JPS63313810A - 横磁場勾配コイルおよびその形成方法 - Google Patents

横磁場勾配コイルおよびその形成方法

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JPS63313810A
JPS63313810A JP63044069A JP4406988A JPS63313810A JP S63313810 A JPS63313810 A JP S63313810A JP 63044069 A JP63044069 A JP 63044069A JP 4406988 A JP4406988 A JP 4406988A JP S63313810 A JPS63313810 A JP S63313810A
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field gradient
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/20Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
    • G01R33/28Details of apparatus provided for in groups G01R33/44 - G01R33/64
    • G01R33/38Systems for generation, homogenisation or stabilisation of the main or gradient magnetic field
    • G01R33/385Systems for generation, homogenisation or stabilisation of the main or gradient magnetic field using gradient magnetic field coils

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、概して核磁気共鳴(NMR: nuclea
rmagnetlc resonance )現象を利
用する磁気共鳴イメージング(MRI : magne
tic resonance immging )の技
術に関する。さらに、詳細には、MHIシステムにおい
て2軸に沿う向きの静磁場内に横磁場勾配を生成するた
めの電磁コイル構造に対するものである。本発明はまた
、特にコンパクトなやυ方でそのような横磁場勾配を形
成するための方法に関する。
[従来の技術] 磁気共鳴イメージングシステムは、多くの供給元より商
業化されている。当該技術分野においては、一般に、多
くの技術が知られている。例えば一般に特許され発行さ
れた米国特許第4,297,637号、第4,318,
043号、第4,471,305号、および第4.59
9,565号には、いくつかの典型的な技術について述
べられている。これらの特許の内容は、これらの文献を
参照することによって明らかになる。
そのようなMHIシステムの大部分においては、静磁場
(例えば、極低温)・ウジング内に収容された超電導ソ
レノイドによって生成される)は、所定の2軸方向に向
けられる。一つの典型的な具体例では、該静磁場は、ほ
ぼ3.5KGの公称磁場強度を持ち、それはほぼ15 
MHzの周波数において水素原子核にNMRを生じさせ
る。通常の互いに直交するX+V+Z座標系が想定され
、補助的なX。
y、z勾配磁場コイルが該静磁場内に配置される。
これらx、y、z勾配磁場コイルは、適切な駆動電流が
該コイルを通って流れたときに、それぞれ、そこにxr
 3’ + z方向に沿う勾配磁場を生成するように設
けられる。したがって、Xおよびy勾配磁場コイルの各
々は、いわゆる横勾配磁場(すなわち、静磁場の方向で
あるz軸方向に直交する方向に滴う静磁場の勾配)を生
じさせ、且つ、一般に、該Xおよびy横勾配磁場コイル
の構造は、互いに90°回転していることを除けば実質
的に同一である。
多くのMHI技術では、これら種々の勾配磁場コイルを
流れる電流を高速でオン/オフ(そして時には異なる所
定の振幅に正確に)スイッチする必要がある。したがっ
て、それKよってそのようなスイッチング動作が達成さ
れるよう麦高速性は、全体のイメージングシーケンスの
全体のスピードを決定する要素の一つとなる。許容され
るコイルスイツチングスピードは、主としてコイルイン
ダクタンスの関数であるから、もしも横勾配磁場コイル
の自己インダクタンスをどうにか減少させることができ
れば、よシ早い磁場勾配スイッチングシーケンスが実現
されるであろう。
一般的には、また、所要の磁場勾配の大きさを得るため
には、多くのターンの勾配磁場コイルに多くのアンペア
の電流を流すことが必要である。
したがって、コイルおよび駆動回路におけるI2R損失
の浪費があっても、充分な電流駆動源(例えば、所要の
電流レベルを取シ扱うことのできるパワー増幅器および
29ワースイツチ等)を提供するには、相当なコストが
必要となる。このため、勾配磁場コイルの(与えられた
勾配レベルを得るための)駆動電流を低減しようとする
設計技術が切望されている。
さらに、もしもインダクタンスを増加させることなしに
勾配磁場コイルのターンを付加させることができたとす
れば、同様なスイッチング時間および電流レベルを、い
くつかのイメージングの目的のために望まれるべき、よ
シ高い磁場勾配レベルを達成するために使うことができ
る。
NMR装置のための磁場コイルの設計におけるいくつか
の在来のアプローチを見いだすことのできる文献を次に
示す。
米国特許第3,569,823号 プレー(Golay)(1971) 米国特許第3,622,869号 プレー(Golay)(1971) 「磁場のプロフィール: コイル設計の解析および補正」 FコメオとDIホウルト、医学における磁気共鳴(F、
 Romaoand D、1. Hoult、 Mag
、 Rem、 laMedicine )、1.44−
65 (1984)プレーの引例は、両方とも非イメー
ジング趣装置に用いるための均一化コイルに対するもの
であシ、限られた関連性しかない。しかしながら、プレ
ーの1823は、上述の均一化を目的として、2つのサ
ドルコイル(例え完全な18o0の弧状部を持っていて
も)の巻線からの(それ自体が導関数である)横勾配磁
場の2次導関数は、ゼロにすべきであることを認めてい
る。説明が、幾分が不明瞭であるけれども、プレーの解
決法は、正味の2次(3次)導関数をほぼゼロとするた
めの第3の重畳コイルを付加することである。それにも
かかわらず、プレーは、複数のサドルコイルの弧状部の
位置/寸法は、全成される2次(3次)導関数が正味ゼ
ロとなるように調整されるはずであることを、おおむね
認めている。
コメオ等は、イメージングNMR装置に用いられる勾配
磁場コイルに着目しておシー−そしてそれは一層直接的
に本発明に関連がある。該引例は、「古典的な(すなわ
ち現在広く採用されている)JMRI勾配磁場コイルの
解決法を開示しておシ、それは、以下においてよシ充分
に説明されるように、たった2個のサドルコイルを各弧
状部に2次(3次)導関数をゼロにするように寸法設定
することにより、正味ゼロの2次導関数を達成する。し
かしながら、この古典的な解決は、比較的大きなコイル
(z /r = 0.389および2゜57、ここで、
rは、コイル弧状部半径、そして2は、各弧状部の2軸
に沼う相対位置)−一それに対応して比較的大きな自己
インダクタンスを有するm−に帰着する。
[発明が解決しようとする課題] そこで、本発明の目的は、上述した望まれる設計課題(
単独でも組合せでも)を達成することを可能とするコン
パクトな横磁場勾配コイル構造およびその形成方法を提
供することにある。
[課題を解決するための手段」 特に、大部分のMHIシステムにおいて横勾配磁場を作
るために用いられる古典的なサドルコイル構造は、典型
的には、各サドルコイルの内側および外側弧状部を、2
軸に沿い各々が所定の観測点において3次導関数をゼロ
とする箇所に位置させるように設計される。(2次導関
数は、コイル構造を対称に保つことにより自動的にゼロ
となる。
なぜならば、コイルによる磁場の2成分は、すべての偶
数次の導関数を消滅させる横次元の奇関数であるからで
ある。)もしも、コイル構造の半径がrであると仮定す
れば、内側弧状部は、古典的には2軸に洛ってz 1 
/ r =0.389の点に配置され、且つ外側弧状部
は、2軸に沿ってz2/ r = 2.57の点に配置
される。したがって、各サドルコイル構造の内側および
外側弧状部の間隔は、t”hぼ2.18rとなる。
本発明者は、この古典的なMHIの解法において、観測
点における磁場勾配に対する外側サドルコイル弧状部の
寄与が全く小さい(たとえば、たった2チ程度)である
ことに注目した。また、本発明者は、サドルコイル構造
のインダクタンスが、その軸方向の長さ寸法にほぼ比例
することにも着目したO したがって、本発明者の提案する本発明のコンパクトな
横磁場勾配コイル構造は、サドルコイルの外側弧状部を
、観測点に向けて実質的に内方に移動させ、それによっ
て実質的にサドルコイル構造の軸方向寸法を、そして、
それによって、その自己インダクタンスを減少させる。
実際、サドルコイルの位置は、外側弧状部からの横磁場
勾配への寄与が論理的に正味ゼロとなる位置である、1
/y==〆Y(約1.4)にある。外側弧状部は、磁場
勾配に対して比較的小さい寄与だけを与えている限シに
おいて、さらに幾分か比較的小さな距離だけ内方に移動
され得るけれども、外側弧状部の望ましい配置は、典型
的な実施例ではほぼ2鵞=1.4rである。
「作用」 サドルコイルの外側弧状部を観測点に実質的に近づける
ような再配置は、横磁場勾配にその全体の正味の寄与を
顕著には増大させないけれども、その3次導関数の寄与
を実質的にゼロでなくする。
しかしながら、所望の3次導関数がゼロとなる条件は、
サドルコイルの内側弧状部の3次導関数の寄与を実質的
に再配置された外側弧状部によって生成される3次導関
数に等しくなるようにして(他のいかなる補償コイルを
付加する必要もなしに)、該内側弧状部をオフセットす
ることによっても満たすことができる。そのような、内
側弧状部の補償された再配置は、比較的小さいけれども
、内側弧状部の観測点からの移動を必要とする。一つの
典型的な実施例においては、内側弧状部は、在来のMH
Iの解(z1=0.389 r )から新たな位置!t
”;45rへ移動される。この典型的な実施例において
は、サドルコイルの外側と内側の弧状部の軸方向の間隔
は、たった0、96r程度−−在来のMftIサドルコ
イル構造の軸方向寸法のほぼ44チに過ぎないm−とな
る。
サドルコイル構造の軸方向寸法がほぼ残も低減されるか
ら、インダクタンスの与えられるターン数もまたほぼ捧
だけ低減される。この減少されたインダクタンスは、よ
シ高速のスイッチングを可能とするために利用され得る
。あるいは、その代わシに、同じインダクタンス(たと
えば近似的に同じスイッチングスピードを可能とする)
を維持するためにターン数を増加させ得る。しかも、所
要の電流は少なくなシ、そのため、電力消費、および電
力増幅器、スイッチその他に要求される最大許容取扱電
流における顕著な節約を提供する。
したがって、予想されるように、一層コンパクトなサド
ルコイル構造とする改良もいくつかの手法によって可能
となシ、それによって、必要な電流値等同様に減少する
から、幾分か高速なスイッチングが可能となる。
[実施例コ 以下、図面を参照して、本発明の一実施例を説明する。
典型的なMRIシステムのための磁場生成要素の一般的
な構成は、第1図に分解組立図の形態で示されている。
たとえば、極低温ハウジング12内に設けられ念超伝導
ソレノイド10が、通常のX。
y、z座標系(第1図にも示されている)における2軸
に渭う方向の強い静磁場H,を生成する。
静磁場コイル10の内部に、静磁場■0内にX。
yおよび2方向に沿う磁場勾配をそれぞれ生成するため
のX勾配コイル、y勾配コイルおよび2勾配コイルが組
込まれる。そして、撮像される患者あるいはその他の被
検体は、典型的には、これら組込まれた全での勾配コイ
ルの内側に、体の撮像される部分が所定の観測点すなわ
ち撮像領域(たとえば、典型的には、Xおよびy勾配コ
イルの対称的なサドルコイル構造の間)に位置するよう
にして、配置される。当業者にはいうまでもないことで
あるが、適切なRF(ラジオ周波数)カプリングコイル
も、勾配コイル構造の内部に配置され、そして適宜なる
伝送ラインによってRFおよびMRI処理回路に接続さ
れる。勾配コイルも、MHI装置により通常の方法で制
御される適宜なるスイッチ電流ドライバに個別に接続さ
れる。
第1図かられかるように、Xおよびy勾配コイルは、そ
れぞれ相互に直交するXおよびy方向に横磁場勾配を生
成するように、互に90’回転されているが、実質的に
同様な構成からなっている。
X勾配コイルは、第2図に、よシ詳細に示されていや・ 第2図に示されるように、勾配コイルは、対称的に配置
されるサドルコイルA、g、cおよヒD(思うに、それ
らの各々が一般的な筒状構造を部分的に切取った馬の鞍
、すなわちサドルの構造にいくぶんか似ていることから
そう呼ばれるのであろう)から構成される。(2軸に平
行で且つそのため2成分磁場を増加させない)水平接続
導体が破線で示されているのに対して、各サドルコイル
の弧状の部分ターンは、実線で示されている。典型的な
装置においては、各個別のサドルコイルについては数タ
ーン(例えば、10ターン)を有し、そして、第1図に
模式的に概略的に示されているように、サドルコイルの
対(すなわち、A、BおよびC,D)は電気的に直列に
接続されている。
サドルコイルAおよびBは、軸方向に配列された部分タ
ーン(第2図に実線で示される)を有する。該部分ター
ンは、共同して、(やけシ第2図に示されるように)内
側弧状部構造と外側弧状部構造とを決定する。2軸に沿
い、反対側には、同様の内側および外側弧状部を有する
サドルコイルCおよびDが、対称的に配置される。観測
点は、第2図に示されるように、座標系の原点に存在す
ると仮定され、実際には、上記両サドルコイルの間に位
置し、実質的に磁場勾配の磁場が一様な(例えば、第3
図参照)3次元撮像領域を構成する。一つの典型的な実
施例では、各サドルコイル構造には、ほぼ10ターンの
、−辺0.4インチの正方形断面を有する導体(該導体
は内、部に0.2インチの空洞を有していてもよい)が
含まれる。本発明の一つの典型的なコンパクト化の実施
例では、依然として全体のコイルインダクタンスヲ幾分
か少なくしていても、そのターン数は(勾配強度を若干
増加させ且つそれによってXおよびy次元において実質
的により薄いスライスの撮像を可能とするように)12
に増加され得る。
第2図に示されるように、軸方向に配列されたサドルコ
イルA、Bの各弧状部内の部分ターンは、逆方向の電流
を有し且つ2軸を中心とする半径rのほぼ円弧状に形成
される。弧状の各部分ターンは、2φの角度(横磁場勾
配がそれに清って生成される横x、y軸に平行な)に対
応する。原点に位置する所定の観測点から、極座標系R
2θ、ξも、逆向きの部分ターンの弧状部の各々に沿っ
て点の位置を示すために、用いられる。(第2図に破線
で示される)直線ラインセグメントは、2方向の磁場に
は寄与しないから、解析の課題を単純化するために1こ
れらを無視することができる。
内側弧状ターンにより生成される磁場の2成分は、磁場
に関す・る式により、次に示すように不完全楕円積分と
して計算される。
X (Ikr2−rRsfnθIk+1)      
 ・・’(式1)ここでは、横磁場勾配のみに関心があ
るから、線形項(すなわち、血θに比例する項)は、次
式を得るために分離してよい。
・・・(式3) 直交座標Xは、極座標式でRgtnθ(2)ξであられ
されるから、線形磁場勾配項(す表わち、Xに関する1
次導関数−一それは、望ましくは、もしも真の線形磁場
勾配が達成されるならば、一定であるべきである。)は
直接的に次のようにあられされる。
ここで、もしも2軸上の値(R=zt)が求められれば
次式が得られる。
そこで、第2図の全てのサドルコイ/L/A−Dの外側
および内側弧状部全部の寄与を加算集計すると、次式が
得られる。
・・・(式6) ここで、X磁場勾配Gxの2依存性を最小とすることが
望ましい。したがって、次式のような、1次およびよシ
高次の導関数(Gxは、既に1次導関数であることから
、2次およびさらに高次の導関数であると考えられる)
を最小とすることが望ましい。
・・・(弐8) と訃らの計算と同様の作業にょシ、他の方向におけるG
工の2次導関数の式が求められる。
もしも、上記弧状部に対応する角度が120’に選定さ
れるとすると、Gxの三つの2次導関数は、Ca2/a
62)a工がゼロになるときに、同時に、全てゼロにす
ることができる。
1次(実は2次)導関数は、サドルコイルA−Dの全て
のセットが考慮された後に対称性によ)ゼロとなる。そ
して、2次(実は3次)導関数は、最初の自明でない導
関数である。しかしながら、2次(3次)導関数は、分
子に2次の多項式を含むことに着目すれば、2次多項式
に対する解を求めることによって、次式のような、1対
の解(すなわち、2次(3次)導関数をゼロとする)が
得られる。
@ z / r = 0.389または2.57であシ
、これらは、2次(3次)導関数をゼロとする。そして
、これは、まさしく、これまで一般的に用いられていた
横磁場勾配サドルコイル構造の古典的な解(例えば、Z
t=0.389rおよびZs= 2.57 rの時の古
典的な皿工の解)である。
しかしながら、サドルコイルの外側弧状部にょシ、この
比較的離れた位置(z* =2.57 )に配置された
ときの、観測点に生成される横磁場勾配の実際の値は、
内側弧状部i=o、389r)にょシ生成される磁場勾
配よりも、はl”!2.2X10−2倍小さい。
したがって、サドルコイルの外側弧状部は、(観測点く
おいて)磁場勾配に対して相対的に機微たる寄与が、確
実に、2依存性を持たないようにするだけのために、(
比較的高い自己インダクタンスを生じさせるように)内
側弧状部からかなり離れて配置される。
Z軸に沿うコイル弧状部の位置の関数として磁場勾配の
寄与の曲線を検討すると(第5図)、外側弧状部は、相
対的に微々たる寄与を提供しつつ、実質的に観測点に向
けて移動させ得ることが観察されるであろう。実際、そ
れは、理論的に観測点(2=0)における磁場勾配への
正味の寄与がゼロとなるz2=V丁(すなわち、約1.
4)の位置まで移動させ得る。
不幸なことに、外側弧状部を実質的に観測点に向けて移
動させることにより、それは、今度は、(第4図に示さ
れるように)実質的な2次導関数の寄与を与える。しか
しながら、今、2軸に関してX磁場傾斜Gxの全体の2
次導関数を最小とするために、内側弧状部の位置を(原
点から若干離れるように移動させることにより、)再調
整することも可能である。(X磁場傾斜サドルコイルが
120°の弧に対応するとき、yに関するGxの2次導
関数がゼロを維持する。) 古典的なMRIの解において、2次(3次)導関数の各
項は格別に消去される。しかしながら、2上の望ましい
非依存性も、要求を幾分か、そしてまさに、2次(3次
)導関数の項の全ての合計を26一 ゼロにすることの要求を、緩和することにより達成され
るであろう。もしもサドルコイルが対称的で且つ120
0に対応する力ら、そのような項の1つをゼロとし続け
ることを想起すべきである。例えば、 α1==zI/y、α2 =Z g / r     
  ”’ (式13)とすれば、次のような結果が得ら
れる。
αオ=0.368               ・・
・(式15)=1.414             
  ・・・(式16)r = 11.75ctnの小さ
なコイルでは、GX=0.9404/r2[ガウス/ア
ンペア−ターン−譚コ、そ1.て20ターン、20アン
ペアではGx=2.72[ガウス/儒コである。横磁場
勾配の実際の2依存性は、第3図に示される。
より大きなコイルでさえも、ほぼ30c!nの球形の撮
像領域にわたって実質的な2依存性(すなわち、比較的
蓋の無いMHIイメージを得るために)なしに、相対的
に線形な横磁場勾配が得られる。
典型的には、実際に利用される撮像領域は、「観察点」
から両側に10cInまで延びる一連の薄い平板状の「
スライス」を備えている。主静磁場には、+/−25p
pm以下の均一性が望まれる。許容し得る撮像領域にお
いて、横磁場勾配は、わずか数パーセントだけ+/−に
変化してもよい。
z鵞=〆Trに選定することが望ま1.い。もj−も、
外側弧状部が原点に向ってさらに移動されると、撮像領
域が短くなる。もしも、それがある中間位置(すなわち
、実質的に2.57r以下で、且つ1.4r以上)まで
移動されると、撮像領域はm−外側弧状部の軸方向の移
動量に比1−で比較的少ない割合でのみではあるがm−
延長される。したがって、外側弧状部の配置は、zlが
ほぼ1.4rの位置であることが望ましい。
1ターン当450.45インチで、10ターンであると
しても、横磁場勾配コイルにおけるワイヤは、非常に大
きく且つ重くなシ得る。そのため、導体は、各ターンの
限定された幅を考慮して配置することが望ましい。限定
された導体幅を考慮したものに対して上述したコン/ダ
クト化されたコイル設計を一般化すると次のようになる
(1)外側弧状部を、原点において正味磁場勾配を生じ
ない位置に、配置する; (2)(例えば、X−磁場勾配コイルの設計において)
この位置において該外側弧状部により生成される2次(
3次)導関数を計算する;(3)  該導関数をキャン
セルするように内側弧状部を配置する;そして (4)最終的な横磁場勾配を計算する。
これらの全ては、各導体がある幅を有し且つある半径で
あると仮定している。次の計算では、典型的な値を用い
る。すなわち、ワイヤの幅が045インチにおいて10
ターン、内側/外側半径rが15.175インチおよび
15.83インチである。
(1)  正味磁場勾配をゼロにする 2における弧状部からの磁場勾配は次のようになる。
z6−(δ/2)からz(1+(δ2/2)までの分布
については、導体の幅をWとして次式が得られる。
・・・(式18) z = r−マとすると、上記積分は、次のようになる
・・・(式23) G=OKついて解けば次表のようになる。
表  1 0.01 1.414 0.6 1.4720.1 1
.416 0.7 1.4920.2 1.421 0
.8 1.5150.3 1.429 0.9 1.5
400.4 1.441 1.0 1.5670.5 
1.455 (2)2次導関数の寄与の計算 正味の1次(2次)導関数は、対称性により消去される
そこで、最初に考慮すべきものは2次導関数である。こ
の積分は次のようになる。
(ここで、導関数はたった一つのループによる項である
。) まず、外側弧状部の導関数を検討しなければならない。
表  2 0.3  0.2129 0.28 0.2041 (3)内側弧状部のキャンセル配置 表  3 r                  rO,30,
3794 0,280,3784 (4)磁場勾配強度の計算 (内側弧状部により生成される) 表  4 r            r O,30,37940,3928 0,280,37840,3773 実際の磁場勾配を得るためには、次の係数を得る。
0.3において、 G = 0.918/ r2[ガウス/アンペア−傭]
  ・(式25)%式% G = 0.920/ r2[ガウス/アンペア−倒コ
 ・・・(式26)横勾配磁場コイルによって生成され
る磁束は、超・電導ソレノイド10を貫通することはで
きないから、該傾斜磁場は必然的にソレノイド10内に
収容されるように歪曲され、且つ周囲を囲む導電体シー
トに渦電流が生成される。そのような渦電流は、ま九、
エネルギ損失をあられし、且つ磁場勾配コイルに対する
駆動電流の各スイッチされる入力パルスがこれら渦電流
を補償するために一時的に増大することを必要とする。
このように、いくつかの理由により、−一コイルの自己
インダクタンスおよび上記「オーバドライブ」補償を提
供するのに必要となる全駆動電流の端数もまた低減され
るからm−上記要求される渦電流を最小とすることが望
ましい。補償された駆動・ぐルスが、結合された大きさ
と時定数TCI、TC2,TC3゜Te3を有する4つ
の重畳された指数項を含むものとすれば、次表は、コン
パクト化されたX−磁場勾配およびy−磁場勾配コイル
を有する一つの典型的な実施例について、達成されるで
あろう改良を示す。
表  5 X−磁場勾配コイル 横磁場勾配コイル   横磁場勾配コイルオリジナルサ
イズ   コンパクトサイズ補償 絶対値 駆 動 時
  絶対値 駆 動 時成分大きさ 端 数 定数 大
きさ 端 数 定数TCI  O,1040,1932
5mg O,0470,08406m5TC20,06
40,1250m5 O,1220,2023m+5T
C3−0−−0−n/a  O,0170,030,8
8m5TC40,140,2520m50.008 0
.01  8m+s全オーバドライブ0.56    
      0.31Y−磁場勾配コイル TCI  O,1080,19370m5 O,056
0,09370m5TC20,080,143,25m
5 O,0470,0840m5TC3−0−−0−n
/a  O,0230,0456m5TC40,055
0,0915m5 O,0550,0915m5全オー
バドライブ 0.42           0.30
2−磁場勾配コイル TCI  O,130,29495m5 O,100,
23452m@TC20,100,2240m5 O,
1320,30045maTC3−0−−0−n/a 
 O,0890,200,45m5TC40,1560
,3515,5ms 0.088 0.20 14m5
全オーバドライブ 0.86            
 0.92これと同様の典型的な実施例についての計測
される磁場勾配コイルの自己インダクタンスは、また次
の表6に示される。
表  6 磁場勾配コイル自己インダクタンス オリツナ/L−サイて  コ>l X /7ト寸ベス゛
静磁場マグネット内 マグネット一端両端一端両端 X勾配 232mH470mH171mH360rrH
Y勾配 245mH500mH167mH352mF(
2勾配  310mT(590mH270mH546m
H静磁場マ静磁ット外 X勾配 301mH215mH Y勾配 315mH203mH 2勾配 411mH413mH 本発明のほんのいくつかの典型な実施例について詳述し
たが、当業者ならば、本発明の多くの新規な特徴と利点
を維持しつつ多くの変形実施が可能であることがわかる
はずである。したがって、そのような変形は本発明の範
囲内に含まれることはいうまでもない。
[発明の効果コ 本発明のコンノJ?クトな横磁場勾配コイル構造では、
サドルコイルの外側弧状部を、観測点に向けて実質的に
内方に移動させ、それによって実質的にサドルコイル構
造の軸方向寸法を、そして、それによって、その自己イ
ンダクタンスを減少させる。
サドルコイルの外側弧状部を観測点に実質的に近づける
ような再配置は、横磁場勾配にその全体の正味の寄与を
顕著には増大させないけれども、その3次導関数の寄与
を実質的にゼロでなくする。
しかしながら、所望の3次導関数がゼロとなる条件は、
サドルコイルの内側弧状部の3次導関数の寄与を実質的
に再配置された外側弧状部によって生成される3次導関
数に等しくなるようにして(他のいかなる補償コイルを
付加する必要もなしに)、該内側弧状部をオフセットす
ることによっても満たすことができる。
サドルコイル構造の軸方向寸法がほぼAも低減されるか
ら、インダクタンスの与えられるターン数もまたほぼ≠
だけ低減される。この減少されたインダクタンスは、よ
シ高速のスイッチングを可能とするために利用され得る
。あるいは、その代わシに、同じインダクタンス(たと
えば近似的に同じスイッチングスピードを可能とする)
を維持するためにターン数を増加させ得る。しかも、所
要の電流は少なくなシ、そのため、電力消費、および電
力増幅器、スイッチその他に要求される最大許容取扱電
流における顕著な節約を提供する。
したがって、予想されるように、一層コンパクトなサド
ルコイル構造とする改良もいくつかの手法によって可能
となシ、それによって、必要な電流値等同様に減少する
から、幾分か高速なスイッチングが可能となる。
本発明によれば、上述したような種々の利点を有するコ
ンパクトな横磁場勾配コイル構造およびその形成方法を
提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に用いられる適切な静磁場コ
イルおよび磁場勾配コイルを示す分解斜視図、第2図は
第1図の横磁場コイル構造の一つに使用されるサドルコ
イルの、本発明の説明のための重畳されるX、7.Z関
連する極座標系とともに示される詳細図、第3図は典型
的なコン・ぐクト横磁場勾配コイルのセットについての
横磁場勾配の近似的な2依存特性およびそのような構造
により許容される撮像領域の近似エツジを示す図、第4
図は観測点z =Oにおけるサドルコイル弧状部の異な
る位置についての02の近似的な3次導関数特性を示す
図、第5図はZ−軸に沿う弧状部位置の関数としてサド
ルコイル弧状部についての相対的な正味横磁場勾配寄与
の特性を示す図である。 10・・・超電導ソレノイド、12・・・極低温ハウジ
ング。 出願人代理人  弁理士 鈴 江 武 彦rFIG、2 ttr rFIG、4 rFM6.5 手続補正書(方式) 1、事件の表示 特願昭63−044069号 、発明の名称 横磁場勾配コイルおよびその形成方法 、補正をする者 事件との関係  特許出願人 名称 ザ・リージェンツ・オブ會ザ・ユニバージティー
・オブ・カリフォルニア 、代理人 住所 東京都千代田区霞が関3丁目7番2号 UBEビ
ル、補正の対象

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)所定のz軸に沿う方向の静磁場H_0を有する磁
    気共鳴イメージングシステムに用いるためのコンパクト
    な横磁場勾配コイルの構造であって、z軸に沿う所定の
    観測点において静磁場H_0内に無視し得る正味横磁場
    勾配を生成するように配置された外側弧状部と、 上記所定の観測点において上記外側弧状部によって生成
    される二次導関数を実質的にキャンセルする上記横磁場
    勾配の二次導関数を生成するように配置される内側弧状
    部と を具備する横磁場生成コイルの構造。
  2. (2)所定のz軸に沿う方向の静磁場H_0を有する磁
    気共鳴イメージングシステムに用いるためのコンパクト
    な横磁場勾配サドルコイルの構造であって、 z軸上の所定点z_0から第1の距離z_1に配置され
    る半径r_1の内側弧状部と、 上記所定点z_0から第2の距離z_2に配置され、z
    _2/r_2が実質的に2.57よりも小さい半径r_
    2の外側弧状部と を具備する横磁場勾配サドルコイルの構造。
  3. (3)所定のz軸に沿う方向の静磁場H_0を有する磁
    気共鳴イメージングシステムに用いるためのコンパクト
    な横磁場勾配サドルコイルの構造であって、 z軸上の所定点z_0から第1の距離z_1に配置され
    、z_1/r_1が0.389よりも大きい半径r_1
    の内側弧状部と、 上記所定点z_0から第2の距離z_2に配置され、z
    _2/r_2が実質的に2.57よりも小さい半径r_
    2の外側弧状部と を具備する横磁場勾配サドルコイルの構造。
  4. (4)z_1/rがほぼ0.45に等しく、且つz_2
    /rがほぼ1.4に等しいことを特徴とする請求項3記
    載の横磁場勾配サドルコイルの構造。
  5. (5)磁気共鳴イメージングシステムの静磁場H_0横
    磁場勾配を作り出すための横磁場勾配コイルの構造であ
    って、 半径r_1を有し且つ所定の観測点から、z_1/r_
    1が約0.389よりも大きい、第1の距離z_1に配
    置された対向する部分ターンの第1のセットと、半径r
    _2を有し且つ所定の観測点から、z_2/r_2が実
    質的に約2.57よりも小さい、第2の距離z_2に配
    置された対向する部分ターンの第2のセットと を具備する横磁場勾配コイルの構造。
  6. (6)請求項5記載の横磁場勾配コイルの構造において
    、 上記所定の観測点の反対側で距離−z_1に配置された
    対向する部分ターンの対称的なさらなる第1のセットと
    、 上記所定の観測点のやはり反対側で距離−z_2に配置
    された対向する部分ターンの対称的なさらなる第2のセ
    ットと をさらに具備することを特徴とする横磁場勾配コイルの
    構造。
  7. (7)上記距離r_1=r_2であることを特徴とする
    請求項6の横磁場勾配コイルの構造。
  8. (8)上記部分ターンの各セットは、時計方向に向けら
    れた複数の部分ターンおよび反時計方向に向けられた複
    数の部分ターンを含み、且つ上記第1および第2のセッ
    トにおける上記部分ターンは、共に、水平平行導体に接
    続されることを特徴とする請求項6の横磁場勾配コイル
    の構造。
  9. (9)上記各部分ターンは、約120°の角度に対応す
    るほぼ円弧に形成され、且つその軸線は上記静磁場方向
    に沿うことを特徴とする請求項5、6または7の横磁場
    勾配コイルの構造。
  10. (10)請求項9の横磁場勾配コイルの構造において、 z_2/r_2は、ほぼ1.4に等しく、z_1/r_
    1は、ほぼ0.45に等しく、 且つ上記第1および第2のセットは、それによって上記
    観測点において横勾配磁場のzに関するほぼ等しい2次
    導関数を生成することを特徴とする横磁場勾配コイルの
    構造。
  11. (11)磁気共鳴イメージング用の磁気コイル組立であ
    って、 z軸に沿う向きの静磁場H_0を生成する静磁場コイル
    と、 上記z軸上で所定の観測点に関して対称的に配置される
    、上記静磁場内に該z軸方向に磁場勾配を生成するため
    のz磁場勾配コイルと、 上記観測点に関して対称的に配置される、上記静磁場内
    に上記z軸方向に直交するy軸方向に磁場勾配を生成す
    るためのy磁場勾配コイルと、上記観測点に関して対称
    的に配置される、上記静磁場内に上記z軸およびy軸の
    両方向に直交するx軸方向に磁場勾配を生成するための
    x磁場勾配コイルと を具備し、且つ、 上記y磁場勾配およびx磁場勾配コイルの各々は、上記
    観測点の両側に対称的に配置された第1および第2のサ
    ドルコイルペアを含み、 上記サドルコイルペアの各々は、上記z軸を中心とする
    約120°の角度に対応し、且つ該z軸にほぼ平行な水
    平導体により互いに直列に接続される半径rの複数の部
    分円弧状ターンを含み、上記部分円弧状ターンは、上記
    観測点から距離z_4の位置に配置される軸方向に配列
    された第1のグループ、および上記観測点から距離z_
    2の位置に配置される軸方向に配列された第2のグルー
    プとして配設され、 上記距離z_2は、実質的に2.57よりも小さく、上
    記観測点における横磁場に対する寄与を無視し得るよう
    に充分に大きく、且つ 上記距離z_1は、zに関する第2のグループの横磁場
    勾配の2次導関数とほぼ等しい大きさを有する、zに関
    する第1のグループの横磁場勾配の2次導関数を生成す
    るように、実質的に0.389よりも充分に大きい磁気
    コイル組立。
  12. (12)所定のxおよびy軸の両者に直交する所定のz
    軸に沿う方向の静磁場H_0を有する磁気共鳴イメージ
    ングシステムに用いられるコンパクトな横磁場勾配サド
    ルコイルを形成するための方法であって、 サドルコイルの外側の弧状部を、z軸に沿う所定の観測
    点において静磁場H_0内に無視し得る正味横磁場勾配
    のみを生成するように、配置するステップと、 上記所定の観測点において、上記外側弧状部によって生
    成される横磁場勾配の2次導関数の大きさを決定するス
    テップと、 上記サドルコイルの内側弧状部を、上記所定の観測点に
    おいて上記外側弧状部の2次導関数を実質的にキャンセ
    ルする横磁場勾配の2次導関数を生成するように配置す
    るステップと の各ステップからなる横磁場勾配サドルコイルの形成方
    法。
JP63044069A 1987-02-27 1988-02-26 横磁場勾配コイルおよびその形成方法 Expired - Lifetime JPH0736365B2 (ja)

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JPH0736365B2 JPH0736365B2 (ja) 1995-04-19

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