JPS63308899A - 荷電粒子装置 - Google Patents
荷電粒子装置Info
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- JPS63308899A JPS63308899A JP14586087A JP14586087A JPS63308899A JP S63308899 A JPS63308899 A JP S63308899A JP 14586087 A JP14586087 A JP 14586087A JP 14586087 A JP14586087 A JP 14586087A JP S63308899 A JPS63308899 A JP S63308899A
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- deflecting
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 8
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003134 recirculating effect Effects 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
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- Particle Accelerators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、加速器、たとえば線形加速器、またはシン
クロトロンからの荷電粒子(電子またはイオン)を物理
実験室、医用照射室などへ輸送する荷電粒子輸送系を有
する荷電粒子装置1こ関するものである。
クロトロンからの荷電粒子(電子またはイオン)を物理
実験室、医用照射室などへ輸送する荷電粒子輸送系を有
する荷電粒子装置1こ関するものである。
第2図は、放射線医学総合研究所の報告、NlR8−λ
(−65(1986,3月)、185〜194ページに
記載されたような従来の荷電粒子装置であり、図にシい
て、直線状輸送系(1)の第1の分岐点(2)から分岐
した第1の分岐輸送系(3)が第1の照射室(4)へ延
び【いる。(5)は照射室(4)からの放射線漏洩防止
用の遮蔽扉である。第2の分岐点(6+で分岐した第2
の分岐輸送系(7)は@2の照射室(8)へ延びている
。
(−65(1986,3月)、185〜194ページに
記載されたような従来の荷電粒子装置であり、図にシい
て、直線状輸送系(1)の第1の分岐点(2)から分岐
した第1の分岐輸送系(3)が第1の照射室(4)へ延
び【いる。(5)は照射室(4)からの放射線漏洩防止
用の遮蔽扉である。第2の分岐点(6+で分岐した第2
の分岐輸送系(7)は@2の照射室(8)へ延びている
。
(9)はビームダンプである。第1の偏向系(10)は
、第1の偏向電磁石(11)、第2の偏向を巳石(12
)、第3の偏向電磁石(13)、四極Eff1石(14
)からなっている。第2の偏向系(15)についても同
様である。
、第1の偏向電磁石(11)、第2の偏向を巳石(12
)、第3の偏向電磁石(13)、四極Eff1石(14
)からなっている。第2の偏向系(15)についても同
様である。
以上の構成により、加速器などからの荷電粒子は、第2
図の下方から直線状輸送系(1)に尋人され、どの偏向
系の電磁石も励磁してない場合、直進してビームダンプ
(9)に入り、そこで強度などが測定されて吸収される
。いま、たとえば、第1の偏向系(10)が励磁された
場合、すなわち、第1の偏内篭磁石(11)、第2の偏
向を磁石(12)、第V)fIm向電磁電磁石3)およ
び4個の四極電磁石(四極tia石(14)はその中の
1つを示す)を所要の磁場を作るように励磁した場合は
、荷電粒子は分岐点(2)で右側に偏向されて第1の照
射室(4;に導か几、所定の目的、たとえば、治療、診
断などに用いられる。第2の偏向系(15)やもつと下
流側の偏向系につい℃も第1の偏向系(10)と同様で
ある。
図の下方から直線状輸送系(1)に尋人され、どの偏向
系の電磁石も励磁してない場合、直進してビームダンプ
(9)に入り、そこで強度などが測定されて吸収される
。いま、たとえば、第1の偏向系(10)が励磁された
場合、すなわち、第1の偏内篭磁石(11)、第2の偏
向を磁石(12)、第V)fIm向電磁電磁石3)およ
び4個の四極電磁石(四極tia石(14)はその中の
1つを示す)を所要の磁場を作るように励磁した場合は
、荷電粒子は分岐点(2)で右側に偏向されて第1の照
射室(4;に導か几、所定の目的、たとえば、治療、診
断などに用いられる。第2の偏向系(15)やもつと下
流側の偏向系につい℃も第1の偏向系(10)と同様で
ある。
以上のような荷電粒子輸送系では、下記の点に留意して
全体のレイアウトが設計される。
全体のレイアウトが設計される。
ill 第1の偏向系(10)と第2の偏向系(15
)とは偏向方向は異なるが電磁石の構成は、同一とし、
電磁石系を標準化する。
)とは偏向方向は異なるが電磁石の構成は、同一とし、
電磁石系を標準化する。
(2) このような偏向系は、偏向系から出射される
荷電粒子が、下流(こ設けられている四極電磁石群を通
過する際、収束、発散特性に周知の色収差が生じないよ
うに、周知のダブルアクロマティクな特性を持つように
設計される。
荷電粒子が、下流(こ設けられている四極電磁石群を通
過する際、収束、発散特性に周知の色収差が生じないよ
うに、周知のダブルアクロマティクな特性を持つように
設計される。
(3)第1の分岐点(2)および第2の分岐点(6)で
代表される直線状輸送系(1)の分岐点では、周知のツ
ウイスパラメータが等しくなるように設計される。
代表される直線状輸送系(1)の分岐点では、周知のツ
ウイスパラメータが等しくなるように設計される。
したがって、左右の照射室へ入射する荷電粒子の特性は
全く同一になるように設計される。
全く同一になるように設計される。
なお、第2図の例では、運動エネルギー100〜800
Meル勺 を持つ重イオンに適用した場合であり、偏
向系の偏向角度は約45嵐で、第1の偏向電磁石(11
)、第2の偏向電磁石(12)および第3の偏向1!磁
石(13)のそれぞれの偏向角度は等しく、約15度に
選んである。
Meル勺 を持つ重イオンに適用した場合であり、偏
向系の偏向角度は約45嵐で、第1の偏向電磁石(11
)、第2の偏向電磁石(12)および第3の偏向1!磁
石(13)のそれぞれの偏向角度は等しく、約15度に
選んである。
〔発明が解決しようとする問題点3
以上のような従来の荷電粒子装置では、偏向系が5個の
偏向電磁石と4個の四it磁石から/Lす、45度偏向
しようとするだけで7個もの電磁石が要求されている。
偏向電磁石と4個の四it磁石から/Lす、45度偏向
しようとするだけで7個もの電磁石が要求されている。
これ等の電磁石と配置する場合には、幾何学的に高い精
度が要求されるが、配置上半じる集積誤差は電磁石の数
と共に増加する。
度が要求されるが、配置上半じる集積誤差は電磁石の数
と共に増加する。
電磁石間に許容される間隔も許容限界があり、電磁石の
数と共に配置上要求されるスペースも増加するなどの問
題点があった。
数と共に配置上要求されるスペースも増加するなどの問
題点があった。
この発明は、偏向系に伴う(1)〜(3)の設計上の留
意点な守り、かつ、偏向系を形成する1lil向電磁石
および四極電磁石の数を大幅に減少することができる荷
電粒子装置を得ることを目的とする。
意点な守り、かつ、偏向系を形成する1lil向電磁石
および四極電磁石の数を大幅に減少することができる荷
電粒子装置を得ることを目的とする。
この発明に係る荷電粒子装置は、i!線状輸送系上に等
間隔で配置された分岐点な出発点とする複数個の偏向系
からなっているが、それ等の偏向系は2 fll!lの
同一偏向角を有する偏向電磁石と少なくとも1個の四極
電磁石と′を備え、かつ、アクロマデイクな特性を有し
ている。
間隔で配置された分岐点な出発点とする複数個の偏向系
からなっているが、それ等の偏向系は2 fll!lの
同一偏向角を有する偏向電磁石と少なくとも1個の四極
電磁石と′を備え、かつ、アクロマデイクな特性を有し
ている。
この発明におい【は、従来装置と比べるために具体的な
場合で記述すると、偏向t′fHL石の偏向角度は約2
2.5[で、2個合せて約45度となるが、第2図の従
来装置と同じ偏向角度であり、1個当りの偏向角度を増
している。この場合、ダブルアクロマティクな特性が得
られるかどうかが問題であるが、四極電磁石を偏向電磁
石間に1個だけ挿入すれば上記特性が得られることがわ
かった。
場合で記述すると、偏向t′fHL石の偏向角度は約2
2.5[で、2個合せて約45度となるが、第2図の従
来装置と同じ偏向角度であり、1個当りの偏向角度を増
している。この場合、ダブルアクロマティクな特性が得
られるかどうかが問題であるが、四極電磁石を偏向電磁
石間に1個だけ挿入すれば上記特性が得られることがわ
かった。
第1図はこの発明の一実施例を示し、荷電粒子輸送系は
、直線状輸送系(1)、第1の分岐点(2a)、第1の
分岐輸送系(3a)、第1の照射室(4a)、第2の分
岐点(6a)、第2の分岐輸送系(7a)、ビームダン
プ(9)、第1の偏向系(10a) 、第1の偏向電磁
石(11a)、第2の偏向電磁石(12a)、単独の四
極電磁石(14a) 、第2の偏向系(15a)、回連
四極!磁石(16) 、二連四極電磁石(17)、四極
電磁石対(18)などからなっており、これの類似の繰
返し構成でなる。
、直線状輸送系(1)、第1の分岐点(2a)、第1の
分岐輸送系(3a)、第1の照射室(4a)、第2の分
岐点(6a)、第2の分岐輸送系(7a)、ビームダン
プ(9)、第1の偏向系(10a) 、第1の偏向電磁
石(11a)、第2の偏向電磁石(12a)、単独の四
極電磁石(14a) 、第2の偏向系(15a)、回連
四極!磁石(16) 、二連四極電磁石(17)、四極
電磁石対(18)などからなっており、これの類似の繰
返し構成でなる。
第1の偏向系(10a)は、第1の偏向電磁石(118
入紀2の偏向電磁石(12a)および単独四極電磁石(
14a)の3個の電磁石から構成されている。
入紀2の偏向電磁石(12a)および単独四極電磁石(
14a)の3個の電磁石から構成されている。
以上の構成により、第1の偏向系(10a)は、第2図
における第1の偏向系(10)より’tEB石の数は大
幅に減少しており、コンパクトな構成となっている。勿
論、第1の偏向系(10a)が第2図における第1の偏
向系(10)と同じ偏向角変の場合には、そこに使用さ
れろ偏向!磁石の偏向角度は第2図の場合の1.5倍と
なシ、電磁石の大きさは大きくなるが、電磁石の数が少
ないことから第1の偏向系(10a) iこ必要なスペ
ースは従来の場合1こ比へ【かなり節約できる。第2図
では示さなかったが、直線状輸送系(1)に入ってくる
荷電粒子のツウイスパラメータなWJlの偏向系(10
a)の入口で必要なツウィスパラメ・−夕に合うように
18整する回連四極電磁石(16)がこの発明では挿入
してあり、その下流の第2の偏向系(t5a、)の入口
に対しては四極電磁石対(18)を設けて同様のツウイ
スパラメータの調整をしており、この方式は第2の偏向
系(15a)の下流では繰返えされる。三遅四極ta石
(17)は、第1の照射室(4a)の照射部(図示せず
)での荷電粒子の広がりを調整するのに用いられる。
における第1の偏向系(10)より’tEB石の数は大
幅に減少しており、コンパクトな構成となっている。勿
論、第1の偏向系(10a)が第2図における第1の偏
向系(10)と同じ偏向角変の場合には、そこに使用さ
れろ偏向!磁石の偏向角度は第2図の場合の1.5倍と
なシ、電磁石の大きさは大きくなるが、電磁石の数が少
ないことから第1の偏向系(10a) iこ必要なスペ
ースは従来の場合1こ比へ【かなり節約できる。第2図
では示さなかったが、直線状輸送系(1)に入ってくる
荷電粒子のツウイスパラメータなWJlの偏向系(10
a)の入口で必要なツウィスパラメ・−夕に合うように
18整する回連四極電磁石(16)がこの発明では挿入
してあり、その下流の第2の偏向系(t5a、)の入口
に対しては四極電磁石対(18)を設けて同様のツウイ
スパラメータの調整をしており、この方式は第2の偏向
系(15a)の下流では繰返えされる。三遅四極ta石
(17)は、第1の照射室(4a)の照射部(図示せず
)での荷電粒子の広がりを調整するのに用いられる。
第1の偏向電磁石(11a)の゛亀田石は、周知のエッ
ヂ収束効果を用いて偏向面に直角方向の荷電粒子の発散
を抑え、偏向面内の発散は単独四極!磁石(14a、)
で抑えるようにしである。完全アクロマテイクの特性は
、単独四柩T!L磁石(14a)の中央に対して鏡面対
称になるように第1の偏向系(10a)の条件を選ぶこ
とにより達成できる。
ヂ収束効果を用いて偏向面に直角方向の荷電粒子の発散
を抑え、偏向面内の発散は単独四極!磁石(14a、)
で抑えるようにしである。完全アクロマテイクの特性は
、単独四柩T!L磁石(14a)の中央に対して鏡面対
称になるように第1の偏向系(10a)の条件を選ぶこ
とにより達成できる。
以上の説明から明らかなように、この発明は、各偏向系
が、2個の同一偏向角の偏向vLa石と少なくとも1個
の四極′?!!磁石を備え、アクロマティク特性を有す
るようにしたので、電磁石の個数が大幅に減り、装置が
安11ITiになる。また、電磁石の個数の減少は、配
置するときの労力が少なくて済み、この意味でも据付コ
ストの低減がはかれろ。
が、2個の同一偏向角の偏向vLa石と少なくとも1個
の四極′?!!磁石を備え、アクロマティク特性を有す
るようにしたので、電磁石の個数が大幅に減り、装置が
安11ITiになる。また、電磁石の個数の減少は、配
置するときの労力が少なくて済み、この意味でも据付コ
ストの低減がはかれろ。
第1図は、この発明の一実施例の平面図、第2図は従来
の荷電粒子装置の平面図である。 (1)・―直線状輸送系、(2a)・・第1の分岐点、
(6a)・・第2の分岐点、(10a)・・第1の偏向
系、(15a)―・第2の偏向系、(1[a)・・第1
の偏向電磁石、(12a) 拳@第2の偏向電磁石、(
,14a )・・四極電磁石。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 第 1 図 14a: (II7$*@石瓜石
l第 2 図
の荷電粒子装置の平面図である。 (1)・―直線状輸送系、(2a)・・第1の分岐点、
(6a)・・第2の分岐点、(10a)・・第1の偏向
系、(15a)―・第2の偏向系、(1[a)・・第1
の偏向電磁石、(12a) 拳@第2の偏向電磁石、(
,14a )・・四極電磁石。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 第 1 図 14a: (II7$*@石瓜石
l第 2 図
Claims (2)
- (1)直線状輸送系上に一定の間隔で配置された分岐点
から分岐する複数個の偏向系を有する荷電粒子輸送系を
備えた荷電粒子装置において、それぞれの前記偏向系が
2個の同一偏向角を有する偏向電磁石と少なくとも1個
の四極電磁石でなり、かつ、アクロマテイクな特性を備
えてなることを特徴とする荷電粒子装置。 - (2)左右に交互に分岐された偏向系を有する特許請求
の範囲第1項記載の荷電粒子装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62145860A JP2539438B2 (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | 荷電粒子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62145860A JP2539438B2 (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | 荷電粒子装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63308899A true JPS63308899A (ja) | 1988-12-16 |
JP2539438B2 JP2539438B2 (ja) | 1996-10-02 |
Family
ID=15394748
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62145860A Expired - Lifetime JP2539438B2 (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | 荷電粒子装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2539438B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0636891A (ja) * | 1992-07-15 | 1994-02-10 | Mitsubishi Electric Corp | ビーム供給装置 |
JP2009502221A (ja) * | 2005-07-22 | 2009-01-29 | ゲーエスイー ゲゼルシャフト フュア シュヴェリオネンフォルシュンク エムベーハー | 照射装置 |
JP2014052266A (ja) * | 2012-09-06 | 2014-03-20 | Japan Atomic Energy Agency | 中性子線遮蔽構造体 |
-
1987
- 1987-06-10 JP JP62145860A patent/JP2539438B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0636891A (ja) * | 1992-07-15 | 1994-02-10 | Mitsubishi Electric Corp | ビーム供給装置 |
JP2009502221A (ja) * | 2005-07-22 | 2009-01-29 | ゲーエスイー ゲゼルシャフト フュア シュヴェリオネンフォルシュンク エムベーハー | 照射装置 |
JP2014052266A (ja) * | 2012-09-06 | 2014-03-20 | Japan Atomic Energy Agency | 中性子線遮蔽構造体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2539438B2 (ja) | 1996-10-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |