JPS6342353B2 - - Google Patents
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- JPS6342353B2 JPS6342353B2 JP59205510A JP20551084A JPS6342353B2 JP S6342353 B2 JPS6342353 B2 JP S6342353B2 JP 59205510 A JP59205510 A JP 59205510A JP 20551084 A JP20551084 A JP 20551084A JP S6342353 B2 JPS6342353 B2 JP S6342353B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子計算装置等の記憶装置として用い
られるイオン注入バブルメモリ素子に関するもの
である。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an ion-implanted bubble memory element used as a memory device for electronic computing devices and the like.
イオン注入バブルメモリ素子は第5図の平面図
及び第6図の断面図に示す如く、ガドリニウム・
ガリウム・ガーネツト基板1の上にバブル用結晶
となる磁性ガーネツトの薄膜2を液相エピタキシ
ヤル成長させて形成し、この磁性薄膜2に対しパ
ターン3以外の領域4にH、Ne、He等のイオン
を注入してバブル転送路を形成したものである。
このように形成された素子は、パターン部分3の
磁化容易軸方向は矢印aの如くもとのままで面内
方向と垂直であるが、イオンを注入された領域4
の磁化容易軸方向は矢印bの如く面内方向と一致
する方向になる。従つてバブル5は回転磁界によ
つてパターン3の周縁に沿つて矢印cの如く転送
される。そしてこのパターン3は円形や四角形を
その一部が重なるようにして連続して並べた形状
であり、従来のパーマロイパターンの如くギヤツ
プを要しないため寸法精度が緩くとも良く、従つ
てパターンが小さくでき高密度化が実現される。
しかしこのイオン注入バブルメモリ素子には第7
図に示すようにバブルがストライブ・アウトされ
やすい軸が3方向,,に120゜の間隔をなし
て存在し、これら120°の間隔をなす容易磁化軸に
対し、上記連接デイスクパターン3を形成するデ
イスクパターンが何れの方向に一列に並んでいる
かによつてスーパートラツクsと、バツド・トラ
ツクbと、グツド・トラツクgの3通りのバブル
移動通路ができる。 As shown in the plan view of FIG. 5 and the sectional view of FIG. 6, the ion-implanted bubble memory element is made of gadolinium.
A thin film 2 of magnetic garnet, which will become a bubble crystal, is formed on a gallium garnet substrate 1 by liquid phase epitaxial growth, and ions such as H, Ne, He, etc. A bubble transfer path is formed by injecting .
In the element formed in this way, the easy axis direction of magnetization of the pattern portion 3 remains as it was, perpendicular to the in-plane direction, as shown by the arrow a, but the ion-implanted region 4
The easy axis direction of magnetization coincides with the in-plane direction as shown by arrow b. Therefore, the bubble 5 is transferred along the periphery of the pattern 3 as shown by the arrow c by the rotating magnetic field. Pattern 3 has a shape in which circles and squares are arranged in a row so that some of them overlap, and unlike conventional permalloy patterns, it does not require a gap, so the dimensional accuracy does not need to be loose, so the pattern can be made small. High density is achieved.
However, this ion-implanted bubble memory element has a seventh
As shown in the figure, there are axes on which bubbles are easily striated out at 120° intervals in three directions, and the above-mentioned connected disk pattern 3 is formed with respect to these easy magnetization axes at 120° intervals. Depending on which direction the disk patterns are lined up in a row, there are three bubble movement paths: super track s, butt track b, and good track g.
第8図は従来のメジヤーマイナー構成のイオン
注入バブルメモリ素子における折り畳み形マイナ
ーループのインサイドターンを示した図である。
同図において6はイオン注入領域、7はバブル転
送路HRは駆動磁界方向、121,112,21
1は結晶方位をそれぞれ示している。
FIG. 8 is a diagram showing an inside turn of a folded minor loop in a conventional ion-implanted bubble memory device having a major-minor configuration.
In the figure, 6 is the ion implantation region, 7 is the bubble transfer path H R in the driving magnetic field direction, 121, 112, 21
1 indicates the crystal orientation.
本従来例は121方向から121方向へ折り返
すタイプのマイナーループで直線転送路はスネー
ク型パターンである。なお121とは121,1
12,211を総称する記号である。 This conventional example is a minor loop of the type that turns back from the 121st direction to the 121st direction, and the linear transfer path has a snake-shaped pattern. Note that 121 is 121,1
This is a symbol that collectively refers to 12,211.
このパターン7は折り返し部分の転送区間a―
bの間にカスプ8を含んでおり、このカスプ8の
開き角の2等分方向が121とバツドトラツクの
それと等しくなつているためマージンの劣化を招
いていた。これを改良するため第9図(各符号は
第8図と同じ)に示す如き形状も考えられている
が、このパターンにおいても011とグツドトラ
ツクのそれに等しくなるものの未だ十分とは言え
ず、またカスプ8の開き角自体が狭く、微細パタ
ーンが必要な高密度デバイス(16Mビツト/cm2以
上)には適さないという問題がある。 This pattern 7 is the transfer section a-
A cusp 8 is included between the b and b, and the bisecting direction of the opening angle of the cusp 8 is 121, which is equal to that of the butt track, resulting in deterioration of the margin. In order to improve this, a shape as shown in Fig. 9 (each symbol is the same as Fig. 8) has been considered, but although this pattern is equivalent to that of 011 and Good Truck, it is still not sufficient, and the cusp The problem is that the aperture angle of 8 is narrow, making it unsuitable for high-density devices (16 Mbit/cm 2 or more) that require fine patterns.
本発明は、上記問題点を解消したイオン注入バ
ブルメモリ素子を提供するもので、その手段は、
イオン注入バブルメモリ素子の折り畳み型マイナ
ーループの一部であるストライプ困難軸方向12
1から容易軸方向121へ折り返すインサイド型
折り返し部において、バブルが折り返し部へ入つ
て来る側の直線転送路と出てゆく側の直線転送路
との間の転送路にカスプが無く、かつその転送路
が山形状となつていることを特徴とするイオン注
入バブルメモリ素子によつてなされる。
The present invention provides an ion-implanted bubble memory element that solves the above problems, and its means include:
Stripe difficult axis direction 12 that is part of the folded minor loop of the ion-implanted bubble memory device
In the inside-type folding section that folds back from 1 to the easy axis direction 121, there is no cusp in the transfer path between the straight transfer path on the side where the bubble enters the folded section and the straight transfer path on the side where the bubble exits. This is accomplished by an ion-implanted bubble memory device characterized in that the path is in the shape of a mountain.
上記イオン注入バブルメモリ素子は、折り返し
部の始点から終点までの間にはカスプが存在せ
ず、また始点を含むカスプ及び終点を含むカスプ
はそれぞれその2等分線の方向が121近傍へ向
かうためスーパートラツクのそれと同等となり、
マージンが向上する。また折り返し部の始点から
終点へ向かう転送路が山形状であるため始点、終
点間でのバブルの振動エラーが防止される。
In the above-mentioned ion-implanted bubble memory element, there is no cusp between the starting point and the ending point of the folded portion, and the direction of the bisector of the cusp including the starting point and the cusp including the ending point is toward the vicinity of 121. It is equivalent to that of Super Truck,
Improved margins. Furthermore, since the transfer path from the starting point to the ending point of the folding section is mountain-shaped, vibration errors of bubbles between the starting point and the ending point are prevented.
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に
説明する。
Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
第1図に本発明の一実施例の要部を示す。本実
施例は121方向から121方向へ折り返すイン
サイドターンであり直線転送路は折り畳み型パタ
ーンの場合である。同図において10はイオン注
入領域、11はバブル転送路、HRは駆動磁界方
向、121,112,211は結晶方位をそれぞ
れ示している。 FIG. 1 shows a main part of an embodiment of the present invention. This embodiment is an inside turn that is folded back from the 121st direction to the 121st direction, and the linear transfer path is a folding pattern. In the figure, 10 is an ion implantation region, 11 is a bubble transfer path, H R is a drive magnetic field direction, and 121, 112, and 211 are crystal orientations, respectively.
本実施例は図に示す如く、折り返し部の始点1
2から終点13までの間にはカスプが存在せず、
山形状のテイツプ14のみを設けたものである。 In this embodiment, as shown in the figure, the starting point 1 of the folding part is
There is no cusp between 2 and the end point 13,
Only a mountain-shaped tape 14 is provided.
このように構成された本実施例は、折り返し部
の始点を含むカスプ12、及び終点を含むカスプ
13のそれぞれの2等分線15,16の方向が1
21近傍の方向へ向かうためスーパートラツクの
それと同等となりマージンが向上する。 In this embodiment configured as described above, the directions of the bisectors 15 and 16 of the cusp 12 including the starting point of the folded portion and the cusp 13 including the ending point are the same.
Since it goes in a direction near 21, it is equivalent to that of a super truck and the margin is improved.
なおテイツプ14の高さとバイアスマージンの
関係は実験によれば第2図に示す如くになる。同
図はテイツプの高さをaとし、バブルの平均直径
をdとして、a=0の場合を曲線Aにより、a=
d/2の場合を曲線Bにより、a=5/6dの場合を曲
線Cによりそれぞれ示した。図よりa≧d/2であ
ればマージンの低駆動低バイアス側が改善される
ことがわかる。またa=0の場合は第1図のカス
プ12,13間でバブルが振動してしまうためマ
ージンが劣化する。 According to experiments, the relationship between the height of the tape 14 and the bias margin is as shown in FIG. In the same figure, the height of the tape is a, the average diameter of the bubble is d, and the case where a=0 is represented by curve A.
The case of d/2 is shown by curve B, and the case of a=5/6d is shown by curve C. From the figure, it can be seen that if a≧d/2, the low drive low bias side of the margin is improved. Further, when a=0, the margin deteriorates because the bubble vibrates between the cusps 12 and 13 in FIG.
第3図は本実施例のマージンを従来例と比較し
て示した図である。図は横軸に回転駆動磁界HD
を、縦軸にバイアス磁界HBをとり、曲線Aによ
り本実施例のバイアスマージンを、曲線Bにより
第8図の従来例のマージンを、曲線Cにより第9
図の従来例のマージンをそれぞれ示した。なお試
料は結晶としてh=0.6、SW=0.6、4πMs=
1050G、Hk=2700Oeのもので、イオン注入条件
はNe+、30KeV、1×1014/cm2;Ne+、120KeV、
2×1014/cm2;H2 +、36KeV、2×1016/cm2の3
重注入を行ない、転送路周期は2μm(16M/cm2相
当)のものである。同図より本実施例(曲線A)
が従来例(曲線B,C)に比して最も良いことが
わかる。 FIG. 3 is a diagram showing the margin of this embodiment in comparison with the conventional example. The diagram shows the rotational driving magnetic field H D on the horizontal axis.
, the bias magnetic field H B is plotted on the vertical axis, curve A indicates the bias margin of this embodiment, curve B indicates the margin of the conventional example shown in FIG. 8, and curve C indicates the bias margin of the present embodiment.
The margins of the conventional example in the figure are shown respectively. The sample is a crystal with h=0.6, S W =0.6, 4πMs=
1050G, H k = 2700Oe, ion implantation conditions were Ne + , 30KeV, 1×10 14 /cm 2 ; Ne + , 120KeV,
2×10 14 /cm 2 ; H 2 + , 36KeV, 3 of 2×10 16 /cm 2
Heavy injection is performed, and the transfer path period is 2 μm (equivalent to 16 M/cm 2 ). From the same figure, this example (curve A)
It can be seen that this is the best compared to the conventional example (curves B and C).
第4図は他の実施例を示す図である。同図にお
いて第1図と同一部分は同一符号を付して示し
た。本実施例はコンテイギユアスデイスク型の転
送路であり、前実施例と同様な思想で設計された
ものであり、従つて効果も同様である。 FIG. 4 is a diagram showing another embodiment. In this figure, the same parts as in FIG. 1 are designated by the same reference numerals. This embodiment is a continuous disk type transfer path, and is designed based on the same concept as the previous embodiment, and therefore has the same effects.
以上説明したように本発明によれば、マイナー
ループの折り返し部の始点から終点までの間にカ
スプを設けず、山形状のテイツプのみを設けるこ
とにより、始点を含むカスプ及び終点を含むカス
プのそれぞれの2等分線の方向を121近傍へ向
かわせ、スーパートラツクと同等にしてマージン
の向上を可能にし、また山形状のテイツプにより
始点、終点間でのバブルの振動エラーを防止する
といつた効果がある。
As explained above, according to the present invention, no cusp is provided between the starting point and the ending point of the folded portion of the minor loop, and only a chevron-shaped tape is provided, so that each cusp including the starting point and the cusp including the ending point are The direction of the bisector of the line is directed to the vicinity of 121, making it equivalent to the super track and improving the margin, and the chevron-shaped tape prevents bubble vibration errors between the start and end points. be.
第1図は本発明のイオン注入バブルメモリ素子
の一実施例の要部を示す平面図、第2図はそのテ
イツプの高さとバイアスマージンの関係を示す
図、第3図は本発明実施例のバイアスマージンを
従来例と比較して示した図、第4図は本発明の他
の実施例を示す図、第5図は従来のイオン注入バ
ブルメモリ素子を説明するための図、第6図は第
5図の―線における断面図、第7図はバブル
結晶の結晶方位と転送路の関係を説明するための
図、第8図及び第9図は従来のイオン注入バブル
メモリ素子におけるマイナーループの折り返し部
を説明するための図である。
図中、10はイオン注入領域、11はバブル転
送路、HRは駆動磁界方向、121,112,2
11は結晶方位、12,13はカスプ、14はテ
イツプをそれぞれ示す。
FIG. 1 is a plan view showing the essential parts of an embodiment of the ion-implanted bubble memory device of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the tape height and bias margin, and FIG. FIG. 4 is a diagram showing another embodiment of the present invention, FIG. 5 is a diagram for explaining a conventional ion-implanted bubble memory element, and FIG. 6 is a diagram showing a comparison of the bias margin with a conventional example. Fig. 5 is a cross-sectional view taken along the - line, Fig. 7 is a diagram for explaining the relationship between the crystal orientation of the bubble crystal and the transfer path, and Figs. 8 and 9 are illustrations of minor loops in conventional ion-implanted bubble memory elements. It is a figure for explaining a folding part. In the figure, 10 is the ion implantation region, 11 is the bubble transfer path, H R is the driving magnetic field direction, 121, 112, 2
Reference numeral 11 indicates a crystal orientation, 12 and 13 indicate a cusp, and 14 indicates a tape.
Claims (1)
イナーループの一部であるストライプ困難軸方向
121から容易軸方向121へ折返すインサイド
型折り返し部において、バブルが折り返し部へ入
つて来る側の直線転送路と出てゆく側の直線転送
路との間の転送路にカスブが無く、かつその転送
路が山形状となつていることを特徴とするイオン
注入バブルメモリ素子。 2 前記折返し部の転送路の山形状の高さがバブ
ルの平均直径の1/2もしくはそれ以上であること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載のイオン
注入バブルメモリ素子。[Scope of Claims] 1. In the inside type folded part where the stripe is folded from the hard axis direction 121 to the easy axis direction 121, which is a part of the folded minor loop of the ion-implanted bubble memory element, the side where the bubble enters the folded part. An ion-implanted bubble memory element characterized in that there is no scum in the transfer path between the straight transfer path and the straight transfer path on the outgoing side, and the transfer path has a mountain shape. 2. The ion-implanted bubble memory device according to claim 1, wherein the height of the mountain-shaped transfer path of the folded portion is 1/2 or more of the average diameter of the bubble.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59205510A JPS6185693A (en) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | Ion implantation bubble memory element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59205510A JPS6185693A (en) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | Ion implantation bubble memory element |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6185693A JPS6185693A (en) | 1986-05-01 |
JPS6342353B2 true JPS6342353B2 (en) | 1988-08-23 |
Family
ID=16508059
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59205510A Granted JPS6185693A (en) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | Ion implantation bubble memory element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6185693A (en) |
-
1984
- 1984-10-02 JP JP59205510A patent/JPS6185693A/en active Granted
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS=1982 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6185693A (en) | 1986-05-01 |
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