JPS63468A - 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 - Google Patents
対向タ−ゲツト式スパツタ装置Info
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- JPS63468A JPS63468A JP14296286A JP14296286A JPS63468A JP S63468 A JPS63468 A JP S63468A JP 14296286 A JP14296286 A JP 14296286A JP 14296286 A JP14296286 A JP 14296286A JP S63468 A JPS63468 A JP S63468A
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- target
- magnetic field
- facing
- substrate
- sputtering apparatus
- Prior art date
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［利用分野］
本発明は、ターゲットを対向させた対向ターゲット式ス
パッタ装置に関し、更に詳しくは磁気記録媒体等の製造
に好適な、巾の広い長尺の基板を移送しつつ連続的に所
望の薄膜を形成する対向ターゲット式スパッタ装置に関
する。
パッタ装置に関し、更に詳しくは磁気記録媒体等の製造
に好適な、巾の広い長尺の基板を移送しつつ連続的に所
望の薄膜を形成する対向ターゲット式スパッタ装置に関
する。
［従来技術］
前述の対向ターゲット式スパッタ装置は、特開昭５７−
１５８３８０号、特開昭５９−５３６８０号公報等で公
知の通り、頁中槽内で対向させたターゲットの対向方向
に磁界を発生させ、ターゲットの側方に配した基板上に
膜形成するスパッタ装置で、各種材料中でも磁性材の低
温、高速の膜形成できる特徴を有し、磁性薄膜、Ｂ脱型
磁気記録媒体等の製造に利用されている。
１５８３８０号、特開昭５９−５３６８０号公報等で公
知の通り、頁中槽内で対向させたターゲットの対向方向
に磁界を発生させ、ターゲットの側方に配した基板上に
膜形成するスパッタ装置で、各種材料中でも磁性材の低
温、高速の膜形成できる特徴を有し、磁性薄膜、Ｂ脱型
磁気記録媒体等の製造に利用されている。
ところが、従来の対向ターゲット式スパッタ層を用いて
膜形成例えば垂直磁気記録媒体のＣｏ−Ｃｒ合金膜を連
続形成した場合、ターゲットはその中心部に侵食が集中
し、ターゲットの利用効率が低いことがわかった（ Ｉ
Ｅ Ｅ Ｅ Ｔ ｒａｎｓ ＯｎＭａｑｎｅｔｉ
ｃｓ ＭＡＧ１７．ｐ３１７５ （１９８１） ）
、又基板の巾方向においても膜厚分布が生じ、生産性
面で問題があることがわかった。
膜形成例えば垂直磁気記録媒体のＣｏ−Ｃｒ合金膜を連
続形成した場合、ターゲットはその中心部に侵食が集中
し、ターゲットの利用効率が低いことがわかった（ Ｉ
Ｅ Ｅ Ｅ Ｔ ｒａｎｓ ＯｎＭａｑｎｅｔｉ
ｃｓ ＭＡＧ１７．ｐ３１７５ （１９８１） ）
、又基板の巾方向においても膜厚分布が生じ、生産性
面で問題があることがわかった。
これに対して、本発明者らは特開昭５８−１６４７８１
号公報及び特開昭５９−１１６３７６号公報において、
第５図の構成すなわち、ターゲットの周囲に磁界発生機
構のコアを配置し、磁界をターゲットの周囲に発生させ
るようにした構成を提案した。すなわち、同図は、対向
ターゲット式スパッタ装置のターゲット部のみ示したも
ので、対向ターゲットＴ。
号公報及び特開昭５９−１１６３７６号公報において、
第５図の構成すなわち、ターゲットの周囲に磁界発生機
構のコアを配置し、磁界をターゲットの周囲に発生させ
るようにした構成を提案した。すなわち、同図は、対向
ターゲット式スパッタ装置のターゲット部のみ示したも
ので、対向ターゲットＴ。
Ｔ′・の周囲にシールドを兼ねて、端部３０１ａ、 ３
０２ａをターゲットＴ＋ 、Ｔ２の表面に臨むように折
曲させたコア３０１． ３０２の脚部３０１ｂ、 ３０
２ｂに磁界を発生させるコイル又は永久磁石からなる磁
界発生源３０１’ 、 ３０２’を磁気的に結合させ
て設け、図示の如く磁界ＨをターゲットＴ、Ｔ’の周囲
のみ発生させるようにしたものである。図において３１
０は真空槽壁、 ３１１． ３１２はターゲットホル
ダー、 ３１１ａ、 ３１２ａはターゲット冷却のため
の冷却配管である。この構成により磁界はターゲットを
経由しないで直接コア間に形成されるので、磁界の分布
がターゲツト材の透磁率、飽和磁化、ターゲットの厚み
に影響されず安定し且つ、プラズマ捕捉用磁界がターゲ
ット周囲に形成されるのでその侵食領域が中心部から周
辺部へ拡大し、ターゲットの利用率が向上した。しかし
ながら、基板中が広くなりターゲットの巾が広くなると
、前述の基板巾方向でその中心部と端部の薄膜差が大き
くなると共に、中心部の侵食が速く全体としてのターゲ
ットの利用率が低下するという問題があることがわかっ
た。
０２ａをターゲットＴ＋ 、Ｔ２の表面に臨むように折
曲させたコア３０１． ３０２の脚部３０１ｂ、 ３０
２ｂに磁界を発生させるコイル又は永久磁石からなる磁
界発生源３０１’ 、 ３０２’を磁気的に結合させ
て設け、図示の如く磁界ＨをターゲットＴ、Ｔ’の周囲
のみ発生させるようにしたものである。図において３１
０は真空槽壁、 ３１１． ３１２はターゲットホル
ダー、 ３１１ａ、 ３１２ａはターゲット冷却のため
の冷却配管である。この構成により磁界はターゲットを
経由しないで直接コア間に形成されるので、磁界の分布
がターゲツト材の透磁率、飽和磁化、ターゲットの厚み
に影響されず安定し且つ、プラズマ捕捉用磁界がターゲ
ット周囲に形成されるのでその侵食領域が中心部から周
辺部へ拡大し、ターゲットの利用率が向上した。しかし
ながら、基板中が広くなりターゲットの巾が広くなると
、前述の基板巾方向でその中心部と端部の薄膜差が大き
くなると共に、中心部の侵食が速く全体としてのターゲ
ットの利用率が低下するという問題があることがわかっ
た。
［発明の目的］
本発明はかかる問題に鑑みなされたもので、巾の広いタ
ーゲットにおいても上述の問題のない生産性の良い改良
された対向ターゲット式スパッタ装置を目的とするもの
である。
ーゲットにおいても上述の問題のない生産性の良い改良
された対向ターゲット式スパッタ装置を目的とするもの
である。
［発明の構成及び作用］
すなわち、本発明は、前述の特開昭５８−１６４７８１
号公報、特開昭５９−１１６３７６号公報開示の対向タ
ーゲット式スパッタ装置の改良で、所定距離を隔てて対
向したターゲットの周囲に磁界発生手段によりターゲッ
ト対向方向の磁界を発生させ、ターゲットの側方をその
対向方向に移送される基板上に膜形成するようにした対
向ターゲット式スパッタ装置において、前記ターゲット
は基板巾方向が長い長方形で、長辺側で複数に分割され
ており、且つ前記磁界発生手段はターゲットの分割個所
に前記磁界を発生するようになされていることを特徴と
する対向ターゲット式スパッタ装置である。
号公報、特開昭５９−１１６３７６号公報開示の対向タ
ーゲット式スパッタ装置の改良で、所定距離を隔てて対
向したターゲットの周囲に磁界発生手段によりターゲッ
ト対向方向の磁界を発生させ、ターゲットの側方をその
対向方向に移送される基板上に膜形成するようにした対
向ターゲット式スパッタ装置において、前記ターゲット
は基板巾方向が長い長方形で、長辺側で複数に分割され
ており、且つ前記磁界発生手段はターゲットの分割個所
に前記磁界を発生するようになされていることを特徴と
する対向ターゲット式スパッタ装置である。
本発明はターゲットを長辺側で分割して適当な良さにす
ると共に、その分割個所にプラズマ捕捉用磁界を発生さ
せプラズマ空間も分割することにより、各分割領域は、
独立なターゲットと同様に作用し、全体はその重ね含ぜ
となり、侵食領域が平均化してターゲットの利用率が向
上すると共に基板巾方向の膜厚分布も均一領域が大巾に
拡大することを見出しなされたものである。
ると共に、その分割個所にプラズマ捕捉用磁界を発生さ
せプラズマ空間も分割することにより、各分割領域は、
独立なターゲットと同様に作用し、全体はその重ね含ぜ
となり、侵食領域が平均化してターゲットの利用率が向
上すると共に基板巾方向の膜厚分布も均一領域が大巾に
拡大することを見出しなされたものである。
本発明によれば、上述の点から前述した課題が解決され
る上、ターゲットが小さくて良いので、その製造が容易
となり安価となる利点もある。
る上、ターゲットが小さくて良いので、その製造が容易
となり安価となる利点もある。
以下本発明の詳細を実施例に基いて説明する。
第１図は、実施例の全体構成を示すｉｐ！略図、第２図
はその一方のターゲットの平面図、第３図は基板と直交
する第２図のＡＢ線での側断面図：第３図は、その基板
面と平行な第２図のＣＤ線での側断面図である。
はその一方のターゲットの平面図、第３図は基板と直交
する第２図のＡＢ線での側断面図：第３図は、その基板
面と平行な第２図のＣＤ線での側断面図である。
第１図から明らかな通り、本装置は前述の特開昭５７−
１５８３８０号公報等で公知の対向ターゲット式スパッ
タ装置と基本的に同じ構成となっている。
１５８３８０号公報等で公知の対向ターゲット式スパッ
タ装置と基本的に同じ構成となっている。
すなわち、図において１０は真空槽、２０は真空槽１０
を排気する真空ポンプ等からなる排気系、３０は真空槽
１０内に所定のガスを導入して真空槽１０内の圧力を１
０−１〜１０″Ｔ ｏｒｒ程度の所定のガス圧力に設定
するガス導入系である。
を排気する真空ポンプ等からなる排気系、３０は真空槽
１０内に所定のガスを導入して真空槽１０内の圧力を１
０−１〜１０″Ｔ ｏｒｒ程度の所定のガス圧力に設定
するガス導入系である。
そして、真空槽１０内には、図示の如くターゲット部１
００． １００’ により１対の基板Ｓに面する辺が長
い長方形のターゲットＴ、Ｔ’が、空間を隔てて平行に
対面するように配設しである。
００． １００’ により１対の基板Ｓに面する辺が長
い長方形のターゲットＴ、Ｔ’が、空間を隔てて平行に
対面するように配設しである。
ターゲット部１００． １００’ は全く同じ構成であ
り、以下その一方のターゲット １００に基いて説明す
る。
り、以下その一方のターゲット １００に基いて説明す
る。
ターゲット部１００は従来と異なり、第２図の平面図か
ら明らかなように、ターゲットＴがＴ＋。
ら明らかなように、ターゲットＴがＴ＋。
Ｔｚに２等分割されると共に、シールドリング１１０も
、ターゲットと同様その分割個所上で分割辺１１０ａに
より２分割されている。プラズマ捕捉用磁界を形成する
磁界発生手段１２０は、分割辺１１０ａを含めてシール
ドリンク１１０に沿って、その背後に配置され、分割さ
れたターゲットＴ＋ 、Ｔ２毎に区画されたプラズマ捕
捉用磁界を形成するようになっている。
、ターゲットと同様その分割個所上で分割辺１１０ａに
より２分割されている。プラズマ捕捉用磁界を形成する
磁界発生手段１２０は、分割辺１１０ａを含めてシール
ドリンク１１０に沿って、その背後に配置され、分割さ
れたターゲットＴ＋ 、Ｔ２毎に区画されたプラズマ捕
捉用磁界を形成するようになっている。
このターゲット部１００の詳細構造は以下のように構成
されている。第２図、第３図において １０１は、中央
部にターゲットＴの分割個所に配置される磁界発生手段
１２０の後述の永久磁石の収納部を設けた筒状体からな
るターゲットホルダーで、その上には、テフロン（デュ
ポン社商品名）等の絶縁材からなる絶縁ブロック１０２
を介して、図で上面にタープＴ＋ 、Ｔｚを冷却するた
めの冷却溝１０３ａを穿設した冷却板１０３がボルトに
より固定される。そして冷却板１０３上には、押え枠１
０４によりターゲットＴ＋ 、Ｔｚがボルトにより固定
される。冷却板１０３の接続口１０３ｂは、図示省略し
た冷却配管が接続され、冷却媒体の循環によりターゲッ
トＴ＋ 、Ｔｚを冷却するようになっている。なお、タ
ーゲットホルダ１０１の上面、絶縁ブロック１０２、冷
却板１０３．ターゲットＴ＋ 、Ｔｚの８接、 石面は
、当然のことながらパツキン（図示省略）によりシール
されている。以上の構成によりターゲットＴ＋ 、Ｔｚ
の交換が簡単になると共にターゲットＴ、＋ 、Ｔｚは
隅々迄均−冷却が可能となり、生産性、安定運転面で効
果大である。
されている。第２図、第３図において １０１は、中央
部にターゲットＴの分割個所に配置される磁界発生手段
１２０の後述の永久磁石の収納部を設けた筒状体からな
るターゲットホルダーで、その上には、テフロン（デュ
ポン社商品名）等の絶縁材からなる絶縁ブロック１０２
を介して、図で上面にタープＴ＋ 、Ｔｚを冷却するた
めの冷却溝１０３ａを穿設した冷却板１０３がボルトに
より固定される。そして冷却板１０３上には、押え枠１
０４によりターゲットＴ＋ 、Ｔｚがボルトにより固定
される。冷却板１０３の接続口１０３ｂは、図示省略し
た冷却配管が接続され、冷却媒体の循環によりターゲッ
トＴ＋ 、Ｔｚを冷却するようになっている。なお、タ
ーゲットホルダ１０１の上面、絶縁ブロック１０２、冷
却板１０３．ターゲットＴ＋ 、Ｔｚの８接、 石面は
、当然のことながらパツキン（図示省略）によりシール
されている。以上の構成によりターゲットＴ＋ 、Ｔｚ
の交換が簡単になると共にターゲットＴ、＋ 、Ｔｚは
隅々迄均−冷却が可能となり、生産性、安定運転面で効
果大である。
ターゲットホルダー １０１の外側にはステンレス等の
非磁性導電材からなる磁石ホルダー１０５がボルトによ
り固定されている。磁石ホルダー１０５は図で上面にシ
ールドリンク１１０が取着でき、その内部に磁界発生手
段１２０のコア１２１と永久磁石１２２が収納できるよ
うにその先端部外側にＵ字型ホルダ一部１０５ａが形成
されており、又ターゲットＴ＋ 、Ｔｚ及び冷却［１０
３と所定の間隙を有するように配置されている。
非磁性導電材からなる磁石ホルダー１０５がボルトによ
り固定されている。磁石ホルダー１０５は図で上面にシ
ールドリンク１１０が取着でき、その内部に磁界発生手
段１２０のコア１２１と永久磁石１２２が収納できるよ
うにその先端部外側にＵ字型ホルダ一部１０５ａが形成
されており、又ターゲットＴ＋ 、Ｔｚ及び冷却［１０
３と所定の間隙を有するように配置されている。
Ｌ社界発生手段１２０のコア １２１と永久磁石１２２
とは、図示の通り、鉄、パーマロイ等の軟磁性材の板状
体からなるコア１２１が図で上部の先端側に位置し、そ
の背後に永久磁石１２２がターゲットＴ＋。
とは、図示の通り、鉄、パーマロイ等の軟磁性材の板状
体からなるコア１２１が図で上部の先端側に位置し、そ
の背後に永久磁石１２２がターゲットＴ＋。
Ｔｚのスパッタ面に垂直方向の磁界を発生する磁極配置
になるように固定枠１０６によりボルト等により固定さ
れる。なお、永久磁石１２２は、所定長の角棒状磁石を
その合成磁界が前記プラズマ捕捉用磁界を形成するよう
に並設したものである。従ってプラズマ捕捉用磁界はコ
ア１２１を磁准として発生するので、ターゲットＴ＋
、Ｔｚの周辺に均一な磁界を生じターゲット使用効率が
向上する。
になるように固定枠１０６によりボルト等により固定さ
れる。なお、永久磁石１２２は、所定長の角棒状磁石を
その合成磁界が前記プラズマ捕捉用磁界を形成するよう
に並設したものである。従ってプラズマ捕捉用磁界はコ
ア１２１を磁准として発生するので、ターゲットＴ＋
、Ｔｚの周辺に均一な磁界を生じターゲット使用効率が
向上する。
シールドリンク１１０が、磁石ホルダ１０５とタープＴ
＋ 、Ｔｚとの間の間隙を覆うようにターゲットＴ＋
、Ｔｚの方に突き出して磁石ホルダ１０５のホルダ部１
０５ａの前面に設けられている。従って、シールドリン
ク１１０は磁石ホルダ１０５、ターゲットホルダ１０１
を介して接地される。
＋ 、Ｔｚとの間の間隙を覆うようにターゲットＴ＋
、Ｔｚの方に突き出して磁石ホルダ１０５のホルダ部１
０５ａの前面に設けられている。従って、シールドリン
ク１１０は磁石ホルダ１０５、ターゲットホルダ１０１
を介して接地される。
シールドリンク１１０の前面（図で上面）から磁石ホル
ダのホルダ部１０５ａの外面にかけては、ステンレス等
からなる、金網１０７が布設されている。金網１０７に
より、これら部位に堆積するスパッタ付着物のスパッタ
中での剥離すなわち異常放電が防止され、又清掃が簡単
になり、生産性、安定運転面で大きな効果が得られる。
ダのホルダ部１０５ａの外面にかけては、ステンレス等
からなる、金網１０７が布設されている。金網１０７に
より、これら部位に堆積するスパッタ付着物のスパッタ
中での剥離すなわち異常放電が防止され、又清掃が簡単
になり、生産性、安定運転面で大きな効果が得られる。
シールドリンク１１０は冷却媒体を通すジャケット １
１１を設けてあり、水冷することによりシールドリング
１１０の加熱が防止されるため、スパッタ速度をあげて
も、基板への輻射熱が少ないので基板の熱変形が少なく
、高速生産性が実現される。
１１を設けてあり、水冷することによりシールドリング
１１０の加熱が防止されるため、スパッタ速度をあげて
も、基板への輻射熱が少ないので基板の熱変形が少なく
、高速生産性が実現される。
シールドリング１１０の材質は導電材であれば良く、前
述のコア１２１と同様の軟磁性材でも良く、その他銅、
ステンレス等でも良い。図の配置から明らかな通り、シ
ールドリング１１０に軟磁性材を用いると、シールドリ
ング１１０は、コア１２１と磁気的に結合するのでコア
１２１に替っであるいはそれと共に、磁界発生手段１２
０の磁界発生部位すなわち磁極として作用する。この構
成によるとターゲットＴ＋ 、Ｔ２に対する磁極位置を
シールドリング１１０の先端位置を調整することにより
調整できる利点がある。
述のコア１２１と同様の軟磁性材でも良く、その他銅、
ステンレス等でも良い。図の配置から明らかな通り、シ
ールドリング１１０に軟磁性材を用いると、シールドリ
ング１１０は、コア１２１と磁気的に結合するのでコア
１２１に替っであるいはそれと共に、磁界発生手段１２
０の磁界発生部位すなわち磁極として作用する。この構
成によるとターゲットＴ＋ 、Ｔ２に対する磁極位置を
シールドリング１１０の先端位置を調整することにより
調整できる利点がある。
第１図に戻って、以上の構成のターゲット部１００、
１００’ に取着され対向したターゲットＴ。
１００’ に取着され対向したターゲットＴ。
Ｔ′の側方には、磁性薄膜が形成される長尺の基板Ｓを
保持する基板保持手段４０が、設けられている。基板保
持手段４０は、図示省略した支持ブラケットにより夫々
回転自在かつ互いに軸平行に支持された、ロール状の基
板Ｓを保持する繰り出しロール４１と、支持ロール４２
と、巻取ロール４３との３個の゛ロールからなり、基板
ＳをターゲットＴ′。
保持する基板保持手段４０が、設けられている。基板保
持手段４０は、図示省略した支持ブラケットにより夫々
回転自在かつ互いに軸平行に支持された、ロール状の基
板Ｓを保持する繰り出しロール４１と、支持ロール４２
と、巻取ロール４３との３個の゛ロールからなり、基板
ＳをターゲットＴ′。
１間の空間に対面するようにスパッタ面に対して略直角
方向に保持するように配しである。従って基板Ｓは巻取
ロール４３によりスパッタ面に対して直角方向に移動可
能である。なお、支持ロール４２はその表面温度が調節
可能となっている。
方向に保持するように配しである。従って基板Ｓは巻取
ロール４３によりスパッタ面に対して直角方向に移動可
能である。なお、支持ロール４２はその表面温度が調節
可能となっている。
一方、スパッタ電力を供給する直流電源からなる電力供
給手段５０はプラス側をアースに、マイナス側をターゲ
ットＴ、Ｔ’ に夫々接続する。従って電力供給手段５
０からのスパッタ電力は、アースをアノードとし、ター
ゲットＴ、Ｔ’ をカソードとして、アノード、カソー
ド間に供給される。
給手段５０はプラス側をアースに、マイナス側をターゲ
ットＴ、Ｔ’ に夫々接続する。従って電力供給手段５
０からのスパッタ電力は、アースをアノードとし、ター
ゲットＴ、Ｔ’ をカソードとして、アノード、カソー
ド間に供給される。
なお、プレスパツタ時基板Ｓを保護するため、基板Ｓと
ターゲットＴ、Ｔ’ との間に出入するシャッター（図
示省略）が設けである。
ターゲットＴ、Ｔ’ との間に出入するシャッター（図
示省略）が設けである。
以上の通り、航述の特開昭５７−１５８３８０号公報の
ものと基本的には同じ構成であり、公知の通り高速低温
スパッタが可能となる。すなわち、ターゲットＴ、Ｔ’
間の空間に、プラズマ捕捉用磁界の作用によりスパッタ
ガスイオン、スパッタにより放出されたγ電子等が束縛
され高密度プラズマが形成される。従って、ターゲット
Ｔ、Ｔ’のスパッタが促進されて前記空間より析出伍が
増大し、基板Ｓ上への堆積速度が増し高速スパッタが出
来る上、基板ＳがターゲットＴ、Ｔ’の側方にあるので
低温スパッタも出来る。
ものと基本的には同じ構成であり、公知の通り高速低温
スパッタが可能となる。すなわち、ターゲットＴ、Ｔ’
間の空間に、プラズマ捕捉用磁界の作用によりスパッタ
ガスイオン、スパッタにより放出されたγ電子等が束縛
され高密度プラズマが形成される。従って、ターゲット
Ｔ、Ｔ’のスパッタが促進されて前記空間より析出伍が
増大し、基板Ｓ上への堆積速度が増し高速スパッタが出
来る上、基板ＳがターゲットＴ、Ｔ’の側方にあるので
低温スパッタも出来る。
ところで、前述のターゲットＴ、Ｔ’ を分割すると共
に…界発生手段１２０もターゲットの分割に従って分割
した構成によれば磁界が、対面するコア１２１． １２
１’ （ここで、以下″“−パは図示省略したターゲ
ットホルダ１００′ のターゲットホルダー１００の数
字部位と同じ個所を示す）をＥｆｉ ｆｆｌとてターゲ
ットＴ＋ 、Ｔ２ 、Ｔ＋ ’ 、Ｔ２ ’ の周縁を
囲撓するように形成され、かつターゲットＴ＋。
に…界発生手段１２０もターゲットの分割に従って分割
した構成によれば磁界が、対面するコア１２１． １２
１’ （ここで、以下″“−パは図示省略したターゲ
ットホルダ１００′ のターゲットホルダー１００の数
字部位と同じ個所を示す）をＥｆｉ ｆｆｌとてターゲ
ットＴ＋ 、Ｔ２ 、Ｔ＋ ’ 、Ｔ２ ’ の周縁を
囲撓するように形成され、かつターゲットＴ＋。
Ｔ２ 、Ｔ＋ ’ 、Ｔ２ ’の内側には洩れ磁界が形
成される程度に弱いため、ターゲットＴ＋ 、Ｔ＋ ’
の周縁で形成される磁界の分布とターゲットＴ２゜Ｔ２
’周縁で形成される磁界の分布とはほぼ独立に形成でき
る。
成される程度に弱いため、ターゲットＴ＋ 、Ｔ＋ ’
の周縁で形成される磁界の分布とターゲットＴ２゜Ｔ２
’周縁で形成される磁界の分布とはほぼ独立に形成でき
る。
ところで、ターゲットＴ＋ 、Ｔ＋ ’ 及びＴ２゜Ｔ
２’の表面からスパッタされる高いエネルギーを持つγ
電子は前述のターゲットＴ＋ 、Ｔ＋ ’及びＴ２ 、
Ｔ２ ’の空間に放射されるが、ターゲットの中央及
び外周部近傍までは磁界の影響を受けないためほぼ一様
なγ電子密度になりスパッタに使われるＡｒ＋イオンの
形成がターゲット全面でほぼ一様になされる。ターゲッ
ト外周縁部に形成されている強い磁界部に到るγ電子は
、磁界でターゲット外周縁部に垂直に形成されている磁
力線に沿ってつる巻き状に拘束されてターゲットＴ１゜
Ｔ＋’及びＴ２ 、 Ｔ２ ’間を往復運動する。この
過程でＡｒ＋イオンを形成するため、イオン化されたア
ルゴン粒子はターゲットＴ＋ 、Ｔ＋ ’面及びＴ２
Ｔ２ ’面近傍の強い電界で加速されターゲット物質を
スパッタし、高速で膜形成が出来る。
２’の表面からスパッタされる高いエネルギーを持つγ
電子は前述のターゲットＴ＋ 、Ｔ＋ ’及びＴ２ 、
Ｔ２ ’の空間に放射されるが、ターゲットの中央及
び外周部近傍までは磁界の影響を受けないためほぼ一様
なγ電子密度になりスパッタに使われるＡｒ＋イオンの
形成がターゲット全面でほぼ一様になされる。ターゲッ
ト外周縁部に形成されている強い磁界部に到るγ電子は
、磁界でターゲット外周縁部に垂直に形成されている磁
力線に沿ってつる巻き状に拘束されてターゲットＴ１゜
Ｔ＋’及びＴ２ 、 Ｔ２ ’間を往復運動する。この
過程でＡｒ＋イオンを形成するため、イオン化されたア
ルゴン粒子はターゲットＴ＋ 、Ｔ＋ ’面及びＴ２
Ｔ２ ’面近傍の強い電界で加速されターゲット物質を
スパッタし、高速で膜形成が出来る。
特に本発明によれば、ターゲット周囲に設けた磁界発生
手段における磁極から生じる洩れ磁束は、空隙を介して
ターゲット表面に流入するすなわちシールド端近傍では
マグネトロンスパッターの洩れ磁界に類似したターゲツ
ト面に平行する磁界も形成される。従ってγ電子はシー
ルド端とターゲツト面にほぼ水平方向に形成される磁束
に沿ってドリフトするため、シールド端近傍でもＡｒ＋
イオンが増殖する。この結果、ターゲットＴ＋。
手段における磁極から生じる洩れ磁束は、空隙を介して
ターゲット表面に流入するすなわちシールド端近傍では
マグネトロンスパッターの洩れ磁界に類似したターゲツ
ト面に平行する磁界も形成される。従ってγ電子はシー
ルド端とターゲツト面にほぼ水平方向に形成される磁束
に沿ってドリフトするため、シールド端近傍でもＡｒ＋
イオンが増殖する。この結果、ターゲットＴ＋。
Ｔ＋’及びＴ２ 、 Ｔ２ ’の全面がスパッタされて
エロージョンパターンが均一になるのでターゲットの使
用効率を向上できる。特にターゲットの厚みを変えても
磁界の分布は一様であるため、長時間連続スパッタが可
能となり生産性を著しく向上することが出来る。
エロージョンパターンが均一になるのでターゲットの使
用効率を向上できる。特にターゲットの厚みを変えても
磁界の分布は一様であるため、長時間連続スパッタが可
能となり生産性を著しく向上することが出来る。
本発明の他の効果は分割したターゲットの幅方向におけ
る膜厚の均一性の向上及び基板へのスパッタ粒子付着効
率が著しく向上することにある。
る膜厚の均一性の向上及び基板へのスパッタ粒子付着効
率が著しく向上することにある。
以上本発明を実施例に基いて説明したが、本発明はかか
る実施例に限定されるものではない。
る実施例に限定されるものではない。
薄膜型磁気記録媒体等の連続製造に好適な例として基板
にポリエステルフィルム等の高分子フィルムの如き可撓
性基板をロールアップし、連続的に移送しつつ形成する
ものを示したが、基板及びその移送方式には何らｔ１１
１限はなく枚葉方式等にも適用できることは云うまでも
ない。
にポリエステルフィルム等の高分子フィルムの如き可撓
性基板をロールアップし、連続的に移送しつつ形成する
ものを示したが、基板及びその移送方式には何らｔ１１
１限はなく枚葉方式等にも適用できることは云うまでも
ない。
ターゲット部の構造として、ターゲットの交換容易なも
のを示したが他の構造でも良いことも当然である。
のを示したが他の構造でも良いことも当然である。
以上、本発明は、種々の態様を包含するものである。
第１図は実施例の全構成の概略を示す概略構成図、第２
図はその一方のターゲット部の平面図。 第３図は第２図のＡＢＩ！Ｊでの側断面図、第４図は同
じく第２図のＣＤ線での側断面図、第５図は従来例のタ
ーゲット部の構成を示す側断面図である。 １０：真空槽、２０：排気系、３０：ガス導入系４０：
基板保持手段、５０：電力供給手段１２０ ： ｖｊ１
界発生手段 Ｔ、Ｔ’ 、Ｔ＋ 、Ｔ２ ：ターゲット、Ｓ二基板
特許出願人 帝 人 株 式 会 社 才１図 岸２図 沖５図
図はその一方のターゲット部の平面図。 第３図は第２図のＡＢＩ！Ｊでの側断面図、第４図は同
じく第２図のＣＤ線での側断面図、第５図は従来例のタ
ーゲット部の構成を示す側断面図である。 １０：真空槽、２０：排気系、３０：ガス導入系４０：
基板保持手段、５０：電力供給手段１２０ ： ｖｊ１
界発生手段 Ｔ、Ｔ’ 、Ｔ＋ 、Ｔ２ ：ターゲット、Ｓ二基板
特許出願人 帝 人 株 式 会 社 才１図 岸２図 沖５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、所定距離を隔てて対向したターゲットの周囲に磁界
発生手段によりターゲット対向方向の磁界を発生させ、
ターゲットの側方をその対向方向に移送される基板上に
膜形成するようにした対向ターゲット式スパッタ装置に
おいて、前記ターゲットは基板巾方向が長い長方形で、
長辺側で複数に分割されており、且つ前記磁界発生手段
はターゲットの分割個所にも前記磁界を発生するように
なされていることを特徴とする対向ターゲット式スパッ
タ装置。 ２、前記磁界発生手段がターゲットの周囲及び分割個所
に配置された磁極となる磁性材からなコアと、コアに磁
気的に結合した永久磁石とからなる特許請求の範囲第１
項記載の対向ターゲット式スパッタ装置。 ３、永久磁石がターゲットホルダの外側に取着されてい
る特許請求の範囲第２項記載の対向ターゲット式スパッ
タ装置。 ４、前記コアがシールドリングである特許請求の範囲第
２項若しくは第３項記載の対向ターゲット式スパッタ装
置。 ５、シールドリングが金網で被覆されている特許請求の
範囲第１項〜第４項記載のいずれかの対向ターゲット式
スパッタ装置。 ６、シールドリングが冷却ジャケットを有する特許請求
の範囲第１項〜第５項記載のいずれかの対向ターゲット
式スパッタ装置。 ７、前記ターゲットはターゲットホルダ上に固定された
冷却溝を形成した冷却板上に取外可能に固定されている
特許請求の範囲第１項〜第６項記載のいずれかの対向タ
ーゲット式スパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14296286A JPS63468A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14296286A JPS63468A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63468A true JPS63468A (ja) | 1988-01-05 |
| JPH0411624B2 JPH0411624B2 (ja) | 1992-03-02 |
Family
ID=15327707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14296286A Granted JPS63468A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63468A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006336029A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Fts Corporation:Kk | 連続スパッタ装置および連続スパッタ方法 |
| EP1835047A4 (en) * | 2004-12-28 | 2009-11-04 | Fts Corp | SPRAY DEVICE WITH TARGETS FACING FACE |
| JP2016216767A (ja) * | 2015-05-18 | 2016-12-22 | 長州産業株式会社 | ミラートロンスパッタ装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5747870A (en) * | 1980-09-04 | 1982-03-18 | Fujitsu Ltd | Magnetron sputtering method for ferromagnetic material |
| JPS57126969A (en) * | 1981-01-30 | 1982-08-06 | Hitachi Ltd | Target structure of planer magnetron type sputtering apparatus and method for controlling magnetic flux thereof |
| JPS58164781A (ja) * | 1982-03-23 | 1983-09-29 | Teijin Ltd | 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 |
-
1986
- 1986-06-20 JP JP14296286A patent/JPS63468A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5747870A (en) * | 1980-09-04 | 1982-03-18 | Fujitsu Ltd | Magnetron sputtering method for ferromagnetic material |
| JPS57126969A (en) * | 1981-01-30 | 1982-08-06 | Hitachi Ltd | Target structure of planer magnetron type sputtering apparatus and method for controlling magnetic flux thereof |
| JPS58164781A (ja) * | 1982-03-23 | 1983-09-29 | Teijin Ltd | 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1835047A4 (en) * | 2004-12-28 | 2009-11-04 | Fts Corp | SPRAY DEVICE WITH TARGETS FACING FACE |
| JP2006336029A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Fts Corporation:Kk | 連続スパッタ装置および連続スパッタ方法 |
| JP2016216767A (ja) * | 2015-05-18 | 2016-12-22 | 長州産業株式会社 | ミラートロンスパッタ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0411624B2 (ja) | 1992-03-02 |
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