JPS6337999A - Ic card - Google Patents

Ic card

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JPS6337999A
JPS6337999A JP61181535A JP18153586A JPS6337999A JP S6337999 A JPS6337999 A JP S6337999A JP 61181535 A JP61181535 A JP 61181535A JP 18153586 A JP18153586 A JP 18153586A JP S6337999 A JPS6337999 A JP S6337999A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
card
ion implantation
resin
chip
sectional
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61181535A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
正哉 岩木
高橋 勝緒
藤花 隆宣
勇 秋山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Takata Corp
RIKEN Institute of Physical and Chemical Research
Original Assignee
Takata Corp
RIKEN Institute of Physical and Chemical Research
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Takata Corp, RIKEN Institute of Physical and Chemical Research filed Critical Takata Corp
Priority to JP61181535A priority Critical patent/JPS6337999A/en
Publication of JPS6337999A publication Critical patent/JPS6337999A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Abstract] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はIC(i積回路)カードに関するものであり、
特にメモリー機能のみあるいはメモリー機能とデータ処
理機能の両方の機能を持つICを備えたICカードに関
するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to an IC (integrated circuit) card,
In particular, it relates to an IC card having an IC having only a memory function or both a memory function and a data processing function.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

現在、多種類の磁気カードが、クレジットカードやキャ
ッシュカードとして使用されている。その分野も金融、
流通部門を中心に多方面に広がっており、日常生活に欠
かせないものになりつつある。その磁気カードは、プラ
スチック板上に帯状の磁気テープを貼り付けたものであ
り、そしてデータの読取り及び書込みを行なう。
Currently, many types of magnetic cards are used as credit cards and cash cards. The field is finance,
It has spread to many areas, mainly in the distribution sector, and is becoming an indispensable part of daily life. The magnetic card is made by pasting a band-shaped magnetic tape onto a plastic plate, and allows reading and writing of data.

この磁気カードは、その構造上、偽造や変造などの種々
の犯罪がたやすくできたり、記1、へ容1が非常に小さ
いなどの欠点が多い為、それを改良するものとしてIC
カードが注目を集めてきている。
Due to its structure, this magnetic card has many drawbacks, such as being easily susceptible to various crimes such as forgery and alteration, and having a very small capacity.
Cards are getting a lot of attention.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

しかし、そのICカードも、内部に組み込んだICが静
電気の空中放電により破壊される恐れがあるという欠点
を持つ。
However, this IC card also has the disadvantage that the IC incorporated therein may be destroyed by air discharge of static electricity.

ICの静電破壊は、カードを構成するプラスチック材が
絶縁材の為、日常、特に化学繊維の衣類を着て、その中
にカードを入れておいた場合、カード表面に静電気がた
まり、金属にその人が触れた時にそこに放電が生じるな
どして起こる。
Electrostatic damage to ICs occurs because the plastic material that makes up the card is an insulator, so if you wear synthetic clothing and put the card inside it, static electricity builds up on the surface of the card, causing damage to the metal. This happens when a person touches it and an electrical discharge occurs there.

ICカード中のICの静電破壊を防ぐには、入力のMO
Sトランジスタを大きくしたり、入力に抵抗や保護ダイ
オードを入れるなどの手段が取られてきた。また、更に
高静電耐圧が必要な場合には、サージ防護素子を外付け
している。近年、その他に、帯電防止被覆や帯電防止プ
ラスチックが開発されるに至っている。従来のMOS 
)ランジスタを太き(したり、入力に抵抗や保護ダイオ
ードを入れる方法では、ICチップやモジュールの製造
コストが高くなる。また、サージ防護素子を外付けする
方法でも、同様の事が言える。また帯電防止被覆及び帯
電防止プラスチックでは、物性のバラツキや耐環境性な
どの問題も残している。
To prevent electrostatic damage to the IC in the IC card, the input MO
Measures have been taken such as increasing the size of the S transistor and inserting a resistor or protection diode into the input. Additionally, if an even higher electrostatic withstand voltage is required, a surge protection element is attached externally. In recent years, other antistatic coatings and antistatic plastics have been developed. Conventional MOS
) The method of making the transistor thicker (or adding a resistor or protection diode to the input) increases the manufacturing cost of the IC chip or module.The same thing also applies to the method of attaching an external surge protection element. Antistatic coatings and antistatic plastics still have problems such as variations in physical properties and environmental resistance.

本発明の目的は、従来法における問題を引き起こすこと
なくICカード中のICチップの静電破壊をなくするこ
とにある。
An object of the present invention is to eliminate electrostatic damage to IC chips in IC cards without causing problems in conventional methods.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

上記の問題点を解決するために本発明は、ICカードを
構成するプラスチック材にイオン注入を施し、ICの静
電破壊を防止したことを特徴とする。イオン注入は、半
導体素子作成時に不純物を物質内に高精度に埋込む技術
として確立されている。それにより、プラスチック材表
面に安定した導電層(抵抗)を形成することができる。
In order to solve the above problems, the present invention is characterized in that ions are implanted into the plastic material constituting the IC card to prevent electrostatic damage to the IC. Ion implantation has been established as a technique for embedding impurities into a material with high precision during the production of semiconductor devices. Thereby, a stable conductive layer (resistance) can be formed on the surface of the plastic material.

本発明におけるプラスチック材とは、ICカード表面に
露出するもののみでなく、ICを担持する封止樹脂、プ
リント基板の支持体等ICカードを構成する全てのプラ
スチック材を含み、具体的な材料としては、塩化ビニル
、エポキシ系樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド、ポリ
エステル、ポリオレフィン、ポリフェニレンサルファイ
ド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリエ
ーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミドジアリルフ
タレート樹脂等を例示することができる。
In the present invention, the plastic materials include not only those exposed on the surface of the IC card, but also all plastic materials that constitute the IC card, such as the sealing resin that supports the IC and the support for the printed circuit board. Examples of the resin include vinyl chloride, epoxy resin, phenol resin, polyimide, polyester, polyolefin, polyphenylene sulfide, polysulfone, polyether sulfone, polyether ether ketone, and polyether imide diallyl phthalate resin.

イオン注入条件としては、加速エネルギーが10〜10
00KeV が好ましく、更に好ましくは30〜300
KeVであり、イオン注入量はlX1016イオン/ 
c++f以上が好ましい。注入するイオン種としては、
N、  Ar、 C,O、Ti、 Cu、 Zn、 B
 。
The ion implantation conditions include an acceleration energy of 10 to 10
00KeV is preferable, more preferably 30-300
KeV, and the ion implantation amount is lx1016 ions/
C++f or higher is preferable. The ion species to be implanted are:
N, Ar, C, O, Ti, Cu, Zn, B
.

P、Fe、Si 等あらゆる元素を使用することができ
る。
Any element such as P, Fe, Si, etc. can be used.

〔作 用〕[For production]

ICカードを構成するプラスチック材にイオン注入を施
すと、プラスチック材表面に安定した導電層(抵抗)が
形成され、ICチップが静電破壊することがなくなる。
When ions are implanted into the plastic material that makes up the IC card, a stable conductive layer (resistance) is formed on the surface of the plastic material, and the IC chip is prevented from being damaged by static electricity.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明はプラスチック材にイオン注入を施すという簡易
な操作であり、処理コストは低い。また、処理条件を変
える事により、導電部の厚さ及び導電率を変える事が可
能であり、任意の位置に、任意の安定な導電率の導電層
を形成出来る。
The present invention involves a simple operation of ion implantation into a plastic material, and the processing cost is low. Further, by changing the processing conditions, it is possible to change the thickness and conductivity of the conductive portion, and a conductive layer with any stable conductivity can be formed at any position.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明のICカードの実施例を図面を用いて詳細
に説明する。第1図は第1実施例の断面図である。本実
施例は、ICチップ1を含むICモジュール10の電極
4.5の一部がカバーフィルム12で覆われているラミ
ネール型ICカードに対する実施例である。第2図に詳
細に示されるように、ICチップを含むICモジュール
10においては、ICチップlが封止樹脂2とICチッ
プを担持し配線を行う樹脂(プリント基板の絶縁プラス
チック材)3との間に挾まれて設置されており、さらに
配線6によってICチップ1が、ICチップを担持し配
線を行う樹脂3の上面に設けられた外部接続電極4と接
地1楊5とに接続されている。このような構造のICモ
ジュール10が予め形成され、このICモジュールlO
がICカードのセンターコア11の空隙部分18に収容
された後、カバーフィルム12が、ICモジュールIO
の電極4.5の一部を覆うようにして、センターコア1
1上に被覆される。本実施例においては、外部接続電極
4と接地電極5とに接触してまたがる部分のカバーフィ
ルム12の内側面にイオン注入が施されており、これに
よって形成されたイオン注入層16aによって静電耐圧
が向上されている。
Embodiments of the IC card of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view of the first embodiment. This embodiment is an embodiment for a laminated IC card in which a part of the electrodes 4.5 of an IC module 10 including an IC chip 1 is covered with a cover film 12. As shown in detail in FIG. 2, in an IC module 10 including an IC chip, an IC chip l is bonded to a sealing resin 2 and a resin (insulating plastic material of a printed circuit board) 3 that supports the IC chip and performs wiring. The IC chip 1 is further connected by a wiring 6 to an external connection electrode 4 provided on the upper surface of a resin 3 that supports the IC chip and performs wiring, and a ground 1 yang 5. . The IC module 10 having such a structure is formed in advance, and this IC module IO
is accommodated in the gap portion 18 of the center core 11 of the IC card, the cover film 12 is inserted into the IC module IO.
Center core 1 so as to cover a part of electrode 4.5 of
1. In this embodiment, ions are implanted into the inner surface of the cover film 12 at a portion that contacts and straddles the external connection electrode 4 and the ground electrode 5, and the ion implantation layer 16a thus formed increases the electrostatic withstand voltage. has been improved.

第3図は本発明の第2実施例の断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a second embodiment of the invention.

本実施Nは、パックフィルム17、センターコア11お
よびカバーフィルム12が積層されて形成された積層体
の凹部18に、ICモジュールが嵌合されてなるはめ込
み型ICカードに対する実施例である。本実施例におい
ては、外部接続電極4と接地電極5との間の絶縁プラス
チック材にイオン注入が施されてイオン注入層16bが
形成されており、これによって静電耐圧が向上されてい
る。
Embodiment N is an embodiment for an insert-type IC card in which an IC module is fitted into a recess 18 of a laminate formed by laminating a pack film 17, a center core 11, and a cover film 12. In this embodiment, ions are implanted into the insulating plastic material between the external connection electrode 4 and the ground electrode 5 to form an ion implantation layer 16b, thereby improving the electrostatic withstand voltage.

第4図および第5図はそれぞれ本発明の第3実施例およ
び第4実施例の断面図であり、それぞれラミネート型お
よびはめ込み型ICカードに対する実施例である。いず
れの実施例においても、カバーフィルム12とパックフ
ィルム17との表面にイオン注入が施されており、これ
によってイオン注入層16C116dが形成されている
。このようにカード露出面全面にわたってイオン注入さ
れているとICカードの帯電防止にきわだった効果があ
る。
4 and 5 are cross-sectional views of a third embodiment and a fourth embodiment of the present invention, respectively, and are examples for a laminated type and an embedded type IC card, respectively. In either embodiment, ion implantation is performed on the surfaces of the cover film 12 and the pack film 17, thereby forming an ion implantation layer 16C116d. Ion implantation over the entire exposed surface of the card in this way has a remarkable effect in preventing charging of the IC card.

第6図は本発明の第5実施例の断面図である。FIG. 6 is a sectional view of a fifth embodiment of the present invention.

本実施例は、ラミネート型のICカードに対する実施例
であり、カバーフィルム12とパックフィルム17の内
側面にイオン注入が施されて、イオン注入層16aと1
6bとが形成されており、ICの静電耐圧の向上と帯電
防止の両方に効果がある。
This embodiment is an embodiment for a laminated IC card, in which ion implantation is performed on the inner surfaces of the cover film 12 and the pack film 17, and the ion implantation layers 16a and 1
6b is formed, which is effective in both improving the electrostatic withstand voltage of the IC and preventing charging.

上記以外に導電性を持たせるのに効果がある部分として
、ICを担持し配線を行う樹脂3、ICチップのバック
を封止する樹脂部2およびパックフィルム17の封止樹
脂2と接触する部分を挙げることができる。
In addition to the above, parts that are effective in imparting conductivity include the resin 3 that supports the IC and performs wiring, the resin part 2 that seals the back of the IC chip, and the part of the pack film 17 that contacts the sealing resin 2. can be mentioned.

これら各部分および上記複数の実施例の内任意のものを
複合した場合でも大きな効果が得られる。
Great effects can be obtained even when any of these parts and any of the above embodiments are combined.

ICを担持する樹脂部に導電性を持たせる処理は、IC
を樹脂で封止する前に行う。また、封止樹脂に導電性を
持たせる場合には、電極からアース線を樹脂表面に渡す
と効果は相乗される。
The process of imparting conductivity to the resin part that supports the IC is
This is done before sealing with resin. Further, when the sealing resin is made to have conductivity, the effect is multiplied by passing the ground wire from the electrode to the resin surface.

イオン注入により形成された導電層の抵抗は、注入の条
件、例えば、加速電圧、注入量を変える事により、所望
の値に設定されるが、ICの静電耐圧を向上させる場合
には102〜1010Ω/口の範囲内の比較的低い抵抗
値を必要とし、ICカードの帯電防止には比較的高い抵
抗値で十分である。
The resistance of the conductive layer formed by ion implantation can be set to a desired value by changing the implantation conditions, such as acceleration voltage and implantation amount. Relatively low resistance values in the range of 1010 Ω/port are required; relatively high resistance values are sufficient to prevent charging of IC cards.

第7図にポリ塩化ビニル基板にN”、 Ar”、 C”
を打ち込んだ際のイオン注入量に対する表面抵抗の変化
を示す。
Figure 7 shows N”, Ar”, and C” on the polyvinyl chloride substrate.
The graph shows the change in surface resistance with respect to the ion implantation amount when implanted.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明のICカードの第1実施例を示す断面図
であり、ラミネート型ICカードに対する実施例の断面
図、 第2図はICモジュールの分解斜視図、第3図は本発明
の第2実施例を示す断面図であり、はめ込み型ICカー
ドに対する実施例の断面図、 第4図および第5図はそれぞれ第3実施例および第4実
施例を示す断面図であり、それぞれラミネート型ICカ
ードおよびはめ込み型ICカードに対する実施例の断面
図、 第6図は本発明の第5実施例を示す断面図であり、ラミ
ネート型ICカードに対する実施例の断面図、 第7図はポリ塩化ビニル基板にN゛、Ar”、C゛を打
ち込んだ際のイオン注入量に対する表面抵抗の変化を示
すグラフ。 1・・・ICチップ、 2・・・封止樹脂、3・・・I
Cチップを担持し配線を行う樹脂、4・・・外部接続電
極、 5・・・接地電極、6・・・配線、  10・・
・ICモジュール、11・・・センターコア、 12・・・カバーフィルム、 16a、16b、16c、16d、16e  ・・・イ
オン注入層、17・・・パックフィルム。 図面の浄書(内容に変更なし) 第1図 第2図 第3図 第4図 第7図 注入M  (ions−cm ) 手続補正書(方式) 特許庁長官 黒 1)明 雄 殿 1、事件の表示   昭和61年特許軸第181535
号2、発明の名称     ICカ − ド3、補正を
する者 事件との関係  出願人 名称 (679)理化学研究所 同   タカ夕株式会社 4、代理人
FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of the IC card of the present invention, and is a sectional view of the embodiment for a laminated IC card. FIG. 2 is an exploded perspective view of an IC module. FIG. 4 is a sectional view showing a second embodiment, and FIG. 5 is a sectional view showing an embodiment for a built-in type IC card. FIG. 4 and FIG. FIG. 6 is a sectional view showing a fifth embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a sectional view of an embodiment for a laminated IC card. Graph showing changes in surface resistance with respect to ion implantation amount when N'', Ar'', and C'' are implanted into a substrate. 1... IC chip, 2... Sealing resin, 3... I
Resin supporting the C chip and performing wiring, 4... External connection electrode, 5... Grounding electrode, 6... Wiring, 10...
- IC module, 11... Center core, 12... Cover film, 16a, 16b, 16c, 16d, 16e... Ion implantation layer, 17... Pack film. Engraving of the drawings (no changes to the contents) Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4 Figure 7 Injection M (ions-cm) Procedural amendment (method) Commissioner of the Patent Office Kuro 1) Mr. Akihiro 1, of the case Display 1986 Patent Axis No. 181535
No. 2, Title of the invention IC card 3, Relationship with the amended person's case Name of applicant (679) RIKEN Takayu Co., Ltd. 4, Agent

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  ICチップを内蔵した外部端子付ICカードにおいて
、このカードを構成するプラスチック材にイオン注入が
施されていることを特徴とするICカード。
An IC card with a built-in IC chip and an external terminal, characterized in that a plastic material constituting the card is ion-implanted.
JP61181535A 1986-08-01 1986-08-01 Ic card Pending JPS6337999A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61181535A JPS6337999A (en) 1986-08-01 1986-08-01 Ic card

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61181535A JPS6337999A (en) 1986-08-01 1986-08-01 Ic card

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JPS6337999A true JPS6337999A (en) 1988-02-18

Family

ID=16102474

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61181535A Pending JPS6337999A (en) 1986-08-01 1986-08-01 Ic card

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JP (1) JPS6337999A (en)

Cited By (1)

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JP2008309423A (en) * 2007-06-15 2008-12-25 Hitachi Appliances Inc Refrigerator

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