JPS6330752B2 - - Google Patents
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- JPS6330752B2 JPS6330752B2 JP55131009A JP13100980A JPS6330752B2 JP S6330752 B2 JPS6330752 B2 JP S6330752B2 JP 55131009 A JP55131009 A JP 55131009A JP 13100980 A JP13100980 A JP 13100980A JP S6330752 B2 JPS6330752 B2 JP S6330752B2
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- Japan
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- voltage
- switch circuit
- semiconductor switch
- transistor
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、けい光放電管の電子スタータに関
し、始動時間を短かくできるうえ、放電管の寿命
を長くでき、しかも、一般に広く市販されている
電子部品を使つて、簡単に小形に安価に量産でき
るようにする事を目的とする。
し、始動時間を短かくできるうえ、放電管の寿命
を長くでき、しかも、一般に広く市販されている
電子部品を使つて、簡単に小形に安価に量産でき
るようにする事を目的とする。
従来のけい光放電管の始動方式としては、グロ
ースタート方式とラピツドスタート方式との２種
類が知られており、現在でもこれが主流になつて
いる。
ースタート方式とラピツドスタート方式との２種
類が知られており、現在でもこれが主流になつて
いる。
グロースタート方式では、始動時間が２〜８秒
と長く、冷暗所では更に長びく。そのうえ、グロ
ースタータは寿命が短く、頻繁に交換しなければ
ならない。
と長く、冷暗所では更に長びく。そのうえ、グロ
ースタータは寿命が短く、頻繁に交換しなければ
ならない。
また、ラピツドスタート式では、始動時間は２
秒程に短縮できる反面、大形の安定器を必要と
し、重量が重く高価につく欠点があり、そのうえ
省電力という面からみても不利である。
秒程に短縮できる反面、大形の安定器を必要と
し、重量が重く高価につく欠点があり、そのうえ
省電力という面からみても不利である。
本発明は、始動時間が長くかかるグロースター
ト式の欠点も、安定器が大形化重量化するラピツ
ドスタート式の欠点をも解消するうえ、一般に広
く市販されている電子部品を使つて簡単に小形・
安価に量産できるようにする事を目的とし、その
ための手段として、放電管のフイラメントに、予
熱用半導体スイツチ回路による予熱電流と、パル
ス発生用半導体スイツチ回路によるキツク電圧と
を電源電圧の半サイクルごとに交互に与えること
により、速やかに予熱して始動させられるように
するものである。
ト式の欠点も、安定器が大形化重量化するラピツ
ドスタート式の欠点をも解消するうえ、一般に広
く市販されている電子部品を使つて簡単に小形・
安価に量産できるようにする事を目的とし、その
ための手段として、放電管のフイラメントに、予
熱用半導体スイツチ回路による予熱電流と、パル
ス発生用半導体スイツチ回路によるキツク電圧と
を電源電圧の半サイクルごとに交互に与えること
により、速やかに予熱して始動させられるように
するものである。
以下、この発明の実施例を図面に基き説明す
る。
る。
第１図は放電管の電子スタータの全体の回路図
を示す。電源２２の両端子Ｏ O′間に電源スイ
ツチ２３、放電管２及びチヨークコイル（誘電性
安定器の一種）１が直列接続する。放電管２に電
子スタータ回路Ｓが並列接続している。
を示す。電源２２の両端子Ｏ O′間に電源スイ
ツチ２３、放電管２及びチヨークコイル（誘電性
安定器の一種）１が直列接続する。放電管２に電
子スタータ回路Ｓが並列接続している。
電子スタータ回路Ｓは、放電管２に放電管２の
両フイラメント３，３′の予熱用半導体スイツチ
回路S1とパルス発生用半導体スイツチ回路S2とを
並列接続したものからなる。
両フイラメント３，３′の予熱用半導体スイツチ
回路S1とパルス発生用半導体スイツチ回路S2とを
並列接続したものからなる。
フイラメント予熱用半導体スイツチ回路S1は、
サイリスタ４にダイオード５を直列接続したもの
を、電子スタータ回路Ｓの両入力端子Ｔ，T′間
に接続してなる。サイリスタ４には、双方向性二
端子サイリスタ（SSS）または逆阻止二端子サイ
リスタ（PNPNスイツチ）を用いる。サイリス
タ４は入力電圧が正のサイクルの時には動作しな
いが、負のサイクルの時に動作して、予熱用電流
を通すように構成されている。なお、サイリスタ
４は入力電圧が負のサイクルの時には動作しない
が正のサイクルの時に動作するよう構成してもよ
いが、この時にはチヨークコイルの接続位置はＯ
端子側にする。
サイリスタ４にダイオード５を直列接続したもの
を、電子スタータ回路Ｓの両入力端子Ｔ，T′間
に接続してなる。サイリスタ４には、双方向性二
端子サイリスタ（SSS）または逆阻止二端子サイ
リスタ（PNPNスイツチ）を用いる。サイリス
タ４は入力電圧が正のサイクルの時には動作しな
いが、負のサイクルの時に動作して、予熱用電流
を通すように構成されている。なお、サイリスタ
４は入力電圧が負のサイクルの時には動作しない
が正のサイクルの時に動作するよう構成してもよ
いが、この時にはチヨークコイルの接続位置はＯ
端子側にする。
パルス発生用半導体スイツチ回路S2は、次のよ
うに構成される。即ち、予熱用半導体スイツチ回
路S1のダイオード５と逆方向のダイオード６に分
圧器Ｘを直列接続したものを、電子スタータ回路
Ｓの両入力端子Ｔ，T′間に接続する。分圧器Ｘ
の分圧点とその負極端子との間に、ダイオード９
を介して、上記とは別の分圧器Ｙとスイツチング
用のPNPトランジスタ１２とが並列接続する。
後者分圧器Ｙの分圧点とPNPトランジスタ１２
のベースとの間に、Ｎチヤンネル形の電界効果ト
ランジスタ１５が接続される。Ｎチヤンネル形電
界効果トランジスタ１５のゲートは前者分圧器Ｘ
の負極端子に、抵抗１６を介して接続する。この
抵抗１６は、PNPトランジスタ１２より前者分
圧器Ｘの負極端子側に位置する。PNPトランジ
スタ１２のコレクタ回路とエミツタ回路とにはそ
の必要に応じて各々抵抗１４，１３を介在させ
る。
うに構成される。即ち、予熱用半導体スイツチ回
路S1のダイオード５と逆方向のダイオード６に分
圧器Ｘを直列接続したものを、電子スタータ回路
Ｓの両入力端子Ｔ，T′間に接続する。分圧器Ｘ
の分圧点とその負極端子との間に、ダイオード９
を介して、上記とは別の分圧器Ｙとスイツチング
用のPNPトランジスタ１２とが並列接続する。
後者分圧器Ｙの分圧点とPNPトランジスタ１２
のベースとの間に、Ｎチヤンネル形の電界効果ト
ランジスタ１５が接続される。Ｎチヤンネル形電
界効果トランジスタ１５のゲートは前者分圧器Ｘ
の負極端子に、抵抗１６を介して接続する。この
抵抗１６は、PNPトランジスタ１２より前者分
圧器Ｘの負極端子側に位置する。PNPトランジ
スタ１２のコレクタ回路とエミツタ回路とにはそ
の必要に応じて各々抵抗１４，１３を介在させ
る。
PNPトランジスタ１２の出力は、増幅トラン
ジスタ１８で増幅するように構成される。増幅ト
ランジスタ１８のベースと、PNPトランジスタ
１２のコレクタ回路と抵抗１６の接合点との間に
はベース電流制限抵抗１７が接続される。トラン
ジスタ１８のコレクタ回路、エミツタ回路には、
その必要に応じて抵抗１９，２０が直列に挿入接
続される。
ジスタ１８で増幅するように構成される。増幅ト
ランジスタ１８のベースと、PNPトランジスタ
１２のコレクタ回路と抵抗１６の接合点との間に
はベース電流制限抵抗１７が接続される。トラン
ジスタ１８のコレクタ回路、エミツタ回路には、
その必要に応じて抵抗１９，２０が直列に挿入接
続される。
これにより、パルス発生用半導体スイツチ回路
S2は、第２図イ，ロに示すように、入力電圧ｅが
負のサイクルの時には動作しないが、正のサイク
ルの時に動作して、パルス電流ipを発生させ、チ
ヨークコイル１のインダクタンスでパルス電圧
VPを発生し、これを入力電圧ｅに重畳させて、
キツク電圧VKを発生させるように構成してあ
る。
S2は、第２図イ，ロに示すように、入力電圧ｅが
負のサイクルの時には動作しないが、正のサイク
ルの時に動作して、パルス電流ipを発生させ、チ
ヨークコイル１のインダクタンスでパルス電圧
VPを発生し、これを入力電圧ｅに重畳させて、
キツク電圧VKを発生させるように構成してあ
る。
次に、その作用を説明する。
交流電源２２のスイツチ２３を入れると、第２
図イに示す入力電圧ｅが、第１図に示すチヨーク
コイル１、けいこう放電管２の両フイラメント
３，３′を経て、電子スタータ回路Ｓの入力端子
Ｔ，T′に印加される。
図イに示す入力電圧ｅが、第１図に示すチヨーク
コイル１、けいこう放電管２の両フイラメント
３，３′を経て、電子スタータ回路Ｓの入力端子
Ｔ，T′に印加される。
入力電圧ｅが正のサイクルの時には、フイラメ
ント予熱用半導体スイツチ回路S1のサイリスタ
（双方性二端子サイリスタ、または逆阻止二端子
サイリスタ）４は、ダイオード５の逆流阻止作用
によつて動作しない。
ント予熱用半導体スイツチ回路S1のサイリスタ
（双方性二端子サイリスタ、または逆阻止二端子
サイリスタ）４は、ダイオード５の逆流阻止作用
によつて動作しない。
入力電圧ｅが負のサイクルに入つて、負の値を
増して行き、サイリスタ４の動作電圧VBOに達し
た時に、サイリスタ４が導通する。その結果、第
２図ロに示す電流ifが、電源２２の端子O′からチ
ヨークコイル１、フイラメント３′、ダイオード
５、サイリスタ４、フイラメント３、電源２２の
端子Ｏの順に流れる。これにより、フイラメント
３，３′が加熱される。
増して行き、サイリスタ４の動作電圧VBOに達し
た時に、サイリスタ４が導通する。その結果、第
２図ロに示す電流ifが、電源２２の端子O′からチ
ヨークコイル１、フイラメント３′、ダイオード
５、サイリスタ４、フイラメント３、電源２２の
端子Ｏの順に流れる。これにより、フイラメント
３，３′が加熱される。
このフイラメント加熱電流ifは、チヨークコイ
ル１のインダクタンスにより、入力電圧よりも位
相が90゜近く遅れる。フイラメント加熱電流ifが減
少し、20ｍＡ程度以下になると、サイリスタ４は
不導通になる。この時、電源電圧ｅはすでに正の
サイクルに入つている。
ル１のインダクタンスにより、入力電圧よりも位
相が90゜近く遅れる。フイラメント加熱電流ifが減
少し、20ｍＡ程度以下になると、サイリスタ４は
不導通になる。この時、電源電圧ｅはすでに正の
サイクルに入つている。
電源電圧ｅが正のサイクルに入ると、パルス発
生用半導体スイツチ回路S2に印加された電源電圧
ｅが、ダイオード６を経て、分圧器Ｘの抵抗７，
８で分圧され、ダイオード（またはツエナーダイ
オード）９を通り、抵抗１３からスイツチング用
のPNPトランジスタ１２に流れるとともに、分
圧器Ｙの抵抗１０，１１にも並行して流れる。
生用半導体スイツチ回路S2に印加された電源電圧
ｅが、ダイオード６を経て、分圧器Ｘの抵抗７，
８で分圧され、ダイオード（またはツエナーダイ
オード）９を通り、抵抗１３からスイツチング用
のPNPトランジスタ１２に流れるとともに、分
圧器Ｙの抵抗１０，１１にも並行して流れる。
電源電圧ｅの上昇とともに、PNPトランジス
タ１２のエミツタとベース、電界効果トランジス
タ１５のドレインとソース、及び抵抗１１，１６
を通る回路に急速に流れる。この時、電流は抵抗
１０，１１を通つても流れるが、抵抗１０の値を
電界効果トランジスタ１５の内部抵抗よりも充分
に高く設定してあるので、電流の大半は電界効果
トランジスタ１５を通る回路に流れるのでトラン
ジスタ１２はすぐ導通状態になる。
タ１２のエミツタとベース、電界効果トランジス
タ１５のドレインとソース、及び抵抗１１，１６
を通る回路に急速に流れる。この時、電流は抵抗
１０，１１を通つても流れるが、抵抗１０の値を
電界効果トランジスタ１５の内部抵抗よりも充分
に高く設定してあるので、電流の大半は電界効果
トランジスタ１５を通る回路に流れるのでトラン
ジスタ１２はすぐ導通状態になる。
この電流は、直ちにトランジスタ１８で増幅さ
れ、トランジスタ１８のコレクタとエミツタにパ
ルス電流ipとなつて急速に流れる。
れ、トランジスタ１８のコレクタとエミツタにパ
ルス電流ipとなつて急速に流れる。
この間の状況を更に詳細に説明する。
電界効果トランジスタ１５を流れる電流は、時
間の経過とともに、第３図に示す曲線Ｚ動作特性
に従つて流れる。その電流により、電界効果トラ
ンジスタ１５のゲート・ソース間の負電位が急速
に高まり、電界効果トランジスタ１５がピンチオ
フに近づく。
間の経過とともに、第３図に示す曲線Ｚ動作特性
に従つて流れる。その電流により、電界効果トラ
ンジスタ１５のゲート・ソース間の負電位が急速
に高まり、電界効果トランジスタ１５がピンチオ
フに近づく。
このような状態になると、PNPトランジスタ
１２のベースには、電流が殆んど流れなくなり、
PNPトランジスタ１２は不導通状態に近ずき、
エミツタ・コレクタ間は高い抵抗値をもつように
なり、分圧器Ｘの分圧点よりダイオード９を経て
きた電流は、抵抗１０，１１を通る回路に大半が
移行する。これにより、電界効果トランジスタ１
５のゲート・ソース間の負電位は瞬時にしてピン
チオフの電圧を超え、電界効果トランジスタ１５
のドレイン・ソース間には全く電流が流れなくな
る（第３図Ｃ点→Ｄ点）。従つて、PNPトランジ
スタ１２も完全に不導通の状態になり、この
PNPトランジスタ１２の出力を増幅するトラン
ジスタ１８も全く不導通状態となる。
１２のベースには、電流が殆んど流れなくなり、
PNPトランジスタ１２は不導通状態に近ずき、
エミツタ・コレクタ間は高い抵抗値をもつように
なり、分圧器Ｘの分圧点よりダイオード９を経て
きた電流は、抵抗１０，１１を通る回路に大半が
移行する。これにより、電界効果トランジスタ１
５のゲート・ソース間の負電位は瞬時にしてピン
チオフの電圧を超え、電界効果トランジスタ１５
のドレイン・ソース間には全く電流が流れなくな
る（第３図Ｃ点→Ｄ点）。従つて、PNPトランジ
スタ１２も完全に不導通の状態になり、この
PNPトランジスタ１２の出力を増幅するトラン
ジスタ１８も全く不導通状態となる。
このトランジスタ１８がスイツチオフする際、
つまりパルス電流ipが急速に零になる時、チヨー
クコイル（誘導性安定器）１のインダクタンスに
よりパルス電圧Vpが発生し、これが入力電圧ｅ
に重畳されてキツク電圧Vkとなり、けい光放電
管２の両フイラメント３，３′間に印加される。
つまりパルス電流ipが急速に零になる時、チヨー
クコイル（誘導性安定器）１のインダクタンスに
よりパルス電圧Vpが発生し、これが入力電圧ｅ
に重畳されてキツク電圧Vkとなり、けい光放電
管２の両フイラメント３，３′間に印加される。
このようにして、両フイラメント３，３′間に
は、フイラメント加熱電流ifが流れる予熱サイク
ルHSと、キツク電圧Vkが印加される電圧印加サ
イクルVSとが交互に繰返す。両フイラメント３，
３′が充分に加熱されて、点灯条件を満したとき
に、けい光放電管２が点灯状態へと移行する。
は、フイラメント加熱電流ifが流れる予熱サイク
ルHSと、キツク電圧Vkが印加される電圧印加サ
イクルVSとが交互に繰返す。両フイラメント３，
３′が充分に加熱されて、点灯条件を満したとき
に、けい光放電管２が点灯状態へと移行する。
点灯後は、けい光放電管２の両フイラメント
３，３′間のランプ電圧が下り、サイリスタ４の
動作電圧VBO以下になるので、サイリスタ４が不
導通となり、フイラメント予熱用半導体スイツチ
回路S1が動作しなくなる。
３，３′間のランプ電圧が下り、サイリスタ４の
動作電圧VBO以下になるので、サイリスタ４が不
導通となり、フイラメント予熱用半導体スイツチ
回路S1が動作しなくなる。
一方、パルス発生用半導体スイツチ回路S2は、
分圧器Ｘの抵抗７，８により低い電圧で動作する
ように設定されている。しかし、けい光放電管２
の点灯後は、両フイラメント３，３′間のランプ
電圧が大幅に下り、かつダイオード９の立上り電
圧（ツエナーダイオードを用いた時はそのツエナ
ー電圧）に阻まれることから、この電圧ではもは
やトランジスタ１２・電界効果トランジスタ１
５・抵抗１０，１１，１６には電流が流れず、パ
ルス発生用半導体スイツチ回路S2も作動しなくな
る。
分圧器Ｘの抵抗７，８により低い電圧で動作する
ように設定されている。しかし、けい光放電管２
の点灯後は、両フイラメント３，３′間のランプ
電圧が大幅に下り、かつダイオード９の立上り電
圧（ツエナーダイオードを用いた時はそのツエナ
ー電圧）に阻まれることから、この電圧ではもは
やトランジスタ１２・電界効果トランジスタ１
５・抵抗１０，１１，１６には電流が流れず、パ
ルス発生用半導体スイツチ回路S2も作動しなくな
る。
なお、上記実施例におけるパルス発生用半導体
スイツチ回路S2を第４図に示すように変更するこ
とが考えられる。
スイツチ回路S2を第４図に示すように変更するこ
とが考えられる。
即ち、スイツチング用のトランジスタ１２に
NPNトランジスタを用い、電界効果トランジス
タ１５にＰチヤンネル形のものを用いる。このＰ
チヤンネル形電界効果トランジスタ１５のゲート
を前者分圧器Ｘの分圧点に、ダイオード９及び抵
抗１６を介して接続したものである。その作用
は、上記実施例と同様である。
NPNトランジスタを用い、電界効果トランジス
タ１５にＰチヤンネル形のものを用いる。このＰ
チヤンネル形電界効果トランジスタ１５のゲート
を前者分圧器Ｘの分圧点に、ダイオード９及び抵
抗１６を介して接続したものである。その作用
は、上記実施例と同様である。
この発明は、上記のように構成され、作用する
ことから、次の効果を奏する。
ことから、次の効果を奏する。
イ 即ち、放電管に放電管のフイラメントの予熱
用半導体スイツチ回路とパルス発生用半導体ス
イツチ回路とを並列接続し、予熱用半導体スイ
ツチ回路はサイリスタにダイオードを直列接続
して構成し、パルス発生用半導体スイツチ回路
は上記ダイオードと逆方向のダイオードに分圧
器を直列接続し、この分圧器の分圧点と一方の
端子との間に、上記とは別の分圧器とトランジ
スタとを並列接続し、後者分圧器の分圧点をト
ランジスタのベースに電界効果トランジスタを
介して接続し、電界効果トランジスタのゲート
を前者分圧器の一方の端子と分圧点とのいづれ
か一方に抵抗を介して接続し、この抵抗はトラ
ンジスタより前者分圧器の一方の端子と分圧点
とのいづれか一方の側に位置させて構成したも
のであり、けい光放電管の両フイラメントに
は、予熱用半導体スイツチ回路による予熱電流
と、パルス発生用半導体スイツチ回路によるキ
ツク電圧とが電源電圧の半サイクルごとに交互
に与えられて、速やかに予熱され、始動する。
これにより、けい光放電管の始動時間を例えば
１〜２秒に充分短縮でき、グロースタータの場
合の２〜８秒もかかる欠点を大幅に改善でき
る。
用半導体スイツチ回路とパルス発生用半導体ス
イツチ回路とを並列接続し、予熱用半導体スイ
ツチ回路はサイリスタにダイオードを直列接続
して構成し、パルス発生用半導体スイツチ回路
は上記ダイオードと逆方向のダイオードに分圧
器を直列接続し、この分圧器の分圧点と一方の
端子との間に、上記とは別の分圧器とトランジ
スタとを並列接続し、後者分圧器の分圧点をト
ランジスタのベースに電界効果トランジスタを
介して接続し、電界効果トランジスタのゲート
を前者分圧器の一方の端子と分圧点とのいづれ
か一方に抵抗を介して接続し、この抵抗はトラ
ンジスタより前者分圧器の一方の端子と分圧点
とのいづれか一方の側に位置させて構成したも
のであり、けい光放電管の両フイラメントに
は、予熱用半導体スイツチ回路による予熱電流
と、パルス発生用半導体スイツチ回路によるキ
ツク電圧とが電源電圧の半サイクルごとに交互
に与えられて、速やかに予熱され、始動する。
これにより、けい光放電管の始動時間を例えば
１〜２秒に充分短縮でき、グロースタータの場
合の２〜８秒もかかる欠点を大幅に改善でき
る。
しかも、予熱が充分に行なわれてから始動す
るので、両フイラメントの消耗も少く、けい光
放電管の寿命を長く保たせることができる。
るので、両フイラメントの消耗も少く、けい光
放電管の寿命を長く保たせることができる。
ロ そのうえ、本発明は電子素子の組合せから成
り、その寿命は半永久的であるから、グロース
タータの場合のグロー球のように寿命が短かい
ため、頻繁に交換しなければならないわずらわ
しさを無くすことができる。
り、その寿命は半永久的であるから、グロース
タータの場合のグロー球のように寿命が短かい
ため、頻繁に交換しなければならないわずらわ
しさを無くすことができる。
ハ また、本発明は、両フイラメントに予熱電流
とキツク電圧とを与えて始動する方式なので、
ラピツドスタート方式の場合と比べて、安定器
を非常に軽量化・小型化して、安価に製造でき
るうえ、省電力の面ででも優れている。
とキツク電圧とを与えて始動する方式なので、
ラピツドスタート方式の場合と比べて、安定器
を非常に軽量化・小型化して、安価に製造でき
るうえ、省電力の面ででも優れている。
ニ 本発明の主要構成である予熱用半導体スイツ
チ回路及びパルス発生用半導体スイツチ回路
は、全て、一般に広く市販されている電子部品
を使つて簡単に小形に安価に量産することがで
きる。
チ回路及びパルス発生用半導体スイツチ回路
は、全て、一般に広く市販されている電子部品
を使つて簡単に小形に安価に量産することがで
きる。
更に進んで、上記両回路を一つのものとして
完全IC化することも極めて容易で、超小形化
して量産することもできるので、省電力・省資
源に果す役割は、計り知れぬほど大きい。
完全IC化することも極めて容易で、超小形化
して量産することもできるので、省電力・省資
源に果す役割は、計り知れぬほど大きい。
ホ また、上記両回路を必要に応じて、一つのも
のとしてIC化して、JIS−C7603けい光灯用グ
ロースタータの外観寸法に適合するケースに収
納して、これをグロー球の代りに用いるように
すれば、既存のグロースタータ方式の灯具をそ
のまま使用して、ラピツドスタート化した本願
発明の方式による優秀な灯具として活用するこ
とができ、その果す役割は非常に大きい。
のとしてIC化して、JIS−C7603けい光灯用グ
ロースタータの外観寸法に適合するケースに収
納して、これをグロー球の代りに用いるように
すれば、既存のグロースタータ方式の灯具をそ
のまま使用して、ラピツドスタート化した本願
発明の方式による優秀な灯具として活用するこ
とができ、その果す役割は非常に大きい。
図面はこの発明の実施例を示し、第１図は電気
回路図、第２図イ，ロは入力電圧とフイラメント
加熱電流、パルス電流及びキツク電流の関係を示
す図、第３図は電界効果トランジスタの動作特性
図、第４図は第１図の変形例図である。 １……誘導性安定器、２……放電管、３，３′
……フイラメント、４……サイリスタ、５，６
９，２１……ダイオード、７，８，１０ １１，
１３，１４ １６……抵抗、１２……トランジス
タ、１５……電界効果トランジスタ、１８……増
幅用のトランジスタ、２２……交流電源、S1……
フイラメント予熱用半導体スイツチ回路、S2……
パルス発生用半導体スイツチ回路、ｅ……入力電
圧、ip……パルス電流、if……予熱電流、VK…
…キツク電圧、VP……パルス電圧。
回路図、第２図イ，ロは入力電圧とフイラメント
加熱電流、パルス電流及びキツク電流の関係を示
す図、第３図は電界効果トランジスタの動作特性
図、第４図は第１図の変形例図である。 １……誘導性安定器、２……放電管、３，３′
……フイラメント、４……サイリスタ、５，６
９，２１……ダイオード、７，８，１０ １１，
１３，１４ １６……抵抗、１２……トランジス
タ、１５……電界効果トランジスタ、１８……増
幅用のトランジスタ、２２……交流電源、S1……
フイラメント予熱用半導体スイツチ回路、S2……
パルス発生用半導体スイツチ回路、ｅ……入力電
圧、ip……パルス電流、if……予熱電流、VK…
…キツク電圧、VP……パルス電圧。
Claims (1)
- １ 交流電源２２に放電管２と誘導性安定器１と
を直列接続し、放電管２に放電管２のフイラメン
ト３，３′の予熱用半導体スイツチ回路S1とパル
ス発生用半導体スイツチ回路S2とを並列接続し、
フイラメント予熱用半導体スイツチ回路S1は、入
力電圧ｅが正負いづれかの半サイクルの時に動作
するようにして予熱電流ifを通すように構成し、
またパルス発生用半導体スイツチ回路S2は前記予
熱用半導体スイツチ回路S1が動作しない他方の半
サイクルに動作して、パルス電流ipを発生させる
ことにより、誘導性安定器１のインダクタンスで
パルス電圧vpを発生し、これを入力電圧ｅに重
畳させてキツク電圧vkを発生させるように構成
し、予熱用半導体スイツチ回路S1はサイリスタ４
にダイオード５を直列接続して構成し、パルス発
生用半導体スイツチ回路S2は上記ダイオード５と
逆方向のダイオード６に分圧器Ｘを直列接続し、
この分圧器Ｘの分圧点と一方の端子との間に、上
記とは別の分圧器Ｙとトランジスタ１２とを並列
接続し、後者分圧器Ｙの分圧点をトランジスタ１
２のベースに電界効果トランジスタ１５を介して
接続し、電界効果トランジスタ１５のゲートを前
者分圧器Ｘの一方の端子と分圧点とのいづれか一
方に抵抗１６を介して接続し、この抵抗１６はト
ランジスタ１２より前者分圧器Ｘの一方の端子と
分圧点とのいづれか一方の側に位置させて構成し
た事を特徴とする放電管の電子スタータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13100980A JPS5761287A (en) | 1980-09-20 | 1980-09-20 | Electron starter for discharge tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13100980A JPS5761287A (en) | 1980-09-20 | 1980-09-20 | Electron starter for discharge tube |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5761287A JPS5761287A (en) | 1982-04-13 |
| JPS6330752B2 true JPS6330752B2 (ja) | 1988-06-20 |
Family
ID=15047831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13100980A Granted JPS5761287A (en) | 1980-09-20 | 1980-09-20 | Electron starter for discharge tube |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5761287A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5032790A (ja) * | 1973-07-27 | 1975-03-29 |
-
1980
- 1980-09-20 JP JP13100980A patent/JPS5761287A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5761287A (en) | 1982-04-13 |
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