JPS6334353Y2 - - Google Patents

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JPS6334353Y2
JPS6334353Y2 JP1986121877U JP12187786U JPS6334353Y2 JP S6334353 Y2 JPS6334353 Y2 JP S6334353Y2 JP 1986121877 U JP1986121877 U JP 1986121877U JP 12187786 U JP12187786 U JP 12187786U JP S6334353 Y2 JPS6334353 Y2 JP S6334353Y2
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differential amplifier
bit
voltage
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line
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【考案の詳細な説明】 本考案は、各ビツト毎に独立な並列形A/D符
号器を備えたダイレクト・フラツシユ形のA/D
変換器に関する。
[Detailed description of the invention] The present invention is a direct flash type A/D with an independent parallel type A/D encoder for each bit.
Regarding converters.

アナログ電圧をデイジタル表示に変換する同時
変換法において、前記デイジタル表示の全てのビ
ツトは同時に決定される。この方法は、電圧比較
器の並列バンクを有し、そして各比較器は所定の
電圧レベルに達したアナログ電圧に応答するの
で、並列法として知られている。
In simultaneous conversion methods of converting analog voltages to digital representations, all bits of the digital representation are determined at the same time. This method is known as a parallel method because it has a parallel bank of voltage comparators, and each comparator responds to an analog voltage reaching a predetermined voltage level.

Nビツト符号器(但しNは所定の整数である)
においては、2個のデイジタル出力状態が存在す
る。最大アナログ電圧は、2個の電圧レベルに分
割される。各レベルは量子化された電圧値を表わ
し、そして各量子化レベルはデイジタル出力状態
の1つによつて表わされる。従来のNビツト符号
器は2個の比較器を必要とする。そして、各比較
器は特定の量子化レベルへの変換を決定する。よ
つて、同時変換法を並列形で実現した従来の構成
では、Nが大きい場合には極めて多くの比較器を
必要とする。実際、Nが6以上になると、比較器
の数は実現困難なまでに多くなるという欠点があ
る。しかしながら、この方法を用いることによつ
て超高速化が可能となることから、この欠点を克
服することが大いに望まれる。
N-bit encoder (N is a predetermined integer)
In , there are two digital output states. The maximum analog voltage is divided into two voltage levels. Each level represents a quantized voltage value, and each quantization level is represented by one of the digital output states. A conventional N-bit encoder requires two comparators. Each comparator then determines the conversion to a particular quantization level. Therefore, in the conventional configuration in which the simultaneous conversion method is realized in parallel, an extremely large number of comparators are required when N is large. In fact, when N becomes 6 or more, the number of comparators becomes unfeasibly large. However, since using this method enables ultra-high speed processing, it is highly desirable to overcome this drawback.

上述の同時変換法の他の欠点は、電圧比較器の
並列バンクの出力が、簡潔なフオーマツトとはな
らないで、2N−1個の2進データ信号の形態を持
つていることである。通常2N−1の出力は変換ロ
ジツクにより、簡潔な2進フオーマツトで2進情
報の最終ビツトに符号化される。典形的にはNが
6以上の大きな値に対して、変換ロジツクで必要
とされる素子の数は、多数の入力及びロジツク組
み合せのために極めて大きくなる。
Another drawback of the simultaneous conversion method described above is that the outputs of the parallel banks of voltage comparators are not in a compact format, but have the form of 2 N -1 binary data signals. The output, typically 2 N -1, is encoded by conversion logic into the final bit of binary information in a compact binary format. For large values of N, typically 6 or more, the number of elements required in the conversion logic becomes extremely large due to the large number of inputs and logic combinations.

このように、従来技術において“フラツシユ符
号化”として公知の同時変換における高速度A/
D変換は、Nが大きい符号器に対して極めて多く
の比較器を必要とし、且つ変換ロジツクが複雑に
なるために実現は困難であつた。
Thus, high speed A/
D conversion has been difficult to implement because it requires an extremely large number of comparators for a large N encoder and the conversion logic is complex.

本考案は上述の欠点を解消するためになされた
もので、各ビツトに対して独立並列形A/D符号
器を有するダイレクト・フラツシユ形変換器を提
供せんとするものである。本考案の一実施例によ
ると、各独立ビツト符号器は、比較器の出力が直
接的に符号化される簡潔な2進出力となるよう
に、単一比較器に接続された交差結合のレベル検
出器を具えている。このように、各ビツトに対し
て単一の比較器が必要とされ、そして変換ロジツ
クは必要としない。その結果、実際的な直接マル
チビツト・フラツシユ形変換器が実現できる。
The present invention has been devised to overcome the above-mentioned drawbacks, and it is an object of the present invention to provide a direct flash type converter having an independent parallel type A/D encoder for each bit. According to one embodiment of the invention, each independent bit encoder has a level of cross-coupling connected to a single comparator so that the output of the comparator is a compact binary output that is directly encoded. Equipped with a detector. Thus, a single comparator is required for each bit and no conversion logic is required. As a result, a practical direct multi-bit flash converter can be realized.

本考案の例示された実施例は、同時8ビツト、
グレイコード、A/D変換器である。各ビツト
は、直接符号化された簡潔な出力を与える比較器
に結合された独立並列形アナログ回路群によつて
符号化される。本発明は並列ビツト符号器を具
え、そして直接Nビツト2進コードを発生するの
で、“ダイレクト・フラツシユ形変換器”と呼ぶ
ことにする。本説明において“変換器”という用
語は、一般的なものを意味し、そして“符号器”
という用語は前記変換器内の回路群を意味する。
The illustrated embodiment of the invention provides simultaneous 8-bit,
Gray code, A/D converter. Each bit is encoded by a group of independent parallel analog circuits coupled to a comparator that provides a concise directly encoded output. Since the present invention includes a parallel bit encoder and directly generates an N-bit binary code, it will be referred to as a "direct flash type converter." In this description, the term "transformer" has a general meaning, and the term "encoder"
The term refers to circuitry within the converter.

本考案の実施例で組み合わされた2進コード
は、また“巡回符号”、“交器2進コード”又はこ
こで使用されるような発明者にちなんで“グレイ
コード”として知られている単位距離コードであ
る。4ビツト(N=4)グレイコードの状態は、
量子化入力電圧の関数として、次の表1に示され
ている。
The combined binary codes in embodiments of the present invention are also units known as "cyclic codes,""intersecting binary codes," or "Gray codes" after the inventor as used herein. It is a distance code. The state of the 4-bit (N=4) Gray code is
The quantization as a function of input voltage is shown in Table 1 below.

表 1 グレイコード アナログ値(量子化レベル) 0000 0 0001 1 0011 2 0010 3 0110 4 0111 5 0101 6 0100 7 1100 8 1101 9 1111 10 1110 11 1010 12 1011 13 1001 14 1000 15 第1図は、増大アナログ入力電圧の関数として
グレイコードビツト値に関連したデイジタル波形
を示す。図において、波形Aはオーバーレンジビ
ツトに関連し、且つ波形B,C,D、及びEはそ
れぞれ表1のグレイコードに関連している。ここ
で、波形Bは最上位ビツトを表わし、波形Cは、
その次の上位ビツトを表わし、波形Eは最下位ビ
ツトを表わす。例示されているようにグレイコー
ドでは、1つのビツトのみがどれか1つの所定の
量子化レベルに交差する入力信号に応答して変化
する。
Table 1 Gray code analog value (quantization level) 0000 0 0001 1 0011 2 0010 3 0110 4 0111 5 0101 6 0100 7 1100 8 1101 9 1111 10 1110 11 1010 12 1011 13 1001 14 1000 15 Figure 1 shows the augmented analog Figure 3 shows a digital waveform associated with Gray code bit values as a function of input voltage. In the figure, waveform A is associated with the overrange bit, and waveforms B, C, D, and E are each associated with the Gray code of Table 1. Here, waveform B represents the most significant bit, and waveform C is
The next most significant bit is represented, and waveform E represents the least significant bit. In the Gray code as illustrated, only one bit changes in response to an input signal crossing any one predetermined quantization level.

デイジタル表示の各ビツトは、独立並列形A/
D符号器によつて符号化される。第1図におい
て、各デイジタル出力ビツトは、(FS÷2M-1)離
れて生じるアナログ電圧を表わすデイジタル変換
によつて特性づけられる。ここで、FSはフルス
ケールアナログ信号の値であり、Mは出力デイジ
タルビツトを表わす整数であり、そしてM=1は
最上位ビツトに相当する。さらに、各デイジタル
ビツトに対する最初の変換は、FS÷2Mで生じる。
例えば、256Vのフルスケールアナログ値を有す
るシステムにおいて、M=4及び第1図の波形E
に相当する第4のデイジタルビツトは、256V÷
16=16Vで、最初の変換をなし、そしてその量子
化レベルは32V離れている。
Each bit of the digital display is an independent parallel type A/
It is encoded by a D encoder. In FIG. 1, each digital output bit is characterized by a digital conversion representing analog voltages occurring (FS÷2 M-1 ) apart. where FS is the value of the full scale analog signal, M is an integer representing the output digital bit, and M=1 corresponds to the most significant bit. Additionally, the first conversion for each digital bit occurs in FS÷ 2M .
For example, in a system with a full-scale analog value of 256V, M = 4 and the waveform E in Figure 1
The fourth digital bit corresponding to is 256V÷
16 = 16V to make the first conversion, and the quantization levels are 32V apart.

本考案の実施例による1つの利点は、8ビツト
A/D変換器の分解能が、最下位ビツトに最初に
表われる高スルーレートから生じる符号化エラー
と共に、入力スルーレートが増加するにつれてビ
ツト毎に減少するということである。これは、最
大スルーレートを越えたとき、誤り又はグリツジ
が生じる従来技術に比べて勝れている。
One advantage of embodiments of the present invention is that the resolution of the 8-bit A/D converter increases bit by bit as the input slew rate increases, with encoding errors resulting from high slew rates appearing first in the least significant bits. This means that it will decrease. This is an advantage over prior art techniques which suffer from errors or glitches when the maximum slew rate is exceeded.

第2図は本考案の一実施例によるフラツシユ形
A/D変換器の回路図である。図において、複数
の差動増幅器セル10,20,30,40,5
0,60,70,80,90,100,110,
120,130は、入力アナログ信号VINを受信
するように結合される。さらに、個々の差動増幅
器を包含する各差動増幅器セルは、所定の組の変
換基準電圧を受信するように結合される。本考案
の実施例においては、nと共に単調に増加する2N
−1の変換基準電圧がある。ここで、Nは零より
も大きな整数であり、nは1n2N−1となる
ように変換基準電圧の1つを示す整数である。後
で詳述するように、各差動増幅器セルは、印加入
力アナログ信号及び受信した変換基準電圧に応答
して差動出力信号を発生する。本質的に、差動増
幅器セル内の差動増幅器は、基準レベルに対する
変換基準電圧を有するレベル検出器として機能す
る。例えば、オーバーレンジ差動増幅器セル10
は、もし入力アナログ信号VINがフルスケール2
56変換基準電圧以下であるならば、第1図Aの
波形に相当する低電圧レベルの出力信号(IN)
を発生し、そして入力信号VINがフルスケール変
換基準電圧よりも大きければ、高電圧レベルの出
力信号が発生する。差動増幅器セル20は、ハー
フスケール128変換基準電圧に結合され、そし
て第1図の波形Bに相当する差動出力信号を発生
する。同様に、差動増幅器セル30,40,50
は、それぞれ第1図の波形C,D,Eに相当する
差動出力信号を発生する。
FIG. 2 is a circuit diagram of a flash type A/D converter according to an embodiment of the present invention. In the figure, a plurality of differential amplifier cells 10, 20, 30, 40, 5
0,60,70,80,90,100,110,
120, 130 are coupled to receive input analog signal V IN . Further, each differential amplifier cell containing an individual differential amplifier is coupled to receive a predetermined set of converted reference voltages. In the embodiment of the present invention, 2 N
There is a conversion reference voltage of -1. Here, N is an integer greater than zero, and n is an integer indicating one of the conversion reference voltages, such as 1n2 N -1. As discussed in more detail below, each differential amplifier cell generates a differential output signal in response to an applied input analog signal and a received converted reference voltage. Essentially, the differential amplifier within the differential amplifier cell functions as a level detector with a translated reference voltage to a reference level. For example, overrange differential amplifier cell 10
is, if the input analog signal V IN is full scale 2
56 conversion reference voltage or less, the output signal (IN) at a low voltage level corresponding to the waveform in Figure 1A.
, and if the input signal V IN is greater than the full-scale conversion reference voltage, a high voltage level output signal is generated. Differential amplifier cell 20 is coupled to a half-scale 128 converted reference voltage and produces a differential output signal corresponding to waveform B of FIG. Similarly, differential amplifier cells 30, 40, 50
generate differential output signals corresponding to waveforms C, D, and E in FIG. 1, respectively.

差動増幅器セル20,30,40,50,6
0,70は、それぞれ独立した並列形A/D符号
器を構成している。これら差動増幅器セルのそれ
ぞれは、2つのサンプリング比較器に接続された
出力を具えている。例えば、差動増幅器セル10
は、それぞれサンプリング比較器140及び15
0に接続された出力線IN及びINBを具えている。
差動増幅器セル20の出力は同様にサンプリング
比較器160及び170に接続されている。これ
らのサンプリング比較器は、その比較器利得素子
からの出力が実質上デイジタルになるような高利
得をもつている。
Differential amplifier cells 20, 30, 40, 50, 6
0 and 70 constitute independent parallel A/D encoders. Each of these differential amplifier cells has an output connected to two sampling comparators. For example, differential amplifier cell 10
are sampling comparators 140 and 15, respectively.
It has output lines IN and INB connected to 0.
The output of differential amplifier cell 20 is also connected to sampling comparators 160 and 170. These sampling comparators have high gains such that the output from the comparator gain element is substantially digital.

これらの比較器における比較モードは、正のク
ロツクパルスによつてストローブさされることに
応答して動作し、そして次の正のクロツクパルス
が生じるまでそれらの出力を保持する。前記サン
プリング比較器140及び150は、クロツク信
号(CLK及びCLKB)の反対縁でストローブさ
れる。このように、サンプリング比較器140
は、サンプリング比較器150がその入力を比較
しているときにデイジタル出力を保持し、そして
その逆もまた同様である。このサンプリング動作
は、20ナノ秒の周期で50%のデユーテイサイクル
をもつクロツク信号によつて、アナログ信号VIN
を10ナノ秒サンプリングする。
The compare mode in these comparators operates in response to being strobed by a positive clock pulse and holds their output until the next positive clock pulse occurs. The sampling comparators 140 and 150 are strobed on opposite edges of the clock signals (CLK and CLKB). Thus, sampling comparator 140
holds a digital output when sampling comparator 150 is comparing its inputs, and vice versa. This sampling operation is performed by analog signal V IN
sample for 10 nanoseconds.

データラツチ180,190,200,210
は、それぞれサンプリング比較器140,15
0,160,170からの出力によつて駆動され
る。各データラツチは対応するサンプリング比較
器に接続され、そしてそれに結合されるサンプリ
ング比較器に対して反対位相のクロツク信号でス
トローブされる。このように、相補データラツチ
の出力は、交互のクロツク縁でのみ変化する。
Data latch 180, 190, 200, 210
are sampling comparators 140 and 15, respectively.
Driven by outputs from 0,160,170. Each data latch is connected to a corresponding sampling comparator and is strobed with a clock signal of opposite phase to the sampling comparator to which it is coupled. Thus, the output of the complementary data latch changes only on alternate clock edges.

ビツト2,3,4,5,6に対する各データラ
ツチ及び比較器回路は、前述のオーバーレンジビ
ツト及びビツト1の回路と同一である。第7及び
第8のビツトの回路は、前記の6ビツトの回路と
同様であるが、しかし、実際上は差動増幅器セル
内で実行することのできる変換の制限及び数によ
り、2つの差動増幅器セル80及び90は、第7
のデイジタルビツトの出力を発生するために相互
接続される。同様に、差動増幅器セル100,1
10,120,130は、第8のデイジタルビツ
トの出力を発生するために相互接続される。な
お、これら差動増幅器セルの特別のもの及び結合
回路の詳細は後述する。
The data latch and comparator circuits for bits 2, 3, 4, 5, and 6 are identical to the overrange bit and bit 1 circuits described above. The circuits for the 7th and 8th bits are similar to the 6-bit circuits described above, but in practice, due to the limitations and number of conversions that can be performed within the differential amplifier cell, two differential Amplifier cells 80 and 90 are the seventh
are interconnected to produce an output of digital bits. Similarly, differential amplifier cell 100,1
10, 120, and 130 are interconnected to produce an eighth digital bit output. Note that details of these special differential amplifier cells and the coupling circuit will be described later.

デイジタル増幅器セル20,30,40の詳細
な回路図は、それぞれ第3,4,5図に示され、
そして第7図にも同様に示されている。各セル内
でレベル検出器として作用する差動増幅器、及び
それらに接続される基準電圧の数を除いて、各セ
ルは物理的にも動作的にも同じである。これは第
7A〜H図からも明白である。各セルは多数の並
列差動増幅器、すなわち差動結合トランジスタ対
から構成され、そして2つの入力側(すなわち、
アナログ電圧の入力側と基準電圧の入力側)を有
する。差動増幅器におけるアナログ電圧の入力側
で、各トランジスタ対におけるトランジスタのベ
ースは入力アナログ電圧VINを受信するように結
合される。又、差動増幅器の基準電圧の入力側
で、トランジスタ対における他のトランジスタの
ベースは、多電圧基準源からの変換基準電圧を受
信するように結合される。これら変換基準電圧の
相対値はフルスケールアナログ電圧を表わす25
6に対して図面中に示されている。差動結合トラ
ンジスタ対の各側のコレクタは、それぞれいつし
よに結合され、あるいは交互に直接結合され、又
は交差結合される。すなわち差動結合トランジス
タにおける各対のコレクタは他の対のコレクタに
接続、交互に直接接続及び交差接続されて、2つ
のコレクタ電流路を形成する。換言すると、もし
各差動結合トランジスタ対が、受信する単調増加
変換基準電圧のそれぞれに対応するように連続番
号がつけられるならば、この配列の各側における
偶数番号トランジスタ対のコレクタは直接いつし
よに結合され、そしてこの配列の各側における奇
数番号トランジスタのコレクタは交差結合され
る。この配列の各側におけるコレクタはさらに相
互に接続されて、各側のコレクタ電流路を形成す
る。次に、これら2つのコレクタ電流路はそれぞ
れトランジスタ対におけるエミツタの1つに接続
され、かつそのベースは共通に接続される。唯一
の例外は差動増幅器セル10及び20であり、そ
の各々は唯一の差動結合トランジスタ対を構成し
ている。第3図において、差動結合トランジスタ
対は、高速の交互電流路を形成する。これらの交
互電流路はそれぞれ電流i1及びi2を流す。前記電
流i1及びi2は、それぞれトランジスタ322及び
324を通してプルアツプ抵抗器326及び32
8に流れ、そして抵抗器326及び328の両端
間にそれぞれ発生した電圧は比較器140の差動
入力端に印加される。
Detailed circuit diagrams of digital amplifier cells 20, 30, 40 are shown in FIGS. 3, 4, and 5, respectively;
The same is also shown in FIG. Each cell is physically and operationally identical, except for the number of differential amplifiers that act as level detectors within each cell and the reference voltages connected to them. This is also evident from Figures 7A-H. Each cell consists of a number of parallel differential amplifiers, i.e. differentially coupled transistor pairs, and has two input sides (i.e.
(an analog voltage input side and a reference voltage input side). On the analog voltage input side of the differential amplifier, the bases of the transistors in each transistor pair are coupled to receive the input analog voltage V IN . Also, on the reference voltage input side of the differential amplifier, the bases of other transistors in the transistor pair are coupled to receive a converted reference voltage from a multi-voltage reference source. The relative values of these conversion reference voltages represent full-scale analog voltages.
6 is shown in the drawing. The collectors on each side of the differentially coupled transistor pair are coupled together, alternately directly coupled, or cross-coupled. That is, the collectors of each pair of differentially coupled transistors are connected, alternately directly connected and cross-connected, to the collectors of the other pair to form two collector current paths. In other words, if each differentially coupled transistor pair is sequentially numbered to correspond to each monotonically increasing conversion reference voltage it receives, then the collectors of the even numbered transistor pairs on each side of the array are and the collectors of the odd numbered transistors on each side of the array are cross-coupled. The collectors on each side of the array are further interconnected to form a collector current path on each side. These two collector current paths are then each connected to one of the emitters in the transistor pair, and their bases are connected in common. The only exceptions are differential amplifier cells 10 and 20, each of which constitutes a unique differentially coupled transistor pair. In FIG. 3, differentially coupled transistor pairs form high speed alternating current paths. These alternating current paths carry currents i 1 and i 2 respectively. The currents i 1 and i 2 are passed through pull-up resistors 326 and 32 through transistors 322 and 324, respectively.
8 and developed across resistors 326 and 328, respectively, are applied to the differential input of comparator 140.

動作において、奇数の電流は、比較器の入力に
結合された電流出力ノードで加算される。第3図
の回路においては、トランジスタ310及び32
0から成る差動結合トランジスタ対に結合された
電流源300が、奇数電流を形成する。他のセ
ル、例えば、第4図及び第5図に示されたものに
対しては、偶数の閾値及び差動結合トランジスタ
対がある。これらのセルにおいて、接地結合差動
増幅器“ダミー”差動増幅器は奇数の電流を有す
る状態に合致することが要求される。特に、第4
図及び第5図の回路における電流源330及び3
40は、常にこの配列の一方の側に切り替えられ
ている。
In operation, odd currents are summed at the current output node coupled to the input of the comparator. In the circuit of FIG. 3, transistors 310 and 32
A current source 300 coupled to a differentially coupled transistor pair consisting of 0 produces an odd current. For other cells, such as those shown in FIGS. 4 and 5, there are even thresholds and differentially coupled transistor pairs. In these cells, a ground-coupled differential amplifier "dummy" differential amplifier is required to match the condition with an odd number of currents. Especially the fourth
Current sources 330 and 3 in the circuit of FIG.
40 is always switched to one side of this array.

変換基準電圧間の差動電圧は十分大きいので、
各差動増幅器は100%スイツチとして動作するこ
とができる。各差動増幅器セルは次の様に動作す
る。すなわち、並列差動増幅器の一方の側におけ
る入力アナログ信号VINの振幅が、増幅器の他の
側でそのセルによつて受信された変換基準電圧の
1つに実質上等しいとき、“ダミー”増幅器を含
む差動増幅器は、同一数の電流が差動増幅器の各
側で引き出されるように完全に切り替えられる。
そのとき、各側のこれらの電流は出力差動電流に
加算される。差動増幅器セルには常に奇数の電流
があるので、一方の側で完全に切り替わらない残
りの奇数差動増幅器がある。残りの差動増幅器
は、その電流が各側、例えばトランジスタ322
及び324を通して等しくなるようにする。これ
は平衝状態を形成し、そして比較器の差動入力に
印加された信号は等しい電圧を有する。しかしな
がら、もし入力電圧VINが受信した変換基準電圧
よりもわずかに小さいか、又は大きければ、差電
圧が比較器入力端に印加される。たとえ各差動増
幅器が完全切り替えのためにほぼ200mVを必要
としても、その平衝はサンプリング比較器の高利
得によつて任意に解決することができる。選択さ
れた変換基準電圧よりもわずかに小さいか、又は
大きい入力アナログ電圧VINに対して比較器出力
には極性差が生ずる。この極性は、閾値の奇数又
は偶数に対応する。例として、第6図Aは、第2
図の差動増幅器セル50(M=4)に相当するセ
ルを示している。単調増加入力アナログ信号の関
数としてサンプリング比較器350に印加される
信号(Vout)は、第6図Bに示されている。上
述したように、Voutは、受信した変換基準電圧
の1つに実質上等しい入力アナログ電圧に応答し
て、零電圧を通過する。このセルのために生じる
デイジタル出力は、第6図Cに示されている。
Since the differential voltage between the conversion reference voltages is sufficiently large,
Each differential amplifier can operate as a 100% switch. Each differential amplifier cell operates as follows. That is, when the amplitude of the input analog signal V IN on one side of a parallel differential amplifier is substantially equal to one of the conversion reference voltages received by that cell on the other side of the amplifier, a "dummy" amplifier A differential amplifier containing a differential amplifier is fully switched such that the same number of currents is drawn on each side of the differential amplifier.
These currents on each side are then added to the output differential current. Since there is always an odd number of currents in the differential amplifier cells, there is a remaining odd differential amplifier on one side that does not switch completely. The remaining differential amplifier has its current flowing through each side, e.g. transistor 322.
and 324 to be equal. This forms an equilibrium condition and the signals applied to the differential inputs of the comparator have equal voltages. However, if the input voltage V IN is slightly less than or greater than the received conversion reference voltage, a difference voltage is applied to the comparator input. Even though each differential amplifier requires approximately 200 mV for complete switching, the balance can be arbitrarily resolved by the high gain of the sampling comparator. A polarity difference occurs in the comparator output for input analog voltages V IN that are slightly smaller or larger than the selected conversion reference voltage. This polarity corresponds to an odd or even number of thresholds. As an example, Figure 6A shows the second
A cell corresponding to the differential amplifier cell 50 (M=4) shown in the figure is shown. The signal (Vout) applied to sampling comparator 350 as a function of a monotonically increasing input analog signal is shown in FIG. 6B. As discussed above, Vout passes through zero voltage in response to an input analog voltage substantially equal to one of the received conversion reference voltages. The digital output produced for this cell is shown in Figure 6C.

本考案の実施例による差動増幅器において32以
上の差動トランジスタ対が使用されるとき、隣接
差動トランジスタ対の閾値は相互に非常に接近し
ている。換言すると、多数の素子が一度にスイツ
チングされるほどに、順次素子のスイツチングは
相互に接近して生じる。閾値が入力信号のレベル
に近いために差動トランジスタ対がどちらかのレ
ベルに完全に切り換わつていない半導通状態の場
合には、その出力は両レベルの間の途中の値をと
る。入力信号レベルに近い閾値を持つ複数の差動
トランジスタ対がこのような半導通状態をとる
と、近接する差動トランジスタ対は互いに逆接続
されているのでこれらの出力が互いに打ち消し合
う。この傾向は閾値、つまり当該差動増幅器セル
に与えられる基準電圧の数を増やすにつれて甚だ
しくなる。この現象は差動増幅器セル全体の実効
利得の減少となつて現れる。実効利得が過度に減
少してしまうと、このセルに受信されたデータが
このセルに与えられている一群の基準電圧によつ
て区分された電圧領域のどちらに属するかをセル
の出力から識別することは困難になる。従つて、
この問題は、例えば第7G図及び第7H図に示す
ように、セル内の差動増幅器の最大数を、256フ
ルスケールアナログ電圧に対して32に制限するこ
とによつて解決することができた。これは、
80mVの最小閾値間隔を与える。出力ビツト当り
32以上の量子化レベルを割り当てるために、ビツ
ト7及び8(M=7及び8)に対する差動増幅器
セルが第2図に示されている。特に、M=7の場
合に単調増加変換基準電圧は、2つの差動増幅器
セル80及び90に交互に印加される。次にこれ
らセルからの出力は関連した比較器によつて増幅
され、そして比較器の出力は第7の符号化ビツト
を発生するために、例えば排他的NORゲート4
00及び450によつて、論理的に組み合わされ
る。M=8の場合に単調増加変換基準電圧は、4
つの差動増幅器セル100,110,120,1
30の間にある。M=7の場合と同様に、セル1
00,110,120,130に関連した比較器
の各出力は論理的に組み合わされる。例えば、差
動増幅器セル100及び130からの各出力は、
排他的NORゲート500及び550によつて論
理的に組み合わされ、セル110及び120から
の各出力は排他的NORゲート530及び540
によつて論理的に組み合わされ、そして排他的
NORゲートの各出力はさらにORゲート510及
び520によつて論理的に組み合わされて、最終
的にビツト8を発生する。
When more than 32 differential transistor pairs are used in a differential amplifier according to an embodiment of the present invention, the threshold values of adjacent differential transistor pairs are very close to each other. In other words, the more elements are switched at once, the more the switching of sequential elements occurs closer to each other. If the differential transistor pair is in a semi-conducting state where it has not completely switched to either level because the threshold is close to the level of the input signal, its output will take a value halfway between the two levels. When a plurality of differential transistor pairs having threshold values close to the input signal level assume such a semi-conducting state, the outputs of adjacent differential transistor pairs cancel each other out because they are reversely connected to each other. This tendency becomes more severe as the threshold value, ie, the number of reference voltages applied to the differential amplifier cell, increases. This phenomenon appears as a reduction in the effective gain of the entire differential amplifier cell. If the effective gain is reduced too much, it is necessary to identify from the output of the cell to which voltage region the data received by the cell belongs, divided by a set of reference voltages applied to the cell. things become difficult. Therefore,
This problem could be solved by limiting the maximum number of differential amplifiers in the cell to 32 for 256 full-scale analog voltages, as shown for example in Figures 7G and 7H. . this is,
Gives a minimum threshold interval of 80mV. per output bit
To allocate more than 32 quantization levels, a differential amplifier cell for bits 7 and 8 (M=7 and 8) is shown in FIG. In particular, for M=7, monotonically increasing conversion reference voltages are applied alternately to the two differential amplifier cells 80 and 90. The outputs from these cells are then amplified by associated comparators, and the outputs of the comparators are injected into, for example, exclusive NOR gate 4 to generate the seventh encoded bit.
00 and 450 are logically combined. When M=8, the monotonically increasing conversion reference voltage is 4
differential amplifier cells 100, 110, 120, 1
Between 30 and 30. As in the case of M=7, cell 1
The comparator outputs associated with 00, 110, 120, and 130 are logically combined. For example, each output from differential amplifier cells 100 and 130 is
are logically combined by exclusive NOR gates 500 and 550, with each output from cells 110 and 120 being connected to exclusive NOR gates 530 and 540.
logically combined and exclusive by
The outputs of the NOR gates are further logically combined by OR gates 510 and 520 to ultimately produce bit 8.

個々の差動増幅器セルに結合された変換基準電
圧は、第3,4,5,6図、そして特に第7A〜
H図に示されている。所定の差動増幅器セルにお
ける80mVの最小閾値間隔は、ビツト毎に十分な
利得を保証する。2つの最下位ビツトに対して32
の差動増幅器セルの各組に印加される基準電圧
は、任意のセルの基準電圧の間に80mVの最小間
隔を形成するためにずらされる。最小ビツトにお
ける4組の変換基準電圧の論理組み合せは、
20mVの間隔で128量子化レベルの分解能を形成
する。
The conversion reference voltages coupled to the individual differential amplifier cells are shown in Figures 3, 4, 5, 6, and especially 7A-7.
This is shown in Figure H. A minimum threshold spacing of 80 mV in a given differential amplifier cell ensures sufficient gain on a bit-by-bit basis. 32 for the two least significant bits
The reference voltages applied to each set of differential amplifier cells are staggered to form a minimum spacing of 80 mV between the reference voltages of any cell. The logical combination of the four sets of conversion reference voltages at the smallest bit is:
Forming a resolution of 128 quantization levels at 20mV intervals.

第8図は前記サンプリング比較器140及び1
50、それにデータラツチ180及び190の詳
細な回路図である。第2図における差動増幅器セ
ル10からの差出力は、入力IN及びINBを経て
サンプリング比較器140及び150に導入され
る。クロツク信号CLKが高状態(4.2V)にあり、
そしてCLKBが低状態(3.6V)にあるとき、+5V
基準電源から抵抗器R1A及びトランジスタQ2
Aを通つてIN入力に電流が流れる。又、5V基準
電源から抵抗器R2A及びトランジスタQ1Aを
通つてINB入力にも電流が流れる。これにより
前記比較器140は比較モード又はサンプリング
モードになる。そしてIN入力とINB入力との差
電流により、トランジスタQ2AとQ1Aの各コ
レクタの間に差電圧が生じる。
FIG. 8 shows the sampling comparators 140 and 1.
50 and a detailed circuit diagram of data latches 180 and 190. The difference output from differential amplifier cell 10 in FIG. 2 is introduced into sampling comparators 140 and 150 via inputs IN and INB. Clock signal CLK is in high state (4.2V),
and +5V when CLKB is low (3.6V)
From the reference power supply to resistor R1A and transistor Q2
Current flows through A to the IN input. Current also flows from the 5V reference power supply to the INB input through resistor R2A and transistor Q1A. This causes the comparator 140 to enter a comparison mode or a sampling mode. The differential current between the IN input and the INB input generates a differential voltage between the collectors of transistors Q2A and Q1A.

抵抗器R1B及びR2Bは比較的小さな抵抗値
を有しているので、Q2A及びQ1Aのコレクタ
における電圧はそれぞれトランジスタQ5及びQ
6のベースに印加される。トランジスタQ5及び
Q6はエミツタ・ホロワーとして結合されるの
で、それらのベースに印加された差電圧は個々の
エミツタに現われる。トランジスタQ9及びQ1
0のエミツタは、それぞれトランジスタQ5及び
Q6のエミツタに結合され、そして、ゼナーダイ
オードとして動作する。ほぼ50〜100mVの差電
圧を有するエミツタにおけるほぼ4Vの信号は、
それらのベースすなわち比較器140の差出力で
ほぼ−2Vの信号に変換される。
Since resistors R1B and R2B have a relatively small resistance value, the voltage at the collectors of Q2A and Q1A is equal to that of transistors Q5 and Q, respectively.
Applied to the base of 6. Transistors Q5 and Q6 are coupled as emitter followers so that the differential voltage applied to their bases appears at their respective emitters. Transistors Q9 and Q1
The emitters of 0 are coupled to the emitters of transistors Q5 and Q6, respectively, and operate as zener diodes. A signal of approximately 4V at the emitters with a differential voltage of approximately 50-100mV is
The difference output of their bases or comparators 140 is converted to a signal of approximately -2V.

前記サンプリング比較器140における比較機
能は、ベースがそれぞれ前記トランジスタQ5及
びQ6のエミツタに結合されているトランジスタ
Q1及びQ2によつて実行される。電流源のトラ
ンジスタQ16及びそのエミツタに接続された
3KΩの抵抗器に流れる小さな一定電流は、差動
結合トランジスタ対Q1及びQ2のエミツタにほ
ぼ150μAの電流を供給する。IN入力及びINB入
力に流れる電流の差から生じるトランジスタQ5
及びQ6のエミツタ間の電圧差は、トランジスタ
Q1及びQ2のベース間の電圧差として現われ
る。トランジスタQ1及びQ2のコレクタは、そ
れぞれトランジスタQ6及びQ5のベースに接続
されて、正帰還ループを形成する。特に、INB
入力の電流が減少すれば、抵抗器R2Aの電圧降
下は減少して、トランジスタQ6のベース及びエ
ミツタの電圧、それにトランジスタQ2のベース
の電圧を増加させる。トランジスタQ2における
ベース電圧の増加は、抵抗器R1A及びR2Aに
追加の電流を流し、そしてトランジスタQ5のベ
ース及びエミツタの電圧、それにトランジスタQ
1のベースの電圧をそれぞれ減少させる。1より
小さなループ利得を保つように電流源の値が選択
される。このようにして差動結合トランジスタQ
1及びQ2は、高利得増幅器として動作し、かつ
サンプリング比較器140は、CLKの高信号及
びCLKBの低信号に応答してサンプリング及び比
較モードの動作をする。
The comparison function in the sampling comparator 140 is performed by transistors Q1 and Q2 whose bases are coupled to the emitters of the transistors Q5 and Q6, respectively. connected to the current source transistor Q16 and its emitter
A small constant current flowing through the 3KΩ resistor supplies approximately 150μA of current to the emitters of the differentially coupled transistor pair Q1 and Q2. Transistor Q5 resulting from the difference in current flowing to IN input and INB input
The voltage difference between the emitters of Q6 and Q6 appears as a voltage difference between the bases of transistors Q1 and Q2. The collectors of transistors Q1 and Q2 are connected to the bases of transistors Q6 and Q5, respectively, forming a positive feedback loop. In particular, INB
As the current at the input decreases, the voltage drop across resistor R2A decreases, causing the voltage at the base and emitter of transistor Q6 and the voltage at the base of transistor Q2 to increase. The increase in base voltage across transistor Q2 causes additional current to flow through resistors R1A and R2A, and increases the voltage at the base and emitter of transistor Q5, as well as transistor Q.
1, respectively. The value of the current source is chosen to keep the loop gain less than unity. In this way, the differential coupling transistor Q
1 and Q2 operate as high gain amplifiers, and sampling comparator 140 operates in a sample and compare mode in response to a high signal on CLK and a low signal on CLKB.

前記比較器140は、またクロツクCLKの低
信号及びCLKBの高信号に応答してラツチモード
の動作をする。特に、CLKの低信号は、トラン
ジスタQ2A及びQ1AがそれぞれのIN入力及
びINB入力に流れる電流を停止させる。さらに、
前記CLKBの高信号(−0.8V)に対応する
CLKB′の高信号は、トランジスタQ13のベー
スに供給される。そしてトランジスタQ13は、
トランジスタQ1及びQ2のエミツタに比較的大
きな電流を供給する。この比較的大きな電流によ
つて、ループ利得は1より大きくなり、トランジ
スタQ1及びQ2におけるベース電圧間の相対的
な不平衡に依存する2つの状態のうちの一方にロ
ツクされる。
The comparator 140 also operates in a latch mode in response to a low signal on clock CLK and a high signal on CLKB. In particular, a low signal on CLK causes transistors Q2A and Q1A to stop flowing current to their respective IN and INB inputs. moreover,
Corresponds to the CLKB high signal (-0.8V)
The high signal on CLKB' is provided to the base of transistor Q13. And the transistor Q13 is
A relatively large current is supplied to the emitters of transistors Q1 and Q2. This relatively large current causes the loop gain to be greater than unity and is locked into one of two states depending on the relative imbalance between the base voltages in transistors Q1 and Q2.

比較器150は、相補状態で動作する。特に、
比較器150は高レベルのクロツク信号CLKBに
応答してサンプル及び比較モードの動作を行い、
そして高(−0.8)状態に達するレベルを除いて
CLK信号に対応するクロツクCLK′信号に応答し
てラツチ及びホールドモードの動作を行う。
Comparator 150 operates in a complementary state. especially,
Comparator 150 operates in a sample and compare mode in response to a high level clock signal CLKB;
and except for the level that reaches the high (−0.8) state.
The latch and hold mode operations are performed in response to the clock CLK' signal corresponding to the CLK signal.

データラツチ180の入力は、前記サンプリン
グ比較器140のレベルシフタ・トランジスタQ
9及びQ10に結合されている。トランジスタQ
20及びQ21から成る差動増幅器に供給される
前記の入力信号は、トランジスタQ20のコレク
タで単一レベルの出力に復元される。この復元信
号は、周知のEFL RSラツチに印加される。この
ラツチは、「IEEE ジヤーナル・オブ・ソリツ
ド・ステート・サーキユツト」1973年10月、
Vo1.SC−8,No.5でスコーカン氏による論文
「エミツタ・フアンクシヨン・ロジツク・ロジツ
ク・フアミリ・フオアLSI」に記載されている。
The input of the data latch 180 is connected to the level shifter transistor Q of the sampling comparator 140.
9 and Q10.
The input signal is applied to a differential amplifier consisting of transistors Q20 and Q21, which is restored to a single level output at the collector of transistor Q20. This restored signal is applied to the well known EFL RS latch, which is described in IEEE Journal of Solid-State Circuits, October 1973, at
This is described in the paper "Emitter Function Logic Logic Family For LSI" by Mr. Skokan in Vol. SC-8, No. 5.

本考案の実施例では、256個の差動増幅器配列
として構成されている。そして各差動増幅器にお
ける各コレクタは、第2図に示すように26個のサ
ンプラー比較器回路内で結合されている。各サン
プラー比較器回路は、6個の排他的NORゲート
及び18個の出力バツフアを駆動する。さらに、付
加回路が上記回路のためのクロツク及びバイアス
電圧を供給する。第9図は、差動増幅器セルで使
用される基本的な差動増幅器を示している。この
基本的な差動増幅器は、能動電流源を有する差動
対から構成されている。
An embodiment of the invention is configured as a 256 differential amplifier array. The collectors of each differential amplifier are then coupled in 26 sampler comparator circuits as shown in FIG. Each sampler comparator circuit drives 6 exclusive NOR gates and 18 output buffers. Additionally, additional circuitry provides clock and bias voltages for the circuitry. FIG. 9 shows a basic differential amplifier used in a differential amplifier cell. This basic differential amplifier consists of a differential pair with an active current source.

本考案の上記実施例に用いられる付加回路の詳
細な回路図は第10〜16図に示されている。こ
れらの回路は、第12図のバイアス供給回路を除
いて標準EFLライブラリー回路である。このバ
イアス供給回路は、それが低電圧を供給するのを
除いて、第11図に示したVCS供給回路と同じ
である。前記の低電圧は、A/Dアレイの電流源
を駆動するために必要である。A/D差動増幅器
セルは、わずか200μAの電流で動作するので低電
圧を必要とする。前述のように必要な電流が小さ
いので、したがつて抵抗は小さく、そして増幅器
セルを配列した集積回路の寸法も小さくできる。
Detailed circuit diagrams of the additional circuits used in the above embodiments of the invention are shown in FIGS. 10-16. These circuits are standard EFL library circuits with the exception of the bias supply circuit of FIG. This bias supply circuit is the same as the VCS supply circuit shown in FIG. 11, except that it supplies a lower voltage. Said low voltage is necessary to drive the current sources of the A/D array. A/D differential amplifier cells operate with only 200 μA of current and therefore require low voltages. As mentioned above, the required current is small, so the resistance is small and the size of the integrated circuit in which the amplifier cells are arranged can be small.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図A〜Eはアナログ入力電圧の関数として
グレイコードのビツト値に関連したデイジタル波
形図、第2図は本考案の一実施例によるダイレク
ト・フラツシユ形変換器の構成を示すブロツク
図、第3図は第2図に示した差動増幅器セル20
の詳細回路図、第4図は同じく差動増幅器セル3
0の詳細回路図、第5図は差動増幅器セル40の
詳細回路図、第6図Aは差動増幅器セル50の詳
細回路図で、Bはその出力アナログ電圧(Vout)
の波形図、Cは前記アナログ電圧(Vout)に関
連したデイジタル出力図である。第7A図〜第7
H図は第2図に示した差動増幅器セルにおいて各
セルの左側に変換基準電圧を示したブロツク図、
第8図は第2図に示したサンプリング比較器14
0,150及びデータラツチ180,190の詳
細回路図、第9図は差動増幅器セルに使用されて
いる差動増幅器の基本回路図、第10図は
EFL/ECL回路の詳細回路図、第11図はVCS
発生器の回路図、第12図はVCS′発生器の回路
図、第13図はVb2バツフア回路の回路図、第1
4図は排他的NOR回路の回路図、第15図はク
ロツク信号発生器、第16図はVb2発生器の回路
図である。 300,330:電流源。
1A to 1E are digital waveform diagrams related to Gray code bit values as a function of analog input voltage; FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of a direct flash converter according to an embodiment of the present invention; Figure 3 shows the differential amplifier cell 20 shown in Figure 2.
The detailed circuit diagram of FIG. 4 is also the differential amplifier cell 3.
0, FIG. 5 is a detailed circuit diagram of the differential amplifier cell 40, FIG. 6A is a detailed circuit diagram of the differential amplifier cell 50, and B is its output analog voltage (Vout).
C is a digital output diagram related to the analog voltage (Vout). Figure 7A-7
Figure H is a block diagram showing the conversion reference voltage on the left side of each cell in the differential amplifier cell shown in Figure 2.
FIG. 8 shows the sampling comparator 14 shown in FIG.
0,150 and data latches 180, 190, FIG. 9 is a basic circuit diagram of the differential amplifier used in the differential amplifier cell, and FIG.
Detailed circuit diagram of EFL/ECL circuit, Figure 11 is VCS
The circuit diagram of the generator, Fig. 12 is the circuit diagram of the VCS' generator, and Fig. 13 is the circuit diagram of the Vb 2 buffer circuit.
FIG. 4 is a circuit diagram of an exclusive NOR circuit, FIG. 15 is a circuit diagram of a clock signal generator, and FIG. 16 is a circuit diagram of a Vb 2 generator. 300, 330: Current source.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】 複数の相異なる基準電圧を与える基準電源と、 各差動出力端子が第1ライン、第2ラインに交
互に直接接続、交差接続されアナログ入力信号と
前記基準電圧の1つとの大小比較結果を示す信号
を前記第1ライン、第2ラインに導出するための
1つ以上のレベル検出器を有し、前記第1ライン
と第2ライン上の出力の大小関係を示す比較出力
を与える複数の比較手段と を設けることによりアナログ信号をデイジタルコ
ードに変換するA/D変換器において、 前記デイジタルコードのNビツト出力の少なく
とも最下位のビツトに対しては、 複数の前記比較手段と、 前記複数の比較手段の比較出力を論理演算する
ことのよりデイジタルコードの対応するビツト出
力を得る論理回路を設け、 前記複数の基準電圧のうちのデイジタルコード
の前記ビツトの値の決定に必要とされる一群の基
準電圧を前記複数の比較手段に振分け、 前記一群の基準電圧を電圧値の順に並べた場合
に隣接する基準電圧は互いに異なる前記比較手段
に与えられるようにした ことを特徴とするA/D変換器。
[Claims for Utility Model Registration] A reference power source that provides a plurality of different reference voltages, each differential output terminal being alternately directly connected or cross-connected to the first line and the second line so that the analog input signal and the reference voltage are one or more level detectors for deriving a signal indicating the result of comparison between the two lines to the first line and the second line, and indicating the magnitude relationship between the outputs on the first line and the second line. In an A/D converter that converts an analog signal into a digital code by providing a plurality of comparison means for providing comparison outputs, for at least the least significant bit of the N-bit output of the digital code, the plurality of comparison means are provided. and a logic circuit for obtaining a corresponding bit output of a digital code by performing a logical operation on the comparison outputs of the plurality of comparison means, and for determining the value of the bit of the digital code among the plurality of reference voltages. A necessary group of reference voltages is distributed to the plurality of comparison means, and when the group of reference voltages are arranged in order of voltage value, adjacent reference voltages are applied to different comparison means. A/D converter.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS54106159A (en) * 1978-01-05 1979-08-20 Analog Devices Inc Parallel analog digital converter

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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