景 高度なまたは中位の真空の状況の下で成る半導体および製作動作を実施すること は当該技術では公知である。そのような動作を実施することでの従来の方法の1 つは、蒸気が処理または準備を受ける半導体デバイスに反応する真空システムへ 試液蒸気を導入することである。これらの動作の多くの場合、真空システムへの 試液蒸気の流量、さらに従って、半導体表面での試液蒸気の反応速度が非常に正 確に制御されるということは極めて重要である。
真空炉への試液の導入の多くの方法および別な真空半導体製作システムが公知で ある。そのシステムの多くは試液の噴霧質が形成されることを保証する状況の下 で動作することおよび質量流量が正確でかつ反復可能であることもまた保証する ことは大変困難である。この発明の1つの特徴は噴霧質形成の危険を伴わずにそ のような真空システムへ正確に蒸気を導入するための臨界オリフィスシステムの 提供に存する。
システムは所望の蒸気圧を獲得するために所望されるように貯蔵器またはバブラ の試液を与えかつ貯蔵器またはバブラの温度を維持することで公知である。1つ のそのようなシステムはSTCまたは供給源温度制御器と表わされてJ、C,シ ューマーカー社(J、C,Schumacher Company )により販 売されている。STCは簡潔に説明すると、貯蔵器用の囲いであり、かつ貯蔵器 の温度を非常に正確に維持するためのおよび加熱手段ならびに制御手段である。
システムは不活性ガス、たとえば窒素の正確に制御された質量流量を提供するこ とで公知である。1つのそのようなシステムはMFCすなわち質量流量制御器と してJ、C。
シューマーカー社(J、C,Schumacher Company )により 販売されている。MFCは注入口および排出口バルブおよびオリフィス制御デバ イスならびに流量計を含む。
発明の要約 試液貯蔵器から真空システムへの蒸気流量を制御するためのシステム、手段およ び方法を含むこの発明は試液貯蔵器からオリフィスの注入口まで導管手段を与え がっ真空システムにオリフィスの排出口を接続するはずである。圧力差は特定的 には試液蒸気の温度の関数であり、そのシステムへのオリフィスにわたって一般 に維持される。次いで流量はオリフィスにわたる圧力差、オリフィスの寸法およ び試液蒸気の温度の関数である。
このシステムの非常に有利な特徴は、オリフィスの注入口での圧力がオリフィス の排出口での圧力の少なくとも2倍でありさえすれば、オリフィスの排出口はお よそo、。
01ないし100トル(To r r)の範囲で高度または中位の真空であり、 流量は圧力差と無関係であるということである。そのような状況下で、一定の温 度で、流量はオリフィスの寸法のみの関数である。臨界オリフィスを用いると多 くの問題に出会う。そのような問題の中にオリフィス寸法の変化がある。オリフ ィスの実効寸法はおそらくオリフィスの構成要素上での試液蒸気の凝結、オリフ ィス材料での試液蒸気の化学反応およびおそらくオリフィスの表面での蒸気分子 の衝突が原因である摩滅のせいで、時間および動作期間に亘って変化する。いず れにしても、オリフィスの実効寸法は時間および動作期間に亘って変化する。こ のことは予め定められかつ所望された質量流量がオリフィスを介し達成されると いうことを保証するためにオリフィスの注意深い較正および再測定および流量パ ラメータの調整を必要とする。
この発明の重要な面はそれが公知の状況の下でオリフィスを介し予め定められた 質量流量に備えるためにオリフィスを較正するための臨界オリフィスおよび手段 ならびにシステムを提供することである。
バブラの形式のおよび別な形式の貯蔵器はこの産業では公知である。この産業標 準の1つはJ、C,シューマーカー社により販売される水晶バブラである。その ようなバブラはこの発明の臨界オリフィスシステムと関連して用いられてもよい が、改良された貯蔵器および改良されたシール配置はこの発明の重要な面である 。
水晶またはガラスの容器上のブレークシールは公知であり、かつ独特のブレーク シール配置がJ、C,シューマーカー社バブラ設計に含まれている。しかしなが ら、そのようなブレークシールは幾分小さい直径に制限される。この発明の重要 な特徴は試液容器への小さな分子の導入を除去する大きな直径のブレークシール である。
所望の圧力で蒸気を発生するための方法および装置がまた公知である。しかしな がら一般に、そのようなシステムは単一の蒸気に制限されかつ一定の組成および 圧力で混合蒸気を与えるためには十分ではない。この発明のまた別な重要な面は 新規な改良された混合蒸気発生器システム、装置および方法に存する。
化学試液の貯蔵器から真空システムへの化学試液の流量を制御するための真空蒸 気移送制御システムは注入口および排出口を有する臨界オリフィス、貯蔵器から オリフィス注入口へ試液の蒸気を導くための蒸気注入口手段、試液の蒸気がそこ へ流れ込むのを制御可能にするべき真空システムにオリフィス排出口を接続する ための蒸気排出口手段を含むことが説明される。
1つの好ましい実施例において、較正媒体として固定ガスを用いてそれによって 周期的にオリフィスを較正するために正確に公知の流量で試液蒸気または高純度 固定ガスのいずれかがオリフィスを通過するのを選択的に引き起こすための手段 が提供される。
別な好ましい実施例において、オリフィスはオリフィスの寸法に関して制御可能 でありかつ較正ガスの予め定められた流量がそこを介して流れるのを可能にする ためにオリフィス寸法を調整するための手段を含む。
このシステムはまた好ましくは、注入口での圧力の関数である注入口圧力信号お よび排出口での圧力の関数である排出口圧力信号を引出すための手段および排出 口圧力に対する注入口圧力の予め定められた割合を維持するために蒸気注入口手 段で試液蒸気の蒸気圧力を調整するための手段を含む。
この発明はまた動作の間柱入口および排出口を有するオリフィスを介して貯蔵器 から真空システムへ蒸気を通過させることおよび非動作の間オリフィスを介して 公知の質量流量の高純度固定ガスの流れを通過させることを含み、そのような非 動作の間オリフィスが基準質量流量として高純度固定ガス流を用いて質量流量容 量に関して較正される、試液の貯蔵器から真空システムへの試液蒸気移送量を制 御する方法を熟考する。
この方法は好ましくはオリフィス排出口での蒸気圧力の関数である注入口信号を 引出しかつ排出口蒸気圧力に対する注入口蒸気圧力の予め定められた割合を獲得 するために貯蔵器からの蒸気圧力を制御する段階を含む。
オリフィスが調整可能であるシステムにおいては、この方法はオリフィスを介す る較正高純度固定ガスの予め定められた質量流量を可能にするために較正の間、 オリフィスの寸法を調整する段階を含む。
図面の簡単な説明 第1図はこの発明の臨界オリフィスおよび較正システムの概略図である。
第2図は部分的に切り取られた複式貯蔵器の側面図である。
第3図は頂部の半分を示し、3つの貯蔵器の頂部を含む部分的に切り取られた第 2図の複式貯蔵器装置の部分的な平面図である。
第4図はこの発明の改良されたブレークシールおよびそこのための接続器を示す 部分的に切り取られた側面図および断面部分である。
第5図は第4図に示された接続器の平面図である。
第6図は破壊の間のブレークシールの底の部分的な断面部における側面図である 。
第7図はこの発明の改良された多数蒸気、単一供給源発生器の概略図である。
好ましい実施例の説明 第1図をまず参照すると、このシステムおよびこのシステムの動作の方法が説明 される。
好ましい実施例においては、このシステムは実質的に気密でありかつ好ましくは 不活性雰囲気の下で、たとえば窒素ガスブランケットの下で維持される囲い10 を含む。このことはこの発明の動作では本質的ではなく、また重要テはないが、 典型的にこの発明の範囲に含まれる重要な安全特徴である。窒素供給源が設けら れかつ流量は囲いの注入口12に至るバルブ11を介して制御される〇囲い10 の中または隣接する別な囲い20は蒸気がこの発明の真空蒸気移送制御システム がらそこへ調和する半導体製作システムにおいて蒸気化されかつ利用されるべき である試液の貯蔵器を含む。通気口13は窒素が逃れるのを可能にする。囲い1 0の内部は囲い10の内側の囲い16の加熱器14および制御器15により所望 の温度で維持されてもよい。この発明のシステムでの試液の蒸気圧力はいずれの 態様でも制御されてもよいが加熱器22および制御器24の手段により試液の温 度を制御することによりそれを制御することが便利である。
このシステムの導管、オリフィス、および別の流れ制御および流れ操作装置は試 液貯蔵器の温度より高い温度で維持される。たとえば、試液貯蔵器は典型的には 90℃ぐらいの温度で維持される。そのような場合、システムはこのシステムで の凝結を避けるためにたとえば95℃の温度で維持される。
試液の流れは従来の接続器または34.36および38で識別される後に説明さ れるであろうこの発明の改良された接続器を介してかつ次いで制御器46.48 および50によりそれぞれに制御されたバルブ40.42および44を介して導 管24.26および28および囲い20から流れる。流れは次いで52.54お よび56で示されるそれぞれのオリフィス機構に流れる。好ましい実施例では、 これらのオリフィスは可変でかつそれぞれ制御器58.60および62により制 御され得る。制御されたまたは固定された注入口52.54および56を介しガ スの流れは次いでユーザの真空炉または別の真空システムの注入口66に接続さ れるTEEミキサ64で混合される。流れは図において導管の注入口および排出 口で矢印により示される。
較正はJ、C,シューマーカー社により目下販売されるような先に議論された型 の質量流量制御器70かまたはいずれの別の所望の質量流量制御器を介し窒素の 供給源から提供される。既知の質量流量での窒素の流れはバルブ制御器78.8 0および82.により順に制御されるバルブ72.74および76を個別に介す る蒸気導管システムへ導入されるかもしれない。この手段により、公知の質量流 量での窒素は導管のいずれか1つへ導入されかつオリフィスのいずれか1つを介 して流れることを引き起こされてもよく、このようにオリフィスを較正するため に用いられる窒素の公知の質量流量流を提供する。工業的制御目的のためのマイ クロプロセッサおよびマイクロプロセス制御システムは広く知られており、一般 に使用されている。この発明に関してはそのようなシステムの特定の新規性はな い。実際、所望の機能を提供し得るいずれの制御器システムが用いられるでもよ く、かつ当業者はそのような制御器を設計するかまたは提供し得るであろう。こ の発明の全体のシステムのための制御器はVVTCすなわち真空蒸気移送制御器 と呼ばれかつ一般に100で示される。囲い10への窒素の流入の制御は制御器 102および制御ライン104を介して維持される。このことは囲いの窒素カバ ーを維持するためにバルブを単にオンおよびオフにする非常に単純な制御機能で ある。同様のシステムがSTCで窒素ブランケットを維持するために用いられて もよい。
囲い10の温度は加熱器14および制御ライン106を介する制御器15を用い て所望のレベルで維持される。同様に、供給源温度制御システムの温度は制御器 24の加熱器22および制御ライン108を介し維持される。制御ライン110 .112および114はバルブ40.42および44を制御し、したがってオリ フィスへの流れを制御する。制御ライン116.118および120はそれぞれ に、所望されると窒素の較正の流れを可能にするためにバルブ72.74および 76を制御する。制御ライン122.124および126はそれぞれのオリフィ ス52.54および56の大きさを制御する。変換器130および圧力センサ1 32からのライン128は蒸気がそこへ転送されるべき真空圧力を示す。同様の 態様で、変換器140.142および144からの制御ライン134.136お よび138は圧力センサ146.148および150からVVTCへ圧力の読み を伝送する。
動作において始動前に、窒素は質量流量制御器7oにより定められる公知の質量 流量でそれぞれの導管へおよびそれぞれオリフィスを介し流れることを可能にさ れる。そのような流れの間、実効オリフィスの大きさは、オリフィスの製作者に より与えられるかまたは標準の較正技術により開発される較正曲線から算定され 得るがまたは規定され得る。一旦実効オリフイス寸法がわがると、次いでオリフ ィスが運動の間調整されるかまたは実効オリフィス寸法が試液の質量流量を指定 するのに用いられる。この手順はオリフィスの各々に対し反復されその後その運 転が始まる。この較正に対する制御はもちろんバルブ72.74および76によ り与えられる。一度較正が完了すると、これらのバルブは閉じられかつバルブ4 0,42および44は開がれてシステムを介しおよびオリフィスを介し導管24 .26および28からの試液の流れを可能にする。オリフィスの出力はTEEミ キサ64に接続されがっ混合蒸気は次いで真空炉へ、どちらかと言えば真空装置 へ流れる。臨界オリフィスのアセンブリのうち1つまたはそれ以上が用いられる かもしれないということが理解される。これは便利に構成されたシステムである のでかつ2つまたは3つの試液が一般に半導体の製作に用いられるので3つが示 される。
理想的なオリフィスに対する臨界質全流量の等式はそこでは MW−ガス分子重量 T−” K R一定数、62,364 P、−上流の(servoir)圧力、トルD−オリフィス0、cmである。
これはP+ −535P2、すなわち下流の圧力と同じ長さである限り有効であ る。一般に、P2は1ないし5トルである。
第1表は例示の試液に対する典型的な実施例のオリフィス寸法の範囲を表わす。
TMP 140 90 3o o、7A O,099(Q、039″)TEB1 46 90 300 0.78 0−031(0,012”)TEOS−テトラ エチル(オルト)珪酸塩TMP−)ルメチルリン酸塩 TEB−テトラエチル硼酸塩 選択した制御バルブはMKS社(MKS Inc、)、125″動作のために修 正されるモデル248A制御バルブ、雌のVCR嵌め合いおよびカルペッツバル ブシート(Kalbez Valve 5eats)である。流れの範囲は次の ように選択される。
Mが2.34g/分であるTEOSを考えて見られたい。
特定の状況でリットル7分の所要の気体流量は90℃、70トルである。
流れ−22,4rt、(M ) (760トル)(T)MVP 273C −22,4(2,34) (760) (363)−3.64457分 子 M PおよびTEB用の等価なバルブはそれぞれ4.20および0.403 リットル/分である。100)ルより下で、バルブにかかる圧力降下は著しく増 加しかつその伝導はオリフィスバルブ本体を介する制限された流出経路のせいで 減少する。このことは分解能力におけるWの犠牲を除いてより高い範囲でバルブ を特定することにより補償され得る。MKS社は最小限の圧力降下に対し1分に つき0ないし50リツトルの標準範囲を伴うバルブを推薦する。
真空蒸気移送システムの各チャネルは所与の温度、圧力およびオリフィスバルブ 開口(すなわち、印加電圧を介しオリフィスバルブ制御器へ)で固定された質量 流量を出すためにプログラムされる。1つの実施例T);O5では90℃、70 トルかつ2.34グラム/分の質量流量である。
実際には、オリフィスの開口はゆっくりと圧力を維持し、実際の質量流量はこの 効果のせいでゆっくりと漂流する。
周期的な質量流量較正を与えるために、補助質量流量制御器(70)が提供され 、それは腐食ガスに決してさらされずかつそれゆえに安定基準となる。その動作 は次のとおりである。
第1図が示すように、較正の間バルブ40.42および44は正常な閉じた位置 にゲート動作される。N2は次いで72.74および76を介して個々の制御バ ルブへとMFC70を介し送られる。MFCの入力は各チャネルに対する規定さ れた圧力および質量流量を確立するためにプログラムされ得る限り。たとえば、 第1表が始動点として用いられるならば、MFC70の制御オリフィスへの電圧 は確立され得てそれは等価の組の電圧がチャネルそれ自体でオリフィス制御器に 与えられるとき各チャネルで70.30および300トルの圧力を発生する。
T’EO3に関する実施例は次のとおりである。工場では、較正関係は70トル および90℃でN2の公知の質量流量とMFCの制御オリフィスに与えられる電 圧を確立するために電圧■と電圧制御オリフィス52の間で確立される。
N2はMFCの上流側で5ps iで調整される。MFCの制御オリフィスに与 えられるl0VDCの電圧が制御器58の印加電圧により抑制される真空へと大 気圧および室温で250secmの流れを与えるということを仮定されたい。動 作において、較正動作は各動作の前に自動的になされる。較正曲線に基づく本質 的に予め定められた電圧は臨界オリフィス52およびMFCに与えられかつ質量 流量はMFCにより感知される。質量流量および圧力に不一致があるならば、電 圧は補償するために調整される。この手順は各チャネルでなされかつ次いでシス テムは動作に備える。
従来、3つの別個の貯蔵器が試液のために利用される。
しかしながら、多重の貯蔵器の装置を利用すると重要な利点がある。運送のコス トおよび多数の容器を運送する危険は、この発明の一面である新規でかつ非常に 有利な実施例を描いている第2図に示されるような、多数の貯蔵器を含む単一の 装置の利用により減らされる。
第2図を参照すると、外部貯蔵器200は第1の容器を形成する。これから後に 完全に詳細に説明されるオリフィス212および222と同一であるオリフィス 202は使用の間、貯蔵器から蒸気を除去するために設けられる。充填チューブ 204は、動作において、そこを介して試液が貯蔵器へと導入される長い中空の チューブにすぎず、その後典型的には加熱シールによって充填チューブは閉鎖さ れる。
温度感知探針が置かれ得る熱ウェル206が提供されがつ光学的レベル測定装置 が挿入されるかもしれない別なウェル208が提供される。これらは単に底が閉 じられたチューブにすぎず、それゆえ試液の含有を防ぐために密封し、そしてそ れらは試液の温度およびレベルを測定するのに利用される。そのようなウェルは 先行技術で公知でありがっこの発明のこの特定の実施例の別な特性との組合わせ を除けばそれ自体新規ではない。
別な容器210は内側に形成されかつ容器200の上部の壁に接続されかつ導管 202および222と同一のものである蒸気除去導管212が設けられる。充填 チューブ204に関して先に説明されたように充填チューブ214はまたこの容 器のために提供される。
類似の態様で、蒸気除去導管222および充填チューブ224を有する容器22 0が提供される。その組合せが外部貯蔵器の容器の上部の壁から吊るされた2つ の貯蔵器を有する外部貯蔵器を含み、3つの独立しかつ別個の貯蔵器を形成する 一体容器含み、その各々が充填チューブを有しかつその各々が蒸気除去導管を与 えられるということがわかるであろう。
蒸気除去チューブの低い方の端部は微細な端縁へとテーパされる。このテーバは 外部端縁、内部端縁に向かってもよく、またはそれに対して閉鎖ディスク26が 溶融される環状の構成にナイフの端縁が形成されるとすれば、一般に蒸気除去チ ューブ222の壁の厚さに関し一般に集中されても構わない。この組合わせは非 常に独特でかつ有利なブレークシールを形成する。とりわけ、チューブ222の 端部のブレークシール226は比較的厚くかつチューブの壁と同じくらいの厚さ かまたはそれよりも厚くてもよく、それゆえいかなる予期される内部圧力にも実 際に抵抗し得る。
特に、それは容器の運動および容器に含まれる液体のそこでの相対的な運動の間 与えられる水圧の力に抵抗し得る。
これは過去の重要な問題であり、この問題に対しこの発明は独特で、予期されず かつ非常に有利な解決を与える。
この発明のこの特定の特徴の別な重要な面はブレークシールを破る問題に存する 。多くの方法のうちいずれでもブレークシールは破られるかもしれない一方、シ ールを破るためのシステムの1つの特定の有利な装置は第4図および第5図に示 される。第2図に示されるように、蒸気除去チューブ222の外壁に形成される 溝228が存在する。第4図に示されるように、その溝228はいずれの重合体 または金属材料からできていてもよいその中に存する保持リング230を有する 。商標TEFLONの下に販売されているポリテトラフルオロエチレンのような 重合体、またはいずれの別な所望の重合体が好ましい。保持リングまたはウオッ シャ230は溝228に存する。保持器ウオッシャ230は蒸気除去チューブ2 22でその内部表面でねじ切りされるナツトまたは保持器240を保持する。明 らかに、部品は逆転させられてもよくかつねじ切りは外側にあってもよいがそれ はここでは都合良く内側に示されている。
ナツトは第4図および第6図に示されるように、蒸気除去チューブ222端部の 最も近くに延びる下降管252を含む接続器250に嵌合する。接続器250の 外部部分はねじ切りされかつナツト230のねじによりねじ込み式に係合される 。六角形または別な把握表面256が提供されかつ上部ねじ切り表面258はま た所望のいかなる種類の管類または導管システムに接続器を接続するために都合 良く提供されてもよい。これはこの点から従来のVCR接続器であるので、簡潔 かつ明瞭にするため説明は省かれる。
しかしながら簡単には、環状リブ260は本体の端部に形成されかつたとえば金 属または重合体であってもよい成る変形可能な材料のウオッシャ270はその上 に置かれさらに所望されるならば本質的にはねじ切り端部258に関して同一で ある組合わせ嵌合は反対の側部、すなわち第4図に示されるようにウオッシャ2 70の上側に係合するために提供される。2つの部分はともに組合いかつ部分2 58とねじ切り式に係合するナツトにより強制的に一緒にされる。示されている ように、これは従来通りの接続器でありかつ第4図の上部に示されるアセンブリ には本来新規性はない。
しかしながら、この発明の重要な面はすべての蒸気除去チューブ222を外へ伸 ばすための手段、例えばウオッシャ230によるように、蒸気除去チューブ22 2の端部、すなわちナツト240上に固定される手段およびナツト230に本体 250を固定するためのおよびその本体および特にその下方に延びる部分252 を動かすための手段のアセンブリを含む。下降チューブ252の外壁の溝に形成 される内張りOリング280および282は蒸気除去チューブの内部と下降チュ ーブ252の外部の間に内貼り関係を提供するために提供される。
使用に際しナツト240は蒸気除去チューブの端部の上を滑らされかつ典型的に は少なくとも幾分弾力のある保持リング230はチューブ222の端部の上を滑 らされかつ溝228で係合される。本体250は次いで蒸気除去チューブへと下 に延びる下降チューブを伴って適所に配置され、シールは0リング280および 282により形成される。
ナツト240はその2つが組合わせねじ切り表面を有する254で示される区域 の本体250にねじで取付けられ、このように本体250が下へ降りることを強 制する。第4図に示されるように、下降チューブ252の先端はやっと辛うじて ブレークシール226を通過する。本体をさらにねじ下ろすことにより、ブレー クシールは第6図に示されるようにディスク226を強制して下方に下ろし、チ ューブ222の端部の周囲の溶融部分を破りかつ第6図で矢印で示されるように ディスクブレークシール226を下方へ動かす。シールは先に形成されており、 この手順はシステムへの不純物のいかなる導入も予防する。この特定のブレーク シールの大きな利点の1つはそれが事実上いずれの所望の寸法にも作られ得ると いうことである。ブレークシールディスク226に適当な厚さを与えることが必 要である。
これは平坦なディスクにすぎないのでそれはいずれの所望の厚さでも容易に獲得 される。
接続器34.36および38は第4図および第5図に関し説明される型であって もよいことおよび導管24.26および28が第2図に示されるように蒸気除去 チューブ202.212および222であってもよいということが理解されるで あろう。
代替の実施例においては、たとえばただ1つのオリフィスが導管24を介して利 用されそれは第7図に示されている。
この特定の有利な実施例においては、貯蔵機302は所望の割合で用いられる試 液において用いられる試液の混合物を含む。その割合は液体の蒸気圧力の関数で ありかっroua l tの法則を用いて容易に算出される。
過去において混合試液供給源を用いることに伴う困難は蒸気の組成が時間の経過 に対して変化することである。この不利益な点は液体として貯蔵器から外へ液体 を汲み出すことおよびその後それを安定状態の気化反応器で気化することにより この発明に従って終わりとなる。
第7図を特定に参照すると、貯蔵器202は導管304を介して除去される混合 試液を含む。導管304および24を除く別な導管は非常に小さい、はぼ毛細導 管であっても構わない。第1図に説明されるように、導管24は非常に低圧で気 体を運搬するためにより大きな導管である。ポンプ306はポンプ率を制御しか つそれをオンおよびオフにするために第1図に示されるように制御器308およ びライン310によってVVTCに接続される。ポンプは導管312を介しおよ び流量計314を介し混合液体試液を強制し、そしてその出力は第1図に示され るVVTCへ通路316およびライン318を介・し伝送される。流量計は汚染 されておらずかつ試液に反応しないいずれの所望の型であってもよい。この業界 において公知である流量計の1つの型は流量計の入力から出力への液体の単一増 加の通過時間を測定する。熱のパルスは流量計の入力の近くに流れる試液へ注入 されかつこの熱パルスは流量計の出力の近くで感応され、通路は公知でありかつ 時間は決定されており、流量は次いで容易に得られる。しかしながら、製造され るいずれの別な種類の流量計でも利用される。
導管320は次いで未だ一定の組成物である混合液体試液を蒸発室330へ搬送 する。蒸気330は加熱器として単に図式的に示されているコイル332のよう ないずれの所望の手段によっても加熱され、加熱器はVVTCからライン336 を介し制御器334により制御される。貯蔵器330での温度を制御することで 導管24を介し与えられる蒸気圧力を制御する。再び、この実施例においては導 管のうちただ1つが使用されることが注目される。明らかに、多数のオリフィス システムは使用されず、この発明が利用されている。
第7図に関して説明されるようなシステムが一度動作に入ると、安定状態の状況 が蒸気室330で得られる。この部屋へ注入される液体の組成物は一定のままで あるので、一度蒸気室が安定状態の状況に入ると、製造されかつ蒸気室から除去 されている蒸気はまた一定の組成になり、蒸気の組成は貯蔵器302で試液の組 成と厳密に等しくなる。
一旦試液を一定の組成で真空システムへ送る問題が解決され、一旦この発明が理 解されれば、混合試液システムを用いることで非常に重要な経済的、技術的およ び実用的利点があるということが直ちに明らかになるであろう。この発明は次い でこの産業における実質的な経済的および実用的な進歩のための機会を切り開く 。
この発明は全システムおよび要素の組合わせに存しており、要素または構成要素 はそれ自体公知である。その構成要素に関する明細のための標準的テキスト、論 文、および技術的出版物に対し参照がなされる。ここで用いられ得るデバイス、 システムおよび構成要素への特定の参照はカーフスマ、「科学技術百科辞典J  (KIRKOTHMER,“ENCYCLOPEDIA OF CHEMICA L TECHNOLOGY″)、薄膜技術のハンドブック、マッグo −・ヒル (HANDBOOK OF THIN FILM TECHNOLOGY、 M cGraシー旧11)、半導体技術百科辞典、ウィリー・インターサイエンス( ENCYCLOPEDIA OF SEMICONDUCTORTECHNOL OGY、 WNey Interscjence) 、化学工学のハンドブック (HANDBOOK OF CHEMICAL ENGINEERING) 、 コンピュータサイエンスおよびエンジニアリングのハンドブック、ヴ7ン・ノス トランド(HANDBOOK OF COMPUTER5CIENCE AND  ENGINEERING、 Van No5trand) 、)ランジスタ、 半導体、インストゥルメンツおよびマイクロエレクトロニクスのハンドブック、 フレンチイス◆* −ル(HANDBOOK OF TRANSISTOR8゜ SEMICONDUCTOR3,INSTRUMENTS AND MICRO ELECTRONIC8,Prentice Hall )に対しなされている 。
説明された手段により、流量、圧力、温度およびオリフィス寸法を制御する変数 が制御されるかもしれない。
先に説明されたように、オリフィス40は多分オリフィスでの凝結または生成ま たはオリフィスでの種々の試液の反応の結果としてその実効直径が変化する。オ リフィス寸法が統一寸法で維持されるということは重要であり、またはその変わ りとして、予め定められた寸法でオリフィスを維持することが可能でないならば 、オリフィスを介する正味質量流量が制御され得るように蒸気の温度が制御され るということが重要である。このように、オリフィス寸法または蒸気の温度を制 御することのいずれかによりオリフィス40を介する正味質量流量を制御するこ とは可能である。
過去に用いられた較正のための極度に複雑で不確かでかつ危険なアプローチを避 けるために、次の方法および動作の順序が発明のシステムを用いて実行される。
動作の間、制御器38およびオリフィスは閉じられがっ固定ガスシステムからの 流れはない。試液からの蒸気の流れは示されるように導管28および30を介し てオリフィス40の注入口へ行き、オリフィス40を介し真空システムへ入る。
動作の間柱入ロシステムでの圧力が少なくとも排出口圧力の2倍であるというこ とを保証することが望ましいQこの目的のため・オリフィスの排出口側の圧力は 先に説明されたように測定されてもよく、がっ蒸気圧力は少なくとも排出口圧力 の2倍に維持される。
すべての動作の最後で、かつ別な動作を始める前に、再較正することまたはオリ フィスの較正を検査することが望ましい。先の実施において、このことは非常な 時間の消費でありかつしばしば非常に危険であるのでそのことがこの未完成の手 順をおもい留まらせるので各動作でなされなかった。
この発明に従えば、公知の質量流量で典型的には窒素である固定ガスの供給源は 導管30へ導入され、そしてその時間の間蒸気は貯蔵器22から閉鎖される。導 管3oへの窒素の質量流量は公知でありかつ導管3oの圧力は公知であるので、 もしそれが調整可能であるならば、オリフィスはオリフィス36を介し流れてい るのと同じ質量流量を可能にするために調整されるかもしれない。導管3oでの 圧力が一定であるならば、次いでもちろん、オリフィス36を介して流れている のと同じ質量流量がオリフィス4゜を介して流れている。オリフィス4oはそれ が導管3oでの圧力を正確に維持するように調整される。
その代わりとして、オリフィス44の寸法を調整することが実行可能でなければ 、1組の較正曲線が準備され得て質量流量と導管30の圧力またはオリフィス4 oにががる圧力差を互いに関連づける。オリフィスにががる所与の圧力関係、で 、オリフィス40の質量流量が次いでゎがる。典型的には窒素である較正ガス流 を用いて、適当な較正曲線を選択しても構わない。較正曲線は非常に近接した増 加でオリフィスのために作られ得てこのようにいずれの合理的に予期された圧力 差のために較正曲線を与えることを可能にする。
これから第2図の実施例を参照すると、説明されているようなただ複式の貯蔵器 を用いるだけのシステムが描がれている。第2図には、一般に第1図に関し説明 される囲い110は貯蔵器120を囲む。この実施例において、貯蔵器は3つの 室、すなわち120で示される外部の室、120aで示される内部の室および1 20bで示される・別な内部の室を有し、すべての室の温度は加熱器124およ び制御器126によって維持される。先に説明されたように、種々の貯蔵器構成 要素の排出口は導管へと送り込まれ、それぞれに130.230および330と 記される。公知でかつ制御されるかまたは制御可能な質量流量での較正ガスの供 給源は一般に139で示され、ガス供給源の詳細は簡略化のために省かれる。類 似のシステムは導管130,230および330への較正ガスの流れでそれぞれ に導入のための239および339で示される。オリフィス、オリフィス制御デ バイス、マイクロプロセッサおよびセンサを含む制御器システム150は130 がそこへ送り込む接続システムに示される。同様に導管230は制御システム2 50に送り出しかつ導管330は制御システム350に送り出す。第1図に例示 される詳細は簡略化のために第2図では省かれていることが理解されるであろう 。
第2図の多数の試液が用いられるシステムは特に価値がある。たとえば、半導体 の製作で用いられる重要な技術の1つは今や半導体デバイス上のこのガラスコー ティングの形成においてのBPSG (ポロフォラシリケート。ガラス(bor ophososilicate glass))の形成にあり、硼素含有構成要 素は1つの貯蔵器に含まれ、燐含有構成要素は別の貯蔵器に含まれかつ珪酸塩含 有構成要素はまた別な貯蔵器に含まれ、3つの組成物は真空へ導入され同時にそ こでポロフォソシリケート・ガラスを形成するために反応する。たとえば、貯蔵 器はそれぞれ三臭化硼素、三臭化燐およびテトラエチル(オルト)珪酸塩を含む かもしれない。
別々の貯蔵器および別々に加熱される貯蔵器が第2図に示される型の組合わせシ ステムて用いられてもよく、唯一の差は各貯蔵器が他方と別々になっているとい うことである。
しかしながら、貯蔵器120を特に参照すると、この貯蔵器は典型的には水晶か ら形成され大きな貯蔵器が形成されかつ包み容器の頂部または屋根から吊り下げ られた水晶容器の内側に1つまたは2つまたは3つまたはおそらくはそれ以上の 貯蔵器が形成されている。これらの装置は別々に形成されかつ次いで普通は従来 のかつ正常な水晶技術でともに溶融されるかもしれない。この発明はこのように また、開口がそれぞれ外側から貯蔵器の各々に通じている、少なくとも1つの付 加的な内部貯蔵器を取り囲む外部貯蔵器を含む水晶複式貯蔵器を考慮している。
産業的な応用 この発明は半導体の製造および真空炉および他の真空システムにおける適用を見 出すものである。
国際調査報告 1m+m@Hanal^−5lkll’eRN@、PcT/US 85/178 0ANNEX To°TF! INTERNATIONAL 5EARCHRE PORT ONH01L 21/31 6708− 0発 明 者 ランドツク、ピータ−・ティ0発 明 者 ライン、ブルース・ イー5F メリカ合衆国、92083 カリフォルニア州、ビスタ サイフラ・ドライブ、 1243 アメリカ合衆国、92069 カリフォルニア州、サン・マルクス ラカンパー ナ・コート、3859 アメリカ合衆国、92024 カリフォルニア州、エンシニータス ヒ・トップ ・レイン、1828 メリカ合衆国、92024 カリフォルニア州、エンシニータス パーディル・ レイン、2146

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.化学試液の貯蔵器から真空システムヘの化学試液の流量を制御するための真 空蒸気伝送制御システムであって、(a)注入口および排出口を有するオリフィ スと、(b)貯蔵器からオリフィス注入口へ試液の蒸気を導くための蒸気注入口 手段と、 (c)そこへ試液蒸気が流れることが制御可能にされるべきである真空システム にオリフィス排出口を接続するための蒸気排出口手段と、 (d)正確に公知の流量での試液蒸気または高純度固定ガスのいずれかがオリフ ィスを介して通過することを選択的に引き起こし、それによって較正媒体として 固定ガスを用いて代替的にオリフィスを較正するための手段とを組合わせて含む 、システム。
  2. 2.オリフィスがオリフィスの寸法に関して制御可能でありかつ較正ガスの予め 定められた流量がそこを介して流れることを可能にするためにオリフィスの寸法 を調節するための手段を含む、請求の範囲第1項に記載のシステム。
  3. 3.注入口での圧力の関数である注入口圧力信号および排出口での圧力の関数で ある排出口圧力信号を引出すための手段と、排出口圧力に対する注入口圧力の予 め定められた割合を維持するために蒸気注入口手段で試液蒸気の蒸気圧力を調整 するための手段とをさらに含む、請求の範囲第2項に記載のシステム。
  4. 4.注入口での圧力の関数である注入口圧力信号および排出口での圧力の関数で ある排出口圧力信号を引出すための手段と、排出口圧力に対する注入口圧力の予 め定められた割合を維持するために蒸気注入口手段において試液蒸気の蒸気圧力 を調整するための手段とをさらに含む、請求の範囲第1項に記載のシステム。
  5. 5.試液の貯蔵機から真空システムヘの試液蒸気伝送速度を制御する方法であっ て (a)動作の問注入口および排出口を有するオリフィスを介して貯蔵器から真空 システムへ蒸気を通過させる段階と、 (b)非動作の間オリフィスを介して公知の質量流量の高純度固定ガス流を通過 させる段階と、(c)基準質量流量として高純度固定ガス流を用いて質量流量容 量に関しオリフィスを較正する段階とを含む、方法。
  6. 6.オリフィス注入口での蒸気の圧力の関数である注入口信号を引出しかつオリ フィス排出口での蒸気の圧力の関数である排出口信号を引出しかつ排出口蒸気圧 力に対する注入口蒸気圧力の予め定められた割合を獲得するために貯蔵器からの 蒸気圧力を制御する段階をさらに含む、請求の範囲第5項に記載の方法。
  7. 7.オリフィスが調節可能でありかつオリフィスを介して較正高純度固定ガスの 予め定められた質量流量を可能にするために較正の間オリフィスの寸法を調整す る段階をさらに含む、請求の範囲第6項に記載の方法。
  8. 8.オリフィスが調整可能でありかつオリフィスを介して較正高純度固定ガスの 予め定められた質量流量を可能にするために較正の間オリフィスの寸法を調整す る段階をさらに含む、請求の範囲第5項に記載の方法。
  9. 9.真空化学反応室へ試液を導入する方法であって、(a)試液の温度を制御し 、それによって予め定められた圧力で試液蒸気を発生する段階と、(b)音波オ リフィスを介して真空反応室へ試液蒸気を流す段階と、 (c)試液の蒸気圧力を制御することにより反応室への流量を制御する段階とを 含む、方法。
  10. 10.臨界音波オリフィスの寸法を制御することにより化学反応室への試液の流 量をさらに制御することを含む、請求の範囲第9項に記載の方法。
  11. 11.試液蒸気が0.1から100トルで維持される、請求の範囲第10項に記 載の方法。
  12. 12.試液蒸気が0.1から10トルで維持される、請求の範囲第10項に記載 の方法。
  13. 13.真空反応室へ試液を導入するためのシステムであって、 (a)導入されるべき試液の蒸気を発生するための手段と、 (b)オリフィスと、 (c)オリフィスを介して反応室へ試液蒸気を流すための導管手段と、 (d)オリフィスを通る流量はオリフィスの注入口または排出口のいずれかの圧 力から独立しておりかつそれゆえに反応室での圧力変化から独立している臨界ま たは音波オリフィスとしてそれによってオリフィスを動作するために少なくとも 反応室の圧力の2倍であるおよそ0.1からおよそ100トルの圧力でオリフィ スの注入口側部での圧力を維持するための手段とを含む、手段。
  14. 14.不活性固定ガスの供給源を含む較正手段およびオリフィスを通るガスの質 量流量を規則化するための手段をさらに含む、請求の範囲第13項に記載のシス テム。
  15. 15.試液蒸気を発生するための手段が蒸発室、蒸発室のための加熱器、反応室 へ一定の組成物の試液を注排水する手段およびその室からオリフィスへ蒸気を通 過させるための手段を含む、請求の範囲第13項に記載のシステム。
  16. 16.試液蒸気を発生するための手段が外部貯蔵器および外部貯蔵器内の2つの 内部貯蔵器を規定する水晶または硼珪酸ガラスの容器を含み、各貯蔵器が充填オ リフィスおよび蒸気除去開口を有する、請求の範囲第13項に記載のシステム。
  17. 17.蒸気除去開口が試液に隣接する蒸気除去オリフィスの端部の薄い端縁と薄 い端縁に溶融されたディスクを含むブレークシールにより発送の間閉じられる、 請求の範囲第16項に記載のシステム。
  18. 18.そこの端部で薄い端縁および薄い端縁に溶融されたディスクを形成したガ ラスまたは水晶管を含むブレークシール。
  19. 19.薄い環状端縁の形式に形成された1つの端部を有するガラスまたは水晶の 管、管を閉じる前記薄い環状の端縁に溶融されたガラスまたは水晶のディスク、 ガラスまたは水晶の管に配置された内部の管およびディスクに内部の管を強制す るための手段を組合わせて含み、ディスク、ガラスまたは水晶の管および内部の 管がディスクが内部の管によりそこへの力の適用に際し薄い環状の端縁と断絶さ れるのを可能にするような構造および組成である、ブレークシール。
  20. 20.蒸発室、蒸発室を加熱するための手段、蒸発室へ一定の組成物の試液を流 すための手段および蒸発室から導入試液と同じ組成物の蒸気を除去するための手 段を含む、蒸気発生手段。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0382987A1 (en) * 1989-02-13 1990-08-22 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Gas supplying apparatus
DE69006809T2 (de) * 1989-09-12 1994-09-15 Shinetsu Chemical Co Vorrichtung für die Verdampfung und Bereitstellung von Organometallverbindungen.
NL9002164A (nl) * 1990-10-05 1992-05-06 Philips Nv Werkwijze voor het voorzien van een substraat van een oppervlaktelaag vanuit een damp en een inrichting voor het toepassen van een dergelijke werkwijze.
US5261452A (en) * 1991-03-01 1993-11-16 American Air Liquide Critical orifice dilution system and method
US5856194A (en) 1996-09-19 1999-01-05 Abbott Laboratories Method for determination of item of interest in a sample
US5795784A (en) 1996-09-19 1998-08-18 Abbott Laboratories Method of performing a process for determining an item of interest in a sample
EP1073777A2 (en) * 1998-04-14 2001-02-07 CVD Systems, Inc. Film deposition system
US6342453B1 (en) * 1999-12-03 2002-01-29 Applied Materials, Inc. Method for CVD process control for enhancing device performance
US6473564B1 (en) * 2000-01-07 2002-10-29 Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Method of manufacturing thin organic film
GB0018162D0 (en) * 2000-07-26 2000-09-13 Dow Corning Sa Polymerisation reactor and process
DE602004027256D1 (de) * 2003-06-27 2010-07-01 Sundew Technologies Llc Vorrichtung und verfahren zur steuerung des dampfdrucks einer chemikalienquelle
US20100129548A1 (en) * 2003-06-27 2010-05-27 Sundew Technologies, Llc Ald apparatus and method
US7680399B2 (en) * 2006-02-07 2010-03-16 Brooks Instrument, Llc System and method for producing and delivering vapor
US9468940B2 (en) 2012-11-13 2016-10-18 Cnh Industrial Canada, Ltd. Adjustable orifice valve and calibration method for ammonia applicator system

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3715189A (en) * 1970-06-15 1973-02-06 Secretary Of The Treasury Qualitative analysis device
JPS5715795U (ja) * 1980-07-01 1982-01-27

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2232978A (en) * 1939-12-04 1941-02-25 Arthur E Smith Ampule opener
US3723081A (en) * 1971-11-26 1973-03-27 Airco Inc Break seal
US4444734A (en) * 1978-11-13 1984-04-24 Hughes Aircraft Company Process for pumping gases using a chemically reactive aerosol
US4314837A (en) * 1979-03-01 1982-02-09 Corning Glass Works Reactant delivery system method
US4341107A (en) * 1980-10-14 1982-07-27 Tylan Corporation Calibratable system for measuring fluid flow
EP0058571A1 (en) * 1981-02-18 1982-08-25 National Research Development Corporation Method and apparatus for delivering a controlled flow rate of reactant to a vapour deposition process
JPS5996258A (ja) * 1982-11-26 1984-06-02 Hitachi Ltd 気体化装置
US4517220A (en) * 1983-08-15 1985-05-14 Motorola, Inc. Deposition and diffusion source control means and method
JPS6046373A (ja) * 1983-08-22 1985-03-13 Yanako Keisoku:Kk 蒸着材料ガス化装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3715189A (en) * 1970-06-15 1973-02-06 Secretary Of The Treasury Qualitative analysis device
JPS5715795U (ja) * 1980-07-01 1982-01-27

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Publication number Publication date
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