JPS6347368A - 酸化物垂直磁化膜の製造方法 - Google Patents
酸化物垂直磁化膜の製造方法Info
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- JPS6347368A JPS6347368A JP19095886A JP19095886A JPS6347368A JP S6347368 A JPS6347368 A JP S6347368A JP 19095886 A JP19095886 A JP 19095886A JP 19095886 A JP19095886 A JP 19095886A JP S6347368 A JPS6347368 A JP S6347368A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1216—Metal oxides
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はドキュメントファイル、フロッピーディスク、
ハードディスク等に使用される光磁気記録媒体の酸化物
垂直磁化膜の製造方法に関する。
ハードディスク等に使用される光磁気記録媒体の酸化物
垂直磁化膜の製造方法に関する。
災米挟嵐
近年、半導体レーザー光により磁気記録を行う光磁気記
録媒体が高密度記録用として種々検討されている６従来
、これら光磁気記録媒体に用いられる磁性膜としては遷
移金属（Ｆｅ、 Ｃｏ）と希土類金属（Ｔｂ、 Ｇｄ、
・・・）との合金よりなるアモルファス磁性合金膜が知
られている１例えば、特公昭５７−２０６９１号公報で
はＴｂ−Ｆｅアモルファス磁性膜について報告されてい
る。さらに、その他Ｇｄ Ｃｏ、Ｇｄ−Ｆｅ、Ｇｄ−
Ｔｂ−Ｆｅ。
録媒体が高密度記録用として種々検討されている６従来
、これら光磁気記録媒体に用いられる磁性膜としては遷
移金属（Ｆｅ、 Ｃｏ）と希土類金属（Ｔｂ、 Ｇｄ、
・・・）との合金よりなるアモルファス磁性合金膜が知
られている１例えば、特公昭５７−２０６９１号公報で
はＴｂ−Ｆｅアモルファス磁性膜について報告されてい
る。さらに、その他Ｇｄ Ｃｏ、Ｇｄ−Ｆｅ、Ｇｄ−
Ｔｂ−Ｆｅ。
Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｇｏ等のアモルファス
磁性膜が知られている。
磁性膜が知られている。
しかしながら、これら従来のアモルファス磁性膜を用い
た光磁気記録媒体は記録感度が高く、垂直磁気異方性を
示し、保磁力Ｈｅも大きく、作り易い等の長所を有する
反面、希土類元素は酸化活性が大きいため酸化し易く、
酸化に起因する磁気特性の劣化、記録または再生特性の
劣化が生じ易く、膜安定性に劣る問題点を有するもので
ある。さらに、これら従来の磁性膜の作製法としては、
蒸着法やスパッタリング法等が検討されているが、大面
積化が難しく、容易に作製できない等の問題点を有する
ものである。
た光磁気記録媒体は記録感度が高く、垂直磁気異方性を
示し、保磁力Ｈｅも大きく、作り易い等の長所を有する
反面、希土類元素は酸化活性が大きいため酸化し易く、
酸化に起因する磁気特性の劣化、記録または再生特性の
劣化が生じ易く、膜安定性に劣る問題点を有するもので
ある。さらに、これら従来の磁性膜の作製法としては、
蒸着法やスパッタリング法等が検討されているが、大面
積化が難しく、容易に作製できない等の問題点を有する
ものである。
目 的
本発明は上記した如き従来の光磁気記録媒体用の磁性膜
の有する問題点を改善し、磁気光学効果が大きく、膜の
安定性に優れ、大面積化が容易で簡単に作製できる酸化
物垂直磁化膜の製造方法を提供することを目的とする。
の有する問題点を改善し、磁気光学効果が大きく、膜の
安定性に優れ、大面積化が容易で簡単に作製できる酸化
物垂直磁化膜の製造方法を提供することを目的とする。
構成
本発明は光磁気記録媒体用の酸化物垂直磁化膜を作製す
るに際し、基板上にＦｅイオンおよびＣｏイオンの硝酸
塩を含む溶液を塗布し、乾燥させた後、該塗膜をアニー
ルして熱分解させることにより基板上にＣｏフェライト
の垂直磁化膜を作製することを特徴とするものである。
るに際し、基板上にＦｅイオンおよびＣｏイオンの硝酸
塩を含む溶液を塗布し、乾燥させた後、該塗膜をアニー
ルして熱分解させることにより基板上にＣｏフェライト
の垂直磁化膜を作製することを特徴とするものである。
本発明者らの検討によれば、磁性膜としてＣｏフェライ
トの結晶を用いることにより磁気光学効果の優れたもの
が得られ、しかもこのようなＧｏフェライト磁化膜がＦ
ｅイオンおよびＣｏイオンの硝酸塩を含む溶液を基板上
に塗布。
トの結晶を用いることにより磁気光学効果の優れたもの
が得られ、しかもこのようなＧｏフェライト磁化膜がＦ
ｅイオンおよびＣｏイオンの硝酸塩を含む溶液を基板上
に塗布。
乾燥後、アニールするという簡単にして大面積化が可能
な方法により得られ、得られた磁化膜は垂直磁化してる
ことを確認することを得、本発明を完成するに至ったも
のである。
な方法により得られ、得られた磁化膜は垂直磁化してる
ことを確認することを得、本発明を完成するに至ったも
のである。
本発明において、基板としては耐熱性の非磁性材である
石英、 ＳＬウェハー、バイコールガラス、パイレック
スガラス等が好ましく適用できる。
石英、 ＳＬウェハー、バイコールガラス、パイレック
スガラス等が好ましく適用できる。
このような基板上に塗布する溶液はＦｅイオンおよびＣ
ｏイオンの硝酸塩、すなわちＦｅ（Ｎｏ、）、およびＣ
ｏ（Ｎｏ、）、の硝酸塩に硝酸（ＨＮＯ３）およびエタ
ノール（Ｃ２Ｈ５０Ｈ） を加えてＷＲ製してものであ
って、溶液中のＦｅ原子とＣｏ Ｊ７ｉ子の比率が１．
５／１〜３．５／１となるように予めＦｅ（ＮＯｘ）３
およびＣｏ （Ｎｏ３）２の量比を特定したものとする
。そして、この溶液の塗布は大面積化が可能なスピナー
等を用いて行うことが好ましい、また、乾燥は大気中で
３００〜４００℃程度の温度雰囲気中にて行うようにす
る。このような溶液の塗布および乾燥により、通常ｏ、
ｏｏｓ〜０．０１μ鳳程度の塗布が得られ、この塗布、
乾燥を繰返し行うことにより所望の膜厚の塗膜を得るこ
とができる。所望の膜厚とした塗膜は乾燥後にアニール
に供する。アニールは大気中にて７００〜１２００℃程
度の温度範囲に３時間〜１２時間程度保持することによ
り行い、これにより塗膜は熱分解するとともに結晶化す
る。この際、塗布中のＦｅ原子とＣｏ＠子との比が１．
５／１〜３．５７１とされているため得られる結晶はＣ
ｏフェライトとなり、しかも垂直磁化膜として形成され
る。
ｏイオンの硝酸塩、すなわちＦｅ（Ｎｏ、）、およびＣ
ｏ（Ｎｏ、）、の硝酸塩に硝酸（ＨＮＯ３）およびエタ
ノール（Ｃ２Ｈ５０Ｈ） を加えてＷＲ製してものであ
って、溶液中のＦｅ原子とＣｏ Ｊ７ｉ子の比率が１．
５／１〜３．５／１となるように予めＦｅ（ＮＯｘ）３
およびＣｏ （Ｎｏ３）２の量比を特定したものとする
。そして、この溶液の塗布は大面積化が可能なスピナー
等を用いて行うことが好ましい、また、乾燥は大気中で
３００〜４００℃程度の温度雰囲気中にて行うようにす
る。このような溶液の塗布および乾燥により、通常ｏ、
ｏｏｓ〜０．０１μ鳳程度の塗布が得られ、この塗布、
乾燥を繰返し行うことにより所望の膜厚の塗膜を得るこ
とができる。所望の膜厚とした塗膜は乾燥後にアニール
に供する。アニールは大気中にて７００〜１２００℃程
度の温度範囲に３時間〜１２時間程度保持することによ
り行い、これにより塗膜は熱分解するとともに結晶化す
る。この際、塗布中のＦｅ原子とＣｏ＠子との比が１．
５／１〜３．５７１とされているため得られる結晶はＣ
ｏフェライトとなり、しかも垂直磁化膜として形成され
る。
なお、本発明において、アニール後の冷却時に磁化膜の
膜面に垂直方向にＩＫＯｅ〜５ＫＯｅ程度の磁界をかけ
て行うようにすれば、磁化膜の垂直磁気異方性がより増
大するようになるので好ましい。
膜面に垂直方向にＩＫＯｅ〜５ＫＯｅ程度の磁界をかけ
て行うようにすれば、磁化膜の垂直磁気異方性がより増
大するようになるので好ましい。
以下に実施例を示す。
実施例１
以下の条件でバイコールガラス基板上にＣｏフェライト
磁性膜を作製した。
磁性膜を作製した。
（１）、下記に示す量のＦｅ（Ｎｏ３）、とＣｏ（Ｎｏ
３）。
３）。
を硝酸に加え、攪拌し、完全に溶解させる。
Ｆ ｅ（Ｎ Ｏｉ ）３ ・９ Ｈｚ Ｏ４，０４ｇＣ
ｏ（Ｎ０３）ｚ ・６ Ｈ，０１，４６ｇＨＮ Ｏ３５
６，２ｍ Ｑ （２）、（１）で得られた溶液と等量のエタノールを混
合させ、良く攪拌する。
ｏ（Ｎ０３）ｚ ・６ Ｈ，０１，４６ｇＨＮ Ｏ３５
６，２ｍ Ｑ （２）、（１）で得られた溶液と等量のエタノールを混
合させ、良く攪拌する。
（３）、（２）の溶液をスピナーを用いて下記の条件で
基板上に塗布する。
基板上に塗布する。
溶液滴下時−１１００Ｏｒｐ、 １５ｓｅｃ溶液滴下後
−３００Ｏｒｐｍ、 １２ｓｅｃ（４）、（３）で塗布
した膜を電気炉を用いて、下記の条件で乾燥させる。
−３００Ｏｒｐｍ、 １２ｓｅｃ（４）、（３）で塗布
した膜を電気炉を用いて、下記の条件で乾燥させる。
大気中、４００℃、 ３０ｍ１ｎ
（５）、（３）と（４）の塗布、乾燥の工程を９回繰返
し行う。
し行う。
（６）、乾燥後に電気炉を用いて、下記の条件でアニー
ルを行う。
ルを行う。
大気中、９５０℃、 １２ｈｒ
これにより得られた膜は厚さ４５０人であり、Ｘ線回折
パターンにより多結晶膜になっていることが確認され、
磁気特性は第１図に示すように保磁力（Ｈｅ）が大きい
角型性の良い股であり、垂直磁気異方性を有するもので
あった。また、ファラデー効果を用いたヒステリシスル
ープは第２図に示すようになり、ファラデー回転角θＦ
ｒも大きいことがわかる。なお、光源はλ＝７８０ｎｍ
の半導体レーザーを用いて測定した。
パターンにより多結晶膜になっていることが確認され、
磁気特性は第１図に示すように保磁力（Ｈｅ）が大きい
角型性の良い股であり、垂直磁気異方性を有するもので
あった。また、ファラデー効果を用いたヒステリシスル
ープは第２図に示すようになり、ファラデー回転角θＦ
ｒも大きいことがわかる。なお、光源はλ＝７８０ｎｍ
の半導体レーザーを用いて測定した。
この膜の特性値を下記に示す。
飽和磁化 Ｍｓ ： ２００ｅｍｕ／ｃｃ残
留磁化 Ｍｒ ： １５７ｅｍｕ／ｃｃ角型
比 Ｍｒ／Ｍｓ ： ０．７９ 保磁力 Ｈｅ ： ４ＫＯｅ フアラデー θＦｒ ： １．０４ｄｅｇ／ｕ
ｍ回転角 次に、上記工程の（６）までは同様であるが（但し、塗
布回数２０回）、アニール工程後、冷却する際、膜を５
ＫＯｅの磁場中に置いて磁場中冷却処理を行った。得ら
れた膜の磁気特性は第３図のようになり、角型比が１．
０に近くなり、垂直磁気異方性が増した特性が得られた
。
留磁化 Ｍｒ ： １５７ｅｍｕ／ｃｃ角型
比 Ｍｒ／Ｍｓ ： ０．７９ 保磁力 Ｈｅ ： ４ＫＯｅ フアラデー θＦｒ ： １．０４ｄｅｇ／ｕ
ｍ回転角 次に、上記工程の（６）までは同様であるが（但し、塗
布回数２０回）、アニール工程後、冷却する際、膜を５
ＫＯｅの磁場中に置いて磁場中冷却処理を行った。得ら
れた膜の磁気特性は第３図のようになり、角型比が１．
０に近くなり、垂直磁気異方性が増した特性が得られた
。
この膜の特性値を下記に示す。
飽和磁化 Ｍｓ ： ２０４ｅｍｕ／ｃｃ残
留磁化 Ｍｒ ： １７３ｅｍｕ／ｃｃ角型
比 Ｍｒ／Ｍｓ ： ０．８５ 保磁力 Ｈｅ ： １．８Ｋｂ 実施例２ スピナーでの塗布条件、乾燥条件およびアニール条件な
どを実施例１と同じにして、溶液中のＦｅ原子と００Ｍ
子との比率を変化させたときのファラデー回転角１ｌｌ
Ｆｒ、飽和磁比Ｍｓおよび保磁力Ｈｅの変化を第４図に
示す、これがらθＦｒおよびＨｅの大きいＦｅとＣｏの
原子比１．５／１〜３．５／１の範囲から光磁気記録媒
体として適していることがわかる。
留磁化 Ｍｒ ： １７３ｅｍｕ／ｃｃ角型
比 Ｍｒ／Ｍｓ ： ０．８５ 保磁力 Ｈｅ ： １．８Ｋｂ 実施例２ スピナーでの塗布条件、乾燥条件およびアニール条件な
どを実施例１と同じにして、溶液中のＦｅ原子と００Ｍ
子との比率を変化させたときのファラデー回転角１ｌｌ
Ｆｒ、飽和磁比Ｍｓおよび保磁力Ｈｅの変化を第４図に
示す、これがらθＦｒおよびＨｅの大きいＦｅとＣｏの
原子比１．５／１〜３．５／１の範囲から光磁気記録媒
体として適していることがわかる。
第５図にはアニール温度を変化させたとき（他の条件は
実施例１と同じ）の飽和磁比Ｍｓおよび保磁力Ｈｅの変
化を示す、Ｍｓは大きくは変化しないが、Ｈｃは７００
℃以上にすることにより２．５ＫＯｅ以上の大きい値を
示すようになり、アニール温度は７００〜１２００℃の
範囲が適していることがわかる。
実施例１と同じ）の飽和磁比Ｍｓおよび保磁力Ｈｅの変
化を示す、Ｍｓは大きくは変化しないが、Ｈｃは７００
℃以上にすることにより２．５ＫＯｅ以上の大きい値を
示すようになり、アニール温度は７００〜１２００℃の
範囲が適していることがわかる。
効−−−釆一
以上のように本発明は磁気光学効果が大きく保磁力も大
きく、安定性に優れたｃｏフェライトの垂直磁化膜を大
面積化が可能で、簡単に作製できるという効果を有する
。
きく、安定性に優れたｃｏフェライトの垂直磁化膜を大
面積化が可能で、簡単に作製できるという効果を有する
。
第１図は実施例における膜の磁気特性図である。
第２図は実施例におけるファラデー効果を用いたヒステ
リシスループ図である。 第３図は実施例における膜であってアニール後磁場中冷
却を施したものの磁気特性図である。 第４図は溶液中のＦｅ［子とＣｏ原子との比率を変化さ
せたときのファラデー回転角部１、飽和磁化Ｍｓおよび
保磁力Ｈｅの変化図である。 第５図はアニール温度を変化させたときの飽和磁化Ｍｓ
および保磁力Ｈｅの変化図である。
リシスループ図である。 第３図は実施例における膜であってアニール後磁場中冷
却を施したものの磁気特性図である。 第４図は溶液中のＦｅ［子とＣｏ原子との比率を変化さ
せたときのファラデー回転角部１、飽和磁化Ｍｓおよび
保磁力Ｈｅの変化図である。 第５図はアニール温度を変化させたときの飽和磁化Ｍｓ
および保磁力Ｈｅの変化図である。
Claims (1)
- １、光磁気記録媒体用の酸化物垂直磁化膜を作製するに
際し、基板上にＦｅイオンおよびＣｏイオンの硝酸塩を
含む溶液を塗布し、乾燥させた後、該塗膜をアニールし
て熱分解させることにより基板上にＣｏフェライトの垂
直磁化膜を作製することを特徴とする酸化物垂直磁化膜
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19095886A JPS6347368A (ja) | 1986-08-14 | 1986-08-14 | 酸化物垂直磁化膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19095886A JPS6347368A (ja) | 1986-08-14 | 1986-08-14 | 酸化物垂直磁化膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6347368A true JPS6347368A (ja) | 1988-02-29 |
Family
ID=16266503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19095886A Pending JPS6347368A (ja) | 1986-08-14 | 1986-08-14 | 酸化物垂直磁化膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6347368A (ja) |
-
1986
- 1986-08-14 JP JP19095886A patent/JPS6347368A/ja active Pending
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