JPS63226899A - 超電導ウイグラ− - Google Patents
超電導ウイグラ−Info
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- JPS63226899A JPS63226899A JP6065187A JP6065187A JPS63226899A JP S63226899 A JPS63226899 A JP S63226899A JP 6065187 A JP6065187 A JP 6065187A JP 6065187 A JP6065187 A JP 6065187A JP S63226899 A JPS63226899 A JP S63226899A
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Links
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 7
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- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 4
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電子シンクロトロンにおいてシンクロトロ
ン放射光を取り出すための超電導ウィグラーに関し、超
電導ウィグラーを垂直方向と水平方向に直列に組合わせ
て配置することにより、任意の偏向特性を有するシンク
ロトロン放射光を取り出せるようにしたものである。
ン放射光を取り出すための超電導ウィグラーに関し、超
電導ウィグラーを垂直方向と水平方向に直列に組合わせ
て配置することにより、任意の偏向特性を有するシンク
ロトロン放射光を取り出せるようにしたものである。
電子シンクロトロンは、第２図に示すように、環状の軌
道１１に沿って偏向電磁石１０や４極電磁石１２を配置
して、ライナック１４から入射される電子を加速する。
道１１に沿って偏向電磁石１０や４極電磁石１２を配置
して、ライナック１４から入射される電子を加速する。
超電導ウィグラー１６はこの環状の電子軌道１１の途中
（直線部）に配置されて、電子ｅ−を偏向しシンクロト
ロン放射光を放出させて各種物性研究（例えば、半導体
、磁性体の物性と結晶構造の研究、巨大たん白の構造研
究、人工結晶生成過程の研究等、）に利用される。
（直線部）に配置されて、電子ｅ−を偏向しシンクロト
ロン放射光を放出させて各種物性研究（例えば、半導体
、磁性体の物性と結晶構造の研究、巨大たん白の構造研
究、人工結晶生成過程の研究等、）に利用される。
従来の超電導ウィグラーは、例えば第３図（ａ）。
（ｂ）に示すように、電子の軌道１１を挾んで上下に対
向して複数組の超電導磁石（１８Ａ、 １８Ｂ）、 （
２ＯＡ。
向して複数組の超電導磁石（１８Ａ、 １８Ｂ）、 （
２ＯＡ。
２０８）、 （２２Ａ、２２Ｂ）を配設して構成されて
いる。軌道１１上の電子ｅ−は、第３図（Ｃ）に示す“
ように、ローレンツ力により偏向され、このときシンク
ロトロン放射光を放出する。この放出された光をボート
から取り出して、各種物性研究に利用する。
いる。軌道１１上の電子ｅ−は、第３図（Ｃ）に示す“
ように、ローレンツ力により偏向され、このときシンク
ロトロン放射光を放出する。この放出された光をボート
から取り出して、各種物性研究に利用する。
前記従来の超電導ウィグラーでは、電子ｅ”の偏向方向
が１方向なので、取り出す光の偏向特性を任意に選ぶこ
とができず、物性研究の範囲が限られていた。
が１方向なので、取り出す光の偏向特性を任意に選ぶこ
とができず、物性研究の範囲が限られていた。
この発明は、前記従来の技術における問題点を解決して
、取り出す光の偏向特性を任意に選ぶことができる超電
導ウィグラーを提供しようとするものである。
、取り出す光の偏向特性を任意に選ぶことができる超電
導ウィグラーを提供しようとするものである。
この発明の超電導ウィグラーは、電子シンクロトロンに
おいて、垂直磁場を有する水平超電導ウィグラーと、水
平磁場を有する垂直超電導ウィグラーを直列に組合ばて
、両ウィグラーの磁場の強さをそれぞれ独立に制御でき
るようにしたことを特徴とするものである。
おいて、垂直磁場を有する水平超電導ウィグラーと、水
平磁場を有する垂直超電導ウィグラーを直列に組合ばて
、両ウィグラーの磁場の強さをそれぞれ独立に制御でき
るようにしたことを特徴とするものである。
この発明の前記解決手段によれば、電子は水平超電導ウ
ィグラーによって水平方向に偏向され、かつ垂直超電導
ウィグラーによって垂直方向に偏向される。
ィグラーによって水平方向に偏向され、かつ垂直超電導
ウィグラーによって垂直方向に偏向される。
これによれば、取り出す光の偏向特性を任意に選ぶこと
ができる。
ができる。
この発明の一実施例を以下説明する。
第１図（ａ）、 （ｂ）において、超電導ウィグラー１
６は、電子シンクロトロンにおける電子ｅ−の軌道１１
（第２図参照）上の直線部分に配設される。
６は、電子シンクロトロンにおける電子ｅ−の軌道１１
（第２図参照）上の直線部分に配設される。
超電導ウィグラー１６は、水平ウィグラー２４と垂直ウ
ィグラー２６を電子ｅ−の軌道１１上に直列に配設して
構成されている。
ィグラー２６を電子ｅ−の軌道１１上に直列に配設して
構成されている。
水平ウィグラー２４は、電子ｅ−の軌道を挾んで上下に
３対の超電導磁石（２８＾、２８Ｂ）、 （３０＾、３
０Ｂ）。
３対の超電導磁石（２８＾、２８Ｂ）、 （３０＾、３
０Ｂ）。
（３２Ａ、 ３２Ｂ）を配して構成され、電子ｅ−が進
む方向に対して垂直方向に磁場をかけて、水平面上で電
子ｅ−を偏向させる。
む方向に対して垂直方向に磁場をかけて、水平面上で電
子ｅ−を偏向させる。
超電導磁石２８Ａ、２８Ｂは上方向に向かう磁束を生じ
させる。超電導磁石３０Ａ、３０Ｂは下方向に向かう磁
束を生じさせる。超電導磁石３２Ａ、３２［３は上方向
に向かう磁束を生じさせる。
させる。超電導磁石３０Ａ、３０Ｂは下方向に向かう磁
束を生じさせる。超電導磁石３２Ａ、３２［３は上方向
に向かう磁束を生じさせる。
超電導磁石３０Ａ、３０Ｂは、超電導磁石（２８Ａ 。
２８Ｂ）、 （３２Ａ、３２Ｂ）より大きく作られてい
る。
る。
垂直ウィグラー２６は、電子ｅ−の軌道１１を挾んで左
右に３対の超電導磁石（３４＾、３４Ｂ）、（３６＾。
右に３対の超電導磁石（３４＾、３４Ｂ）、（３６＾。
３６Ｂ） 、（３８＾、３８Ｂ）を配して構成され、電
子ｅ−が准む方向に対して直角かつ前記水平ウィグラー
２４による偏向方向と直角な方向に磁場をかけて、垂直
面上で電子ｅ−を偏向させる。
子ｅ−が准む方向に対して直角かつ前記水平ウィグラー
２４による偏向方向と直角な方向に磁場をかけて、垂直
面上で電子ｅ−を偏向させる。
超電導磁石３４Ａ、３４Ｂは左方向に向かう磁束を生じ
させる。超電導磁石３６Ａ、３６Ｂは右方向に向かう磁
束を生じさぼる。超電導磁石３８△、３８Ｂは左方向に
向かう磁束を生じさせる。
させる。超電導磁石３６Ａ、３６Ｂは右方向に向かう磁
束を生じさぼる。超電導磁石３８△、３８Ｂは左方向に
向かう磁束を生じさせる。
超電導磁石３６Ａ、３６Ｂは、超電導磁石３４Ａ。
３４Ｂよりも大きく作られている。
なお磁界の強さはウィグラー２４．２６ごとに独立に設
定される。
定される。
上記構成によれば、軌道１１上を通過する電子ｅ−は、
第１図（ｄ）に示すように、水平ウィグラー２４で水平
方向に偏向され、このとき光を放出する。超電導磁石３
０Ａ、３０Ｂの磁界の強さを超電導磁石（２８Ａ、２８
Ｂ）、 （３２Ａ、３２Ｂ）との関係で調整することに
より（例えば超電導磁石（２８Ａ、２８Ｂ）。
第１図（ｄ）に示すように、水平ウィグラー２４で水平
方向に偏向され、このとき光を放出する。超電導磁石３
０Ａ、３０Ｂの磁界の強さを超電導磁石（２８Ａ、２８
Ｂ）、 （３２Ａ、３２Ｂ）との関係で調整することに
より（例えば超電導磁石（２８Ａ、２８Ｂ）。
（３２Ａ、３２Ｂ）をそれぞれ２．５テスラ、超電導磁
石（３０Ａ、 ３０Ｂ）を５テスラとする。）、水平ウ
ィグラー２４から出される電子ｅ−を元の軌道１１上に
戻すことができる。
石（３０Ａ、 ３０Ｂ）を５テスラとする。）、水平ウ
ィグラー２４から出される電子ｅ−を元の軌道１１上に
戻すことができる。
また、水平ウィグラー２４を通過した電子ｅ−は、第１
Ｒ（ｃ）に示すように、垂直ウィグラー２６で垂直方
向に偏向され、このとき光を放出する。超電導磁石３６
Ａ、３６Ｂの磁界の強さを超電導磁石（３４Ａ、 ３４
Ｂ）、 （３８八、３８Ｂ）との関係で調整することに
より（例えば、超電導磁石（３４Ａ、 ３４Ｂ）。
Ｒ（ｃ）に示すように、垂直ウィグラー２６で垂直方
向に偏向され、このとき光を放出する。超電導磁石３６
Ａ、３６Ｂの磁界の強さを超電導磁石（３４Ａ、 ３４
Ｂ）、 （３８八、３８Ｂ）との関係で調整することに
より（例えば、超電導磁石（３４Ａ、 ３４Ｂ）。
（３８Ａ、 ３８Ｂ）をそれぞれ、２．５テスラ、超電
導磁石（３６＾、３６Ｂ）を５テスラとする。）、垂直
ウィグラー２６から出される電子ｅ−を元の軌道１１上
に戻すことができる。
導磁石（３６＾、３６Ｂ）を５テスラとする。）、垂直
ウィグラー２６から出される電子ｅ−を元の軌道１１上
に戻すことができる。
第１図の構成における電子からのシンクロトロン放射光
の偏向ベクトルは、 Ｅ＝ □ ｉα ２（ｘ＋ｒ ｙ） （Ｏ≦α≦２π） α：水平ウィグラーの磁場の強さＢ１と。
の偏向ベクトルは、 Ｅ＝ □ ｉα ２（ｘ＋ｒ ｙ） （Ｏ≦α≦２π） α：水平ウィグラーの磁場の強さＢ１と。
垂直ウィグラーの磁場の強さＢ２の関
数で
となる。これを図で表わせば、第４図のようになり、様
々な偏向特性をとり得ることがわかる。ちなみに、前記
第３図に示した従来のウィグラーによる偏向特性は、第
５図に示すように２方向のみである。
々な偏向特性をとり得ることがわかる。ちなみに、前記
第３図に示した従来のウィグラーによる偏向特性は、第
５図に示すように２方向のみである。
このようにして、ｆｆ！１図の超電導ウィグラー１６で
は、軌道１１上の電子ｅ−は、水平方向と垂直方向に偏
向されて光を放出する。したがって、電子ｅ−の偏向方
向を様々にとることができ各方向の偏向による光を同時
に感じることができ、取り出す光の偏向特性を任意に選
ぶことができる。
は、軌道１１上の電子ｅ−は、水平方向と垂直方向に偏
向されて光を放出する。したがって、電子ｅ−の偏向方
向を様々にとることができ各方向の偏向による光を同時
に感じることができ、取り出す光の偏向特性を任意に選
ぶことができる。
また、各ウィグラー２４．２６の磁界の強さを変えるこ
とにより、光の偏向特性の選択範囲がざらに広がる。
とにより、光の偏向特性の選択範囲がざらに広がる。
以上説明したように、この発明によれば、垂直磁場を有
する水平超電導ウィグラーと、水平磁場を有する垂直超
電導ウィグラーを直列に組合せて、両ウィグラーのｍ揚
の強さをそれぞれ独立に制御でさるようにしたので、取
り出ず光の偏向特性を任意に選ぶことができる。
する水平超電導ウィグラーと、水平磁場を有する垂直超
電導ウィグラーを直列に組合せて、両ウィグラーのｍ揚
の強さをそれぞれ独立に制御でさるようにしたので、取
り出ず光の偏向特性を任意に選ぶことができる。
第１図はこの発明の一実施例を示す図で、（ａ）は構成
を示す側面図、（ｂ）は同平面図、（Ｃ）は側方から見
た電子ｅ−の偏向の様子を示ず図、（ｄ）は上方から見
た電子ｅ−の偏向の様子を示す図である。第２図は電子
シンクロトロンの構成を示す平面図、第３図は従来のウ
ィグラーを示す図で、（ａ）は構成を示す側面図、（ｂ
）は構成を示す平面図、（Ｃ）は上方から見た電子ｅ−
の偏向の様子を示す図、第４図は第１図の実施例におけ
る電子からのシンクロトロン放射光の偏向ベクトルを示
す図、第５図は第３図の従来装置におけるシンクロトロ
ン放射光の偏向ベクトルを示す図である。 １１・・・電子ｅ−の軌道、１６・・・ウィグラー、２
４・・・水平ウィグラー、２６・・・垂直ウィグラー、
２８△、Ｂ、３０Ａ、８，３２Ａ、８，３４Ａ。 ８．３６Ａ、Ｂ、３８Ａ、Ｂ、・・・超電導磁石。 出願人 石川島播磨重工業株式会社 （ばか １ 名） 第４図 第５図
を示す側面図、（ｂ）は同平面図、（Ｃ）は側方から見
た電子ｅ−の偏向の様子を示ず図、（ｄ）は上方から見
た電子ｅ−の偏向の様子を示す図である。第２図は電子
シンクロトロンの構成を示す平面図、第３図は従来のウ
ィグラーを示す図で、（ａ）は構成を示す側面図、（ｂ
）は構成を示す平面図、（Ｃ）は上方から見た電子ｅ−
の偏向の様子を示す図、第４図は第１図の実施例におけ
る電子からのシンクロトロン放射光の偏向ベクトルを示
す図、第５図は第３図の従来装置におけるシンクロトロ
ン放射光の偏向ベクトルを示す図である。 １１・・・電子ｅ−の軌道、１６・・・ウィグラー、２
４・・・水平ウィグラー、２６・・・垂直ウィグラー、
２８△、Ｂ、３０Ａ、８，３２Ａ、８，３４Ａ。 ８．３６Ａ、Ｂ、３８Ａ、Ｂ、・・・超電導磁石。 出願人 石川島播磨重工業株式会社 （ばか １ 名） 第４図 第５図
Claims (1)
- 電子シンクロトロンにおいて、垂直磁場を有する水平超
電導ウィグラーと、水平磁場を有する垂直超電導ウィグ
ラーを直列に組合せて、両ウィグラーの磁場の強さをそ
れぞれ独立に制御できるようにしたことを特徴とする超
電導ウィグラー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6065187A JPS63226899A (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | 超電導ウイグラ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6065187A JPS63226899A (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | 超電導ウイグラ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63226899A true JPS63226899A (ja) | 1988-09-21 |
Family
ID=13148449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6065187A Pending JPS63226899A (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | 超電導ウイグラ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63226899A (ja) |
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-
1987
- 1987-03-16 JP JP6065187A patent/JPS63226899A/ja active Pending
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