JPS63310132A - Adhesive sheet for bonding of wafer - Google Patents

Adhesive sheet for bonding of wafer

Info

Publication number
JPS63310132A
JPS63310132A JP62146446A JP14644687A JPS63310132A JP S63310132 A JPS63310132 A JP S63310132A JP 62146446 A JP62146446 A JP 62146446A JP 14644687 A JP14644687 A JP 14644687A JP S63310132 A JPS63310132 A JP S63310132A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive sheet
adhesive
wafer
radiation
adhesive layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62146446A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroaki Narita
博昭 成田
Kazuyoshi Ebe
和義 江部
Katsuhisa Taguchi
田口 克久
Yoshitaka Akeda
明田 好孝
Takanori Saito
斉藤 隆則
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
F S K KK
FSK Corp
Original Assignee
F S K KK
FSK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by F S K KK, FSK Corp filed Critical F S K KK
Priority to JP62146446A priority Critical patent/JPS63310132A/en
Publication of JPS63310132A publication Critical patent/JPS63310132A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PURPOSE:To uniformly stretch individual wafer chips bonded to an adhesive agent layer of an adhesive sheet in a face direction in order to separate the chips from one another at nearly equal intervals and to make a subsequent picking-up operation easy by a method wherein the rear of a substrate material formed on the surface of the adhesive agent layer is roughened. CONSTITUTION:When an expanding operation is executed after a semiconductor wafer A bonded to an adhesive agent layer 12 in an adhesive sheet 10 has been diced, a pressure jig 5 is pressed to the rear of a substrate material 11 in the adhesive sheet 10, Because the rear of the substrate material 11 is roughened, the pressure jig 5 is brought into contact with the rear of the roughened substrate material 11 in a point-contact manner; the friction is reduced sharply as compared with a conventional method; the substrate material 11 in the adhesive sheet 10 glides suitably on the surface of the pressure jig. By this setup, the adhesive sheet 10 is stretched uniformly; individual wafer chips A1-A5 bonded to the adhesive agent layer 12 in the adhesive agent 10 are separated from one another at nearly equal intervals; a subsequent picking-up process can be executed easily.

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は粘着シートに関し、ざらに詳しくは、半導体ウ
ェハを小片に切断分離する際に用いられるウェハ貼着用
粘着シートに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Technical Field of the Invention The present invention relates to an adhesive sheet, and more particularly to an adhesive sheet for adhering a wafer used when cutting and separating a semiconductor wafer into small pieces.

明の技術的背景ならびにその問題点 シリコン、ガリウムヒ素などの半導体ウェハは大径の状
態で製造され、このウェハは素子小片に切断分離(ダイ
シング)された後に次の工程であるマウント工程に写さ
れている。この際、半導体ウェハは予じめ粘着シートに
貼着された状態でダイシング、洗浄、乾燥、エキスパン
ディング、ピックアップ、マウンティングの各工程が加
えられている。
Technical Background and Problems Semiconductor wafers such as silicon and gallium arsenide are manufactured in a large diameter state, and after this wafer is cut and separated into small element pieces (dicing), it is transferred to the next process, the mounting process. ing. At this time, the semiconductor wafer is previously attached to an adhesive sheet and subjected to the following steps: dicing, cleaning, drying, expanding, picking up, and mounting.

このような半導体ウェハのエキスバンディング工程では
、第7図に示すように、ダイシングされたウェハチップ
A1〜A5が粘着剤層3を介して接着された基材2から
成る粘着シート1の両端を固定具4,4で固定し、この
粘着シート1の基材2側裏面を押圧用治具5で押圧し、
粘着シート1を面方向に引き延ばし、各ウェハチップA
1〜A5間距離を略均−に引き離し、その後のピックア
ップ工程を行(\易くする必要があった。ピックアップ
工程では各ウェハチップA1〜A5を1個づつエアピン
セット等でピックアップすることになるが、その際に、
各ウェハチップA1〜A5間距離が不拘−若しくは十分
に離間していないと、そのピックアップ作業が繁雑とな
り好ましくなかった。
In such a semiconductor wafer extracting process, as shown in FIG. Fix it with tools 4, 4, press the back side of the base material 2 side of this adhesive sheet 1 with a pressing jig 5,
Stretch the adhesive sheet 1 in the surface direction and attach each wafer chip A.
It was necessary to separate the distance between wafer chips A1 to A5 approximately evenly to make the subsequent pick-up process easier.In the pick-up process, each wafer chip A1 to A5 was picked up one by one using air tweezers or the like. , at that time,
If the distance between each of the wafer chips A1 to A5 is unrestricted or not sufficiently spaced apart, the picking up operation becomes complicated, which is undesirable.

ところが、従来の粘着シート1を用いて第7図に示すエ
キスパンディング工程を行うと、粘着シート1における
基材2と押圧用治具5との間に過大な摩擦力が生じ、粘
着シート1が面方向に引き延ばされる際に不均一に引き
延ばされ、各ウェハチップへ1〜A5間の間隔が不均等
若しくは十分に離間しない状態となり、その俊のピック
アップ工程が煩雑となる虞があった。
However, when the expanding process shown in FIG. 7 is performed using the conventional adhesive sheet 1, an excessive frictional force is generated between the base material 2 of the adhesive sheet 1 and the pressing jig 5, and the adhesive sheet 1 is damaged. When stretched in the plane direction, it is stretched non-uniformly, resulting in uneven or insufficient spacing between 1 and A5 on each wafer chip, which may complicate the pick-up process. .

特に、第8図に示すような角錐コレット6(ウェハチッ
プ表面を損傷することが無いことから、ピックアップ工
程に多用されている)を用いてピックアップ工程を行う
場合には、各ウェハチップ間隔が狭いと、角錐コレット
6の爪先が、隣接するウェハチップに当接することから
、目的のウェハチップのピックアップが不可能になる虞
もあった。
In particular, when the pick-up process is performed using a pyramidal collet 6 as shown in Fig. 8 (which is often used in the pick-up process because it does not damage the wafer chip surface), the distance between each wafer chip is narrow. Since the tip of the pyramidal collet 6 comes into contact with an adjacent wafer chip, there is a possibility that it may become impossible to pick up the target wafer chip.

発明の目的 本発明は、このような不都合を解消するためになざたも
のでおり、半導体ウェハを切断分離する際に用いられる
ウェハ貼着用シートのエキスパンディング工程の際に、
粘着シートの粘着剤層に付着された各ウェハチップが相
互に略均等に引き離されるように面方向に均一に引き延
ばされ、その後のピックアップ作業を容易にするウェハ
貼着用粘着シートを提出することを目的とする。
Purpose of the Invention The present invention was designed to eliminate such inconveniences, and includes a method for expanding a wafer pasting sheet used for cutting and separating semiconductor wafers.
To provide a pressure-sensitive adhesive sheet for wafer attachment, which is uniformly stretched in the surface direction so that each wafer chip attached to the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive sheet is separated from each other substantially equally, thereby facilitating subsequent pick-up work. With the goal.

1肌の見I かかる目的を達成するために、本発明に係る粘着シート
は、半導体ウェハが付着される粘着剤層と、この粘着剤
層が表面に形成された基材とから成るウェハ貼着用粘着
シートにおいて、前記基材の表面が粗面化処理しておる
ことを特徴としている。
1 Skin View I In order to achieve the above object, the adhesive sheet according to the present invention is a wafer adhesive sheet comprising an adhesive layer to which a semiconductor wafer is attached, and a base material on which this adhesive layer is formed. The pressure-sensitive adhesive sheet is characterized in that the surface of the base material is roughened.

このような本発明に係るウェハ貼着用粘着シートにあっ
ては、粘着シートにおける粘着剤層に付着された半導体
ウェハをダイシングした後にエキスパンディングする際
に、押圧用治具を粘着シートにおける基材の裏面に圧接
させるが、この基材の裏面が粗面化処理しであることか
ら、押圧用治具と粗面化された基材の裏面との接触が点
接触になり、従来に比して摩擦が大幅に低減される。こ
のため、押圧用治具で基材の裏面を押圧し、粘着シート
を面方向に引き延ばす際に、粘着シートにおける基材が
押圧用治具の表面を都合良くすべり、粘着シートは均一
に引き延ばされることになる。
In the adhesive sheet for attaching wafers according to the present invention, when expanding the semiconductor wafer attached to the adhesive layer of the adhesive sheet after dicing, the pressing jig is used to move the pressing jig to the base material of the adhesive sheet. However, since the back side of this base material has been roughened, the contact between the pressing jig and the roughened back side of the base material is point contact, compared to conventional methods. Friction is significantly reduced. Therefore, when pressing the back side of the base material with the pressing jig and stretching the adhesive sheet in the surface direction, the base material in the adhesive sheet slides conveniently on the surface of the pressing jig, and the adhesive sheet is stretched uniformly. It will be.

したがって、この粘着シートにおける粘着剤層に付着さ
れた各ウェハチップ相互は略均等に離間され、その後の
ピックアップ工程が容易になる。
Therefore, the wafer chips attached to the adhesive layer of this adhesive sheet are spaced approximately evenly apart from each other, facilitating the subsequent pick-up process.

発明の詳細な説明 以下、本発明を図面に示す実施例に基づき詳細に説明す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail based on embodiments shown in the drawings.

第1図は本発明の一実施例を示すウェハ貼着用粘着シー
トの断面図、第2,3図は同粘着シートの使用状態を示
す要部断面図、第4図は同粘着シートの製造過程を示す
要部斜視図である。
Fig. 1 is a cross-sectional view of a pressure-sensitive adhesive sheet for wafer attachment showing an embodiment of the present invention, Figs. 2 and 3 are cross-sectional views of main parts showing the state of use of the pressure-sensitive adhesive sheet, and Fig. 4 is a manufacturing process of the pressure-sensitive adhesive sheet. FIG.

第1,2図に示すように、本発明の一実施例に係るウェ
ハ貼着用粘着シート10は、基材11とこの表面に塗着
された粘着剤層12とからなっており、使用前にはこの
粘着剤層12を保護するため、第1図に示すように粘着
剤層12の表面に剥離性シート13を仮貼着しである。
As shown in FIGS. 1 and 2, the adhesive sheet 10 for attaching wafers according to an embodiment of the present invention consists of a base material 11 and an adhesive layer 12 applied to the surface of the base material 11. In order to protect this adhesive layer 12, a releasable sheet 13 is temporarily attached to the surface of the adhesive layer 12, as shown in FIG.

基材11の裏面は、本発明にあっては、粗面化処理して
あり。多数の小さな凹凸15が形成しである。このよう
な凹凸15を形成するための粗面化処理は、例えば第4
図に示すように、エンボスロール20と金属ロール21
との間に、粘着剤層12が形成される前の基材11をダ
イ22から送り出し、この基材11の裏面がエンボスロ
ール20側に圧接するように通してエンボス加工するこ
とによって行なう。また、サンドブラスト法、エツチン
グ法、放電加工法等のその他の粗面化処理によって、基
材11の裏面に多数の小さな凹凸15を形成してもよい
In the present invention, the back surface of the base material 11 is roughened. A large number of small irregularities 15 are formed. The surface roughening treatment for forming such unevenness 15 is performed, for example, in the fourth step.
As shown in the figure, an embossing roll 20 and a metal roll 21
The base material 11 on which the adhesive layer 12 is not yet formed is sent out from the die 22 between the two, and the back surface of the base material 11 is passed through the embossing roll 20 side so as to be pressed against the embossing roll 20 side for embossing. Further, a large number of small irregularities 15 may be formed on the back surface of the base material 11 by other surface roughening treatments such as sandblasting, etching, and electrical discharge machining.

このような粘着シート10の形状は、テープ状、ラベル
状などあらゆる形状をとりうる。基材11の材質として
は、例えば、ポリエチレンまたはエチレン−酢酸ビニル
共重合体などのポリエチレン共重合体、エチレン−メタ
クリル酸共重合体、ポリプロピレン、ポリブチレン、ア
イオノマー、ポリブタジェン、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリブチレンテレフタレート、ポリメチルペンテ
ン、ポリウレタン、ポリ塩化ビニルまたはポリ塩化ビニ
ル共重合体、あるいはゴム系などが用いられる。特に好
ましくは、伸長性及び復元性の良い材質のものが良く、
エチレン−メタクリル酸共重合体、ポリ塩化ビニル、ア
イオノマー、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ゴム系等
の軟質性フィルムが良い。
The shape of the adhesive sheet 10 can be any shape such as a tape shape or a label shape. Examples of the material for the base material 11 include polyethylene or polyethylene copolymers such as ethylene-vinyl acetate copolymers, ethylene-methacrylic acid copolymers, polypropylene, polybutylene, ionomers, polybutadiene, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, and polyethylene terephthalate. Methylpentene, polyurethane, polyvinyl chloride or polyvinyl chloride copolymer, or rubber-based materials are used. Particularly preferably, materials with good extensibility and restorability are used.
Flexible films such as ethylene-methacrylic acid copolymer, polyvinyl chloride, ionomer, ethylene-vinyl acetate copolymer, and rubber are preferable.

本実施例の粘着シートでは、後述するように、その使用
に当り、EBあるいはU■などの放射線照射が行なわれ
るため、本実施例で用いられる架橋フィルムはEB照射
をして用いる場合には透明である必要はないが、U■前
照射して用いる場合には透明な材料である必要がある。
As will be described later, the adhesive sheet of this example is irradiated with radiation such as EB or U. Although it does not have to be a transparent material, it is necessary to use a transparent material when it is used with U■ pre-irradiation.

上記のような基材11上には、粘着剤層12が設けられ
ているが、本実施例では、この粘着剤層12は、粘着剤
と、放射線重合性化合物とを含lνで形成されている。
An adhesive layer 12 is provided on the base material 11 as described above, and in this example, the adhesive layer 12 is formed of lv containing an adhesive and a radiation polymerizable compound. There is.

粘着剤12としては従来公知のものが広く用いられうる
が、アクリル系粘着剤が好ましく、具体的には、アクリ
ル酸エステルを主たる構成単量体単位とする単独重合体
および共重合体から選ばれたアクリル系重合体その他の
官能性単m体との共重合体およびこれら重合体の混合物
である。たとえば、モノマーのアクリル酸エステルとし
て、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸ブチル、メ
タアクリル酸−2−エチルヘキシル、メタアクリル酸グ
リシジル、メタアクリル酸−2−ヒドロキシエチルなど
、また上記のメタアクリル酸をたとえばアクリル酸に代
えたものなども好ましく使用できる。
As the adhesive 12, a wide variety of conventionally known adhesives can be used, but acrylic adhesives are preferred, and specifically, those selected from homopolymers and copolymers containing acrylic acid ester as the main constituent monomer unit. These include copolymers with acrylic polymers and other functional monomers, and mixtures of these polymers. For example, monomer acrylic esters include ethyl methacrylate, butyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, glycidyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, and the above-mentioned methacrylic acids. Those in place of acrylic acid can also be preferably used.

ざらに後述するオリゴマーとの相溶性を高めるため、(
メタ)アクリル酸、アクリロニトリル、酢酸ビニルなど
の七ツマ−を共重合させてもよい。
In order to increase the compatibility with the oligomers described below, (
A hexamer such as meth)acrylic acid, acrylonitrile, and vinyl acetate may be copolymerized.

これらのモノマーから重合して得られるアクリル系重合
体の分子量は、2.0XIO”〜10.0X10  で
あり、好ましくは、4.0X10”〜8.0×105で
ある。
The molecular weight of the acrylic polymer obtained by polymerizing these monomers is 2.0XIO" to 10.0X10, preferably 4.0X10" to 8.0X105.

また放射線重合性化合物としては−たとえば特開昭60
−196.956号公報および特開昭60−223,1
39号公報に開示されているような光照射によって三次
元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を
少なくとも2個以上有する低分子量化合物が広く用いら
れ、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレ
ート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペ
ンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリ
トールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモ
ノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリト
ールへキサアクリレートおるいは1,4−ブチレングリ
コールジアクリレート、1.6−ヘキサンジオールジア
クリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、
市販のオリゴエステルアクリレートなどが用いられる。
In addition, as radiation polymerizable compounds, for example, JP-A-60
-196.956 Publication and JP-A-60-223,1
Low molecular weight compounds having at least two or more photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule that can be formed into a three-dimensional network by light irradiation, as disclosed in Japanese Patent Application No. 39, are widely used. Methylolpropane triacrylate, tetramethylolmethanetetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate or 1,4-butylene glycol diacrylate, 1.6 -hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate,
Commercially available oligoester acrylates and the like are used.

さらに放射線重合性化合物として、上記のようなアクリ
レート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリ
ゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系
オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型な
どのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物た
とえば2,4−トリレンジイソシアナート、2.6−ト
リレンジイソシアナート、1,3−キシリレンジイソシ
アナート、1.4−キシリレンジイソシアナート、ジフ
ェニルメタン4,4−ジイソシアナートなどを反応させ
て得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに
、ヒドロキシル基を有する(メタ)アクリレートたとえ
ば2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒ
ドロキシプロピル(メタ)アクリレート、ポリエチレン
グリコール(メタ)アクリレートなどを反応させて得ら
れる。このウレタンアクリレート系オリゴマーは、炭素
−炭素二重結合を少なくとも1個以上有する放射線重合
性化合物である。
Further, as the radiation polymerizable compound, in addition to the above-mentioned acrylate compounds, urethane acrylate oligomers can also be used. The urethane acrylate oligomer is a polyol compound such as a polyester type or polyether type, and a polyvalent isocyanate compound such as 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate. , 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, etc., to a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting a (meth)acrylate having a hydroxyl group, such as 2-hydroxyethyl (meth)acrylate. , 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, polyethylene glycol (meth)acrylate, etc. This urethane acrylate oligomer is a radiation polymerizable compound having at least one carbon-carbon double bond.

このようなウレタンアクリレート系オリゴマーとして、
特に分子量が3000〜10000好ましくは4000
〜8000であるものを用いると、半導体ウェハ表面が
粗い場合にも、ウェハチップのピックアップ時にチップ
表面に粘着剤が付着することがないため好ましい。また
ウレタンアクリレート系オリゴマーを放射線重合性化合
物とじて用いる場合には、特開昭60−196.956
号公報に開示されたような分子内に光重合性炭素−炭素
二重結合を少なくとも2個以上有する低分子量化合物を
用いた場合と比較して、粘着シートとして極めて優れた
ものが得られる。すなわち粘着シートの放射線照射前の
接着力は充分に大きく、また放射線照射後には接着力が
充分に低下してウェハチップのピックアップ時にチップ
表面に粘着剤が残存することはほとんどない。
As such urethane acrylate oligomer,
In particular, the molecular weight is 3,000 to 10,000, preferably 4,000.
It is preferable to use one having a molecular weight of 8,000 to 8,000, because even if the surface of the semiconductor wafer is rough, the adhesive will not adhere to the chip surface when the wafer chip is picked up. In addition, when using a urethane acrylate oligomer together with a radiation polymerizable compound, JP-A-60-196.956
Compared to the case of using a low molecular weight compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule as disclosed in the above publication, an extremely superior pressure-sensitive adhesive sheet can be obtained. That is, the adhesive strength of the adhesive sheet before irradiation with radiation is sufficiently large, and the adhesive strength decreases sufficiently after irradiation with radiation, so that when a wafer chip is picked up, there is almost no adhesive left on the chip surface.

粘着剤中のアクリル系粘着剤とウレタンアクリレート系
オリゴマーの配合比は、アクリル系粘着剤100重量部
に対してウレタンアクリレート系オリゴマーは50〜9
00重量部の範囲の最で用いられることが好ましい。こ
の場合には、得られる粘着シートは初期の接着力が大き
くしかも放射線照射後には粘着力は大きく低下し、容易
にウェハチップを該粘着シートからピックアップするこ
とができる。
The blending ratio of the acrylic adhesive and urethane acrylate oligomer in the adhesive is 50 to 9 parts by weight of the urethane acrylate oligomer to 100 parts by weight of the acrylic adhesive.
It is preferable to use the upper end of the range of 0.00 parts by weight. In this case, the adhesive sheet obtained has a high initial adhesive strength, but the adhesive strength decreases significantly after radiation irradiation, and wafer chips can be easily picked up from the adhesive sheet.

また必要に応じては、粘着剤層12中に、上記のような
粘着剤と放射線重合性化合物とに加えて、放射線照射に
より着色する化合物を含有させることもできる。このよ
うな放射線照射により、着色する化合物を粘着剤12に
含ませることによって、粘着シートに放射線が照射され
た後には該シートは着色され、したがって光センサーに
よってウェハデツプを検出する際に検出精度が高まり、
ウェハデツプのピックアップ時に誤動作が生ずることが
ない。また粘着シートに放射線が照射されたか否かが目
視により直ちに判明するという効果が得られる。
Furthermore, if necessary, the adhesive layer 12 may contain, in addition to the above-mentioned adhesive and radiation polymerizable compound, a compound that is colored by radiation irradiation. By including a compound in the adhesive 12 that is colored by such radiation irradiation, the adhesive sheet is colored after being irradiated with radiation, thereby increasing the detection accuracy when detecting the wafer depth with an optical sensor. ,
No malfunction occurs when picking up the wafer depth. Furthermore, it is possible to immediately determine by visual inspection whether or not the adhesive sheet has been irradiated with radiation.

放射線照射により着色する化合物は、放射線の照射前に
は無色または淡色であるが、放射線の照射により有色と
なる化合物であって、この化合物の好ましい具体例とし
てはロイコ染料が挙げられる。ロイコ染料としては、慣
用のトリフェニルメタン系、フルオラン系、フェノチア
ジン系、オーラミン系、スピロピラン系のものが好まし
く用いられる。具体的には3−[N−(p−トリルアミ
ノ) ]−7−アニリツフルオラン、3−[N−(p−
トリル)−N−メチルアミノ]−7−アニリツフルオラ
ン、3− [N−(p−トリル)−N−エチルアミノ1
−7−アニリツフルオラン、3−ジエチルアミノ −6
−メチル−7−アニリノフルオラン、クリスタルバイオ
レットラクトン、4.4’、4’“−トリスジメチルア
ミノトリフェニルメタノール、4.4’、4”−トリス
ジメチルアミノトリフェニルメタンなどが挙げられる。
A compound that is colored by radiation irradiation is a compound that is colorless or pale colored before radiation irradiation, but becomes colored by radiation irradiation, and a preferred specific example of this compound is a leuco dye. As the leuco dye, conventional triphenylmethane-based, fluoran-based, phenothiazine-based, auramine-based, and spiropyran-based dyes are preferably used. Specifically, 3-[N-(p-tolylamino)]-7-anirite fluorane, 3-[N-(p-
tolyl)-N-methylamino]-7-anirithufluorane, 3-[N-(p-tolyl)-N-ethylamino 1
-7-anirite fluorane, 3-diethylamino -6
-Methyl-7-anilinofluorane, crystal violet lactone, 4.4',4'"-trisdimethylaminotriphenylmethanol, 4.4',4"-trisdimethylaminotriphenylmethane, and the like.

これらロイコ染料とともに好ましく用いられる顕色剤と
しては、従来から用いられているフェノールホルマリン
樹脂の初期重合体、芳香族カルボン酸誘導体、活性白土
などの電子受容体が挙げられ、さらに、色調を変化させ
る場合は種々公知の発色剤を組合せて用いることもでき
る。
Color developers that are preferably used with these leuco dyes include electron acceptors such as conventionally used initial polymers of phenol-formalin resin, aromatic carboxylic acid derivatives, and activated clay. In some cases, various known coloring agents may be used in combination.

このような放射線照射によって着色する化合物は、一旦
有機溶媒などに溶解された俊に接着剤層中に含ませても
よく、また微粉末状にして粘着剤層中に含ませてもよい
。この化合物は、粘着剤層中に0.01〜10重M%好
ましくは0.5〜5重量%の量で用いられることが望ま
しい。該化合物が10重量%を越えた量で用いられると
、粘着シートに照射される放射線がこの化合物に吸収さ
れすぎてしまうため、粘着剤層の硬化が不十分となり好
ましくなく、一方該化合物が0.01重量%未満の量で
用いられると放射線照射時に粘着シートが充分に着色し
ないことがあり、ウェハチップのピックアップ時に誤動
作が生じやすくなるため好ましくない。
Such a compound that is colored by radiation irradiation may be dissolved in an organic solvent or the like and then contained in the adhesive layer, or may be made into a fine powder and contained in the adhesive layer. This compound is desirably used in the adhesive layer in an amount of 0.01 to 10% by weight, preferably 0.5 to 5% by weight. If the compound is used in an amount exceeding 10% by weight, the radiation applied to the adhesive sheet will be absorbed too much by the compound, resulting in insufficient curing of the adhesive layer, which is undesirable. If it is used in an amount less than .01% by weight, the adhesive sheet may not be sufficiently colored during radiation irradiation, and malfunctions may easily occur when picking up wafer chips, which is not preferable.

また場合によっては、粘着剤層12中に上記のような粘
着剤と放射線重合性化合物とに加えて、光散乱性無機化
合物粉末を含有させることもできる。
In some cases, the adhesive layer 12 may contain a light-scattering inorganic compound powder in addition to the above-mentioned adhesive and radiation polymerizable compound.

このような光散乱性無機化合物粉末を粘着剤層12に含
ませることによって、たとえ半導体ウェハなどの被着物
表面が何らかの理由によって灰色化あるいは黒色化して
も、該粘着シートに紫外線などの放射線を照射すると、
灰色化あるいは黒色化した部分でもその接着力が充分に
低下し、したがってウェハチップのピックアップ時にウ
ェハデツプ表面に粘着剤が付着してしまうことがなく、
しかも放射線の照射前には充分な接着力を有していると
いう効果が得られる。
By including such a light-scattering inorganic compound powder in the adhesive layer 12, even if the surface of an adherend such as a semiconductor wafer turns gray or black for some reason, the adhesive sheet can be irradiated with radiation such as ultraviolet rays. Then,
Even in gray or black areas, the adhesive strength is sufficiently reduced, so that when picking up wafer chips, the adhesive will not stick to the wafer depth surface.
Moreover, the effect of having sufficient adhesive strength before irradiation with radiation can be obtained.

この光散乱性無機化合物は、紫外線(UV)あるいは電
子線(EB)などの放射線が照射された場合に、この放
射線を乱反射することができるような化合物であって、
具体的には、シリカ粉末、アルミナ粉末、シリカアルミ
ナ粉末、マイカ粉末などが例示される。この光散乱性無
機化合物は、上記のような放射線をほぼ完全に反射する
ものが好ましいが、もちろんある程度放射線を吸収して
しまうものも用いることができる。
This light-scattering inorganic compound is a compound that can diffusely reflect radiation such as ultraviolet (UV) or electron beam (EB) when irradiated with it, and
Specific examples include silica powder, alumina powder, silica alumina powder, and mica powder. The light-scattering inorganic compound is preferably one that almost completely reflects the radiation as described above, but it is of course possible to use one that absorbs radiation to some extent.

光散乱性無機化合物は粉末状であることが好ましく、そ
の粒径は1〜100μm好ましくは1〜20μm程度で
あることが望ましい。この光散乱性無機化合物は、粘着
剤層中に0.1〜10重量%好ましくは1〜4重邑%の
但で用いられることが望ましい。該化合物を粘着剤層中
に10重量%を越えた量で用いると、粘着剤層の接着力
が低下したりすることがあるため好ましくなく、一方0
.11重量%未満であると、半導体ウェハ面が灰色化あ
るいは黒色化した場合に、その部分に放射線照射しても
、接着力が充分に低下せずピックアップ時にウェハ表面
に粘着剤が残るため好ましくない。
It is preferable that the light-scattering inorganic compound is in the form of a powder, and the particle size thereof is preferably about 1 to 100 μm, preferably about 1 to 20 μm. This light-scattering inorganic compound is desirably used in the adhesive layer in an amount of 0.1 to 10% by weight, preferably 1 to 4% by weight. If the compound is used in an amount exceeding 10% by weight in the adhesive layer, it is not preferable because the adhesive force of the adhesive layer may decrease.
.. If it is less than 11% by weight, if the semiconductor wafer surface turns gray or black, even if that part is irradiated with radiation, the adhesive strength will not be sufficiently reduced and adhesive will remain on the wafer surface when picked up, which is undesirable. .

粘着剤層中に光散乱性無機化合物粉末を添加するとによ
って得られる粘着シートは、半導体ウェハ面が何らかの
理由によって灰色化あるいは黒色化したような場合に用
いても、この灰色化あるいは黒色化した部分に放射線が
照射されると、この部分においてもその接着力が充分に
低下するのは、次のような理由であろうと考えられる。
The adhesive sheet obtained by adding a light-scattering inorganic compound powder to the adhesive layer can be used even when the surface of a semiconductor wafer has turned gray or black for some reason. It is thought that the reason why the adhesive force is sufficiently reduced even in this part when the part is irradiated with radiation is as follows.

すなわち、粘着シート10は粘着剤層12を有している
が、この粘着剤層12に放射線を照射すると、粘着剤層
12中に含まれる放射線重合性化合物が硬化してその接
着力が低下することになる。ところが半導体ウェハ面に
何らかの理由によって灰色化あるいは黒色化した部分が
生ずることがある。このような場合に粘着剤層12に放
射線を照射すると、放射線は粘着剤層12を通過してウ
ェハ面に達するが、もしウェハ面に灰色化あるいは黒色
化した部分があるとこの部分では放射線が吸収されて、
反射することがなくなってしまう。このため本来粘着剤
層12硬化に利用されるべき放射線が、灰色化あるいは
黒色化した部分では吸収されてしまって粘着剤層12の
硬化が不充分となり、接着力が充分には低下しないこと
になる。したがってウェハチップのピックアップ時にチ
ップ面に粘着剤が付着してしまうのであろうと考えられ
る。
That is, the adhesive sheet 10 has an adhesive layer 12, but when this adhesive layer 12 is irradiated with radiation, the radiation-polymerizable compound contained in the adhesive layer 12 hardens and its adhesive strength decreases. It turns out. However, gray or black areas may appear on the semiconductor wafer surface for some reason. In such a case, if the adhesive layer 12 is irradiated with radiation, the radiation will pass through the adhesive layer 12 and reach the wafer surface, but if there is a gray or blackened area on the wafer surface, the radiation will not be transmitted to this area. absorbed,
There will be no more reflection. For this reason, the radiation that should originally be used for curing the adhesive layer 12 is absorbed by the gray or blackened areas, resulting in insufficient curing of the adhesive layer 12 and the adhesive strength not decreasing sufficiently. Become. Therefore, it is considered that the adhesive adheres to the chip surface when the wafer chip is picked up.

ところが粘着剤層12中に光散乱性無機化合物粉末を添
加すると、照射された放射線はウェハ面に達するまでに
該化合物と衝突して方向が変えられる。このため、たと
えウェハチップ表面に灰色化あるいは黒色化した部分が
、あっても、この部分の上方の領域にも乱反射された放
射線が充分に入り込み、したがってこの灰色化あるいは
黒色化した部分も充分に硬化する。このため、粘着剤層
中に光散乱性無機化合物粉末を添加することによって、
たとえ半導体ウェハ表面に何らかの理由によって灰色化
あるいは黒色化した部分があっても、この部分で粘着剤
層の硬化が不充分になることがなく、したがってウェハ
デツプのピックアップ時にチップ表面に粘着剤が付着す
ることがなくなる。
However, when a light-scattering inorganic compound powder is added to the adhesive layer 12, the irradiated radiation collides with the compound and changes its direction before reaching the wafer surface. Therefore, even if there is a gray or black area on the wafer chip surface, the diffusely reflected radiation will penetrate into the area above this area, and therefore this gray or black area will also be absorbed. harden. Therefore, by adding light-scattering inorganic compound powder to the adhesive layer,
Even if there is a gray or black area on the semiconductor wafer surface for some reason, the adhesive layer will not be sufficiently cured in this area, so the adhesive will adhere to the chip surface when the wafer depth is picked up. Things will go away.

また上記の粘着剤中に、イソシアナート系硬化剤を混合
することにより、初期の接着力を任意の値に設定するこ
とができる。このような硬化剤としては、具体的には多
価イソシアナート化合物、たとえば2.4−トリレンジ
イソシアナート、2,6−トリレンジイソシアナート、
1,3−キシリレンジイソシアナート、1,4−キシレ
ンジイソシアナート、ジフェニルメタン−4,4°−ジ
イソシアナート、ジフェニルメタン−2,4°−ジイソ
シアナート、3−メチルジフェニルメタンジイソシアナ
ート、ヘキサメヂレンジイソシアナート、イソホロンジ
イソシアナート、ジシクロヘキシルメタン−4,4°−
ジイソシアナート、ジシクロヘキシルメタン−2,4゛
−ジイソシアナート、リジンイソシアナートなどが用い
られる。
Further, by mixing an isocyanate curing agent into the above-mentioned pressure-sensitive adhesive, the initial adhesive strength can be set to an arbitrary value. Examples of such curing agents include polyvalent isocyanate compounds such as 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate,
1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4°-diisocyanate, diphenylmethane-2,4°-diisocyanate, 3-methyldiphenylmethane diisocyanate, hexame Dilene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4°-
Diisocyanate, dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate, lysine isocyanate, etc. are used.

ざらに上記の粘着剤中に、U■照射用の場合には、U■
開始剤を混入することにより、U■照射による重合硬化
時間ならびにU■照射を少なくなることができる。
In the above adhesive, if used for irradiation, add U■
By incorporating an initiator, it is possible to reduce the polymerization curing time due to U2 irradiation and the amount of U2 irradiation.

このようなU■開始剤としては、具体的には、ベンゾイ
ン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエー
テル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフ
ェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルフ
ァイド、アゾビスイソブヂロニトリル、ジベンジル、ジ
アセチル、β−クロールアンスラキノンなどが挙げられ
る。
Specific examples of such U initiators include benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl diphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, and diacetyl. , β-chloranthraquinone, and the like.

以下本発明に係る粘着シートの使用方法について説明す
る。
The method of using the adhesive sheet according to the present invention will be explained below.

本発明に係る粘着シート10の上面に剥離性シート13
が設けられている場合には、該シート13を除去し、次
いで粘着シート10の粘着剤層12を上向きにして載置
し、第2図に示すようにして、この粘着剤層12の上面
にダイシング加工すべき半導体ウェハAを貼着する。こ
の貼着状態でウェハAにダイシング、洗浄、乾燥の諸工
程が加えられる。この際、粘着剤層12によりウェハチ
ップは粘着シートに充分に接着保持されているので、上
記各工程の間にウェハチップが脱落することはない。
A releasable sheet 13 is provided on the upper surface of the adhesive sheet 10 according to the present invention.
is provided, the sheet 13 is removed, and then the adhesive sheet 10 is placed with the adhesive layer 12 facing upward, and the upper surface of the adhesive layer 12 is coated as shown in FIG. A semiconductor wafer A to be diced is attached. Wafer A is subjected to various processes such as dicing, cleaning, and drying in this adhered state. At this time, since the wafer chips are sufficiently adhered and held to the adhesive sheet by the adhesive layer 12, the wafer chips do not fall off during each of the above steps.

次に、第3図に示すように、エキスパンディング工程が
行われる。エキスパンディング工程では、ダイシングさ
れたウェハチップ八−〜A5が粘着剤層12に接着され
た粘着シート10の両端を固定具4,4で固定し、この
粘着シート10の基材11側面を押圧治具5で押圧し、
粘着シート10を面方向に引き伸ばす。このエキスパン
ディング工程の際には、押圧用治具5を粘着シート10
における基材11の裏面に圧接させることになるが、こ
の基材11の裏面が粗面化処理しであることから、押圧
用治具5と粗面化された基材11の表面との接触が点接
触になり、従来に比して摩擦が大幅に低減される。この
ため、押圧用治具5で基材11の裏面を押圧し、粘着シ
ート10を面方向に引き延ばす際に、粘着シート10に
おける基材11が押圧用治具5の表面を都合良くすべり
、粘着シート10は、均一に引き延ばされることになる
。したがって、この粘着シート10における粘着剤層1
2に付着された各ウェハチップ相互は略均等かつ十分に
離間され、その俊のピックアップ工程(特に、角錐コレ
ットによるピックアップ工程)が容易になる。
Next, as shown in FIG. 3, an expanding process is performed. In the expanding step, both ends of the adhesive sheet 10 on which the diced wafer chips 8 to A5 are adhered to the adhesive layer 12 are fixed with fixtures 4, 4, and the sides of the base material 11 of the adhesive sheet 10 are pressed and cured. Press with tool 5,
Stretch the adhesive sheet 10 in the plane direction. During this expanding process, the pressing jig 5 is attached to the adhesive sheet 10.
However, since the back surface of the base material 11 has been roughened, contact between the pressing jig 5 and the roughened surface of the base material 11 is difficult. This results in point contact, significantly reducing friction compared to conventional methods. Therefore, when pressing the back side of the base material 11 with the pressing jig 5 and stretching the adhesive sheet 10 in the surface direction, the base material 11 of the adhesive sheet 10 conveniently slides on the surface of the pressing jig 5, causing the adhesive Sheet 10 will be uniformly stretched. Therefore, the adhesive layer 1 in this adhesive sheet 10
The wafer chips attached to the wafer 2 are substantially evenly and sufficiently spaced apart from each other, and the quick pick-up process (particularly the pick-up process using a pyramidal collet) is facilitated.

次に、各ウェハチップを粘着シートからピックアップし
て所定の基台上にマウンティングするが、この際、ピッ
クアップに先立っであるいはピックアップ時に、紫外線
(tJV)あるいは電子線(EB)などの電離性放射線
を粘着シート10の粘着剤層12に照射し、粘着剤層1
2中に含まれる放射線重合性化合物を重合硬化せしめる
。このように粘着剤層12に放射線を照射して放射線重
合性化合物を重合硬化せしめると、粘着剤の有する接着
力は大ぎく低下し、わずかの接着力が残存するのみとな
る。
Next, each wafer chip is picked up from the adhesive sheet and mounted on a predetermined base. At this time, ionizing radiation such as ultraviolet rays (tJV) or electron beams (EB) is applied before or during pickup. The adhesive layer 12 of the adhesive sheet 10 is irradiated, and the adhesive layer 1
The radiation polymerizable compound contained in 2 is polymerized and cured. When the radiation-polymerizable compound is polymerized and cured by irradiating the adhesive layer 12 with radiation in this manner, the adhesive force of the adhesive is greatly reduced, and only a small amount of adhesive force remains.

なお、粘着シート10への放射線照射は、基材11粘着
剤層12が設けられていない面から行なうことが好まし
い。したがって前述のように、放射線としてUVを用い
る場合には基材11は光透過性であることが必要である
が、放射線とし7TEBを用いる場合には基材11は必
ずしも光透過性である必要はない。
Note that it is preferable that the radiation irradiation to the adhesive sheet 10 be performed from the surface of the base material 11 on which the adhesive layer 12 is not provided. Therefore, as mentioned above, when using UV as radiation, the base material 11 needs to be light-transparent; however, when using 7TEB as radiation, the base material 11 does not necessarily have to be light-transparent. do not have.

このようにウェハチップA1〜A5が設けられた部分の
粘着剤層12に放射線を照射して、粘着剤層12の接着
力を低下せしめた後、この粘着シート10をピックアッ
プステーション(図示せず)に移送し、第5図に示すよ
うに、ここで常法に従って粘着シート10を廷して基材
2の下面から突き上げ針杆26によりピックアップすべ
きデツプA ・・・・・・を突き上げ、このチップA1
・・・・・・をたとえば角錐コレット6により確実にピ
ックアップし、これを所定の基台上にマウンティングす
る。このようにしてウェハチップA1.A2・・・・・
・のピックアップを行なうと、ウェハチップ面上には粘
着剤が全く付着せずに簡単にピックアップすることがで
き、汚染のない良好な品質のチップが得られる。
After irradiating the adhesive layer 12 in the portions where the wafer chips A1 to A5 are provided with radiation to reduce the adhesive force of the adhesive layer 12, the adhesive sheet 10 is placed at a pick-up station (not shown). As shown in FIG. Chip A1
. . . is reliably picked up by, for example, a pyramidal collet 6, and mounted on a predetermined base. In this way, wafer chip A1. A2...
When the wafer chip is picked up, no adhesive adheres to the surface of the wafer chip, and the wafer chip can be easily picked up, resulting in good quality chips without contamination.

特に本発明では、エキスパンディング工程で、粘着剤層
12に付着された各チップ間の間隔が十分かつ均等にと
れるため、センサによる個々のチップの位置確認が容易
となる。しかも、ピックアップ用として良く用いられる
角錐コレット6によっても確実にウェハチップA7・・
・・・・のピツクアップが可能になる。
Particularly in the present invention, since sufficient and even intervals can be maintained between the chips attached to the adhesive layer 12 in the expanding step, it becomes easy to confirm the position of each chip using a sensor. Moreover, the pyramidal collet 6, which is often used for pickup, ensures that the wafer chip A7...
It becomes possible to pick up...

なお前記放射線照射は、ピックアップステーションにお
いて行なうこともできる。放射線照射は、ウェハAの貼
着面の全面にわたって1度に照射する必要は必ずしもな
く、部分的に何回にも分けて照射するようにしてもよく
、たとえば、ピックアップすべきウェハチップA1.A
2・・・・・・の1個ごとに、これに対応する裏面にの
み照射する放射線照射管により照射しその部分の粘着剤
のみの接着力を低下させた後、突き上げ針杆26により
ウェハチップA1.A2・・・・・・を突き上げて順次
ピックアップを行なうこともできる。第6図には、上記
の放射線照射方法の変形例を示すが、この場合には、突
き上げ針杆26の内部を中空とし、その中空部に放射線
発生8!27を設けて放射線照射とピックアップとを同
時に行なえるようにしており、このようにすると装置を
簡単化できると同時にピッアップ操作時間を短縮するこ
とができる。
Note that the radiation irradiation can also be performed at a pickup station. It is not always necessary to irradiate the entire surface of the wafer A to which the wafer A is attached at once, and the irradiation may be performed in several parts. A
After irradiating each wafer chip with a radiation irradiation tube that irradiates only the corresponding back surface to reduce the adhesive strength of the adhesive in that part, the wafer chip is removed using the push-up needle rod 26. A1. It is also possible to pick up items in sequence by pushing up A2... FIG. 6 shows a modification of the above-mentioned radiation irradiation method. In this case, the push-up needle rod 26 is made hollow, and a radiation generator 8!27 is provided in the hollow part to perform radiation irradiation and pickup. In this way, the device can be simplified and the pick-up operation time can be shortened.

なお、本発明は、上述した実施例に限定されるものでは
なく種々に改変することができる。
Note that the present invention is not limited to the embodiments described above, and can be modified in various ways.

例えば、上述した実施例では、粘着剤層に放射線重合性
化合物を含ませたが、これに限らず、粘着剤のみから成
る粘着剤層であっても良い。
For example, in the above embodiments, the adhesive layer contains a radiation-polymerizable compound, but the invention is not limited to this, and the adhesive layer may be made of only an adhesive.

次に、本発明の作用効果を確認するために行った試験結
果について説明する。
Next, the results of tests conducted to confirm the effects of the present invention will be explained.

本発明に係る粘着シートにおける基材央部の治具に対す
るすべり性が従来のものに比較してどれ程向上するかを
確認するため、それぞれの静摩擦係数μを比較した。な
お、静摩擦係数μは、次の式で定義される。
In order to confirm how much the sliding property of the central part of the base material against a jig in the adhesive sheet according to the present invention is improved compared to the conventional adhesive sheet, the respective static friction coefficients μ were compared. Note that the static friction coefficient μ is defined by the following formula.

μ= F/N ただし、Fは錘の引張力、Nは錘の重量である。μ=F/N However, F is the tensile force of the weight, and N is the weight of the weight.

試験方法としては、ジエー・タッピ(J、 TAPPI
 )紙パルプ試験方法に準拠して行った。具体的には、
測定材料としてのフィルムの上に1Kgの錘を載せ、そ
のフィルムの下にステンレス板を載置し、錘をフィルム
と共にナイロン糸で10m/minの速度で引張り、そ
の際にナイロン糸に加わる引張力。
As for the test method, J. TAPPI
) Conducted in accordance with the paper pulp test method. in particular,
A 1Kg weight is placed on the film as the measurement material, a stainless steel plate is placed under the film, and the weight is pulled together with the film using a nylon thread at a speed of 10 m/min, and the tensile force applied to the nylon thread at this time. .

(F)を測定することにより行った。結果を表1に示す
This was done by measuring (F). The results are shown in Table 1.

なお、特殊ポリオレフィンフィルムとしては、エチレン
メタクリル酸共重合体フィルムを用いた。
Note that an ethylene methacrylic acid copolymer film was used as the special polyolefin film.

また、軟質塩化ビニルフィルムとしては、可塑剤35p
を含むものを用いた。
In addition, as a soft vinyl chloride film, plasticizer 35p
We used those containing

以上の実験結果より、静摩擦係数が大きくすべり性が悪
いフィルムでも、粗面化処理することにより摩擦係数が
大幅に低下し、すべり性が改善されることから、このよ
うなフィルムにあっても本発明に係る粘着シートにおけ
る基材として用いることが可能になることが明らかにな
った。
The above experimental results show that even for films with a large static friction coefficient and poor slip properties, roughening treatment can significantly reduce the friction coefficient and improve the slip properties. It has become clear that it can be used as a base material in the adhesive sheet according to the invention.

発明の詳細 な説明してきたように、本発明によれば、半導体ウェハ
が付着される粘着剤層と、この粘着剤層が表面に形成さ
れた基材とから成るウェハ貼着用粘着シートにおいて、
前記基材の裏面が粗面化処理しであるので、ウェハ貼着
用粘着シートのエキスパンディング工程の際に押圧用治
具の表面を粘着シートが都合良くすべるため、粘着シー
トが均一に引き延ばされ、この粘着シートに付着された
各ウェハチップ相互が略均等に引き離され、その後のピ
ックアップ工程が格別に容易になるという優れた効果を
奏する。
As described in detail, the present invention provides an adhesive sheet for wafer attachment comprising an adhesive layer to which a semiconductor wafer is attached, and a base material on which the adhesive layer is formed.
Since the back surface of the base material has been roughened, the adhesive sheet can conveniently slide on the surface of the pressing jig during the expanding process of the adhesive sheet for wafer attachment, so that the adhesive sheet can be stretched uniformly. The wafer chips attached to the adhesive sheet are separated from each other substantially evenly, and the subsequent pick-up process becomes extremely easy, which is an excellent effect.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例を示すウェハ貼着用粘着シー
トの断面図、第2,3図は同粘着シートの使用状態を示
す要部断面図、第4図は同粘着シートの製造過程を示す
要部斜視図、第5,6図は同粘着シートを用いてピック
アップ工程を行った場合の要部断面図、第7図は従来の
粘着シートを用いてエキスパンディング工程を行った場
合の要部断面図、第8図は従来例に係るピックアップ工
程を示す要部断面図である。 10・・・粘着シート 11・・・基材、    12・・・粘着剤層、15・
・・凹凸、    A・・・ウェハ、A1〜A5・・・
ウェハチップ。 代理人  弁理士  鈴 木 俊一部 第  1  図 n 第2図 b 第  3  図 第4図 第  5  図 第  6  図 第  7  図 第  8  図 手続ネm正書 昭和62年11月26日 1、事件の表示 昭和62年特 許 願 第146.446号2、発明の
名称 ウェハ貼着用粘着シート 3、補正をする者 事件との関係  特許出願人 名称  エフエスケー株式会社 4、代 理 人 (郵便番号141) 東京部品用区東五反田−丁目25番4号] 自発補正 7、補正の内容 1)明細書第4頁第1行において、 「なさたものであり、」とあるのを、 「なされたものであり、」と補正する。 2)同書第28頁第3行において、 「製造過程を示す要部斜視図、」とあるのを、「粗面化
工程を示す説明図、」と補正する。
Fig. 1 is a cross-sectional view of a pressure-sensitive adhesive sheet for wafer attachment showing an embodiment of the present invention, Figs. 2 and 3 are cross-sectional views of main parts showing the state of use of the pressure-sensitive adhesive sheet, and Fig. 4 is a manufacturing process of the pressure-sensitive adhesive sheet. Figures 5 and 6 are sectional views of the main parts when the pick-up process is performed using the same adhesive sheet, and Figure 7 is a cross-sectional view of the main parts when the conventional adhesive sheet is used for the expanding process. FIG. 8 is a cross-sectional view of main parts showing a pickup process according to a conventional example. 10... Adhesive sheet 11... Base material, 12... Adhesive layer, 15...
...Irregularities, A...Wafer, A1-A5...
wafer chip. Agent Patent Attorney Shunichi Suzuki Part 1 Figure n Figure 2 b Figure 3 Figure 4 Figure 5 Figure 6 Figure 7 Figure 8 Figure Procedures Manual November 26, 1986 1. Indication 1988 Patent Application No. 146.446 2 Name of the invention Adhesive sheet for wafer attachment 3 Relationship with the case of the person making the amendment Patent applicant name FSK Co., Ltd. 4, Agent (zip code 141) Tokyo 25-4, Higashigotanda-chome, parts-use district] Voluntary amendment 7, Contents of the amendment 1) In the first line of page 4 of the specification, the phrase “what was made,” was replaced with “what was made.” ,” is corrected. 2) In the third line of page 28 of the same book, the phrase "perspective view of main parts showing the manufacturing process" is amended to "explanatory drawing showing the surface roughening process."

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1)半導体ウェハが付着される粘着剤層と、この粘着剤
層が表面に形成された基材とから成るウェハ貼着用粘着
シートにおいて、前記基材の裏面が粗面化処理してある
ことを特徴とするウェハ貼着用粘着シート。 2)前記粘着剤層は粘着剤と放射線重合性化合物とを含
んでいることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載
の粘着シート。
[Scope of Claims] 1) A pressure-sensitive adhesive sheet for wafer bonding comprising an pressure-sensitive adhesive layer to which a semiconductor wafer is attached and a base material on the surface of which the pressure-sensitive adhesive layer is formed, wherein the back surface of the base material is roughened. An adhesive sheet for pasting wafers characterized by being treated. 2) The pressure-sensitive adhesive sheet according to claim 1, wherein the pressure-sensitive adhesive layer contains a pressure-sensitive adhesive and a radiation-polymerizable compound.
JP62146446A 1987-06-12 1987-06-12 Adhesive sheet for bonding of wafer Pending JPS63310132A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62146446A JPS63310132A (en) 1987-06-12 1987-06-12 Adhesive sheet for bonding of wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62146446A JPS63310132A (en) 1987-06-12 1987-06-12 Adhesive sheet for bonding of wafer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63310132A true JPS63310132A (en) 1988-12-19

Family

ID=15407829

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62146446A Pending JPS63310132A (en) 1987-06-12 1987-06-12 Adhesive sheet for bonding of wafer

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63310132A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0479436U (en) * 1990-11-22 1992-07-10
EP1566236A1 (en) * 2004-02-20 2005-08-24 Nitto Denko Corporation Adhesive sheet for laser dicing having a controlled average surface roughness (Ra) and its manufacturing method
JP2007220905A (en) * 2006-02-16 2007-08-30 Shibuya Kogyo Co Ltd Pickup device of tabular article

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0479436U (en) * 1990-11-22 1992-07-10
EP1566236A1 (en) * 2004-02-20 2005-08-24 Nitto Denko Corporation Adhesive sheet for laser dicing having a controlled average surface roughness (Ra) and its manufacturing method
US7564119B2 (en) 2004-02-20 2009-07-21 Nitto Denko Corporation Adhesive sheet for laser dicing and its manufacturing method
US7767556B2 (en) 2004-02-20 2010-08-03 Nitto Denko Corporation Adhesive sheet for laser dicing and its manufacturing method
JP2007220905A (en) * 2006-02-16 2007-08-30 Shibuya Kogyo Co Ltd Pickup device of tabular article

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4756968A (en) Adhesive sheets
US5187007A (en) Adhesive sheets
US6010782A (en) Thin adhesive sheet for working semiconductor wafers
JP3348923B2 (en) Adhesive sheet for attaching wafer
JPH0532946A (en) Releasable tacky adhesive polymer
JP4219605B2 (en) Adhesive sheet for semiconductor wafer processing and method of using the same
JPH05235150A (en) Adhesive sheet for sticking wafer
JPS6317981A (en) Adhesive sheet
JPS62153376A (en) Pressure-sensitive adhesive sheet
JP2004331743A (en) Pressure-sensitive adhesive sheet and method for using the same
JPS62153377A (en) Pressure-sensitive adhesive sheet
KR20180105568A (en) Adhesive tape for dicing, method for manufacturing the adhesive tape and method for manufacturing semiconductor chip
JP6522617B2 (en) Dicing sheet, method of manufacturing dicing sheet, and method of manufacturing mold chip
JPH0242393B2 (en)
JP3299601B2 (en) Adhesive sheet for attaching wafer
GB2221469A (en) Adhesive sheet suitable for use in dicing semiconductor wafers into chips
JPS63310132A (en) Adhesive sheet for bonding of wafer
JP3330851B2 (en) Wafer grinding method
JP3073239B2 (en) Adhesive sheet for attaching wafer
JPS6317980A (en) Adhesive sheet for applying wafer
JP2006286808A (en) Wafer-working tape and method of working wafer using the same
JPH0214384B2 (en)
JP2545170B2 (en) Wafer sticking adhesive sheet and wafer dicing method
JP2728333B2 (en) Adhesive sheet for attaching wafer and chip pick-up method
JPS63299246A (en) Adhesive sheet for adhesion of wafer