JPS6337707A

JPS6337707A - 微分回路

Info

Publication number: JPS6337707A
Application number: JP18149086A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiro Ikuto; 義弘生藤
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 1986-08-01
Filing date: 1986-08-01
Publication date: 1988-02-18
Anticipated expiration: 2010-08-02
Also published as: JPH0773179B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕この発明は、微分定数を選択可能にした微分回路に係り
、特に、微分定数の選択切換えに関する。

〔従来の技術〕

フロッピィディスクなどの磁気記録メディアの磁気記録
再生装置には、磁気記録メディアに磁気記録されたデー
タを読み出すための読出し回路が設置されている。

この読出し回路は、たとえば、第２図に示すように、磁
気記録メディアの記ｆｉ！気を磁気ヘッドのコイル２に
よって検出し、その検出電圧を増幅器４で増幅した後、
ローパスフィルタ６を通過させて高域成分を除いて、微
分回路８で微分する。

この微分回路８の微分出力は、コンパレータ１３によっ
て波形を成形し、タイムドメインフィルタ１４によって
不要信号成分を除いた後、出力回路１Ｇを経て出力端子
１８からリードデータパルスを得ている。

ところで、フロッピィディスクドライブには、記録密度
切損えを可能にしたものがある。たとえば、１枚のディ
スク当りＩＭＢ、　２ＭＢを切り換えられるようにし、
従来からの記録密度と互換性を取る場合にはＩＭＢの密
度で使用し、互換性に関係なく高密度で使用したい場合
には２ＭＢを用いる。

そこで、記録密度の切換えに応じて微分定数の最適化を
図る必要がある。その場合、微分回路８では定数１０を
、たとえば、２段階に設定しておき、記録密度に応じて
微分定数を切り換えてその最適化を図っている。

そのため、微分回路８は、第３図に示すように、入力端
子２Ｑａ、２０ｂに対して微分すべき信号を加え、入力
端子２０ａに加えられた入力信号をトランジスタ２２お
よび定電流源２４からなるエミッタフォロワ回路を通し
てトランジスタ２６のベースに加えるとともに、入力端
子２０ｂに加えられた入力信号をトランジスタ２８およ
び定電流源３０からなるエミッタフォロワ回路を通して
トランジスタ３２のベースに加えている。そして、各ト
ランジスタ２６．３２は、各エミッタに形成した端子３
４ａ、３４ｂ間に、第２図中の定数１０に相当する微分
定数を設定する２つのインピーダンス素子１１１２を直
列に接続するとともに、抵抗３６．３８および定電流源
４０．４２を以て差動回路を構成し、各トランジスタ２
６．３２のコレクタ側に微分出力を取り出す出力端子４
４ａ、４４ｂを設けている。そして、インピーダンス素
子１１の両端にはスイッチング素子としての電界効果ト
ランジスタ（ＦＥＴ）４６を並列に接続し、入力端子４
８に対してＦＥＴ４６を導通または遮断する切換信号Ｓ
ｗを加えて、ＦＥＴ４６を導通させてトランジスタ２６
．３２のエミッタ間にインピーダンス素子１２、ＦＥＴ
４６を遮断させてインピーダンス素子１１．１２を挿入
して、インピーダンスＺ２による微分定数とインピーダ
ンスＺｌ　＋２２による微分定数とを選択的に切り換え
ている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところで、このような微分回路では、微分定数の切換え
をＦＥＴ４６で行っており、微分定数の切換えのために
差動回路を構成するＩＣに対して、外付は部品として、
別途、電界効果トランジスタを用意する必要があった。

そこで、この発明は、このような外付は部品としての電
界効果トランジスタを不要にした微分回路を提供しよう
とするものである。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明の微分回路は、第１図に示すよ°うに、差動回
路を構成する能動素子（トランジスタ５０ａ、５０ｂ、
５０Ｃ）に対して任意の微分定数を設定する複数のイン
ピーダンス素子５１．５２を設置し、能動素子（トラン
ジスタ５０ａ、５０ｂ、５０Ｃ）の動作を選択的に切り
換えて特定の微分定数を設定するようにしたものである
。

〔作　　　用〕

このように構成すると、能動素子（トランジスタ５０　
ａ、　５０　ｂ、　５０　ｃ）の動作を切り換えて、動
作状態になる能動素子同士で差動回路を構成することに
より、インピーダンス素子５１またはインピーダンス５
１．５２を選択して、特定の微分定数が設定され、外付
は部品としての電界効果ト。

ランジスタは不要になる。

〔実　施　例〕

以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。

第１図は、この発明の微分回路の実施例を示す。

この微分回路は、差動回路を構成するための能動素子と
してトランジスタ５０ａ、５０ｂ、５０Ｇを設置すると
ともに、端子５４ａ、５４ｂ間に第１の微分定数を設定
する第１のインピーダンス素子５１、端子５４ｂ、５４
Ｃ間に第２の微分定数を設定する第２のインピーダンス
素子５２を設置している。この実施例では、トランジス
タ５０ａを動作状態に置き、トランジスタ５０ｂ、５０
ｃの動作を動作切換回路５６によって選択的に切り換え
て、トランジスタ５０ａ、５０ｂの差動回路にインピー
ダンス素子５１、トランジスタ５０ａ、５０ｃの差動回
路にインピーダンス素子５１．５２を付加するようにし
ている。

そして、トランジスタ５０ａのベース側には、トランジ
スタ５６、定電流源を構成するトランジスタ５８および
抵抗６０からなる入力回路が設置されており、入力端子
６２Ａに加えられた入力信号はトランジスタ５６のベー
ス・エミッタ間を介してトランジスタ５０ａのベースに
加えられる。

トランジスタ５０ａにはコレクタ側に負荷抵抗６４を設
置してエミッタ側に定電流源を構成するトランジスタ６
３および抵抗６６が設置されている。トランジスタ６８
および抵抗７０．７２は定電流源を構成し、トランジス
タ５８．６３．６８は電流ミラー回路を構成しているの
で、トランジスタ６８に流れる定電流に比例した電流が
各トランジスタ５８．６３を通してトランジスタ５０ａ
、５６に供給される。

トランジスタ５０ｂのベース側には、トランジスタ７４
．７６、定電流源を構成するトランジスタ７８および抵
抗８０からなる入力回路が設置され、また、トランジス
タ５０ｃのベース側にはトランジスタ７４を含んでトラ
ンジスタ８２、定電流源を構成するトランジスタ８４お
よび抵抗８６からなる入力回路が設置されている。した
がって、入力端子６２Ｂに加えられた入力信号は、トラ
ンジスタ７４のベース・エミッタ間およびトランジスタ
７６のコレクタ・エミッタ間を介してトランジスタ５０
ｂのベースに、また、トランジスタ７４のベース・エミ
ッタ間およびトランジスタ８２のコレクタ・エミッタ間
を介してトランジスタ５０ｃのベースに加えられる。こ
の場合、トランジスタ５０ｂには、コレクタ側に負荷抵
抗８８を設置してエミッタ側に定電流源を構成するトラ
ンジスタ９０および抵抗９２、トランジスタ５０ｃには
コレクタ側に共通の抵抗８８を置いて、エミッタ側に定
′を流源を構成するトランジスタ９４および抵抗９６が
設置されている。そして、トランジスタ９８および抵抗
１００．１０２は定電流源を構成しており、トランジス
タ７８．９ｏ、９８は電流ミラー回路を構成しているか
ら、トランジスタ９８に流れる定電流に比例する電流が
トランジスタ７８を通してトランジスタ７６、トランジ
スタ９０を通してトランジスタ５０ｂに供給される。同
様に、トランジスタ１０４および抵抗１０６．１０８も
定電流源を構成しており、トランジスタ８４．９４．１
０４は電流ミラー回蕗を構成しているから、トランジス
タ１０４に流れる定電流に比例する電流がトランジスタ
８４を通してトランジスタ７４．８２、トランジスタ９
４を通してトランジスタ５０ｃに供給される。

また、トランジスタ１１０および抵抗１１２．１１４は
、バイアス用の定電流源を構成しており、この定電流源
のトランジスタ１１０に対してトランジスタ１１６およ
び抵抗１１８、トランジスタ１２０および抵抗１２２は
電流ミラー回路を構成いるので、トランジスタ１１０に
流れる定電流に比例する電流がトランジスタ１１６を通
してトランジスタ８２のベース、トランジスタ１２０を
通してトランジスタ７６のベースにそれぞれ供給される
。

そして、動作切換回路５６は、スイッチング素子として
のトランジスタ１２４．１２６．１２８．１３０．１３
２．１３４および抵抗１３６．１３８．１４０．１４２
．１４４．１４６で構成されており、トランジスタ１３
０．１３２．１３４のベースには切換信号Ｓｗが直接入
力され、また、トランジスタ１２４．１２６．１２８の
ベースには切換信号Ｓｗがインバータ１４８で反転させ
て加えられる。

したがって、このような微分回路において、切換信号３
ｗが高電位（Ｈ）の場合、トランジスタ１３０．１３２
．１３４は導通状態、トランジスタ１２４．１２６．１
２８は遮断状態になり、トランジスタ５０ｂおよびその
入力回路側のトランジスタ７４．７６が動作状態となる
。この場合、トランジスタ５０ａ、５０ｂによって差動
回路が構成されるとともに、インピーダンス素子５１が
選択されて、インピーダンス素子５１のインピーダンス
Ｚ１によって設定された微分定数による微分動作が行わ
れ、入力端子６２Ａ、６２Ｂに加えられた入力信号の微
分出力が出力端子１５０Ａ、１５０Ｂから取り出される
。

また、切換信号Ｓｗが低電位（Ｌ）の場合、トランジス
タ１２４．１２６．１２８は導通状態、トランジスタ１
３０．１３２．１３４は遮断状態になり、トランジスタ
５０ｂに対してトランジスタ５０ｃおよびその入力回路
側のトランジスタ７４．８２が動作状態となる。この場
合、トランジスタ５０ａ、５０ｃによって差動回路が構
成されるとともに、インピーダンス素子５１．５２が選
択されて、インピーダンス素子５１．５２のインピーダ
ンスＺ　＋　＋２２によって設定された微分定数による
微分動作が行われ、入力端子６２　Ａ、６２Ｂに加えら
れた入力信号の微分出力が出力端子１５０Ａ、１５０Ｂ
から取り出される。

このようにトランジスタ５０ａに対してトランジスタ５
０ｂ、５０ｃの動作を動作切換回路５６によって切り換
えることにより、インピーダンス素子５１．５２を選択
し、このインピーダンス素子５１．５２の選択によって
特定の微分定数を設定することができる。しかも、動作
切換回路５６は、差動回路を構成するトランジスタ５０
ａ、５０ｂ、５０ｃなどの素子とともに共通のＩＣ上に
形成することができる。

なお、第１図に示した微分回路のインピーダンス素子５
１．５２は、端子５４ａ、５４ｂ間にインピーダンスＺ
１のインピーダンス素子５１、端子５４ａ、５４ａ間に
インピーダンスＺ３の他のインピーダンス素子を接続し
、トランジスタ５０ａ、５０ｂからなる差動回路にイン
ピーダンス素子５１による微分定数、トランジスタ５０
ａ、５０Ｃからなる差動回路にインピーダンスＺ３の他
のインピーダンス素子による微分定数を設定してもよい
。この場合、端子５４ａ、５４ａ間に接続したインピー
ダンス素子のインピーダンスＺ３は、インピーダンス素
子５１とインピーダンス素子５２との直列インピーダン
スＺｌ　＋Ｚｚと等しい値に設定する。

また、各実施例の微分回路は、第２図に示した磁気記録
再生装置の読出し回路以外にも用いることができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、この発明によれば、微分定数の切
換えを能動素子の動作の切換えによって行うので、ＦＥ
Ｔなどの外部接続されたスイッチング素子が不要になり
、構成の簡略化およびＩＣ化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の微分回路の実施例を示す回路図、第
２図は一般的な磁気記録再生装置の読出し回路を示すブ
ロック図、第３図は第２図に示した磁気記録再生装置の
読出し回路における微分回路の従来例を示す回路図であ
る。５０ａ、５０ｂ、５０ｃ・・・能動素子としてのトラン
ジスタ、５１．５２・・・インピーダンス素子。

Claims

【特許請求の範囲】

差動回路を構成する複数の能動素子に対して任意の微分
定数を設定した複数のインピーダンス素子を設置し、前
記能動素子の動作を選択的に切り換えて特定の微分定数
を設定することを特徴とする微分回路。