JPS6342865A - 半導体装置の捺印方法 - Google Patents
半導体装置の捺印方法Info
- Publication number
- JPS6342865A JPS6342865A JP18633786A JP18633786A JPS6342865A JP S6342865 A JPS6342865 A JP S6342865A JP 18633786 A JP18633786 A JP 18633786A JP 18633786 A JP18633786 A JP 18633786A JP S6342865 A JPS6342865 A JP S6342865A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stamping
- characters
- semiconductor device
- transfer rubber
- stamp
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005562 fading Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置に文字、数字。
記号９図形などを捺印する捺印方法に関する。
従来、この種の捺印方法は、第２図の側面図に示すよう
に、樹脂封止型半導体装置３の捺印面３ａよシも大きな
面積をもつ転写ゴム１２をスタンプヘッド１１に取付け
たスタンプを用い、転写ゴム１２にインクで文字を転写
させた後に、転写ゴム１２を半導体装置３の捺印面３ａ
に押し付けることによって捺印していｆｌ、ｔの場合、
文字とはアルファベット、英数字、記号９図形等を意味
する。
に、樹脂封止型半導体装置３の捺印面３ａよシも大きな
面積をもつ転写ゴム１２をスタンプヘッド１１に取付け
たスタンプを用い、転写ゴム１２にインクで文字を転写
させた後に、転写ゴム１２を半導体装置３の捺印面３ａ
に押し付けることによって捺印していｆｌ、ｔの場合、
文字とはアルファベット、英数字、記号９図形等を意味
する。
樹脂封止型半導体装置は、通常社第２図のように上方に
反っているので、このような樹脂封止型半導体装置に捺
印しようとすると、上述した従来の捺印方法では、捺印
面の両端は印圧が十分にあるので鮮明な捺印ができるが
、捺印面の中央部は印圧が両端に比べて弱く、捺印がか
すれたシ、極端な場合には隙間２６ができ、捺印が欠落
する欠点があった。逆に、中央部が鮮明に捺印されるよ
うＫすれば、両端の印圧が強すぎて、この部分で捺印が
Ｋじむ欠点があった。
反っているので、このような樹脂封止型半導体装置に捺
印しようとすると、上述した従来の捺印方法では、捺印
面の両端は印圧が十分にあるので鮮明な捺印ができるが
、捺印面の中央部は印圧が両端に比べて弱く、捺印がか
すれたシ、極端な場合には隙間２６ができ、捺印が欠落
する欠点があった。逆に、中央部が鮮明に捺印されるよ
うＫすれば、両端の印圧が強すぎて、この部分で捺印が
Ｋじむ欠点があった。
本発明の捺印方法は、捺印しようとする対象の樹脂封止
型半導体装置の捺印面の面積よシも小さな転写ゴムに文
字を転写し、その転写ゴムを捺印面に押し付けることに
より捺印するのである。
型半導体装置の捺印面の面積よシも小さな転写ゴムに文
字を転写し、その転写ゴムを捺印面に押し付けることに
より捺印するのである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の一実施例を説明す
るための側面図である。まず第１図（ａ） Ｋ示すよう
に、捺印しようとする対象の樹脂封止型半導体装置３の
捺印面３ａの面積よシも小さい転写ゴムａをスタンプヘ
ッドｆに取付けたスタンプを用い、転写ゴム２にインク
で文字を転写しく辷の転写の段階と転写された文字は図
示していない）、その後、第１図（ｂ）Ｋ示すように、
転写ゴム２を捺印面３ａへ押し付ける。このようにする
ことにより、中央部の捺印文字のかすれや両端の部分の
にじみはなく、鮮明な文字が捺印できる。
るための側面図である。まず第１図（ａ） Ｋ示すよう
に、捺印しようとする対象の樹脂封止型半導体装置３の
捺印面３ａの面積よシも小さい転写ゴムａをスタンプヘ
ッドｆに取付けたスタンプを用い、転写ゴム２にインク
で文字を転写しく辷の転写の段階と転写された文字は図
示していない）、その後、第１図（ｂ）Ｋ示すように、
転写ゴム２を捺印面３ａへ押し付ける。このようにする
ことにより、中央部の捺印文字のかすれや両端の部分の
にじみはなく、鮮明な文字が捺印できる。
以上説明したように本発明は、樹脂封止型半導体装置の
捺印面の面積よシも小さな面積をもつ転写ゴムによって
、文字を捺印面に捺印することによシ、部分的なかすれ
やにじみのない均一で鮮明な捺印を得る効果がある。
捺印面の面積よシも小さな面積をもつ転写ゴムによって
、文字を捺印面に捺印することによシ、部分的なかすれ
やにじみのない均一で鮮明な捺印を得る効果がある。
第１図１８） 、 ｔｂ）は本発明の一実施例を説明す
るための側面図、第２図は従来の捺印方法を説明する
・ための側面図である。
るための側面図、第２図は従来の捺印方法を説明する
・ための側面図である。
Claims (1)
- 樹脂封止型半導体装置の捺印面の面積よりも小さな面積
をもつ転写ゴムに文字を転写し、該転写ゴムを該捺印面
に押し付けることによって捺印をすることを特徴とする
樹脂封止型半導体装置の捺印方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18633786A JPS6342865A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 半導体装置の捺印方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18633786A JPS6342865A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 半導体装置の捺印方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6342865A true JPS6342865A (ja) | 1988-02-24 |
Family
ID=16186582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18633786A Pending JPS6342865A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 半導体装置の捺印方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6342865A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5703365A (en) * | 1994-03-25 | 1997-12-30 | Nippon Sanso Corporation | Infrared spectroscopic analysis method for gases and device employing the method therein |
-
1986
- 1986-08-08 JP JP18633786A patent/JPS6342865A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5703365A (en) * | 1994-03-25 | 1997-12-30 | Nippon Sanso Corporation | Infrared spectroscopic analysis method for gases and device employing the method therein |
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