JPS63316052A - Photographic developing device - Google Patents
Photographic developing deviceInfo
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011022 opal Substances 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004061 bleaching Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
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- Photographic Processing Devices Using Wet Methods (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、感光材料へ反転露光を行う写真現像装置に関
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a photographic developing apparatus that performs reversal exposure on a photosensitive material.
撮影されたネガフィルムへ直接透明陽画を得る場合や、
カラーリバーサルペーパーへ陽画カラー画像を形成する
場合には、現像処理の途中で感光材料へいわゆる反転露
光を行う必要がある。When obtaining transparencies directly onto photographed negative film,
When forming a positive color image on color reversal paper, it is necessary to perform so-called reversal exposure on the photosensitive material during the development process.
この反転露光手段としては、一般的に蛍光灯やエレクト
ロフラッシュを用いている。As this reversal exposure means, a fluorescent lamp or an electroflash is generally used.
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、反転露光手段として、蛍光灯やエレクト
ロフラッシュを用いると、蛍光灯やエレクトロフラッシ
ュは比較的大型であるため露光部分に大きなスペースを
必要とし、この露光部を現像槽内へ設置するのは困難で
あり現像槽に隣接して露光部を設けねばならない。(Problem to be Solved by the Invention) However, when a fluorescent lamp or an electroflash is used as a reversal exposure means, a large space is required for the exposed area because the fluorescent lamp or electroflash is relatively large. It is difficult to install this in the developer tank, and an exposure section must be provided adjacent to the developer tank.
また蛍光灯やエレクトロフラッシュを用いる場合には、
光漏れ防止用の遮光板を設けて現像槽内へ光が漏れない
ようにする必要がある。Also, when using fluorescent lights or electroflash,
It is necessary to provide a light shielding plate to prevent light from leaking into the developing tank.
本発明は上記事実を考慮し、反転露光手段を小型にして
現像槽内へ設置することができる写真現像装置を得るこ
とが目的である。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-mentioned facts, it is an object of the present invention to provide a photographic developing apparatus in which the reversal exposure means is made small and can be installed in a developing tank.
〔問題点を解決するための手段］
上記目的を達成するため本発明では、感光材料へ反転露
光を行う写真現像装置であって、発光波を感光させるよ
うに感光材料の搬送方向と交叉する方向に沿って並設さ
れることを特徴としている。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention provides a photographic developing device that performs reversal exposure on a photosensitive material, and is provided with a photographic developing device that exposes a photosensitive material in a direction intersecting the direction of conveyance of the photosensitive material so as to expose the emitted light wave to light. It is characterized by being installed in parallel along the
感光材料の搬送方向と交叉する方向に沿って並設された
、発光波長の異なる複数個の発光ダイオードからの光に
よって、感光材料の感光層の幅方向全域が感光され、感
光材料へ反転露光が行われる。The entire width of the photosensitive layer of the photosensitive material is exposed by light emitted from a plurality of light emitting diodes with different emission wavelengths, which are arranged in parallel along the direction intersecting the transport direction of the photosensitive material, and the photosensitive material is subjected to reverse exposure. It will be done.
このように本発明では露光手段として発光波長の異なる
複数個の発光ダイオードを感光材料の搬送方向に沿って
並設するので、反転露光手段を小型にして現像槽内へ設
置することができる。As described above, in the present invention, since a plurality of light emitting diodes having different emission wavelengths are arranged in parallel along the conveying direction of the photosensitive material as the exposure means, the reversal exposure means can be made small and installed in the developer tank.
また、発光波長の異なる複数個の発光ダイオードからの
光を混合手段によって混合した後感光材料の感光層へ露
光することにより、感光材料へ、発光ダイオードの光を
むらなく入射させることができ、感光材料の感光層をむ
らなく露光し感光させることができる。In addition, by mixing light from a plurality of light emitting diodes with different emission wavelengths using a mixing means and then exposing the photosensitive layer of the photosensitive material, the light from the light emitting diodes can be evenly incident on the photosensitive material. The photosensitive layer of the material can be exposed and sensitized evenly.
第１図には本発明が適用された現像装置１０が示されて
いる。FIG. 1 shows a developing device 10 to which the present invention is applied.
この現像装置１０ではタンク１２内へラック１４が挿入
された状態となっている。ラック１４は一対の側板１６
（手前側の側板１６は図示省略）が設けられ、これらの
側板１６間へブロック１８が掛渡され、感光材料２０の
スリット状案内通路２２を形成している。感光材料２０
は挟持ロール２４．２６で挟持されると共に挟持ロール
２６へ約１／４円周に渡って巻掛けられて垂直下方へ案
内され、案内ロール２８，３０．３２を通って折返しロ
ール３４で折返されるようになっている。In this developing device 10, a rack 14 is inserted into a tank 12. The rack 14 has a pair of side plates 16
(The side plates 16 on the near side are not shown) are provided, and a block 18 is spanned between these side plates 16 to form a slit-shaped guide passage 22 for the photosensitive material 20. Photosensitive material 20
is held between the holding rolls 24, 26, wrapped around the holding rolls 26 over approximately 1/4 circumference, guided vertically downward, passed through the guide rolls 28, 30, 32, and folded back by the folding roll 34. It has become so.
さらに折返された感光材料２０は案内ロール３６゜３０
．２８で案内された後に挟持ロール４２．４４で挟持さ
れて次工程へと送られるようになっている。Further, the folded photosensitive material 20 is placed on a guide roll 36°30
．． After being guided by 28, it is held between holding rolls 42 and 44 and sent to the next process.
案内ロール２日から下方へ送られる感光材料２０はタン
ク１２内へ注入された現像液４６へ浸漬されて第２現像
が行われる。The photosensitive material 20, which is sent downward from the guide roll 2, is immersed in the developer 46 poured into the tank 12 to perform a second development.
ブロック１８の上端部には発光ダイオードアレー（以下
ＬＥＤアレーと称す）４８が配置されている。第２図に
示される如くこのＬＥＤアレー４８は発光波長の異なる
３種類の発光ダイオード５０．５２．５４が合成樹脂等
により一体化されている。これらの発光ダイオード５０
，５２．５４は感光材料２０の搬送方向と交叉する方向
に沿って配列されて一体化されている。A light emitting diode array (hereinafter referred to as an LED array) 48 is arranged at the upper end of the block 18 . As shown in FIG. 2, this LED array 48 includes three types of light emitting diodes 50, 52, and 54 having different emission wavelengths, which are integrated using synthetic resin or the like. These light emitting diodes 50
, 52 and 54 are arranged and integrated along a direction intersecting the direction in which the photosensitive material 20 is transported.
発光ダイオード５０はガリウム・ヒ素（ＧａＡＳ）基板
上にカリウム（Ｇ ａ ） ０．６５、アルミニウム（
Ａ １ ） ０．３５、ヒ素（Ａｓ）の結晶層をシング
ルへテロによる液相エピタキシャル法により成長させて
作られている；この発光ダイオード５０は発光波長が６
６０ｎｍであり、発光効率２．ＩＩ！、ｍ／Ｗで赤色の
光を発光する。第２図にはＲで表示されている。The light emitting diode 50 is made of potassium (G a ) 0.65 and aluminum (
A1) 0.35, it is made by growing a crystal layer of arsenic (As) by a single hetero liquid phase epitaxial method; this light emitting diode 50 has an emission wavelength of 6
60 nm, and the luminous efficiency is 2. II! , m/W and emits red light. It is marked R in FIG.
発光ダイオード５２は酸化アルミニウム（Ａ２□Ｏｆｆ
）基板上にガリウム・窒素（ＧａＮ）の結晶層を気相
エピタキシャル法により成長させて作られている。この
発光ダイオード５２は発光波長が４９ｏｎ−であり、発
光効率０．１４４！ｍ／ｗで青色の光を発光する。第２
図にはＢで表示している。The light emitting diode 52 is made of aluminum oxide (A2□Off
) It is made by growing a gallium-nitrogen (GaN) crystal layer on a substrate by vapor phase epitaxial method. This light emitting diode 52 has a light emission wavelength of 49 on- and a light emission efficiency of 0.144! Emits blue light at m/w. Second
It is indicated by B in the figure.
発光ダイオード５４はガリウム・リン（ＧａＰ）基板上
にガリウム・リン（ＧａＰ）の結晶層を液相エピタキシ
ャル法により成長させて作られている。この発光ダイオ
ード５４は発光波長が５５５ｎｍであり、発光効率１．
４Ｉ！、ｍ７ｗで緑色の光を発光する。第２図にはＧで
表示されている。The light emitting diode 54 is made by growing a gallium phosphide (GaP) crystal layer on a gallium phosphide (GaP) substrate by a liquid phase epitaxial method. This light emitting diode 54 has a light emission wavelength of 555 nm and a light emission efficiency of 1.
4I! , m7w emits green light. It is indicated by G in FIG.
これらの発光ダイオード５０〜５４は第２図に示すよう
にＲ，Ｂ、Ｇの順に複数個配列されている。この配列は
Ｌ巳Ｄアレー４８の全体的な発光がほぼ同レベルの光量
になるようにされている。A plurality of these light emitting diodes 50 to 54 are arranged in the order of R, B, and G as shown in FIG. This arrangement is such that the overall light emission of the L/D array 48 has approximately the same level of light intensity.
これらの発光ダイオード５０〜５４が合成樹脂等により
一体化されたＬＥＤアレー４８はタンク１２の外方に設
置された図示しない電源へ接続されている。このＬＥＤ
アレー４８は２〜５ｖの電圧が印加されて発光するよう
になっている。An LED array 48 in which these light emitting diodes 50 to 54 are integrated using synthetic resin or the like is connected to a power source (not shown) installed outside the tank 12. This LED
The array 48 emits light when a voltage of 2 to 5 V is applied thereto.
なおこれらの発光ダイオード５０〜５４の配列は、第７
図に示されるような順序で配列しても良い。Note that the arrangement of these light emitting diodes 50 to 54 is as follows.
They may be arranged in the order shown in the figure.
次に本実施例の作用を説明する。Next, the operation of this embodiment will be explained.
前工程において既に第１現像が行われた感光材料２０は
挟持ロール２４．２６で送り出され現像液４６内へ浸漬
される。感光材料２０が現像液４６へ入り込む前にＬＥ
Ｄアレー４８からの発光波長の異なる数種類の光を受け
て反転露光が行われる。この場合感光材料２０は、発光
ダイオード５０〜５４から発光される発光波長の異なる
光に夫々対応して感光する感光層の幅方向全域が感光す
ることで反転露光が行われる。この反転露光の行われた
感光材料２０は直ちに現像液４６内へ入り込んで第２現
像が行われた後に引出され、漂白等の次工程へと送られ
る。The photosensitive material 20, which has already been subjected to the first development in the previous step, is sent out by the nipping rolls 24, 26 and immersed in the developer 46. LE before the photosensitive material 20 enters the developer 46
Reversal exposure is performed by receiving several types of light having different emission wavelengths from the D array 48. In this case, the photosensitive material 20 is subjected to reversal exposure by exposing the entire width of the photosensitive layer that is exposed to light having different emission wavelengths emitted from the light emitting diodes 50 to 54, respectively. The photosensitive material 20 that has been subjected to this reversal exposure is immediately introduced into the developer 46, subjected to second development, and then taken out and sent to the next process such as bleaching.
反転露光の光源として使用されるＬＥＤアレー４８は、
発光波長の異なる発光ダイオード５０〜５２を複数個並
べて一体化されているので、比較的小型に製作される。The LED array 48 used as a light source for reverse exposure is
Since a plurality of light emitting diodes 50 to 52 having different emission wavelengths are arranged and integrated, the device can be manufactured relatively compactly.
これにより、ＬＥＤアレー４日を小スペースへ設置する
ことができるので現像槽１２内の設置が可能となってい
る。As a result, the LED array can be installed in a small space, so that it can be installed inside the developer tank 12.
次に本発明の第２実施例について説明する。Next, a second embodiment of the present invention will be described.
第２実施例は前記実施例のＬＥＤアレー４８を構成する
発光ダイオードの種類が異なっている。The second embodiment differs from the previous embodiment in the type of light emitting diodes constituting the LED array 48.
第２実施例のＬＥＤアレー５６は第３図に示されるよう
に前記実施例で用いた発光ダイオード５２と、発光ダイ
オード５８とが複数個づつ合成樹脂等で一体化されてい
る。As shown in FIG. 3, the LED array 56 of the second embodiment has a plurality of light emitting diodes 52 and light emitting diodes 58 used in the previous embodiment integrated with each other using synthetic resin or the like.
発光ダイオード５日は、ガリウム・リンＧａＰ）基板上
にガリウム・ヒ素（ＧａＡｓ）０．１５、リン（Ｐ ）
０．８５、窒素（Ｎ）の結晶層を気相エピタキシャル
法と拡散法を併用して成長させて作られている。この発
光ダイオード５８は発光波長５９０ｎ請であり、発光効
率１．ｌｊ！ｍ／ｗでヰＱ黄色の光を発光する。第３図
にはＯＹで表示されている。The light emitting diode 5 days is made of gallium arsenide (GaAs) 0.15, phosphorus (P) on a gallium phosphide (GaP) substrate.
0.85, is made by growing a crystal layer of nitrogen (N) using a combination of vapor phase epitaxial method and diffusion method. This light emitting diode 58 has a light emission wavelength of 590 nm and has a light emission efficiency of 1. lj! Emit yellow light at m/w. In FIG. 3, it is indicated by OY.
これらの発光ダイオード５２．５８は第３図に示すよう
にＢ、Ｂ、ＯＹの順に複数個配列されている。この配列
も前記実施例と同様にＬＥＤアレー５６の全体としての
発光がほぼ同しヘルの光量になるように配列されている
。A plurality of these light emitting diodes 52, 58 are arranged in the order of B, B, and OY as shown in FIG. This arrangement is also arranged so that the overall light emission of the LED array 56 is approximately the same amount of light as in the previous embodiment.
このＬＥＤアレー５６は前記実施例と同様に作用し、同
様の効果が得られる。This LED array 56 operates in the same manner as in the previous embodiment, and the same effects can be obtained.
なお発光ダイオード５２．５８の配列は第６図に示され
る順序で配列しても良い。Note that the light emitting diodes 52 and 58 may be arranged in the order shown in FIG.
また、前記実施例、第２実施例は一段であるが第８回に
示されるように多段に配列しても良く、この場合には感
光材料２０へ入射される発光ダイオードの光はむらなく
全体的に入射する。In addition, although the above embodiments and the second embodiment have one stage, they may be arranged in multiple stages as shown in the eighth example. In this case, the light from the light emitting diodes that is incident on the photosensitive material 20 is evenly distributed throughout the entire body. incident on the target.
次に本発明の第３実施例について説明する。Next, a third embodiment of the present invention will be described.
第３実施例では、前述したＬＥＤアレー４８゜５６から
発光される波長の異なる数種類の光を混合した後、感光
材料２０の表面へ入射させて、反転露光させるようにな
っている。In the third embodiment, several types of light having different wavelengths emitted from the LED array 48.degree.
第４図、第５図に示されるように、ＬＥＤアレー４８．
（５６）と、感光材料２０の感光面との間には混合ボッ
クス６０が配置されている。この混合ボックス６０は、
ＬＥＤアレー４８．（５６）の発光面に対向してオパー
ル板６２が配置され、感光材料２０の感光面に対向して
オパール板６４が配置されている。これらのオバー１等
反６２．６４の間は上下を白色板６６．６８で囲まれた
中空状とされている。As shown in FIGS. 4 and 5, the LED array 48.
(56) and the photosensitive surface of the photosensitive material 20, a mixing box 60 is arranged. This mixing box 60 is
LED array 48. An opal plate 62 is placed facing the light emitting surface of (56), and an opal plate 64 is placed facing the photosensitive surface of the photosensitive material 20. The space between these over 1st grade anti-circumflexes 62.64 is a hollow shape surrounded by white plates 66.68 on the upper and lower sides.
ン昆合ボ・ンクス６０により、ＬＥＤアレー４８から発
光した波長の異なる光は混合されて、感光材料２０へ入
射される。これにより感光材料２０の感光面へ、波長の
異なる光をむらなく全体的に入射させて、感光層をむら
なく感光させることができる。The combination box 60 mixes the lights of different wavelengths emitted from the LED array 48 and makes them incident on the photosensitive material 20 . Thereby, light having different wavelengths can be uniformly incident on the photosensitive surface of the photosensitive material 20, and the photosensitive layer can be evenly exposed.
〔発明の効果］
以上説明したように本発明では、感光材料へ反転露光を
行う写真現像装置であって、発光波長の光させるように
感光材料の搬送方向と交叉する方向に沿って並設される
ことを特徴としているので反転露光手段を小型にして現
像槽内へ設置することができるという優れた効果が得ら
れる。[Effects of the Invention] As explained above, the present invention is a photographic developing device that performs reversal exposure on a photosensitive material, and which is arranged in parallel along a direction intersecting the conveying direction of the photosensitive material so as to emit light of the emission wavelength. This feature provides an excellent effect in that the reversal exposure means can be made smaller and installed within the developer tank.
第１図は本発明に係る写真現像装置の実施例を示す縦断
面図、第２図は発光ダイオードの配列を示す配列図、第
３図は第２実施°例の発光ダイオードの配列を示す配列
図、第４図は第３実施例を示し感光材料と混合ボックス
とＬＥＤアレーの関係を示す斜視図、第５図は第４図Ｖ
−Ｖ線に沿って切断した断面図、第６図〜第８図は発光
ダイオードの配列を示す配列図である。
１０・・・現像装置、
２０・・・感光材料、
４８．５６ ・ ・ ・ＬＥＤアレー、５０．５２．５
４．５８・・・発光ダイオード、６０・・・混合ボック
ス。FIG. 1 is a vertical cross-sectional view showing an embodiment of a photo developing device according to the present invention, FIG. 2 is an array diagram showing an arrangement of light emitting diodes, and FIG. 3 is an arrangement diagram showing an arrangement of light emitting diodes in a second embodiment. Figure 4 is a perspective view showing the third embodiment and the relationship between the photosensitive material, the mixing box and the LED array, and Figure 5 is Figure 4V.
The cross-sectional views taken along the -V line and FIGS. 6 to 8 are arrangement diagrams showing the arrangement of light emitting diodes. 10...Developing device, 20...Photosensitive material, 48.56... LED array, 50.52.5
4.58...Light emitting diode, 60...Mixing box.
Claims (2)
、発光波長の異なる複数個の発光ダイオードが、各々発
光波長の異なる発光ダイオードが対応した感光層の幅方
向全域を感光させるように感光材料の搬送方向と交叉す
る方向に沿って並設されることを特徴とする写真現像装
置。(1) A photographic developing device that performs reverse exposure on a photosensitive material, in which a plurality of light emitting diodes with different emission wavelengths expose the entire width of the photosensitive layer to which each light emitting diode has a different emission wavelength. A photographic developing device characterized in that the photographic developing device is arranged in parallel along a direction intersecting a material conveying direction.
らの光を混合手段によって混合した後に前記感光材料の
感光層へ露光することを特徴とする前記特許請求の範囲
第（１）項記載の写真現像装置。(2) The photograph according to claim 1, wherein the light from the plurality of light emitting diodes having different emission wavelengths is mixed by a mixing means and then exposed to the photosensitive layer of the photosensitive material. Developing device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15215587A JPS63316052A (en) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | Photographic developing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15215587A JPS63316052A (en) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | Photographic developing device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63316052A true JPS63316052A (en) | 1988-12-23 |
Family
ID=15534225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15215587A Pending JPS63316052A (en) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | Photographic developing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63316052A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013175232A3 (en) * | 2012-05-24 | 2014-01-30 | Lumejet Holdings Limited | Exposure device for photographic media |
-
1987
- 1987-06-18 JP JP15215587A patent/JPS63316052A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013175232A3 (en) * | 2012-05-24 | 2014-01-30 | Lumejet Holdings Limited | Exposure device for photographic media |
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