JPS6342723A - レ−ザ同位体分離方法及びその装置 - Google Patents
レ−ザ同位体分離方法及びその装置Info
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- JPS6342723A JPS6342723A JP18512286A JP18512286A JPS6342723A JP S6342723 A JPS6342723 A JP S6342723A JP 18512286 A JP18512286 A JP 18512286A JP 18512286 A JP18512286 A JP 18512286A JP S6342723 A JPS6342723 A JP S6342723A
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- 238000000926 separation method Methods 0.000 title description 15
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 52
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims abstract description 34
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000005369 laser isotope separation Methods 0.000 claims description 12
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 2
- 230000000155 isotopic effect Effects 0.000 claims 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 claims 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 abstract description 25
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 25
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
- 238000011084 recovery Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 abstract description 2
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 17
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- JFALSRSLKYAFGM-OIOBTWANSA-N uranium-235 Chemical compound [235U] JFALSRSLKYAFGM-OIOBTWANSA-N 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- -1 235U ion Chemical class 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 3
- 150000001224 Uranium Chemical group 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- 101100383067 Bacillus subtilis (strain 168) cdaS gene Proteins 0.000 description 1
- 101100320938 Escherichia coli (strain K12) yojI gene Proteins 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005372 isotope separation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000007734 materials engineering Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 101150106217 yjfJ gene Proteins 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザ光によってウラン235とウラン23
8等の同位体を分離する方法及び装置に関する 〔従来の技術〕 同位体例えばウラン235(以下215Uと表記)とウ
ラン238 (以下”Uと表記)のレーザ光による分離
装置は、従来、特開昭60−244327号に記載のよ
うに第11図に示すような構成になっていた。
8等の同位体を分離する方法及び装置に関する 〔従来の技術〕 同位体例えばウラン235(以下215Uと表記)とウ
ラン238 (以下”Uと表記)のレーザ光による分離
装置は、従来、特開昭60−244327号に記載のよ
うに第11図に示すような構成になっていた。
ルツボ1に装填された金属ウラン2に、電子銃3からの
電子ビーム3′を偏向コイル系4により偏向させて照射
し、金属ウラン2を溶解、蒸発させて中性ウラン原子流
を生成させる。ここで金属ウランは天然ウランであり9
9.3%の238U原子5と0.7%の235U原子6
からなる。この中性ウラン原子流(蒸気流)に分離すべ
き235U原子6の吸収波長のレーザ光を、励起用レー
ザ7により照射し。
電子ビーム3′を偏向コイル系4により偏向させて照射
し、金属ウラン2を溶解、蒸発させて中性ウラン原子流
を生成させる。ここで金属ウランは天然ウランであり9
9.3%の238U原子5と0.7%の235U原子6
からなる。この中性ウラン原子流(蒸気流)に分離すべ
き235U原子6の吸収波長のレーザ光を、励起用レー
ザ7により照射し。
235U原子6のみ選択的に励起する。さらにこの励起
状態235U原子6に電離用レーザ8にょリレーザ光を
照射して、これを電離する。このように電離した2jS
Uイオン9を電界で偏向させて陰極11に”SUイオン
を分離捕集する。中性238U原子5は、そのまま直進
し劣化ウランとして回収板12で回収させる。
状態235U原子6に電離用レーザ8にょリレーザ光を
照射して、これを電離する。このように電離した2jS
Uイオン9を電界で偏向させて陰極11に”SUイオン
を分離捕集する。中性238U原子5は、そのまま直進
し劣化ウランとして回収板12で回収させる。
上記従来技術は、電離された23′Uイオンにより電界
しャヘイ(Debye 5hieldin[C)効果に
つぃて配慮がされておらず、実機プラント規模では。
しャヘイ(Debye 5hieldin[C)効果に
つぃて配慮がされておらず、実機プラント規模では。
電界による捕集が困難である。実機プラント規模では、
レーザ照射する部分の中性ウラン原子流の密度は10”
個/a+?以上となる。この密度の中性ウラン原子流に
レーザ照射すると0.7%を占める235 U原子がほ
ぼ100%イオン化するためイオン密度はto”個/d
以上となり、これらイ□オンはプラズマ(イオンと電子
の集合体)を形成する。プラズマに外部から電場を印加
しても、その電場を打ち消すようにプラズマ粒子(イオ
ン、電子)が自動的に移動するため、プラズマ中に電場
は浸透できない(Debye Shielding)。
レーザ照射する部分の中性ウラン原子流の密度は10”
個/a+?以上となる。この密度の中性ウラン原子流に
レーザ照射すると0.7%を占める235 U原子がほ
ぼ100%イオン化するためイオン密度はto”個/d
以上となり、これらイ□オンはプラズマ(イオンと電子
の集合体)を形成する。プラズマに外部から電場を印加
しても、その電場を打ち消すようにプラズマ粒子(イオ
ン、電子)が自動的に移動するため、プラズマ中に電場
は浸透できない(Debye Shielding)。
プラズマ中のイオンの作る電場もこの電場じゃへいによ
りデバイ長と呼ばれる距離以上前れた他のイオンには影
響を及ぼさない。ここでデバイ長λ、は λ、(cm)=6.9(T/n)1/2・・・■で示さ
れる。ここでTは[K)で表わした温度。
りデバイ長と呼ばれる距離以上前れた他のイオンには影
響を及ぼさない。ここでデバイ長λ、は λ、(cm)=6.9(T/n)1/2・・・■で示さ
れる。ここでTは[K)で表わした温度。
nは〔all−]〕で表わした密度である。T = 1
04K 。
04K 。
n=10”個/dを0式に代入するとλ。=20μm程
度になることがわかる。このことから、第11図におい
て電極10.11間に電圧Voを印加しても電極間に存
在するイオンが1011個/−以上のプラズマを形成し
ているため第12図(a)に示すごとく、陰極近傍のシ
ース領域を除いては電界はかからないことがわかる。し
たがって第12図(b)に示すような235 Uイオン
9′も 235U原子6.Z]8U原子5と同様、蒸発
する際、上方への運動量を与えられているためシース領
域以外の23SUイオンは、電極10.11間をそのま
ま通過してしまい電極捕集できないことがわかる。他の
従来法として電場Eと同時に磁場Bを印加しExBドリ
フトを利用した捕集方法の提案もあるが、これも上記と
同様、プラズマ中ではEが消失するため同じ問題点を有
する。
度になることがわかる。このことから、第11図におい
て電極10.11間に電圧Voを印加しても電極間に存
在するイオンが1011個/−以上のプラズマを形成し
ているため第12図(a)に示すごとく、陰極近傍のシ
ース領域を除いては電界はかからないことがわかる。し
たがって第12図(b)に示すような235 Uイオン
9′も 235U原子6.Z]8U原子5と同様、蒸発
する際、上方への運動量を与えられているためシース領
域以外の23SUイオンは、電極10.11間をそのま
ま通過してしまい電極捕集できないことがわかる。他の
従来法として電場Eと同時に磁場Bを印加しExBドリ
フトを利用した捕集方法の提案もあるが、これも上記と
同様、プラズマ中ではEが消失するため同じ問題点を有
する。
本発明の目的は、これらプラズマを効率良く捕集する装
置および方法を提供することにある。
置および方法を提供することにある。
上記目的は、中性の同位体蒸気流にレーザ光を照射して
分離すべき同位体を選択的に電離し、このプラズマ部に
ミラー磁場を配位して選択的に電離された同位体イオン
を捕捉しミラー磁場の弱磁場側に捕集することにより達
成される。
分離すべき同位体を選択的に電離し、このプラズマ部に
ミラー磁場を配位して選択的に電離された同位体イオン
を捕捉しミラー磁場の弱磁場側に捕集することにより達
成される。
ミラー磁場は、後述するようにプラズマ粒子を捕促し、
かつ、磁気モーメントの保存の性質から強磁場側から弱
磁場側への方向のプラズマの運動を誘起する。それによ
って、レーザ照射により選択的に電離された235Uイ
オンが形成するプラズマを、このミラー磁場により捕促
し9弱磁場側に設けた捕集板に効率良く捕集することが
できる。
かつ、磁気モーメントの保存の性質から強磁場側から弱
磁場側への方向のプラズマの運動を誘起する。それによ
って、レーザ照射により選択的に電離された235Uイ
オンが形成するプラズマを、このミラー磁場により捕促
し9弱磁場側に設けた捕集板に効率良く捕集することが
できる。
以下9本発明の一実施例を第1図〜第3図により説明す
る。
る。
第1図は2本発明の一実施例の鳥緻図を示している。本
発明のレーザ同位体分離装置は、光学チェンバモジュー
ル137分離チェンバモジュール14及び真空排気系1
7からなる。光学チェンバモジュール13では、レーザ
光の発生及び光学的調整が行われる。分離チェンバモジ
ュール14ではウラン蒸気の発生及びレーザ照射による
235 Uの選択的電離及び捕集といった同位体分離が
実施される。分離チェンバモジュール14は、モジュー
ル化されており、レーザ光を有効に利用するため多段に
連絡し、レーザ光の光路を長くし使用することができる
(第1図では2段の場合を示している)。光学チェンバ
モジュール13と分離チェンバモジュール14の外壁は
、真空容器15を構成しておりその内部は真空排気系1
7により真空排気される。第1図における分離チェンバ
モジュール14のA−A’断面における構成図を第2図
に示す。次にこの第2図を用いて分離チェンバモジュー
ル14の構成と機能について説明する。
発明のレーザ同位体分離装置は、光学チェンバモジュー
ル137分離チェンバモジュール14及び真空排気系1
7からなる。光学チェンバモジュール13では、レーザ
光の発生及び光学的調整が行われる。分離チェンバモジ
ュール14ではウラン蒸気の発生及びレーザ照射による
235 Uの選択的電離及び捕集といった同位体分離が
実施される。分離チェンバモジュール14は、モジュー
ル化されており、レーザ光を有効に利用するため多段に
連絡し、レーザ光の光路を長くし使用することができる
(第1図では2段の場合を示している)。光学チェンバ
モジュール13と分離チェンバモジュール14の外壁は
、真空容器15を構成しておりその内部は真空排気系1
7により真空排気される。第1図における分離チェンバ
モジュール14のA−A’断面における構成図を第2図
に示す。次にこの第2図を用いて分離チェンバモジュー
ル14の構成と機能について説明する。
本発明のレーザ同位体分離装置の分離チェンバモジュー
ル14は、同位体の中性の蒸気を発生する蒸気発生部、
蒸気にレーザ光を照射し分離すべき同位体のみを電離し
そのイオンを捕集する捕集系及び、残りの同位体を回収
する回収系からなる。
ル14は、同位体の中性の蒸気を発生する蒸気発生部、
蒸気にレーザ光を照射し分離すべき同位体のみを電離し
そのイオンを捕集する捕集系及び、残りの同位体を回収
する回収系からなる。
第2図においては、蒸気発生部は、金属ウラン2を装填
するルツボ1.金属ウランを加熱、蒸発させる電子ビー
ム3′を発生する電子銃3及び電子ビーム3′ を偏向
する偏向コイル系4からなる。
するルツボ1.金属ウランを加熱、蒸発させる電子ビー
ム3′を発生する電子銃3及び電子ビーム3′ を偏向
する偏向コイル系4からなる。
捕集系は、後に定義するミラー磁場を発生する磁場コイ
ル16.16’ 、コイル16′側に取りつけられた捕
集板21.21″、21”及びコイル[6側に取りつけ
られた保護板20からなる。ここで磁場コイル16.1
6’ によって発生する磁場は611wコイル16側で
強く、磁場コイル16′側で弱くなっている。回収系は
9回収板22からなる。
ル16.16’ 、コイル16′側に取りつけられた捕
集板21.21″、21”及びコイル[6側に取りつけ
られた保護板20からなる。ここで磁場コイル16.1
6’ によって発生する磁場は611wコイル16側で
強く、磁場コイル16′側で弱くなっている。回収系は
9回収板22からなる。
分離チェンバモジュール14内の各部の機能について分
離過程にそって説明する。ルツボ1に装填された金属ウ
ラン(天然ウラン 238 U・99.3(ん、2′髪
J・0.7%)2は、電子ビーム3’(エネルギー20
kcV、ビーム市流IA)l:よjJ 2000−30
00Kに加熱され蒸発する。ここで電子銃3をウラン人
気から保護するためルツボ1の5部に配置し電(ビーム
:3′ を偏向コイル系4により270°偏向させ、照
射する方式になっている。蒸発したウラン蒸気はレーザ
照射領域19で、レーザ照射を受け、′1°TJ原子6
のみイオン化される。2J′Uイオンは先述したとおり
1011個/cc程度のプラズマを形成するが後述する
原理により捕集板21゜21’、21”に捕集される。
離過程にそって説明する。ルツボ1に装填された金属ウ
ラン(天然ウラン 238 U・99.3(ん、2′髪
J・0.7%)2は、電子ビーム3’(エネルギー20
kcV、ビーム市流IA)l:よjJ 2000−30
00Kに加熱され蒸発する。ここで電子銃3をウラン人
気から保護するためルツボ1の5部に配置し電(ビーム
:3′ を偏向コイル系4により270°偏向させ、照
射する方式になっている。蒸発したウラン蒸気はレーザ
照射領域19で、レーザ照射を受け、′1°TJ原子6
のみイオン化される。2J′Uイオンは先述したとおり
1011個/cc程度のプラズマを形成するが後述する
原理により捕集板21゜21’、21”に捕集される。
イオン化されなかった2″8U原子5は、そのまま磁場
の影響を受けず直進し回収板22で回収される。ここで
捕集板21′には、小穴が設けてあり、そこからもれで
るプラズマの密度をプローブ23で測定し、信号処理系
24において分離作業速度を計測しこの値を電子銃3.
レーザ電源25.磁場コイル電g27にフィードバック
し分離作業量の制御を行う。
の影響を受けず直進し回収板22で回収される。ここで
捕集板21′には、小穴が設けてあり、そこからもれで
るプラズマの密度をプローブ23で測定し、信号処理系
24において分離作業速度を計測しこの値を電子銃3.
レーザ電源25.磁場コイル電g27にフィードバック
し分離作業量の制御を行う。
また捕集板21″にも小穴が設けてあり、ここからもれ
出る原子の核種を質量分析器26で分析し濃縮度を測定
し、この値を、磁場コイル電源27及びレーザ電源25
にフィードバックし濃縮度の調整を行っている。
出る原子の核種を質量分析器26で分析し濃縮度を測定
し、この値を、磁場コイル電源27及びレーザ電源25
にフィードバックし濃縮度の調整を行っている。
次に第3図を用いて、レーザ照射により選択的に電離さ
れたイオンの形成するプラズマの磁場による捕集の原理
を説明する。説明の前にミラー磁場の定義をしておく、
第3図(a)に示したように磁力線に沿って単調に磁界
が弱く (または強く)なっている領域をここではミラ
ー磁場とよぶ。磁場コイル1Gと[6′の間ではこのよ
うな磁場配置が存在している。第3図(a)に示すよう
に下方から中性ウラン原子流(ウラン蒸気)が、約50
0 m / Sの速度で上昇している場合を考える。
れたイオンの形成するプラズマの磁場による捕集の原理
を説明する。説明の前にミラー磁場の定義をしておく、
第3図(a)に示したように磁力線に沿って単調に磁界
が弱く (または強く)なっている領域をここではミラ
ー磁場とよぶ。磁場コイル1Gと[6′の間ではこのよ
うな磁場配置が存在している。第3図(a)に示すよう
に下方から中性ウラン原子流(ウラン蒸気)が、約50
0 m / Sの速度で上昇している場合を考える。
ミラー磁場のところでレーザー照射により235 U原
理6のみがイオン化し2]S Uイオン9になったとす
る。中性の2JII U原子5は磁場の影響を受けずそ
のまま直進する。しかし23′Uイオン9は磁場にトラ
ップされラーモア(Larmor)運動(回転運+13
)を行う。ラーモア運動の半径Rは1次式%式% ここで9mは235Uの質量、υ工は磁場に垂直な速度
成分、Bは磁束密度、eは電気素量である。
理6のみがイオン化し2]S Uイオン9になったとす
る。中性の2JII U原子5は磁場の影響を受けずそ
のまま直進する。しかし23′Uイオン9は磁場にトラ
ップされラーモア(Larmor)運動(回転運+13
)を行う。ラーモア運動の半径Rは1次式%式% ここで9mは235Uの質量、υ工は磁場に垂直な速度
成分、Bは磁束密度、eは電気素量である。
例えばv、 −= 500 m / sとするとB=0
.IT(テスラ)の場合、R−約1cmとなる。
.IT(テスラ)の場合、R−約1cmとなる。
磁場中の荷電粒子の磁気モーメントμは、不変であるか
ら2次式が成立する。
ら2次式が成立する。
ここでB5.υ。工はそれぞれレーザ照射によりイオン
化した位置での磁束密度、磁場に垂直な速度成分であり
、B、υ上は、運動中、今考えている場所でのそれらで
ある。
化した位置での磁束密度、磁場に垂直な速度成分であり
、B、υ上は、運動中、今考えている場所でのそれらで
ある。
いま、 B11)Bとすると0式よりυ。□〉υ工とな
ることがわかる。一方2粒子のエネルギー保存則より次
式が成立する。
ることがわかる。一方2粒子のエネルギー保存則より次
式が成立する。
υ0工2+υ。//””f”十叶2 ・・■ここでυ
。7.υ〃は、それぞれイオン化された位置及び現時点
での磁場に平行な速度成分である。いまの場合υ。//
二〇である。
。7.υ〃は、それぞれイオン化された位置及び現時点
での磁場に平行な速度成分である。いまの場合υ。//
二〇である。
■■より
υ7.=υoJLf丁−B/B丁・・■例えば、B=0
.1テスラ、B0=0.2テスラとし。
.1テスラ、B0=0.2テスラとし。
ミラー比B。/B=2とするとυ。工”=500m/s
であるのでυ77 ==350m/sの捕集板へ向う速
度が得られることがわかる。捕集時間T(イオン化され
てから捕集板に到達するまでに要する時間)とイオン化
位置と捕集板位置との間の距離Qとは次式の関係がある
。
であるのでυ77 ==350m/sの捕集板へ向う速
度が得られることがわかる。捕集時間T(イオン化され
てから捕集板に到達するまでに要する時間)とイオン化
位置と捕集板位置との間の距離Qとは次式の関係がある
。
いま+ Q=lOcu++ B(x)/Bo=1−−+
υ。工=500m/sとするとT=600μsとなり充
分な捕集速度をもつことがわかる。以上の原理は電子に
ついても同じでありその結果、プラズマとして捕集板に
速やかに捕集される。なお、ミラー磁場は、径の異なる
一組のコイルに同一の電流を流しても、径の同じ一組の
コイルに異なる電流を流しても作り出すことができる。
υ。工=500m/sとするとT=600μsとなり充
分な捕集速度をもつことがわかる。以上の原理は電子に
ついても同じでありその結果、プラズマとして捕集板に
速やかに捕集される。なお、ミラー磁場は、径の異なる
一組のコイルに同一の電流を流しても、径の同じ一組の
コイルに異なる電流を流しても作り出すことができる。
実際には第3図(b)に示すようにレーザ光の光路を長
くとるために、一方向に長いコイルが用いられる。以上
が本発明の原理である。
くとるために、一方向に長いコイルが用いられる。以上
が本発明の原理である。
次に第4図〜第9図を用いて本発明の他の実施例を説明
する。
する。
第4図はレーザ光の照射方向とミラー磁場の磁力線の方
向とが一致するようにコイルを配した例である。第4図
(a)は、レーザ光の方向に垂直な方向からの断面を示
し、第4図(b)はレーザ光の入射方向に見た断面図で
ある。レーザ光はミラー磁場の強い側から照射される。
向とが一致するようにコイルを配した例である。第4図
(a)は、レーザ光の方向に垂直な方向からの断面を示
し、第4図(b)はレーザ光の入射方向に見た断面図で
ある。レーザ光はミラー磁場の強い側から照射される。
レーザ光照射により電層されたイオンは、イオン化され
た位置から磁場の強い側(レーザ光の入射側)に逆流す
ることはない。これは0式においてB>Boとするとυ
、7が虚数になるためである。したがってイオンは、必
ずイオン化された位置から磁場の弱い側すなわち捕集板
21の側に押しやられて捕集される。この実施例ではイ
オンがレーザ側に逆流しレーザを損傷することなくかつ
コイルの数も少なく配置も容易であり、レーザ光の光路
も充分確保できる利点がある。
た位置から磁場の強い側(レーザ光の入射側)に逆流す
ることはない。これは0式においてB>Boとするとυ
、7が虚数になるためである。したがってイオンは、必
ずイオン化された位置から磁場の弱い側すなわち捕集板
21の側に押しやられて捕集される。この実施例ではイ
オンがレーザ側に逆流しレーザを損傷することなくかつ
コイルの数も少なく配置も容易であり、レーザ光の光路
も充分確保できる利点がある。
レーザ光により2JsUyK子6のみを選択電離できる
のは、23′″U原子と2′]11 U原子のわずかな
Itの違いによるエネルギー準位の差があるためである
。磁場が存在するとゼーマン効果により、これらの準位
にボケが生じ選択電離できなくなる可能性があり、でき
るだけ磁場は弱い方が好ましい。
のは、23′″U原子と2′]11 U原子のわずかな
Itの違いによるエネルギー準位の差があるためである
。磁場が存在するとゼーマン効果により、これらの準位
にボケが生じ選択電離できなくなる可能性があり、でき
るだけ磁場は弱い方が好ましい。
第5図は、この問題点を解決する方法を示している。第
5図(a)のごとく同心円上に2組のコイルを配するこ
とにより、第5図(b)のごとく互いに逆向きの電流を
流すことにより中心部で互いに消し合い、その外側では
強め合う中空のミラー磁場を形成することができる。こ
の中空の領域にレーザ光を照射し、ゼーマン効果を受け
ずに選択電離した後、ミラー磁場で捕集できる。もちろ
ん。
5図(a)のごとく同心円上に2組のコイルを配するこ
とにより、第5図(b)のごとく互いに逆向きの電流を
流すことにより中心部で互いに消し合い、その外側では
強め合う中空のミラー磁場を形成することができる。こ
の中空の領域にレーザ光を照射し、ゼーマン効果を受け
ずに選択電離した後、ミラー磁場で捕集できる。もちろ
ん。
本実施例によらずゼーマン効果を避ける方法としては、
蒸気流がミラー磁場に入る前の磁場が無視できる上流側
でレーザー照射する方法も有効である。
蒸気流がミラー磁場に入る前の磁場が無視できる上流側
でレーザー照射する方法も有効である。
選択電離をした場合のもう一つの問題として分離すべき
2 、’l ′Uイオンと中性2J80原子の荷電交換
がある。分離すべき235U原子に比べて238 U原
子は圧倒的に多いので23sUイオンが2+1llU原
子と荷電交換し2:IN Uイオンが捕集される可能性
がある。
2 、’l ′Uイオンと中性2J80原子の荷電交換
がある。分離すべき235U原子に比べて238 U原
子は圧倒的に多いので23sUイオンが2+1llU原
子と荷電交換し2:IN Uイオンが捕集される可能性
がある。
第6図はこの問題点を解決する方法を示している。
レーザ7.8と゛市子銃3とを同期回路28により同期
をとり、レーザ光を照射により選択電離された″′Uイ
オン9が捕集されるまでの時間、電子@3のグリッドに
負電圧を印加し電子ビームをとめる。このことにより蒸
気発生を抑え、新らたに多量の中性238U原子6が捕
集系に来るのを防ぐことになり23sUイオン9とZ、
lII U原子6の荷電交換を防止できる。
をとり、レーザ光を照射により選択電離された″′Uイ
オン9が捕集されるまでの時間、電子@3のグリッドに
負電圧を印加し電子ビームをとめる。このことにより蒸
気発生を抑え、新らたに多量の中性238U原子6が捕
集系に来るのを防ぐことになり23sUイオン9とZ、
lII U原子6の荷電交換を防止できる。
第7図及び第8図も同様に上記の荷電交換破を減少し濃
縮度を高めるための力先を示している。
縮度を高めるための力先を示している。
第7図では、ミラー磁場の強い磁場側にイオン源29を
配し、磁力線に沿って、キャリアイオン。
配し、磁力線に沿って、キャリアイオン。
例えば、アルゴンイオン(Ar″″)を照射し、中性1
38U原子に衝突させることなく、23SUイオンに衝
突せしめ 2ffS Uイオンに捕集板側への初速度を
与えることにより速やかに23sUイオンを捕集する方
法である。このことは、イオンとイオンの衝突断面積は
、クーロン衝突によるためイオンと中性原子の衝突断面
積より約3桁高いことを利用している(例えば「プラズ
マ物性工学」関口著。
38U原子に衝突させることなく、23SUイオンに衝
突せしめ 2ffS Uイオンに捕集板側への初速度を
与えることにより速やかに23sUイオンを捕集する方
法である。このことは、イオンとイオンの衝突断面積は
、クーロン衝突によるためイオンと中性原子の衝突断面
積より約3桁高いことを利用している(例えば「プラズ
マ物性工学」関口著。
オーム社p 43 (1973))。したかっ−C分離
すべき2″′Uイオン9の密度が中性238 U原子5
の密度より2桁低くてもキャリアイオンとの衝突は約1
0倍あり1選択的な衝突が可能であることを示している
(目標とする濃縮度は5%以下である。)。
すべき2″′Uイオン9の密度が中性238 U原子5
の密度より2桁低くてもキャリアイオンとの衝突は約1
0倍あり1選択的な衝突が可能であることを示している
(目標とする濃縮度は5%以下である。)。
第8図は9例えばヘリウム(He)のように電離電圧が
高<、2]SUイオンと荷電交換を起こさない核種の原
子流を中性ガス供給系30からふきつけ、中性23I′
U原子5流のみ速やかに排除する方法を示している。
高<、2]SUイオンと荷電交換を起こさない核種の原
子流を中性ガス供給系30からふきつけ、中性23I′
U原子5流のみ速やかに排除する方法を示している。
第7図、第8図で示した例では第6図で示した例のよう
に蒸気流をパルス化する必要がなく連続的に蒸気を発生
させることができるので分離作業量を多くすることがで
きる利点がある。
に蒸気流をパルス化する必要がなく連続的に蒸気を発生
させることができるので分離作業量を多くすることがで
きる利点がある。
第9図は、第6図で示した実施例の効率をさらに高める
ための応用例を示している。レーザ照射と同期をとり電
子ビームを停止するだけでなく。
ための応用例を示している。レーザ照射と同期をとり電
子ビームを停止するだけでなく。
同時に中性パルスガス供給系31から例えばヘリウム(
He)のような電離電圧が高<23’Uイオンと荷′市
交換しないガスをミラー磁場の強磁場側からノズル32
を介して吹きつけることにより磁場にトラップされた2
]SUイオンを速やかに捕集することができる。
He)のような電離電圧が高<23’Uイオンと荷′市
交換しないガスをミラー磁場の強磁場側からノズル32
を介して吹きつけることにより磁場にトラップされた2
]SUイオンを速やかに捕集することができる。
以上、ミラー磁場により捕集する方法及びその装置につ
いて述べたが、類似した方法として第1O図に示すよう
に、蒸気流の流れの方向に対して角度を有した磁場配置
により捕集する方法も有効である。蒸気原子の有してい
た速度υをイオン化し磁場にトラップすることにより磁
場しこ垂直な成分υ工と平行な成分υ7 に分解し、υ
Iにより捕集する方式である。この実施例ではコイルの
配置設計等が簡便になる利点がある。
いて述べたが、類似した方法として第1O図に示すよう
に、蒸気流の流れの方向に対して角度を有した磁場配置
により捕集する方法も有効である。蒸気原子の有してい
た速度υをイオン化し磁場にトラップすることにより磁
場しこ垂直な成分υ工と平行な成分υ7 に分解し、υ
Iにより捕集する方式である。この実施例ではコイルの
配置設計等が簡便になる利点がある。
本発明によれば、レーザ照射により選択的に電離された
同位体イオン(23Suイオン)の形成するプラズマの
電場遮蔽に無関係な磁場により捕集できるので2分離効
率を向上できる効果がある。
同位体イオン(23Suイオン)の形成するプラズマの
電場遮蔽に無関係な磁場により捕集できるので2分離効
率を向上できる効果がある。
第1図は本発明の一実施例の鳥職図、第2図は第1図の
A−A’線断面における構成図、第3図は本発明の原理
説明図、第4図〜第10図は本発明の他の実施例を示す
構成図、第11図は従来例の構成図、第12図は従来例
の問題点を説明する説明図である。 1・・・・・・ルツボ、2・・・・・・金属ウラン、3
・・・・・・電子銃。 3′・・・・・・電子ビーム、4・・・・・・偏向コイ
ル系。 5・・・・・ウラン238fM子、6・・・・・ウラン
235原子。 7・・・・励起用レーザ、8・・・・電層用レーザ。 9・・・・・・ウラン235イオン、10・・・・・陽
極。 11・・・・・・陰極(捕集板)、12・・・・・・回
収板。 13・・・−・・光学チェンバモジュール、14・・・
・・・分離チェンバモジュール、15・・・・・・真空
容器、 。 16.16’・・・・・・磁場コイル、17・・・・・
・真空排気系。 18・・・・・・レーザ光、19・・・・・レーザ照射
領域。 20・・・・・・保護板、 21.21’、21”・・
・・・(濃縮ウランまたは製品ウラン)捕集板、22・
・・・・・(劣化ウラン)回収板、23・・・・・・プ
ローブ、24・・・・・・信号処理系、25・・・・・
・レーザ電源、26・・・・・・質量分析器、27・・
・・・磁場コイル電源、28・・・・・・同期回路系、
29・・・・・イオン源、30・・・・・中性ガス供給
系。 動 ]/ −20= 第40 第 ≦ 囚 (b) め乙の 7・ yjfJ&lt−プ 8 宙j論用ドブ 28 同期回路 寮ゴ圀 蔓S囚 第10囚 Z’l (a ) 竿71固 第12図 (b)
A−A’線断面における構成図、第3図は本発明の原理
説明図、第4図〜第10図は本発明の他の実施例を示す
構成図、第11図は従来例の構成図、第12図は従来例
の問題点を説明する説明図である。 1・・・・・・ルツボ、2・・・・・・金属ウラン、3
・・・・・・電子銃。 3′・・・・・・電子ビーム、4・・・・・・偏向コイ
ル系。 5・・・・・ウラン238fM子、6・・・・・ウラン
235原子。 7・・・・励起用レーザ、8・・・・電層用レーザ。 9・・・・・・ウラン235イオン、10・・・・・陽
極。 11・・・・・・陰極(捕集板)、12・・・・・・回
収板。 13・・・−・・光学チェンバモジュール、14・・・
・・・分離チェンバモジュール、15・・・・・・真空
容器、 。 16.16’・・・・・・磁場コイル、17・・・・・
・真空排気系。 18・・・・・・レーザ光、19・・・・・レーザ照射
領域。 20・・・・・・保護板、 21.21’、21”・・
・・・(濃縮ウランまたは製品ウラン)捕集板、22・
・・・・・(劣化ウラン)回収板、23・・・・・・プ
ローブ、24・・・・・・信号処理系、25・・・・・
・レーザ電源、26・・・・・・質量分析器、27・・
・・・磁場コイル電源、28・・・・・・同期回路系、
29・・・・・イオン源、30・・・・・中性ガス供給
系。 動 ]/ −20= 第40 第 ≦ 囚 (b) め乙の 7・ yjfJ&lt−プ 8 宙j論用ドブ 28 同期回路 寮ゴ圀 蔓S囚 第10囚 Z’l (a ) 竿71固 第12図 (b)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、2種類以上の同位体を含む同位体材料にエネルギを
与えて2種類以上の同位体を含む中性同位体蒸気流を生
成し、 該中性同位体蒸気流にレーザ光を照射して分離すべき同
位体を選択的に電離し、 該選択的に電離された同位体イオンを前記中性同位体蒸
気流の通過位置に形成されたミラー磁場により捕捉しミ
ラー磁場の弱磁場側に捕集することを特徴とするレーザ
同位体分離方法。 2、特許請求の範囲第1項において、前記選択的に電離
された同位体のイオンと電子により形成されたプラズマ
の密度を計測し、該計測値に基づき前記同位体材料に与
えるエネルギ、前記レーザ光の出力、前記ミラー磁場形
成用のコイル電源の出力を制御することを特徴とするレ
ーザ同位体分離方法。 3、特許請求の範囲第1項において、前記弱磁場側に捕
集された同位体の原子の核種を質量分析することにより
濃縮度を測定し、該測定値に基づき前記レーザ光の出力
と前記ミラー磁場形成用のコイル電源の出力を制御する
ことを特徴とするレーザ同位体分離方法。 4、特許請求の範囲第1項において、前記中性同位体蒸
気流にレーザ光を照射して同位体を選択的に電離し該同
位体イオンをミラー磁場により捕集している間、同位体
材料へのエネルギ供給を止めることを特徴とするレーザ
同位体分離方法。 5、2種類以上の同位体を含む同位体材料にエネルギを
与えて2種類以上の同位体を含む中性同位体蒸気流を生
成する装置と、 前記中性同位体蒸気流にレーザ光を照射して分離すべき
同位体を選択的に電離する装置と、前記中性同位体蒸気
流の通過位置にミラー磁場を形成すべく設けられた少な
くとも一対の弱磁場形成用のコイルおよび強磁場形成用
のコイルと、前記弱磁場形成用のコイルの前方に設けら
れた前記選択的に電離された同位体イオンの捕集板と、
を有することを特徴とするレーザ同位体分離装置。 6、特許請求の範囲第5項において、前記強磁場形成用
のコイルの前方にコイル保護板を有することを特徴とす
るレーザ同位体分離装置。 7、2種類以上の同位体を含む同位体材料にエネルギを
与えて2種類以上の同位体を含む中性同位体蒸気流を生
成する装置と、 前記中性同位体蒸気流の通過位置にミラー磁場を形成す
る磁場コイルと、 前記中性同位体蒸気流に前記ミラー磁場の強磁場側から
レーザ光を照射して分離すべき同位体を選択的に電離す
る装置と、 前記弱磁場形成用のコイルの前方に設けられた前記選択
的に電離された同位体イオンの捕集板と、を有すること
を特徴とするレーザ同位体分離装置。 8、特許請求の範囲第7項において、前記磁場コイルは
、弱磁場形成用のコイルおよび強磁場形成用のコイルと
を有し、かつ前記弱磁場形成用のコイルおよび強磁場形
成用のコイルは、それぞれ同心円上に二組のコイルを配
置して成り、該同心円上の外側のコイルと内側のコイル
に逆向きの電流を流すとともに前記レーザ光を前記強磁
場形成用のコイルの中心部を通して照射することを特徴
とするレーザ同位体分離装置。 9、2種類以上の同位体を含む同位体材料にエネルギを
与えて2種類以上の同位体を含む中性同位体蒸気流を生
成する装置と、 前記中性同位体蒸気流にレーザ光を照射して分離すべき
同位体を選択的に電離する装置と、前記中性同位体蒸気
流の通過位置にミラー磁場を形成すべく設けられた弱磁
場形成用のコイルおよび強磁場形成用のコイルと、 前記弱磁場形成用のコイルの前方に設けられた前記選択
的に電離された同位体イオンの捕集板と、前記強磁場形
成用コイルの中心部を通して前記ミラー磁場内にキャリ
アイオンを照射する装置と、を有することを特徴とする
レーザ同位体分離装置。 10、2種類以上の同位体を含む同位体材料にエネルギ
を与えて2種類以上の同位体を含む中性同位体蒸気流を
生成する装置と、 前記中性同位体蒸気流にレーザ光を照射して分離すべき
同位体を選択的に電離する装置と、前記中性同位体蒸気
流の通過位置にミラー磁場を形成すべく設けられた弱磁
場形成用のコイルおよび強磁場形成用のコイルと、 前記弱磁場形成用のコイルの前方に設けられた前記選択
的に電離された同位体イオンの捕集板と、前記ミラー磁
場を形成すべく設けられた磁場コイルの上流側から前記
ミラー磁場に向けて電離電圧の高い核種の原子流を照射
する装置と、 を有することを特徴とするレーザ同位体分離装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18512286A JPS6342723A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | レ−ザ同位体分離方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18512286A JPS6342723A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | レ−ザ同位体分離方法及びその装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6342723A true JPS6342723A (ja) | 1988-02-23 |
Family
ID=16165251
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18512286A Pending JPS6342723A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | レ−ザ同位体分離方法及びその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6342723A (ja) |
-
1986
- 1986-08-08 JP JP18512286A patent/JPS6342723A/ja active Pending
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