JPS5810922A - Direct flash type analog-to-digital converter - Google Patents

Direct flash type analog-to-digital converter

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JPS5810922A
JPS5810922A JP10801781A JP10801781A JPS5810922A JP S5810922 A JPS5810922 A JP S5810922A JP 10801781 A JP10801781 A JP 10801781A JP 10801781 A JP10801781 A JP 10801781A JP S5810922 A JPS5810922 A JP S5810922A
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JP
Japan
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voltage
output
comparator
differential amplifier
bit
Prior art date
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Application number
JP10801781A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Daburiyuu Henrii Chimu
チム・ダブリユ−・ヘンリ−
Pooru Moogensaraa Maaku
マ−ク・ポ−ル・モ−ゲンサラ−
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Hewlett Packard Japan Inc
Original Assignee
Yokogawa Hewlett Packard Ltd
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Publication date
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Publication of JPS5810922A publication Critical patent/JPS5810922A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03MCODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
    • H03M1/00Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
    • H03M1/12Analogue/digital converters
    • H03M1/34Analogue value compared with reference values
    • H03M1/36Analogue value compared with reference values simultaneously only, i.e. parallel type
    • H03M1/361Analogue value compared with reference values simultaneously only, i.e. parallel type having a separate comparator and reference value for each quantisation level, i.e. full flash converter type

Abstract

PURPOSE:To perform high speed A/D conversion with less number of comparator, by providing a level detector in cross coupling connected to a single comparator, so that the output of the comparator is a simple binary output directly coded for each differential amplifying cell. CONSTITUTION:Differential amplifying cells 10, 20-130 are coupled to receive an input analog signal VIN and a specified converting reference voltage and a differential output signal is generated in response to the voltages. A differential amplifier in the cell has a converted reference voltage to the reference level and the amplifiers are cross-coupled to comparators 140, 150..., respectively. Each comparator has a high gain so that the output is a digital signal substantially, transmitted to corresponding data latching circuits 180, 190..., from which A/D-converted digital signals are outputted.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、各ピッ)K対しC独立並列形A/D符号器を
具えたダイレクト・フラッシュ形A/D変換器に関する
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a direct flash type A/D converter having a C independent parallel type A/D encoder for each pin.

アナログ電圧をディジタル表示に変換する同時変換法に
おい゛C1前記ディジタル表示の全゛Cのビットは同時
に決定される。この方法は、電1比較器の並列バンクを
有し、そして各比較器は所定の電圧レベルに達したアナ
ログ電圧に応答するので、並列法としC知られている。
In the simultaneous conversion method of converting an analog voltage to a digital representation, all C bits of the digital representation are determined simultaneously. This method is known as the parallel method because it has a parallel bank of voltage comparators, and each comparator responds to an analog voltage reaching a predetermined voltage level.

Nビット符号器(但しNは所定の整数である)におい゛
〔は、2M個のディジタル出力状態が存在する。最大ア
ナログ電圧は、2″個の電圧レベルに分割される。各レ
ベルは電圧量を表わし、そして各量レベルはディジタル
出力状態の1つKよって表わされる。従来のNビット符
号器は2W個の比較器を必要とする。そして、各比較器
は特定の量レベルへの変換を決定する。このように、同
時変換法による従来の並列形は、もしNが大きければ、
極め°C多くの比較器を必要とする。実際にNが6以上
のとき、比較器の数は極めて多くなるという欠点がある
。しかしながら、この方法によって達成される超高速度
の変換は、前記の欠点を相殺している。
In an N-bit encoder (where N is a predetermined integer), there are 2M digital output states. The maximum analog voltage is divided into 2" voltage levels. Each level represents a voltage quantity, and each quantity level is represented by one K of digital output states. A conventional N-bit encoder has 2" voltage levels. requires comparators, and each comparator determines the conversion to a particular quantity level.Thus, the traditional parallel form of the simultaneous conversion method, if N is large,
It requires a very large number of comparators. In fact, when N is 6 or more, there is a drawback that the number of comparators becomes extremely large. However, the ultra-high speed conversion achieved by this method offsets the aforementioned drawbacks.

前記同時変換法は、また電圧比較器の並列バンクからの
出力が簡潔なフォーマットでなく、211−12進デ一
タ信号の形態であるという欠点をもっている。通常2”
−1の出力は変換ロジックにより、簡潔な2進フオーマ
ツトで2道情報の最終ビットに符号化される。典形的に
はNが6以上の大きな値に対して、変換ロジックで必要
とされる素子の数は、多数の人力及びロジック組み合せ
のために極めて大きくなる。
The simultaneous conversion method also has the disadvantage that the output from the parallel bank of voltage comparators is not in a concise format, but is in the form of a 211-12 decimal data signal. Usually 2”
The -1 output is encoded by the conversion logic into the final bit of the two-way information in a compact binary format. For large values of N, typically 6 or more, the number of elements required in the conversion logic becomes extremely large due to the large number of human and logic combinations.

このようK、従来技術においC”フラッシュ符号化”と
して公知の同時変換における高速度A/D変換は、Nが
大きい符号器に対して極め・〔多くの比較器を必要とし
、且つ変換ロジックが複雑になるために実現は困難であ
った。
In this way, high-speed A/D conversion in simultaneous conversion, known in the prior art as "flash encoding," is extremely difficult for encoders with large N; it requires many comparators, and the conversion logic is This was difficult to implement due to its complexity.

本発明は上述の欠点を解消するためになされたもので、
各ピッ)k対して独立並列形A/D符号器を有するダイ
レクト・フラッシュ形変換器ヲ提供せんとするものであ
る。本発明の一実施例によると、各独立ビット符号器は
、比較器の出力が直接的に符号化される簡潔な2進出力
となるようK、単一比較器に!I続された交差結合のレ
ベル検出器を具えている。このように、各ビットに対し
て単一の比較器が必要とされ、そして変換ロジックは必
要としない。その結果、実際的な直接マルチビット・フ
ラッシュ形変換器が実現できる。
The present invention has been made to solve the above-mentioned drawbacks.
It is an object of the present invention to provide a direct flash type converter having an independent parallel type A/D encoder for each pin. According to one embodiment of the invention, each independent bit encoder is converted into a single comparator such that the output of the comparator is a compact binary output that is directly encoded into a K, single comparator! It is equipped with a series of cross-coupled level detectors. Thus, a single comparator is required for each bit and no conversion logic is required. As a result, a practical direct multi-bit flash converter can be realized.

本発明の例示された実施例は、同時8ビ、ット、グレイ
コード、A/D変換器である。各ビットは、直接符号化
された簡潔な出力を与える比較器に結う 合された独立並列Jすaグ回路群によって符号化される
。本発明は並列ビット符号器を具え、そしCi[接Nビ
ット2進コードを発生するので、“ダイレクト・フラッ
シュ形変換器”と呼ぶことにする。本説明におい°C@
変換器”という用語は、一般的なものを意味し、そし°
C“符号器“という用語は前記変換器内の回路群を意味
する。
The illustrated embodiment of the invention is a simultaneous 8-bit, Gray code, A/D converter. Each bit is encoded by a group of independent parallel Jsag circuits coupled to a comparator that provides a concise directly encoded output. The present invention includes a parallel bit encoder and generates an N-bit binary code, so it will be referred to as a "direct flash converter." In this explanation °C@
The term "transducer" means a general and
C The term "encoder" refers to circuitry within the converter.

本発明の実施例で組み合わされた2進コードは、また1
巡回符号”、1反射2進コード又はここで使用されるよ
うな発明者にちなんで1グレイコードとして知られてい
る単位距離コードである。
The binary code combined in the embodiment of the present invention is also
is a unit distance code known as a ``cyclic code'', a 1-reflection binary code, or a 1-Gray code after its inventor as used herein.

4ビツト(N=4)グレイコードの状態は、量子化入力
電圧の関数として、次の表1に示されている。
The states of a 4-bit (N=4) Gray code are shown in Table 1 below as a function of quantization input voltage.

表   1 グレイコード    アナログ値(量子化レベル)oo
oo               。
Table 1 Gray code analog value (quantization level)oo
oo.

0001              10011  
           20010         
    30110              40
111             50101    
         60100           
    71100              81
101              91111   
          101110         
    111010            121
011             131001   
          141000         
    15第1図は、増大アナログ入力電圧の関数1
し°〔グレイコードビット値に関連したディジタル波形
を示す。図において、波形内はオーバーレンジビットに
関連し、且つ波形(B)、0、p)、及び(g)はそれ
ぞれ表1のグレイコードに関連している。ここで、波形
(B)は最上位ビットを表わし、波形0は、その次の上
位ビットを表わし、波形■は最下位ビットを表わす。例
示され−Cいるようにグレイコードでは、1つのビット
のみがどれか1つの所定の量子化レベルに交差する人力
信号に応答して変化する。
0001 10011
20010
30110 40
111 50101
60100
71100 81
101 91111
101110
111010 121
011 131001
141000
15 Figure 1 shows the function 1 of increasing analog input voltage.
[Shows a digital waveform associated with a Gray code bit value.] In the figure, the inside waveforms relate to overrange bits, and waveforms (B), 0, p), and (g) respectively relate to the Gray code in Table 1. Here, waveform (B) represents the most significant bit, waveform 0 represents the next most significant bit, and waveform (2) represents the least significant bit. In the Gray code, as illustrated, only one bit changes in response to a human input signal that crosses any one predetermined quantization level.

ディジタル表示の各ビットは、独立並列形A/D符号器
によつ゛C符号化される。第1図において、各ディジタ
ル出力ビットは、(FS÷2M−1)離れて生じるアナ
ログ電圧を表わすディジタル変換によって特性づけられ
る。ここで、F8はフルスケールアナログ信号の値であ
り、Mは出力ディジタルビットを表わす整数であり、そ
しCM=1は最”  上位ビットに相当する。さらに、
各ディジタルビットに対する最初の変換は、FS÷ジで
生じる。
Each bit of the digital representation is C encoded by an independent parallel A/D encoder. In FIG. 1, each digital output bit is characterized by a digital conversion representing analog voltages occurring (FS÷2M-1) apart. where F8 is the value of the full-scale analog signal, M is an integer representing the output digital bits, and CM=1 corresponds to the most significant bit.
The first conversion for each digital bit occurs as FS divided by di.

例えば、256v のフルスケールアナログ値を有する
システムにおいて、M=4及び第1図の波形■に相当す
る第4のディジタルビットは、256v÷16=16V
で、最初の変換をなし、そしてその量子化レベルは32
V離れ°Cいる。
For example, in a system with a full-scale analog value of 256V, M=4 and the fourth digital bit corresponding to waveform
, performs the first transformation, and its quantization level is 32
V °C away.

本発明の実施例による1つの利点は、8ピツトA/D変
換器の分解能で、最下位ビットに最初に表われる高スル
ーレートから生じる符号化エラーと共に、入力スルーレ
ートが増加するKっれてビット毎に減少するということ
である。これは、最大スルーレートを越えたとき、誤り
又はグリッジが生じる従来技術に比べ゛〔勝れ°〔いる
One advantage of embodiments of the present invention is that with the resolution of the 8-pit A/D converter, the input slew rate increases as K This means that it decreases bit by bit. This is an advantage over prior art techniques which suffer from errors or glitches when the maximum slew rate is exceeded.

第2図は本発明の一実施例によるフラッシュ形A/D変
換器の回路図である。図において、複数の差動増幅器セ
ル1(L 20.30.40. so、 60゜70、
80.90.100.110.120は、入力アナログ
信号vxNを受信するように結合される。さらに、個々
の差動増幅器を包含する各差動増幅器セルは、所定の組
の変換基準電圧を受信するように結合される。本発明の
実施例におい°Cは、nと共に単調に増加する2″l−
1の変換基準電圧がある。ことで、Nは零よりも大きな
整数であり、nは1<n<2”−1となるように変換基
準電圧の1つを示す整数である。後で詳述するよ5K、
各差動増幅器セルは、印加入力アナログ信号及び受信し
た変換基準電圧に応答して差動出力信号を発生する。本
質的に、差動増幅器セル内の差動増幅器は、基準レベル
に対する変換基準電圧を有するレベル検出器とし゛〔機
能する。例えば、オーバーレンジ差動増幅器セル10は
、もし人力アナログ信号VIMがフルスケール(256
)変換基準電圧以下であるならば、第1図(5)の波形
に和尚する低電圧レベルの出力信号(IN)を発生し、
そし゛C入力信号v!舅がフルスケール変換基準電圧よ
りも大きければ、高電圧レベルの出力信号が発生する。
FIG. 2 is a circuit diagram of a flash type A/D converter according to an embodiment of the present invention. In the figure, a plurality of differential amplifier cells 1 (L 20.30.40.so, 60°70,
80.90.100.110.120 is coupled to receive input analog signal vxN. Further, each differential amplifier cell containing an individual differential amplifier is coupled to receive a predetermined set of converted reference voltages. In an embodiment of the invention, °C is 2"l-, which increases monotonically with n.
There is a conversion reference voltage of 1. Therefore, N is an integer larger than zero, and n is an integer indicating one of the conversion reference voltages such that 1<n<2''-1.5K, as will be explained in detail later.
Each differential amplifier cell generates a differential output signal in response to an applied input analog signal and a received converted reference voltage. Essentially, the differential amplifier within the differential amplifier cell functions as a level detector with a translated reference voltage to a reference level. For example, the overrange differential amplifier cell 10 can be used if the human input analog signal VIM is at full scale (256
) If it is below the conversion reference voltage, generate an output signal (IN) of a low voltage level that conforms to the waveform shown in FIG. 1 (5),
Then C input signal v! If the voltage is greater than the full-scale conversion reference voltage, a high voltage level output signal will be generated.

差動増幅器セル20は、・・−フスケール(128)変
換基準電圧に結合され、そして第1図の波形(B)に相
当する差動出力信号を発生する。同様K、差動増幅器セ
ル30.40.50は、それぞれ第1図の波形(Of、
(Di、@に相当する差動出力信号を発生する。
Differential amplifier cell 20 is coupled to a . . . -scale (128) converted reference voltage and produces a differential output signal corresponding to waveform (B) of FIG. Similarly, the differential amplifier cells 30, 40, and 50 have the waveforms (Of,
(Generates a differential output signal corresponding to Di, @.

差動増幅器セル20.30.40.50.60.70は
、それぞれ独立した並列形A/D符号器を構成している
。これら差動増幅器セルのそれぞれは、2つのサンプリ
ング比較器に接続された出力を具えている。例えば、差
動増幅器セル10は、それぞれサンプリング比較器14
0及び150IICij&続された出力線IN及びIN
Bを具え′Cいる。差動増幅器セル20の出力は同様に
サンプリング比較器160及び170に接続され”Cい
る。これらのサンプリング比較器は、その比較器利得素
子からの出力が実質上ディジタルになるような高利得を
もっている。
The differential amplifier cells 20, 30, 40, 50, 60, 70 constitute independent parallel A/D encoders. Each of these differential amplifier cells has an output connected to two sampling comparators. For example, each differential amplifier cell 10 has a sampling comparator 14
0 and 150IICij & connected output lines IN and IN
It has B and 'C. The output of the differential amplifier cell 20 is also connected to sampling comparators 160 and 170. These sampling comparators have high gains such that the output from their comparator gain elements is substantially digital. .

これらの比較器における比較モードは、正のクロックパ
ルスによってストローブされることに応答して動作し、
そし′ζ次の正のクロックパルスが生じるまでそれらの
出力を保持する。前記サンプリング比較器140及び1
50は、クロック信号(OLK、及び0LKB)の反対
縁でストローブされる。このよ5に、サンプリング比較
器140は、サンプリング比較器150がその入力を比
較し°〔いるときにディジタル出力を保持し、そしてそ
の逆もまた同様である。このサンプリング動作は、20
ナグ秒の周期で50%のデユーティサイクルをもつりa
ツク信号によつ”〔、アナログ信号VIMを10ナノ秒
サンプリングする。
The comparison mode in these comparators operates in response to being strobed by a positive clock pulse;
It then holds those outputs until the next positive clock pulse occurs. The sampling comparators 140 and 1
50 are strobed with opposite edges of the clock signals (OLK and 0LKB). Thus, sampling comparator 140 holds a digital output when sampling comparator 150 compares its inputs, and vice versa. This sampling operation is 20
With a duty cycle of 50% with a period of nag seconds, a
Depending on the output signal, the analog signal VIM is sampled for 10 nanoseconds.

データラッチ180. 190.200.210は、そ
れぞれサンプリング比較器140.150.160.1
70からの出力によって駆動される。各データラッチは
対応するサンプリング比較器Km続され、そしてそれに
結合されるサンプリング比較器に対し′C反対位相のク
ロック信号でストa−ブされる。このよ5に、相補デー
クラッチの出力は、交互のクロック縁でのみ変化する。
Data latch 180. 190.200.210 are sampling comparators 140.150.160.1 respectively
70. Each data latch is connected to a corresponding sampling comparator Km and is strobed with a clock signal of opposite phase to the sampling comparator coupled to it. Thus, the output of the complementary data latch changes only on alternate clock edges.

ビット2.3.4.5.6  K対する各データラッチ
及び比較器回路は、前述のオーバーレンジビット及びビ
ット10回路と同一である。第7及び第8のビットの回
路は、前記の6ビツトの回路と同様であるが、しかし、
実際上は差動増幅器セル内で実行することのできる変換
の制限及び数により、1′2つの差動増幅器セル80及
び90は、第7のディジタルビットの出力を発生するた
めに相互接続される。同様に、差動増幅器セル100.
110.120゜130は、第8のディジタルビットの
出力を発生するために相互接続される。なお、これら差
動増幅器セルの特別のもの及び結合回路の詳細は後述す
る。
Each data latch and comparator circuit for bit 2.3.4.5.6K is identical to the overrange bit and bit 10 circuits described above. The circuits for the 7th and 8th bits are similar to the 6-bit circuits described above, but
In practice, due to the limitations and number of conversions that can be performed within a differential amplifier cell, the two differential amplifier cells 80 and 90 are interconnected to produce a seventh digital bit output. . Similarly, differential amplifier cell 100.
110.120.degree. 130 are interconnected to generate an eighth digital bit output. Note that details of these special differential amplifier cells and the coupling circuit will be described later.

ディジタル増幅器セル20,30.40の詳細な回路図
は、それぞれ第3.4.5図に示され、そして第7図に
も同様に示されている。各セル内でレベル検出器として
作用する差動増幅器、及びそれらに接続される基準電圧
の数を除いて、各セルは物理的にも動作的にも同じであ
る。これは第7A〜H図からも明白である。各セルは多
数の並列差動増幅器、すなわち差動結合トランジスタ対
から構成され、そし°〔2つの入力側(すなわち、アナ
ログ電圧の入力側と基準電圧の入力側)を有する。
Detailed circuit diagrams of the digital amplifier cells 20, 30, 40 are shown in FIGS. 3.4.5 and likewise in FIG. 7, respectively. Each cell is physically and operationally identical, except for the number of differential amplifiers that act as level detectors within each cell and the reference voltages connected to them. This is also evident from Figures 7A-H. Each cell consists of a number of parallel differential amplifiers, ie, differentially coupled transistor pairs, and has two inputs (ie, an analog voltage input and a reference voltage input).

差動増幅器におけるアナログ電圧の入力側で、各トラン
ジスタ対におけるトランジスタのベースは入力アナログ
電圧v!yを受信するように結合される。又、差動増幅
器の基準電圧の入力側で、トランジスタ対における他の
トランジスタのベースは、多電圧基準源からの変換基準
電圧を受信すうように結合される。これら変換基準電圧
の相対値はフルスケールアナログ電圧を表わす256に
対し′C図面中忙示され〔いる。差動結合トランジスタ
対の各側のコレクタは、それぞれいっしょに結合°され
、あるいは交互KK接結合され、又は交差結合される。
On the analog voltage input side of the differential amplifier, the base of the transistor in each transistor pair is connected to the input analog voltage v! coupled to receive y. Also, on the reference voltage input side of the differential amplifier, the bases of other transistors in the transistor pair are coupled to receive a converted reference voltage from a multi-voltage reference source. The relative values of these conversion reference voltages are shown in the drawing 'C' relative to 256, which represents the full scale analog voltage. The collectors on each side of the differentially coupled transistor pair are respectively coupled together, alternately coupled, or cross-coupled.

すなわち差動結合トランジスタにおける各対のコレクタ
は他の対のコレクタに接続、交互に直接接続及び交差接
続され°〔,2つのコレクタ電流路を形成する。換1す
ると、もし各差動結合トランジスタ対が、受信する単調
増加変換基準電圧のそれぞれに対応するよ5に連続番号
がつけられるならば、この配列の各側における偶数番号
トランジスタ対のコレクタは直接いっしょに結合され、
そしてこの配列の各側における奇数番号トランジスタの
コレクタは交差結合される。この配列の各側におけるコ
レクタはさらに相互に接続されて、各側のコレクタ電流
路を形成する。次に、これら2つのコレクタ電流路はそ
れぞれトランジスタ対におけるエミッタの1つに接続さ
れ、かつそのベースは井通(接続される。唯一の例外は
差動増幅器セル10及び20であり、その各々は唯一の
差動結合トランジスタ対を構成し°〔いる。第3図にお
いて、差動結合トランジスタ対は、高速の交互電流路を
形成する。これらの交互電流路はそれぞれ電流i!及び
12を流す。前記電流i1及び12は、それぞれトラン
ジスタ322及び324を通し〔プルアップ抵抗器32
6及び328 K流れ、そして抵抗6札 326及び328の両端間にそれぞえ発生した電圧は比
較器140の差動入力端に印加される。
That is, the collectors of each pair of differentially coupled transistors are connected to the collectors of the other pair, alternately directly connected and cross-connected, forming two collector current paths. In other words, if each differentially coupled transistor pair is sequentially numbered 5 to correspond to each monotonically increasing conversion reference voltage it receives, then the collectors of the even numbered transistor pairs on each side of this array are joined together;
The collectors of the odd numbered transistors on each side of the array are then cross-coupled. The collectors on each side of the array are further interconnected to form a collector current path on each side. These two collector current paths are then each connected to one of the emitters in the transistor pair, and their bases are connected to Idori. The only exception is the differential amplifier cells 10 and 20, each of which In FIG. 3, the differentially coupled transistor pairs form fast alternating current paths. These alternating current paths carry currents i! and 12, respectively. The currents i1 and 12 are passed through transistors 322 and 324, respectively [pull-up resistor 32
6 and 328 K currents and the voltages developed across resistors 326 and 328, respectively, are applied to the differential inputs of comparator 140.

動作において、奇数の電流は、比較器の入力に結合され
た電流出力ノードで加算される。第3図の回路において
は、トランジスタ310及び320から成る差動結合ト
ランジスタ対に結合された電流源300が、奇数電流を
形成する。他のセル、例えば、第4図及び第5図に示さ
れたものに対し〔は、偶数の閾値及び差動結合トランジ
スタ対がある。
In operation, odd currents are summed at the current output node coupled to the input of the comparator. In the circuit of FIG. 3, a current source 300 coupled to a differentially coupled transistor pair consisting of transistors 310 and 320 produces an odd current. Other cells, such as those shown in FIGS. 4 and 5, have an even number of thresholds and differentially coupled transistor pairs.

これらのセルにおいて、接地結合差動増幅器°ダミー”
差動増幅器は奇数の電流を有する状11に合致すること
が要求される。特k、第4図及び第5図の回路における
電流源330及び340は、常たこの配列の一方の儒に
切り替えられ°Cいる。
In these cells, a ground-coupled differential amplifier °dummy”
The differential amplifier is required to meet condition 11 with an odd number of currents. In particular, current sources 330 and 340 in the circuits of FIGS. 4 and 5 are always switched to one side of the arrangement.

変換基準電圧間の差動電圧は十分大きいので、各差動増
幅器は100%スイッチとして動作することができる。
The differential voltage between the conversion reference voltages is large enough that each differential amplifier can operate as a 100% switch.

各差動増幅器セルは次の様に動作する。すなわち、並列
差動増幅器の一方の側における入力アナログ信号vts
tの振幅が、増幅器の他の側でそのセルによって受信さ
れた変換基準電圧の1つに実質上等しいとき、′ダミー
”増幅器を含む差動増幅器は、同一数の電流が差動増幅
器の各側で引き出されるように完全に切り替えられる。
Each differential amplifier cell operates as follows. That is, the input analog signal vts on one side of the parallel differential amplifier
When the amplitude of t is substantially equal to one of the converted reference voltages received by that cell on the other side of the amplifier, a differential amplifier, including a 'dummy' amplifier, will have the same number of currents flowing through each of the differential amplifiers. Fully switchable to pull out on the side.

。 そのとき、各側のこれらの電流は出力差動電流に加算さ
れる。差動増幅器セルには常に奇数の電流があるので、
一方の側で完全に切り替わらない残りの奇数差動増幅器
がある。残りの差動増幅器は、その電流が各側、例えば
トランジスタ322及び324を通して等しくなるよう
にする。これは平衝状態を形成し、そし゛〔比較器の差
動入力に印加された信号は等しい電圧を有する。しかし
ながら、もし入力電圧v、、 6を受信した変換基準電
圧よりもわずかに小さいか、又は大きければ、差電圧が
比較器人力端に印加される。たとえ各差動増幅器が完全
切り替えのためKはぼ200mV を必要とし“〔も、
その平衡はサンプリング比較器の高利得によつ゛C任意
に解決することができる。選択された変換基準電圧より
もわずかに小さいか、又は大きい人力アナログ電圧V!
にに対して比較器出力には極性差が生ずる。この極性は
、閾値の奇数又は偶数に対応する。例として、第6図囚
はJ第2図の差動増幅器セル5o(M=4Nc相当する
セルを示し・〔いる。単調増加入力アナログ信号の関数
とし゛〔サンプリング比較器350に印加される信号(
V cUt )は、第6図の)に示されCいる。上述し
たよう11c、Vout  +t、受信した変換基準電
圧の1つに実質上等しい入力アナログ電圧に応答し゛C
1零電圧を逐1する。このセルのために生じるディジタ
ル出力は、第6図0に示されている。
. These currents on each side are then added to the output differential current. Since there is always an odd number of currents in the differential amplifier cell,
There are remaining odd differential amplifiers that do not switch completely on one side. The remaining differential amplifiers ensure that the currents are equal through each side, eg, transistors 322 and 324. This forms an equilibrium state and the signals applied to the differential inputs of the comparator have equal voltages. However, if the input voltage v, , 6 is slightly less than or greater than the received conversion reference voltage, a differential voltage is applied to the comparator power terminal. Even if each differential amplifier requires K approximately 200mV for complete switching,
The balance can be arbitrarily resolved by the high gain of the sampling comparator. A human analog voltage V! that is slightly smaller or larger than the selected conversion reference voltage!
A polarity difference occurs in the comparator output. This polarity corresponds to an odd or even number of thresholds. As an example, FIG. 6 shows a cell corresponding to the differential amplifier cell 5o (M=4Nc) in FIG.
V cUt ) is shown in ) in FIG. 11c, Vout +t, is responsive to an input analog voltage substantially equal to one of the received conversion reference voltages, as described above.
1 Zero voltage one by one. The digital output produced for this cell is shown in FIG. 60.

本発明の実施例による差動増幅器において32以上の差
動トランジスタ対が使用されるとき、隣接差動トランジ
スタ対の閾値は相互に非常に接近し°〔いる。換言する
と、多数の素子が一度にスイッチングされるほどに、I
I次次子子スイッチングは相互に接近し〔生じる。スイ
ッチングの間、素子の利得は減少させられる。この現象
は、差動増幅器セル全体の実効利得を減少させる。実質
上減少した実効利得のためK、受信したデータな差動増
幅器セルから識別することは困難である。従って、この
問題は、例えば第7G図及び第7 HvAic示すよう
に、セル内の差動増幅器の最大数を、256フルスケー
ルアナログ電圧に対し°C32に制限することKよって
解決することができた。これは、80mVの最小閾値間
隔を与える。出力ビット当り32以上の量子化レベルを
割り当゛CるためK、ビット7及び8(M=7及び8)
に対する差動増幅器セルが第2図に示され°〔いる。特
に、M=7の場合に単調増加変換基準電圧は、2つの差
動増幅器セル80及び90に交互に印加される。次にこ
れらセルからの出力は関連した比較器によって増幅され
、そし°〔比較器の出力は第7の符号化ビットを発生す
るために、例えば排他的NORゲート400及び450
 kよつ゛C1論理的に組み合わされる。M=8の場合
に単調増加変換基準電圧は、4つの差動増幅器セル10
0.110.120.130の間にある。M=7の場合
と同様K、セル100.110.120゜130 KI
l*L fsh*r;tfPtBカkt@目的1tc@
−’s+bされる。例えば、差動増幅器セル100及び
130からの各出力は、排他的NORゲート500及び
550によつ゛(論理的に組み合わされ、セル110及
び120からの各出力は排他的NORゲート530及び
540によつ°C論理的に組み合わされ、そして排他的
NORゲートの各出力はさらにORゲート510及び5
20によって論理的に組み合わされて、最終的にビット
8を発生する。
When more than 32 differential transistor pairs are used in a differential amplifier according to an embodiment of the present invention, the threshold values of adjacent differential transistor pairs are very close to each other. In other words, the more elements are switched at once, the more I
I order child switching occurs close to each other. During switching, the gain of the device is reduced. This phenomenon reduces the effective gain of the entire differential amplifier cell. Due to the substantially reduced effective gain, K is difficult to distinguish from the received data differential amplifier cell. Therefore, this problem could be solved by limiting the maximum number of differential amplifiers in the cell to 32 °C for 256 full-scale analog voltages, as shown for example in Figures 7G and 7 HvAic. . This gives a minimum threshold interval of 80 mV. K to allocate more than 32 quantization levels per output bit, bits 7 and 8 (M = 7 and 8)
A differential amplifier cell is shown in FIG. In particular, for M=7, monotonically increasing conversion reference voltages are applied alternately to the two differential amplifier cells 80 and 90. The outputs from these cells are then amplified by associated comparators, and the outputs of the comparators are then amplified by e.g.
k and C1 are logically combined. For M=8, the monotonically increasing conversion reference voltage is divided into four differential amplifier cells 10
It is between 0.110.120.130. As in the case of M=7, K, cell 100.110.120°130 KI
l*L fsh*r;tfPtBkakt@purpose1tc@
-'s+b is done. For example, each output from differential amplifier cells 100 and 130 is logically combined through exclusive NOR gates 500 and 550, and each output from cells 110 and 120 is logically combined through exclusive NOR gates 530 and 540. are logically combined, and each output of the exclusive NOR gate is further OR gate 510 and 5
20 to finally produce bit 8.

個々の差動増幅器セルに結合された変換基準電圧は、第
3.4,5.6図、そして特に第7A−H図に示されて
いる。所定の差動増幅器セルにおける80mV の最小
閾値間隔は、ビット毎に十分な利得を保証する。2つの
最下位ビットに対し゛〔32の差動増幅器セルの各組に
印加される基準電圧は、任意のセルの基準電圧の関に8
0mVの最小間隔を形成するためにずらされる。最小ビ
ットγおける4組の変換基準電圧の論理組み合せは、2
0mVの間隔で128量子化レベルの分解能を形成する
The conversion reference voltages coupled to the individual differential amplifier cells are shown in Figures 3.4, 5.6, and especially Figures 7A-H. A minimum threshold spacing of 80 mV in a given differential amplifier cell ensures sufficient gain on a bit-by-bit basis. For the two least significant bits, the reference voltage applied to each set of 32 differential amplifier cells is 8
offset to form a minimum spacing of 0 mV. The logical combination of the four sets of conversion reference voltages at the minimum bit γ is 2
A resolution of 128 quantization levels is formed at intervals of 0 mV.

第8図は前記サンプリング比較器140及び150、そ
れにデータラッチ180及び190の詳1ワ菅’る。
FIG. 8 shows details of the sampling comparators 140 and 150, and data latches 180 and 190.

第2図における差動増幅器セル10からの差出力は、入
力IN及びINBを経°Cサンプリング比較器140及
び150に導入される。クロック信号OL)が高状!I
(tzV)kあり、そり、−(OLKB が低状11(
3,6V)にあるとき、+5V基準電源から抵抗器RI
A及びトランジスタQZA 誉通つ゛CIN人力に電流
が流れる。又、5v基準電源から抵抗器R2A及びトラ
ンジスタQIAを通ってINB人力にも電流が流れる。
The differential output from differential amplifier cell 10 in FIG. 2 is applied to inputs IN and INB into temperature sampling comparators 140 and 150. Clock signal OL) is high! I
(tzV)k, warp, -(OLKB is low 11(
3,6V), from the +5V reference supply to resistor RI
A and transistor QZA Current flows through CIN. Current also flows from the 5V reference power supply through resistor R2A and transistor QIA to the INB power supply.

これKより前記比較器140は比較モード又はサンプリ
ングモードになる。そし°(IN入力とINB入力との
差電流により、トランジスタQ2AとQIAの各コレク
タの間に差電圧が生じる。
From this K, the comparator 140 enters a comparison mode or a sampling mode. The differential current between the IN and INB inputs then creates a differential voltage between the respective collectors of transistors Q2A and QIA.

抵抗器RIB及びR2Bは比較的小さな抵抗値・1 を有シ゛〔いるので、Q2A及びQIAのコレクタにお
ける電圧はそれぞれトランジスタQ5及びQ6のベース
に印加される。トランジスタQ5及びQ6はエミッタ・
ホロワ−として結合されるので、それらのベースに印加
された差電圧は個々のエミッタに現われる。トランジス
タQ9及びQIOのエミッタは、それぞれトランジスタ
Q5及びQ6のエミッタに結合され、そして、ゼナーダ
イオードとし′〔動作する。はぼ50〜100mVの差
電圧を有するエミッタにおけるはぼ4vの信号は、それ
らのベースすなわち比較器140の差出力でほぼ一2v
の信号に変換される。
Since resistors RIB and R2B have a relatively small resistance value .multidot.1, the voltage at the collectors of Q2A and QIA is applied to the bases of transistors Q5 and Q6, respectively. Transistors Q5 and Q6 are emitter
Since they are coupled as followers, the differential voltage applied to their bases appears at the individual emitters. The emitters of transistors Q9 and QIO are coupled to the emitters of transistors Q5 and Q6, respectively, and operate as Zener diodes. A signal of about 4V at the emitters with a differential voltage of about 50-100mV will have a voltage of about 2V at the differential output of their bases, i.e. comparator 140.
signal.

前記サンプリング比較器140 kおける比較機能は、
ベースがそれぞれ前記トランジスタQ5及びQ6のエミ
ッタに結合され゛〔いるトランジスタQ1及びQ2によ
って実行される。電流源のトランジスタQ16及びその
エミッタVC接続された3にΩの抵抗器に流れる小さな
一定電流は、差動結合トランジスタ対Q1及びQ2のエ
ミッタにほぼ150μ人の電流を供給する。IN入力及
びINB入力に流れる電流の差から生じるトランジスタ
Q5及びQ6のエミッタ間の電圧差は、トランジスタQ
1及びQ2のベース間の電圧差として現われる。トラン
ジスタQ1及びQ2のコレクタは、それぞれトランジス
タQ6及びQ5のベースに接続されで、正帰還ループを
形成する。特に、INB人カの電流が減少すれば、抵抗
器R2Aの電圧降下は減少し′〔、トランジスタQ6の
ベース及びエミッタの電圧、それにトランジスタQ2の
ベースの電圧を増加させる。トランジスタQ2における
ベース電圧の増加は、抵抗器RIA及びR2λに追加の
電流を流し、そし゛CトランジスタQ5のベース及びエ
ミッタの電圧、それにトランジスタQ1のベースの電圧
をそれぞれ減少させる。1より小さなループ利得を保つ
よ5に電流源の値が選択される。こノヨウにして差動結
合トランジスタQ 1 及ヒQ 2は、高利得増幅器と
し〔動作し、かつサンプリング比較!6140ハ、OL
Kの高信号及びcLKBの低信号に応答し゛Cサンプリ
ング及び比較モードの動作をする。
The comparison function in the sampling comparator 140k is as follows:
This is implemented by transistors Q1 and Q2 whose bases are coupled to the emitters of said transistors Q5 and Q6, respectively. A small constant current flowing through the current source transistor Q16 and its emitter VC-connected 3Ω resistor supplies approximately 150μ current to the emitters of the differentially coupled transistor pair Q1 and Q2. The voltage difference between the emitters of transistors Q5 and Q6 resulting from the difference in current flowing to the IN input and INB input is
It appears as a voltage difference between the bases of Q1 and Q2. The collectors of transistors Q1 and Q2 are connected to the bases of transistors Q6 and Q5, respectively, forming a positive feedback loop. Specifically, as the INB current decreases, the voltage drop across resistor R2A decreases, causing the voltage at the base and emitter of transistor Q6 and the voltage at the base of transistor Q2 to increase. The increase in the base voltage across transistor Q2 causes additional current to flow through resistors RIA and R2λ, and reduces the voltage at the base and emitter of transistor Q5 and the base of transistor Q1, respectively. The current source value is chosen to be 5 to keep the loop gain less than 1. The differential coupling transistors Q 1 and Q 2 operate as high gain amplifiers and perform sampling comparison! 6140ha, OL
In response to a high signal on K and a low signal on cLKB, it operates in the C sampling and comparison mode.

前記比較a140は、またクロックOLKの低信号及び
0LKB  の高信号に応答し°Cラッチモードの動作
をする。4!l、OLKの低信号は、トランジスタQ2
A及びQIAがそれぞれのIN入力及びINB入力に流
れる電流を停止させる。さらK、前記CLKBの高信号
(−0,8V)K対応する0LKB’ の高信号は、ト
ランジスタQ13のベースに供給される。そしてトラン
ジスタQ13は、トランジスタQ1及びQ2のエミッタ
に比較的大きな電流を供給する。この比較的大きな電流
によつ°C、ループ利得は1より大きくなり、トランジ
スタQ1及びQ2におけるベース電圧間の相対的な不平
衡に依存する2つの状態のうちの一方にロックされる。
The comparator a140 also operates in the °C latch mode in response to the low signal of the clock OLK and the high signal of 0LKB. 4! l, OLK low signal is transmitted through transistor Q2
A and QIA stop the current flowing to their respective IN and INB inputs. Furthermore, the high signal of 0LKB' corresponding to the high signal of CLKB (-0,8V) K is supplied to the base of transistor Q13. Transistor Q13 then supplies a relatively large current to the emitters of transistors Q1 and Q2. This relatively large current causes the loop gain to be greater than 1 in °C and is locked into one of two states depending on the relative imbalance between the base voltages in transistors Q1 and Q2.

比較器150は1.相補状態で動作する。特に、比較器
150は高レベルのクロック信号0LKB に応答し゛
〔サンプル及び比較モードの動作を行い、そし・〔高(
−0,8)状態に達するレベルを除いてOLK信号に対
応するクロックOLK’信号に応答し〔ラッチ及びホー
ルドモードの動作を行う。
The comparator 150 is 1. Operates in complementary state. In particular, comparator 150 responds to a high level clock signal 0LKB and operates in a sample and compare mode;
-0, 8) except for the level reaching the OLK signal, the latch and hold mode operation is performed in response to the clock OLK' signal corresponding to the OLK signal.

データラッチ180の入力は、前記サンプリング比較器
140のレベルシフタ・トランジス/”Q9及びQIO
K結合され′Cいる。トランジスタQ20及びQ21か
ら成る差動増幅器に供給される前記の入力信号は、トラ
ンジスタQ20のコレクタで単一レベルの出力に復元さ
れる。この復元信号は、周知のgFL  R8ラッチに
印加される。このラッチは、「■BBE  ジャーナル
・オブ・ソリッド・ステート・サーキュットJ 197
3年10月、vol。
The inputs of the data latch 180 are connected to the level shifter transistors Q9 and QIO of the sampling comparator 140.
K-bonded 'C'. The input signal applied to the differential amplifier consisting of transistors Q20 and Q21 is restored to a single level output at the collector of transistor Q20. This restore signal is applied to the well known gFL R8 latch. This latch is "■ BBE Journal of Solid State Circuit J 197
October 3rd, vol.

80−8.No、5でスコーカン氏による論文[エミッ
タ・ファンクション・ロジック・ロジック・ファミリ・
フォアL8IJに記載されている。
80-8. No. 5 is a paper by Mr. Skokan [Emitter Function Logic Logic Family]
It is described in Fore L8IJ.

本発明の実施例では、256個の差動増幅器配列とし′
〔構成され〔いる。そし°C各差動増幅器における各コ
レクタは、第2図に示すよう[26個のサンプラー比較
器回路内で結合され°〔いる。各サンプラー比較器回路
は、6個の排他的NORゲート及び18個の出力バッフ
ァを駆動する。さらに、付加回路が上記各回路のための
クロック及びバイ□   アス電圧を供給する。Is9
図は、差動増幅器セルで使用される基本的な差動増幅器
を示し′〔いる。
In an embodiment of the present invention, an array of 256 differential amplifiers is used.
[is composed of] The collectors in each differential amplifier are then coupled in a 26 sampler comparator circuit as shown in FIG. Each sampler comparator circuit drives 6 exclusive NOR gates and 18 output buffers. Additionally, additional circuitry provides clock and bias voltages for each of the above circuits. Is9
The figure shows a basic differential amplifier used in a differential amplifier cell.

この基本的な差動増幅器は、能動電流源を有する差動対
から構成され・Cいる。
This basic differential amplifier consists of a differential pair with an active current source.

本発明の上記実施例に用いられる付加回路の詳細な回路
図は第1O〜16図に示され゛〔いる。これらの回路は
、第12図のバイアス供給回路を除い°〔標準EFLラ
イブラリー回路である。このバイアス供給回路は、それ
が低電圧を供給するのを除いて、第11図に示したvC
8供給回路と同じである。前記の低電圧は、A/Dアレ
イの電流源を駆動するために必要である。A/D差動増
幅器セルは、わずか200μへの電流で動作するので低
電圧を必要とする。前述のように必要な電流が小さいの
で、したがつ′〔抵抗は小さく、そし・C増幅器セルを
配列した集積回路の寸法も小さくできる。
Detailed circuit diagrams of the additional circuitry used in the above embodiments of the invention are shown in FIGS. 10-16. These circuits, except for the bias supply circuit of FIG. 12, are standard EFL library circuits. This bias supply circuit, except that it supplies the low voltage vC
8 supply circuit. Said low voltage is necessary to drive the current sources of the A/D array. A/D differential amplifier cells operate with currents as low as 200μ and therefore require low voltages. As mentioned above, since the required current is small, the resistance is small and the size of the integrated circuit in which the amplifier cells are arranged can be small.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図囚〜■はアナログ入力電圧の関数とし′〔グレイ
コードのビット値kll達したディジタル波形図、ts
z図は本発明の一実施例によるダイレクト・フラッシュ
形変換器の構成を示すブロック図。 第3図は第2図に示した差動増幅器セル20の詳細回路
図、第4図は同じく差動増幅器セル′30の詳細回路図
、第5図は差動増幅器セル40の詳細回路図、第6図囚
は差動増幅器セル50の詳細回路図で、(Blはその出
力アナログ電圧(Vout)の波形図、0は前記アナロ
グ電圧(Vout) K関連したディジタル出力図であ
る。第7A〜第7H図は第2図に示した差動増幅器セル
におい“〔各セルの左lid変換基準電圧を示したブロ
ック図、第8図は第2図に示したサンプリング比較器1
40.150及びデニタラツチ180.190の詳細回
路図、第9図は差動増幅器セルに使用され°〔いる差動
増幅器の基本回路図、第10図はEFL/EOL@路の
詳細回路図、第11図はVC8発生器の回路図、第12
図はvas’発生器の回路図、jv13図はVbzバッ
ファ回路の回路図、第14図は排他的NOR回路の回路
図、第15図はクロック信号発生器、第16図はVbz
発生器の回路図である。 300、330 :電流源 8馳9人 槓河・ヒユーレフト・パlカード株式会社代
理人4F8!士長谷川に男 nσ−7 F/に、3        FB 4゛(Aノ bリ−6 b嶋−5 FIG  70      FIG 7DF/に−7F
    FIG  ?に    F/に  7N/Ml
         rum FIG−θ F/に=9 F/に−10F/GJ/
Figure 1 ~■ is a function of analog input voltage' [Digital waveform diagram when gray code bit value kll is reached,
FIG. z is a block diagram showing the configuration of a direct flash type converter according to an embodiment of the present invention. 3 is a detailed circuit diagram of the differential amplifier cell 20 shown in FIG. 2, FIG. 4 is a detailed circuit diagram of the differential amplifier cell '30, and FIG. 5 is a detailed circuit diagram of the differential amplifier cell 40. FIG. 6 is a detailed circuit diagram of the differential amplifier cell 50, (Bl is a waveform diagram of its output analog voltage (Vout), and 0 is a digital output diagram related to the analog voltage (Vout). FIG. 7H is a block diagram showing the left lid conversion reference voltage of each cell in the differential amplifier cell shown in FIG.
40.150 and Denitaratch 180.190, Fig. 9 is a basic circuit diagram of a differential amplifier used in a differential amplifier cell, Fig. 10 is a detailed circuit diagram of an EFL/EOL@ path, Fig. Figure 11 is the circuit diagram of the VC8 generator, Figure 12
The figure shows the circuit diagram of the vas' generator, the jv13 figure shows the circuit diagram of the Vbz buffer circuit, the figure 14 shows the circuit diagram of the exclusive NOR circuit, the figure 15 shows the clock signal generator, and the figure 16 shows the Vbz buffer circuit.
FIG. 2 is a circuit diagram of a generator. 300, 330: Current source 8, 9 people, Hirugawa Hiyu Left Pal Card Co., Ltd. agent 4F8! Shihasegawa nσ-7 F/ni, 3 FB 4゛(A Nob Lee-6 b Shima-5 FIG 70 FIG 7DF/ni-7F
FIG? to F/to 7N/Ml
rum FIG-θ F/=9 F/-10F/GJ/

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)所定のスルーレートをもつアナログ信号に対応し
たディジタル信号を得るアナログ・ディジタル・グレイ
コード符号器で次の(イ)、(ロ)を具えたダイレクト
・フラッシュ形A/D変換器。 (イ)印加されたアナログ信号を最下位ビットから最上
位ビットの並列ピッHC変換して並列出力を得る符号化
手段、 (ロ)前記符号器の電圧に応答し、そしCスルーレート
の増加につれて最下位ビットから最上位ビットに向つ′
〔ビット精度の損失をもつ並列ビットの出力を得る増幅
手段。
(1) A direct flash type A/D converter that is an analog-digital Gray code encoder that obtains a digital signal corresponding to an analog signal with a predetermined slew rate, and is equipped with the following (a) and (b). (a) an encoding means for converting the applied analog signal from the least significant bit to the most significant bit in parallel to obtain a parallel output; (b) responsive to the voltage of the encoder and as the C slew rate increases; From the least significant bit to the most significant bit′
[Amplifying means for obtaining a parallel bit output with loss of bit precision.
(2)前記符号化手段は次の(イ)、1口)を含み、(
イ)nと共に単調増加する2N−1の基準電圧を与える
電源(但しNはOより大きい整数、nは1くn<:2’
−1で前記基準電圧の所定の−・つを示す整数)。 (ロ)前記基準電圧のレベルと比較されるアナログ信号
の振幅に応答して第1.第2の出力電圧を生ずる複数個
の偶、奇各比較器、そし゛C前記増幅手段は (ハ)前記複数個の奇数比較器の第1出力電圧及び複数
個の偶数比較器の第2出力電圧を受信する第1入力端と
、 に)前記複数個の偶数比較器の第1出力電圧及び複数個
の奇数比較器の第2出力電圧を受信する第2入力端、 とを具備し゛〔成る前記特許請求の範囲第1項記載のダ
イレクト・フラッシュ形A/D変換器。
(2) The encoding means includes the following (a), one entry), and (
b) A power supply that provides a reference voltage of 2N-1 that increases monotonically with n (however, N is an integer greater than O, n is 1 and n<:2'
an integer in which -1 indicates a predetermined number of the reference voltages). (b) in response to the amplitude of the analog signal being compared with the level of the reference voltage; a plurality of even and odd comparators that produce a second output voltage; a first input terminal for receiving a voltage; and a second input terminal for receiving a first output voltage of the plurality of even comparators and a second output voltage of the plurality of odd comparators. A direct flash type A/D converter according to claim 1.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0629852A (en) * 1992-04-20 1994-02-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd Folding circuit and a-d converter utilizing the same
KR970705872A (en) * 1995-07-11 1997-10-09 요트. 게. 아. 롤페즈 An analog-to-digital converter for generating a digital N-bit gray code.
KR19990018936A (en) * 1997-08-28 1999-03-15 윤종용 Analog-to-digital conversion circuit

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0629852A (en) * 1992-04-20 1994-02-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd Folding circuit and a-d converter utilizing the same
KR970705872A (en) * 1995-07-11 1997-10-09 요트. 게. 아. 롤페즈 An analog-to-digital converter for generating a digital N-bit gray code.
KR19990018936A (en) * 1997-08-28 1999-03-15 윤종용 Analog-to-digital conversion circuit

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