JPS6334579B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6334579B2 JPS6334579B2 JP54062641A JP6264179A JPS6334579B2 JP S6334579 B2 JPS6334579 B2 JP S6334579B2 JP 54062641 A JP54062641 A JP 54062641A JP 6264179 A JP6264179 A JP 6264179A JP S6334579 B2 JPS6334579 B2 JP S6334579B2
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- JP
- Japan
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- transparent conductive
- conductive film
- image pickup
- pickup tube
- film
- Prior art date
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- Expired
Links
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/026—Mounting or supporting arrangements for charge storage screens not deposited on the frontplate
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は撮像管ターゲツト、特に透明導電膜の
構造に関するものである。
構造に関するものである。
従来、高Ｓ／Ｎ比で高画質が要求されるカラー
テレビジヨン放送用撮像管は第１図に示すような
構造を有している。すなわち、同図において、透
光性ガラス基板からなるフエースプレート１の内
面には、SnO2などからなる透明導電膜２、光導
電膜４が順次被着形成されている。そして、この
フエースプレート１組立体は、透明導電膜２から
信号を取り出す信号電極５の内面に付けたインジ
ウム６を介して電子銃構体７を内蔵する外管８の
開口端に封着され、かつ外管８の内部は気密排気
して構成されている。
テレビジヨン放送用撮像管は第１図に示すような
構造を有している。すなわち、同図において、透
光性ガラス基板からなるフエースプレート１の内
面には、SnO2などからなる透明導電膜２、光導
電膜４が順次被着形成されている。そして、この
フエースプレート１組立体は、透明導電膜２から
信号を取り出す信号電極５の内面に付けたインジ
ウム６を介して電子銃構体７を内蔵する外管８の
開口端に封着され、かつ外管８の内部は気密排気
して構成されている。
このように構成された撮像管は、被写体９から
入射した光１０が光学レンズ系１１を介して光導
電膜４上に結像し、被写体９の像に対する電荷パ
ターン像を光導電膜４上に形成し、電子銃構体７
からの電子ビーム１２を外管８の外周部に配置さ
れた偏向コイル１３、集束コイル１４、アライメ
ントコイル１５によつて作られる磁界により光導
電膜４の表面に集束、走査させ、当該電荷パター
ンを電流に変換させて透明導電膜２、インジウム
６を通して信号電極５から電気信号として管外に
取り出される。
入射した光１０が光学レンズ系１１を介して光導
電膜４上に結像し、被写体９の像に対する電荷パ
ターン像を光導電膜４上に形成し、電子銃構体７
からの電子ビーム１２を外管８の外周部に配置さ
れた偏向コイル１３、集束コイル１４、アライメ
ントコイル１５によつて作られる磁界により光導
電膜４の表面に集束、走査させ、当該電荷パター
ンを電流に変換させて透明導電膜２、インジウム
６を通して信号電極５から電気信号として管外に
取り出される。
しかしながら、上記構成による撮像管は、信号
電極５と偏向、集束コイル１３，１４との間に大
きな浮遊容量を有するため、電気信号のＳ／Ｎ比
を劣化させ、撮像画質を低下させていた。
電極５と偏向、集束コイル１３，１４との間に大
きな浮遊容量を有するため、電気信号のＳ／Ｎ比
を劣化させ、撮像画質を低下させていた。
このような欠点を改善しようとしたものとして
は、第２図に要部断面図で示した撮像管が提案さ
れている。すなわち同図において、フエースプレ
ート１の内面側に被着形成された透明導電膜２の
走査有効面外の一部に一端を接続し、かつその他
端側をフエースプレート１に貫通する信号取り出
し端子１６を設けることによつて、上記浮遊容量
を大幅に低減させ、Ｓ／Ｎ比の高い電気信号を取
り出していた。
は、第２図に要部断面図で示した撮像管が提案さ
れている。すなわち同図において、フエースプレ
ート１の内面側に被着形成された透明導電膜２の
走査有効面外の一部に一端を接続し、かつその他
端側をフエースプレート１に貫通する信号取り出
し端子１６を設けることによつて、上記浮遊容量
を大幅に低減させ、Ｓ／Ｎ比の高い電気信号を取
り出していた。
しかしながら、上記構成による撮像管におい
て、信号取り出し端子１６から取り出す電気信号
は、そのＳ／Ｎ比が予測値よりもはるかに低かつ
た。その原因としては、発明者等の実験による
と、第３図に示すように信号取り出し端子１６側
から見た透明導電膜２の電気抵抗の大きさが大き
な影響を与えていることが判明した。すなわち、
第４図に示すように通常透明導電膜２の周辺部で
はその中央部分に比較して電気抵抗が高く、この
部分に信号取り出し端子１６を設けて透明導電膜
２から電気信号を取り出すためである。つまり、
第２図に示す撮像管は第５図に示すような等価回
路で示される。ここで、ipは電気信号電流、Ctは
電子銃構体７と透明導電膜２間の容量、Rsは信
号取り出し端子１６側からみた直列抵抗、Csは
信号取り出し端子１６に接続される前置増幅器１
７の入力容量である。同図において、容量Ct、
直列抵抗Rsおよび入力容量Csにより低域フイル
タが構成されるため、電気信号の高域成分が失な
われ、前置増幅器１７によりその損失分が補償さ
れるためにノイズ成分が増加してＳ／Ｎ比を劣化
させていることが考えられた。
て、信号取り出し端子１６から取り出す電気信号
は、そのＳ／Ｎ比が予測値よりもはるかに低かつ
た。その原因としては、発明者等の実験による
と、第３図に示すように信号取り出し端子１６側
から見た透明導電膜２の電気抵抗の大きさが大き
な影響を与えていることが判明した。すなわち、
第４図に示すように通常透明導電膜２の周辺部で
はその中央部分に比較して電気抵抗が高く、この
部分に信号取り出し端子１６を設けて透明導電膜
２から電気信号を取り出すためである。つまり、
第２図に示す撮像管は第５図に示すような等価回
路で示される。ここで、ipは電気信号電流、Ctは
電子銃構体７と透明導電膜２間の容量、Rsは信
号取り出し端子１６側からみた直列抵抗、Csは
信号取り出し端子１６に接続される前置増幅器１
７の入力容量である。同図において、容量Ct、
直列抵抗Rsおよび入力容量Csにより低域フイル
タが構成されるため、電気信号の高域成分が失な
われ、前置増幅器１７によりその損失分が補償さ
れるためにノイズ成分が増加してＳ／Ｎ比を劣化
させていることが考えられた。
したがつて本発明は、信号取り出し端子側から
みた電気抵抗を下げる手段として、金属膜などに
よる低抵抗層を透明導電膜の周辺部に設けること
によつて、電気抵抗を低減させ、Ｓ／Ｎ比の高い
電気信号を得るようにした撮像管ターゲツトを提
供することを目的としている。以下図面を用いて
本発明による撮像管ターゲツトを詳細に説明す
る。
みた電気抵抗を下げる手段として、金属膜などに
よる低抵抗層を透明導電膜の周辺部に設けること
によつて、電気抵抗を低減させ、Ｓ／Ｎ比の高い
電気信号を得るようにした撮像管ターゲツトを提
供することを目的としている。以下図面を用いて
本発明による撮像管ターゲツトを詳細に説明す
る。
第６図ａ，ｂは本発明による撮像管ターゲツト
の一実施例を示す要部平面図、要部断面図であ
り、第１図、第２図と同信号は同一要素となるの
でその説明は省略する。同図において、フエース
プレート１上の走査有効面１ａよりも若干広めの
円形状領域には酸化錫からなる透明導電膜２が所
定の厚さに被着形成されている。そして、この透
明導電膜２の周辺部には信号取り出し端子１６の
一端が接続され、その他端側はフエースプレート
１を貫通してその前面側に突出して気密配置され
ている。また、この透明導電膜２の走査有効面１
ａよりも多少広い外周部分には2000〜8000Åの膜
厚を有する金の蒸着膜１８をリング状に被着形成
した低抵抗層が形成されている。この場合、この
金の蒸着膜１８の一部もしくはその近傍が信号取
り出し電極１６の一端に電気的に接続されてい
る。そして、この透明導電膜２、蒸着膜１８の上
面には光導電膜４が被着形成されて撮像管ターゲ
ツトが構成されている。
の一実施例を示す要部平面図、要部断面図であ
り、第１図、第２図と同信号は同一要素となるの
でその説明は省略する。同図において、フエース
プレート１上の走査有効面１ａよりも若干広めの
円形状領域には酸化錫からなる透明導電膜２が所
定の厚さに被着形成されている。そして、この透
明導電膜２の周辺部には信号取り出し端子１６の
一端が接続され、その他端側はフエースプレート
１を貫通してその前面側に突出して気密配置され
ている。また、この透明導電膜２の走査有効面１
ａよりも多少広い外周部分には2000〜8000Åの膜
厚を有する金の蒸着膜１８をリング状に被着形成
した低抵抗層が形成されている。この場合、この
金の蒸着膜１８の一部もしくはその近傍が信号取
り出し電極１６の一端に電気的に接続されてい
る。そして、この透明導電膜２、蒸着膜１８の上
面には光導電膜４が被着形成されて撮像管ターゲ
ツトが構成されている。
このような構成によれば、透明導電膜２の周辺
部が低抵抗層の良導電体となるため、電気抵抗が
著しく減少し、信号取り出し端子１６側からみた
電気抵抗を数分の１から十分の１程度に減少させ
ることができ、電気信号のＳ／Ｎ比を約2db向上
させることができた。
部が低抵抗層の良導電体となるため、電気抵抗が
著しく減少し、信号取り出し端子１６側からみた
電気抵抗を数分の１から十分の１程度に減少させ
ることができ、電気信号のＳ／Ｎ比を約2db向上
させることができた。
なお、上記実施例においては、透明導電膜２の
外周部の低抵抗層として、金の蒸着膜１８を設け
た場合について説明したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、第７図に要部断面図で示す
ようにフエースプレート１上面に数μｍ以上の膜
厚からなる透明導電膜２の周辺部をリング状に残
し、中央部を所定の膜厚になるまでエツチング除
去することにより、等価的に周辺部を低抵抗層と
した構造においても前述と全く同様の効果が得ら
れる。
外周部の低抵抗層として、金の蒸着膜１８を設け
た場合について説明したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、第７図に要部断面図で示す
ようにフエースプレート１上面に数μｍ以上の膜
厚からなる透明導電膜２の周辺部をリング状に残
し、中央部を所定の膜厚になるまでエツチング除
去することにより、等価的に周辺部を低抵抗層と
した構造においても前述と全く同様の効果が得ら
れる。
以上説明したように本発明による撮像管ターゲ
ツトは、透明導電膜の周辺部に低抵抗層を設けた
ことによつて、周辺部までの電気抵抗が著しく低
下し、従来に比べて数db高いＳ／Ｎ比を有する
電気信号が得られ、高Ｓ／Ｎ比を有する前置増幅
器と組合せることによつてほぼ飽和点に達する高
Ｓ／Ｎ比の画像が得られる極めて優れた効果が得
られる。
ツトは、透明導電膜の周辺部に低抵抗層を設けた
ことによつて、周辺部までの電気抵抗が著しく低
下し、従来に比べて数db高いＳ／Ｎ比を有する
電気信号が得られ、高Ｓ／Ｎ比を有する前置増幅
器と組合せることによつてほぼ飽和点に達する高
Ｓ／Ｎ比の画像が得られる極めて優れた効果が得
られる。
第１図は従来の撮像管の一例を示す要部断面
図、第２図は現在提案されている撮像管の一例を
示す要部断面図、第３図はシリース抵抗に対する
Ｓ／Ｎ比の関係を示す図、第４図は透明導電膜の
抵抗分布図、第５図は撮像管ターゲツトの等価回
路図、第６図ａ，ｂは本発明による撮像管ターゲ
ツトの一実施例を示す要部平面図、要部断面図、
第７図は本発明による撮像管ターゲツトの他の実
施例を示す要部断面図である。 １……フエースプレート、１ａ……走査有効
面、２……透明導電膜、１６……信号取り出し端
子、１８……蒸着膜。
図、第２図は現在提案されている撮像管の一例を
示す要部断面図、第３図はシリース抵抗に対する
Ｓ／Ｎ比の関係を示す図、第４図は透明導電膜の
抵抗分布図、第５図は撮像管ターゲツトの等価回
路図、第６図ａ，ｂは本発明による撮像管ターゲ
ツトの一実施例を示す要部平面図、要部断面図、
第７図は本発明による撮像管ターゲツトの他の実
施例を示す要部断面図である。 １……フエースプレート、１ａ……走査有効
面、２……透明導電膜、１６……信号取り出し端
子、１８……蒸着膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透光性フエースプレートの上面に透明導電膜
と光導電膜が順次被着形成された撮像管ターゲツ
トにおいて、前記透明導電膜の走査有効面を実質
的に囲む低抵抗層を設けかつ該低抵抗層を前記透
光性フエースプレートに貫通して設けられた信号
取り出し端子の一端に電気的に接続したことを特
徴とする撮像管ターゲツト。 ２ 前記低抵抗層は透明導電膜と、該透明導電膜
と密着性を有する金属被膜とからなることを特徴
とした特許請求の範囲第１項記載の撮像管ターゲ
ツト。 ３ 前記低抵抗層は前記透明導電膜の膜厚を厚膜
構造としたことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の撮像管ターゲツト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6264179A JPS55155452A (en) | 1979-05-23 | 1979-05-23 | Camera tube target |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6264179A JPS55155452A (en) | 1979-05-23 | 1979-05-23 | Camera tube target |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55155452A JPS55155452A (en) | 1980-12-03 |
| JPS6334579B2 true JPS6334579B2 (ja) | 1988-07-11 |
Family
ID=13206152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6264179A Granted JPS55155452A (en) | 1979-05-23 | 1979-05-23 | Camera tube target |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55155452A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60221931A (ja) * | 1985-04-01 | 1985-11-06 | Hitachi Ltd | 撮像管 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4970530A (ja) * | 1972-09-18 | 1974-07-08 | ||
| JPS52147019A (en) * | 1976-06-02 | 1977-12-07 | Hitachi Ltd | Plate configuration for pick-up tube |
-
1979
- 1979-05-23 JP JP6264179A patent/JPS55155452A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4970530A (ja) * | 1972-09-18 | 1974-07-08 | ||
| JPS52147019A (en) * | 1976-06-02 | 1977-12-07 | Hitachi Ltd | Plate configuration for pick-up tube |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55155452A (en) | 1980-12-03 |
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