JPS60688A - Magnetic bubble element - Google Patents

Magnetic bubble element

Info

Publication number
JPS60688A
JPS60688A JP59102534A JP10253484A JPS60688A JP S60688 A JPS60688 A JP S60688A JP 59102534 A JP59102534 A JP 59102534A JP 10253484 A JP10253484 A JP 10253484A JP S60688 A JPS60688 A JP S60688A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
major
loop
minor loop
minor
line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP59102534A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS6259394B2 (en
Inventor
Naoki Kodama
直樹 児玉
Hitoshi Ikeda
池田 整
Junshi Asano
浅野 純志
Ken Sugita
杉田 愃
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP59102534A priority Critical patent/JPS60688A/en
Publication of JPS60688A publication Critical patent/JPS60688A/en
Publication of JPS6259394B2 publication Critical patent/JPS6259394B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/14Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)

Abstract

PURPOSE:To minimize an ineffective area and to improve mounting density by tilting only a part requiring the best transfer characteristic in matching with the crystal anisotropy of a magentic film and arranging orthogonally the rest part to a major line or a major loop. CONSTITUTION:An angle of theta=60 deg. is given for one bit's share of a part 13 of a minor loop 12 close to the major loop 11 and other parts 14 of the minor loop 12 are arranged so as to be at a right angle (theta=90 deg.) to the major loop 11. Fig. (b) shows the major/minor loop constitution where the major loop 11 and the minor loop 12 are abbreviated by straight lines, the ineffective region is decreased in comparison with that of conventional constitution and the high density is attained by nearly 30%.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、高密度磁気バブル素子に好適なコンティギュ
アス・ディスク方式における磁気バブル素子構成の改良
に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an improvement in the configuration of a magnetic bubble element in a continuous disk system suitable for a high-density magnetic bubble element.

第1図はコンティギュアス・ディスク方式における磁気
バブルの転送の原理を示したものである。
FIG. 1 shows the principle of magnetic bubble transfer in the continuous disk system.

非磁性基板G上に形成さ九た、−軸異方性を有し。Formed on a non-magnetic substrate G, it has -axis anisotropy.

磁気バブル4を保持し得る磁性膜7上に、ホトレジス1
へ、あるいは金やアルミニウムー・銅合金からなるディ
スク状のマスク5を形成し゛C,露出さJまた部分に水
素イオンやヘリウムイオンなどヲ41込み、イオン打込
み膜1を形成する。そうずろと、u桑1の磁化は1模而
内方向を向くようになる。この膜lの面に平行な磁化2
を、膜1の面に甲(1に印加され−Cいる回転磁界3に
よってその方向を変化させる。それに従って、磁気バブ
ル4はディスク5の縁になる部分に沿って転送されるこ
とになる。
A photoresist 1 is placed on the magnetic film 7 that can hold the magnetic bubble 4.
Alternatively, a disk-shaped mask 5 made of gold or aluminum-copper alloy is formed, and hydrogen ions, helium ions, etc. are implanted into the exposed portions to form an ion-implanted film 1. As it turns, the magnetization of u mulberry 1 becomes oriented in the 1st direction. Magnetization 2 parallel to the plane of this film l
is changed in its direction by a rotating magnetic field 3 applied to the surface of the membrane 1. Accordingly, the magnetic bubble 4 will be transferred along what will become the edge of the disk 5.

このように、コンティギュアス・ディスク方式′Cは磁
気バブル4の転送に連続したディスク5を使用するため
、従来のメモリ方式におlづる1し;送パターンのよう
なギャップがない。そのために、転送パターンが)くり
やすく、高密度化をはか」しるという特徴がある。
In this way, since the continuous disk system 'C uses continuous disks 5 for transferring the magnetic bubbles 4, there is no gap in the transfer pattern as in the conventional memory system. For this reason, the transfer pattern has the characteristics of being easy to cut and achieving high density.

このようなコンティギュアス・ディスク方式では第2図
に示したようにメジャーラインまたはメジャーループ8
とマイナーループ9との間のバブル転送が必要になる。
In this continuous disc method, as shown in Figure 2, the major line or major loop 8
Bubble transfer between and minor loop 9 is required.

この転送はメジャーラインまたはメジャーループ8とマ
イナーループ9との間に設けたコンダクタに電流を流す
ことによって行なう。ところで、磁性膜7の結晶異方性
のためにこの転送特性はメジャーラインまたはメジャー
ループ8とマイナーループ9とのなす角度θに依存して
いる。このために、マイナーループ9全体をメジャーラ
インまたはメジャーループ8に対し0=60度の角度を
持たせて配置した構成が知らJしている(たとえば文献
、Y、 S 、 L j、n e+−、al、。
This transfer is performed by passing a current through a conductor provided between the major line or the major loop 8 and the minor loop 9. By the way, due to the crystal anisotropy of the magnetic film 7, this transfer characteristic depends on the angle θ between the major line or major loop 8 and the minor loop 9. For this purpose, a configuration in which the entire minor loop 9 is arranged at an angle of 0 = 60 degrees with respect to the major line or major loop 8 is known (for example, in the literature, Y, S, L j, ne+- , al.

IEEE TRANSACTION ONMAGNET
IC8,MAG−15(1979)1642)。第2図
に示したメジャーループ8゜マイナーループ9の各ルー
プを直線で略記してメジャーループ8とマイナーループ
9とを示した膜式的構成が第3図である。5しかし、こ
のイI4成では第3図から明らかなようにチップ上に無
効領域10が増加して高密度化が達成しにくいという欠
点がある。
IEEE TRANSACTION ON MAGNET
IC8, MAG-15 (1979) 1642). FIG. 3 shows a membrane configuration in which the major loop 8° and the minor loop 9 shown in FIG. 2 are abbreviated with straight lines to show the major loop 8 and the minor loop 9. 5. However, as is clear from FIG. 3, this I4 configuration has the disadvantage that the ineffective area 10 increases on the chip, making it difficult to achieve high density.

従って、本発明の目的はコンテイギュアス・ディスク方
式におけるメジャーループ・マイナーループ構成又はメ
ジャーライン・マイナーループ構成の上述した欠点を解
消して高密度化が可能な磁気バブル素子を提供すること
にある。
Therefore, an object of the present invention is to provide a magnetic bubble element that can solve the above-mentioned drawbacks of the major loop/minor loop configuration or the major line/minor loop configuration in the continuous disk system and can achieve high density.

上記1」的を達成するために本発明においては、マイナ
ーループをメジャーラインまたはメジャーループに対し
て直交配置し、かつ、]二1マイナーループが」1記メ
ジャーラインまたはメジャーループに近接する部分のみ
を」1記メジャーラインまたはメジャーループに対して
傾斜させた配置とし′〔磁気バブル素子を構成したこと
を特徴としている。
In order to achieve the objective 1 above, in the present invention, the minor loop is arranged orthogonally to the major line or the major loop, and the minor loop is located only in the portion near the major line or the major loop described in 1. 1. The magnetic bubble element is arranged so as to be inclined with respect to the major line or the major loop.

かかる本発明の特徴は構成により、従来構成のfiH%
効領賎をほとんど無くすことが++J能となり、その粘
宋、高密度化が達成される。
The feature of the present invention is that the fiH% of the conventional configuration is
Eliminating most of the efficiencies becomes ++J ability, and its viscosity and density are achieved.

つまり、不発・明は最も転送特性がめられる部分、すな
わち、メジャーラインまたはメジャーループに最も近接
するマイナーループの一部分のみを磁性1漠の結晶異方
性にあわせて傾斜させ、転X:に特性がそれほど要求さ
れない残りの部分をメジ\・一ラインまたはメジャール
ープに対して直交配置することによりて無効領域を最小
限にし・、チップ当りの実装密度の向上を図ったもので
I7)る。
In other words, in the invention, only the part where the transfer characteristics can be seen most, that is, the major line or the part of the minor loop closest to the major loop, is tilted in accordance with the crystal anisotropy of the magnetism, and the transfer characteristics are By arranging the remaining portions which are not so required, orthogonal to the major line or major loop, the ineffective area is minimized and the packaging density per chip is improved.I7).

以下、本発明を図面を用いて詳述する。Hereinafter, the present invention will be explained in detail using the drawings.

第4図は本発明による磁気バブル素子のメジャーライン
・マイナーループ4i15成またはメジャーループ・マ
イナーループ構成の部分4苺成を示したものである。同
図において、11はメジャーループであり、12はマイ
ナーループである。そして。
FIG. 4 shows the major line/minor loop 4/15 configuration or the partial 4/15 configuration of the major loop/minor loop configuration of the magnetic bubble element according to the present invention. In the figure, 11 is a major loop, and 12 is a minor loop. and.

マイナーループ12は部分13と部分I4との2つの部
分からなっている。すなわち、マイナーループ12のメ
ジャーループ11に近接した部分13の1ピッ1〜分を
0=60度の角度を持たぜ、マイナーループ12のその
他の部分14はメジャーループ】■と直角(0=9’O
度)どなるようにした配置(14成である。第5図は、
第41alのメジャーループ11とマイナーループ12
とを直線で略記して示したメジャー・マイナーループ構
成である。同図から明らかなように、第3図に示した従
来構成と比へて無効領域が小さくなり、そのため約30
′Xの高密度化が達成できることを示している。
The minor loop 12 consists of two parts, a part 13 and a part I4. That is, the part 13 of the minor loop 12 close to the major loop 11 has an angle of 0 = 60 degrees, and the other part 14 of the minor loop 12 is at a right angle (0 = 9 'O
degree) arrangement (14 configurations). Figure 5 shows the following:
Major loop 11 and minor loop 12 of the 41st al.
This is a major/minor loop configuration, which is abbreviated as a straight line. As is clear from the figure, the ineffective area is smaller compared to the conventional configuration shown in Figure 3, and therefore approximately 30%
It is shown that a high density of 'X can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はコンティギュアス・ディスク方式における磁気
バブルの転送原理を説明するため(1月’)! 1fi
i図、第2図は従来のコンティギュアス・ディスク方式
におけるメジャー・マイナーループ構成図、第3図は第
2図に示したメジャー・マイナーループをll’8記し
て示した全体構成図、第41ソ1はA−発明によるコン
ティギュアス・ディスク方式にお()るメジャー・マイ
ナーループ4i15成図、第501et第11図にて示
したメジャー・マイナーループ’& Pl:i記して示
した全体構成図である。 1・・・イオンJ1込み膜、2・・・磁化、:3・・・
回転磁界、4・・・磁気バブル、5・・・デ、Cスフ、
6・・・非磁性基板、7・・・磁性′膜、8.11・・
・メジャーラインまたはメジャーループ、9,12・・
・マイナーループ。 市 1 図 率 3 図 市 4 図 4品−m− 第5図 1 −50・
Figure 1 is for explaining the principle of magnetic bubble transfer in the continuous disk method (January')! 1fi
Figure i and Figure 2 are major/minor loop configuration diagrams in the conventional continuous disk system. Figure 3 is an overall configuration diagram showing the major/minor loops shown in Figure 2 with ll'8 notation. 41 So 1 is the major/minor loop 4i15 composition in the continuous disk system invented by A- Invention, 501 et The entire major/minor loop shown in Figure 11'& Pl: i marked. FIG. 1...Ion J1-containing film, 2...Magnetization, :3...
Rotating magnetic field, 4...Magnetic bubble, 5...De, C suf,
6...Nonmagnetic substrate, 7...Magnetic' film, 8.11...
・Major line or major loop, 9, 12...
・Minor loop. City 1 Figure rate 3 Figure city 4 Figure 4 item -m- Figure 5 1 -50・

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] ■、 コンティギュアス・ディスク方式におけるメジャ
ーループ・マイナーループ構成またはメジャーライン・
マイナーループ構成において、マイナーループを前記メ
ジャーラインまたはメジャーループに苅して直交配置し
、かつ、上記マイナーループが上記メジャーラインまた
はメジャーループに近接する部分のみを上記メジャーラ
インまたはメジャーループに刻して傾斜させて配置構成
したことを特徴とする磁気バブル素子。
■Major loop/minor loop configuration or major line/minor loop configuration in continuous disc method
In the minor loop configuration, the minor loop is arranged orthogonally to the major line or major loop, and only the portion of the minor loop that is close to the major line or major loop is carved into the major line or major loop. A magnetic bubble element characterized by being arranged in an inclined manner.
JP59102534A 1984-05-23 1984-05-23 Magnetic bubble element Granted JPS60688A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59102534A JPS60688A (en) 1984-05-23 1984-05-23 Magnetic bubble element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59102534A JPS60688A (en) 1984-05-23 1984-05-23 Magnetic bubble element

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60688A true JPS60688A (en) 1985-01-05
JPS6259394B2 JPS6259394B2 (en) 1987-12-10

Family

ID=14329951

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59102534A Granted JPS60688A (en) 1984-05-23 1984-05-23 Magnetic bubble element

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60688A (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0722198U (en) * 1993-09-27 1995-04-21 株式会社スイケンテクノロジー Anticorrosion ring for pipes

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6259394B2 (en) 1987-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0011137B1 (en) Manufacture of a magnetic bubble domain chip with enhanced propagation margins
JPS60688A (en) Magnetic bubble element
JPH0289207A (en) Thin-film magnetic device having vertical anisotropy
US4525808A (en) Hybrid magnetic bubble memory device
JPS6362804B2 (en)
JPS58125289A (en) Magnetic bubble element
JPS6346917B2 (en)
JPS5898805A (en) Magnetic recording system
JPS6040110B2 (en) magnetic bubble device detector
JPS62140291A (en) Magnetic bubble memory device
JPS5849948B2 (en) magnetic bubble domain device
JPS59221887A (en) Magnetic bubble memory device
Kodama et al. Characteristics of junctions between ion-implanted and Permalloy tracks in hybrid bubble devices
JPS6037759Y2 (en) magnetic bubble memory chip
JPS6029997A (en) Magnetic bubble transfer path
JPS6023837Y2 (en) magnetic bubble memory device
JPS6330716B2 (en)
JPS645395B2 (en)
JPS6212906A (en) Magnetic head
Jo et al. Nearly isotropic propagation of 0.5 micrometer bubbles in contiguous disk devices
JPS62222410A (en) Vertical magnetic head
JPS5835714A (en) Magnetic head for vertical magnetization recording
JPS58143485A (en) Magnetic bubble generator
JPH03122888A (en) Magnetic bubble element
JPS645396B2 (en)