JPS63305257A - Voltage detecting apparatus - Google Patents

Voltage detecting apparatus

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JPS63305257A
JPS63305257A JP62142061A JP14206187A JPS63305257A JP S63305257 A JPS63305257 A JP S63305257A JP 62142061 A JP62142061 A JP 62142061A JP 14206187 A JP14206187 A JP 14206187A JP S63305257 A JPS63305257 A JP S63305257A
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optical
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紳一郎 青島
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裕 土屋
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Abstract

PURPOSE:To obtain a desired detected result and to adjust an optical axis readily, by arranging a desired electrooptical material or a transparent material without an electrooptical effect at the tip part of an optical probe, so that the material can be replaced. CONSTITUTION:A rotary stage 2 is provided at the tip part of an optical probe 1. A plurality of screw holes 3-1, 3-2 and 3-3 are provided in the rotary stage 2. An electrooptical material 4-1 having an excellent temperature characteristic is coupled into the screw hole 3-1. An electrooptical material 4-1 having an excellent sensitivity characteristic is coupled into the screw hole 3-2. A transparent material 4-3 without an electrooptical effect is coupled into the screw hole 3-3. Before the voltage of a material to be measured 5 is measured, the rotary stage 2, which is provided at the tip part of the optical probe 1, is rotated. The transparent material 4-3 is positioned along the optical axis of the optical probe 1. A light beam is inputted, and the intensity of output light is judged. Thus the optical axis of the optical probe 1 is adjusted.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、被測定物、例えば電気回路等の所定部分の電
圧を検出するための電圧検出装置に関し、特に被測定物
の所定部分の電圧によって光の偏光状態が変化すること
を利用して電圧を検出する型式の電圧検出装置に関する
Detailed Description of the Invention [Field of Industrial Application] The present invention relates to a voltage detection device for detecting the voltage of a predetermined portion of an object to be measured, such as an electric circuit, and particularly to a voltage detection device for detecting the voltage of a predetermined portion of an object to be measured, such as an electric circuit. The present invention relates to a type of voltage detection device that detects voltage by utilizing changes in the polarization state of light.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、電気回路などの被測定物の所定部分の電圧を検出
するのに、種々の電圧検出装置が用いられる。この種の
電圧検出装置としては被測定物の所定部分にプローブを
接触させて、その部分の電圧を検出する型式のもの、あ
るいはプローブを接触させずに所定部分に電子ビームを
入射させることにより所定部分の電圧を検出する型式の
ものなどが知られている。
Conventionally, various voltage detection devices have been used to detect the voltage of a predetermined portion of an object to be measured such as an electric circuit. This type of voltage detection device is of the type that detects the voltage at a predetermined portion of the object to be measured by contacting the probe with the predetermined portion of the object to be measured, or the type that detects the voltage of that portion by making the probe contact the predetermined portion of the object. Types that detect the voltage at certain points are known.

ところで、当業者間には、構造が複雑でかつ小型の集積
回路のような被測定物の微細な部分の高速に変化する電
圧を、微細な部分の状態に影響を与えず精度良く検出し
たいという強い要望がある。
By the way, there is a desire among those skilled in the art to accurately detect the rapidly changing voltage of a minute part of an object to be measured, such as a small integrated circuit with a complex structure, without affecting the state of the minute part. There is a strong demand.

しかしながら、プローブを被Ail定物の所定部分に接
触さオる型式の電圧検出装置では、集積回路等の微細部
分にプローブを直接接触させることが容易でなく、また
プローブを接触させることができたとしても、その電圧
情報だけに基づき集積回路の動0:を適確に解析するの
は困難であった。さらにプローブを接触させることによ
り集積回路内の動作状態が変化するという問題があった
However, in a type of voltage detection device in which the probe is brought into contact with a predetermined part of the target object, it is not easy to bring the probe into direct contact with minute parts such as integrated circuits, and it is difficult to bring the probe into contact with minute parts such as integrated circuits. However, it is difficult to accurately analyze the behavior of an integrated circuit based only on the voltage information. Furthermore, there is a problem in that the operating state within the integrated circuit changes when the probe comes into contact with the integrated circuit.

また電子ビームを用いる型式の電圧検出装置では、プロ
ーブを被測定物に接触させずに電圧を検出することがで
きるものの、測定されるべき部分が真空中に置かれかつ
露出されているものに限られ、また電子ビームにより測
定されるべき部分を損傷するという問題があった。
In addition, with a voltage detection device that uses an electron beam, it is possible to detect voltage without bringing the probe into contact with the object to be measured, but this is limited to devices where the part to be measured is placed in a vacuum and exposed. There was also the problem that the part to be measured was damaged by the electron beam.

さらに従来の電圧検出装置では、検出器の動作速度が高
速の電圧変化に追従できず、集積回路等の高速に変化す
る電圧を精度良く検出することができないという問題が
あった。
Furthermore, conventional voltage detection devices have a problem in that the operating speed of the detector cannot follow high-speed voltage changes, making it impossible to accurately detect voltages that change rapidly in integrated circuits and the like.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

このような問題点を解決するために、発明者等による昭
和62年57130 El付の特許出願に記載されてい
るような被測定物の所定部分の電圧によって光ビームの
偏光状態が変化することを利用して電圧を検出するを式
の電圧検出装置が開発された。
In order to solve such problems, the inventors have proposed a method that changes the polarization state of a light beam depending on the voltage at a predetermined portion of the object, as described in a patent application filed with El 57130 filed in 1988. A type of voltage detection device was developed that uses this method to detect voltage.

第4図は、光ビームの偏光状態が被測定物の所定部分の
電圧によって変化することを利用して被測定物の電圧を
検出する型式の電圧検出装置の棺成図である。
FIG. 4 is a schematic diagram of a voltage detection device of the type that detects the voltage of the object to be measured by utilizing the fact that the polarization state of the light beam changes depending on the voltage of a predetermined portion of the object to be measured.

第4図において電圧検出装置50は、光プローブ52と
、例えばレーザダイオードによる*流光源53と、直流
光源53から出力される光ビームを集光レンズ60を介
して光プローブ52に案内する光ファイバ51と、光プ
ローブ52からの参照光をコリメータ90を介して光電
変換素子55に案内する光ファイバ92と、光プローブ
52からの出射光をコリメータ91を介して光電変換素
子58に案内する光ファイバ93と、光電変換素子55
.58からの光電変換された電気信号を比較する比較回
路61とから構成されている。
In FIG. 4, the voltage detection device 50 includes an optical probe 52, a current light source 53 such as a laser diode, and an optical fiber that guides the light beam output from the DC light source 53 to the optical probe 52 via a condensing lens 60. 51, an optical fiber 92 that guides the reference light from the optical probe 52 to the photoelectric conversion element 55 via the collimator 90, and an optical fiber that guides the emitted light from the optical probe 52 to the photoelectric conversion element 58 via the collimator 91. 93 and photoelectric conversion element 55
.. The comparison circuit 61 compares the photoelectrically converted electrical signals from 58.

光プローブ52には、電気光学材料62、例えば光学的
−軸性結晶のタンタル酸リチウム(Li’ra03)が
収容されており、電気光学材料62の先端部63は、截
頭円錐形状に加工されている。光プローブ52の外周部
には、導電性電極64が設けられ、また先端部63には
金属薄膜あるいは誘電体多層1摸の反射鏡65が被着さ
れている。
The optical probe 52 houses an electro-optic material 62, such as optical-axial crystal lithium tantalate (Li'ra03), and the tip 63 of the electro-optic material 62 is processed into a truncated conical shape. ing. A conductive electrode 64 is provided on the outer periphery of the optical probe 52, and a reflective mirror 65 made of a thin metal film or a dielectric multilayer is attached to the tip 63.

光プローブ52内にはさらに、コリメータ94と、集光
レンズ95.96と、コリメータ94からの光ビームか
ら所定の偏光成分をもつ光ビームだけを抽出する偏光子
54と、偏光子54からの所定の偏光成分をもつ光ビー
ムを参照光と入射光とに分割する一方、電気光学材料6
2からの出射光を検光子57に入射させるビームスプリ
ッタ56とが設けられている。なお参照光、出射光は、
それぞれ集光レンズ95.96を介して光ファイバ92
.93に出力されるようになっている。
The optical probe 52 further includes a collimator 94, condensing lenses 95 and 96, a polarizer 54 for extracting only a light beam having a predetermined polarization component from the light beam from the collimator 94, and a predetermined polarization component from the polarizer 54. The electro-optic material 6 is split into a reference beam and an incident beam.
A beam splitter 56 is provided to make the emitted light from the analyzer 2 enter the analyzer 57. The reference light and output light are
Optical fibers 92 through condensing lenses 95 and 96, respectively.
.. 93.

このような構成の電圧検出装置50では、検出に際して
、光プローブ52の外周部に設けられた導電性電極64
を例えば接地電位に保持しておく。
In the voltage detection device 50 having such a configuration, during detection, the conductive electrode 64 provided on the outer periphery of the optical probe 52
For example, hold it at ground potential.

次いで、光プローブ52の先端部63を被測定物、例え
ば集積回路(図示せず)に接近させる。これにより、光
プローブ52の電気光学材料62の先端部63の屈折率
が変化する。より詳しくは、光−を的−軸性結晶などに
おいて、光軸と垂直な平面内における常光の月折率と異
常光の屈折率との差が変化する。
Next, the tip 63 of the optical probe 52 is brought close to an object to be measured, for example, an integrated circuit (not shown). As a result, the refractive index of the tip 63 of the electro-optic material 62 of the optical probe 52 changes. More specifically, in a light-axis crystal or the like, the difference between the lunar refractive index of ordinary light and the refractive index of extraordinary light in a plane perpendicular to the optical axis changes.

光源53から出力された光ビームは、集光レンズ60.
光ファイバ51を介して光プローブ52のコリメータ9
4に入射し、さらに偏光子54により所定の偏光成分の
強度lの光ビームとなって、ビームスプリッタ56を介
して光プローブ52の電気光学材料62に入射する。な
おビームスプリッタ56により分割された参照光、入射
光の強度はそれぞれI/2となる。電気光学材f162
の先端部63の屈折率は上述のように被測定物の電圧に
より変化するので、電気光学材T162に入射した入射
光は先端部63のところでその偏光状態が屈折率変化に
依存して変化し反射鏡65に達し、反射鏡65で反射さ
れ、電気光学材料62から出射光として再びビームスプ
リッタ56に向かう。
The light beam output from the light source 53 is passed through a condenser lens 60 .
Collimator 9 of optical probe 52 via optical fiber 51
The light beam enters the electro-optic material 62 of the optical probe 52 via the beam splitter 56, and is further converted into a light beam having a predetermined polarization component with an intensity l by the polarizer 54. Note that the intensity of the reference light and the incident light split by the beam splitter 56 is I/2. Electro-optical material f162
As described above, the refractive index of the tip 63 changes depending on the voltage of the object to be measured, so the polarization state of the incident light that enters the electro-optic material T162 changes depending on the change in the refractive index at the tip 63. The light reaches the reflecting mirror 65, is reflected by the reflecting mirror 65, and returns to the beam splitter 56 as an emitted light from the electro-optic material 62.

電気光学材料62の先端部63の長さをρとすると、入
射光の偏光状態は電圧による常光と異常光との屈折率差
および長さ2gに比例して変化する。
When the length of the tip 63 of the electro-optic material 62 is ρ, the polarization state of the incident light changes in proportion to the refractive index difference between the ordinary light and the extraordinary light due to the voltage and the length 2g.

ビームスプリッタ56に戻された出射光は、検光子57
に入射する。なお検光子57に入射する出射光の強度は
、ビームスプリッタ56によりl/11となっている。
The emitted light returned to the beam splitter 56 is sent to an analyzer 57.
incident on . Note that the intensity of the emitted light incident on the analyzer 57 is set to 1/11 by the beam splitter 56.

検光子57が例えば偏光子54の偏光成分と直交する偏
光成分の光ビームだけを通過させるように構成されてい
るとすると、偏光状態が変化して検光子57に入射する
強度1/4の出射光は、検光子57により、強度が(1
/4)sin2((π/2> ・V/Vo)、となって
光電変換素子58に加わることになる。ここでVは被測
定物の電圧、Voは半波長電圧である。
For example, if the analyzer 57 is configured to pass only a light beam with a polarization component perpendicular to the polarization component of the polarizer 54, the polarization state changes and the output that enters the analyzer 57 has an intensity of 1/4. The intensity of the emitted light is determined by the analyzer 57 to be (1
/4)sin2((π/2>·V/Vo), and is applied to the photoelectric conversion element 58. Here, V is the voltage of the object to be measured, and Vo is the half-wave voltage.

比較回路61では、光電変換素子55において光電変換
された参照光の強度1/2と、光電変換索子58におい
て光電変換された出射光の強度・  2 (1/4 )  ・sin   ((z/ 2 ) V
/V□ ]とが比較される。
In the comparison circuit 61, the intensity 1/2 of the reference light photoelectrically converted in the photoelectric conversion element 55 and the intensity 2 (1/4) ・sin ((z/ 2) V
/V□] is compared.

出射光の強度(I/ 4 ) ・sin 2((yrX
2 )v/■o〕は、電圧変化に伴なう電気光学材v1
62の先端部63の屈折率の変化によって変わるので、
これに基づいて被M1定′肉、例えば集積回路の所定部
分の電圧を検出することができる。
Intensity of emitted light (I/4) ・sin 2((yrX
2) v/■o] is the electro-optic material v1 due to voltage change
It changes depending on the change in the refractive index of the tip 63 of 62, so
Based on this, it is possible to detect the constant voltage of M1, for example, the voltage of a predetermined portion of the integrated circuit.

このように第4図に示す電圧検出装置50では、光グロ
ーブ52の先端部63を被測定物に接近させることで変
1ヒする電気光学材料62の先η1部63の屈折率の変
化に基づき、被測定物の所定部分の電圧を検出するよう
にしているので、特に接触させることが困難で、また接
触させることにより被測定電圧に影響を与えるような集
積回路の微細部分などの電圧を、光プローブ52を接触
させることなく検出ず為ことができる。また光源として
パルス幅の非常に雉かい光パルスを出力するレーザダイ
オードなどのパルス光源を用いて、被aξ1定物の高速
な電圧変化を非常に短がい時間幅でサンプリングするか
あるいは光源に直流光源を用い検出器にストリークカメ
ラなどの高速応答検出器を用いて被測定物の高速な電圧
変化を高い時間分解能で測定することにより、高速な電
圧変化をも精度良く検出することが可能となる。
In this way, in the voltage detection device 50 shown in FIG. 4, the refractive index of the tip η1 portion 63 of the electro-optic material 62 changes when the tip portion 63 of the optical globe 52 approaches the object to be measured. Since the voltage of a predetermined part of the object to be measured is detected, it is possible to detect the voltage of a minute part of an integrated circuit, which is difficult to contact, and which would affect the voltage to be measured if brought into contact. Detection can be performed without contacting the optical probe 52. In addition, a pulsed light source such as a laser diode that outputs light pulses with a very narrow pulse width may be used as a light source to sample the fast voltage changes of a By using a high-speed response detector such as a streak camera as a detector to measure high-speed voltage changes in the object to be measured with high time resolution, it is possible to detect even high-speed voltage changes with high accuracy.

ところで、使用者にとっては、1つの電圧検出装置で光
プローブあるいは電気光学材料の種類を変更して、ある
場合には温度特性を優先した検出結果を、またある場合
には感度特性を優先した検出結果を得ないことがある。
By the way, for the user, by changing the type of optical probe or electro-optic material with one voltage detection device, it is possible to obtain detection results that give priority to temperature characteristics in some cases, and detection results that give priority to sensitivity characteristics in other cases. Sometimes you don't get results.

さらには電圧の検出を間々11するに先立ち、電気光学
材料のかわりに電気光学効果をもたない例えば石英ガラ
スなどの透明物質を用いて光プローブの光軸等の調整を
行ない、この調整が終了した時点で電気光学効果をもた
ない透明物質を電気光学材料に置換えたい場合がある。
Furthermore, before detecting the voltage intermittently, the optical axis of the optical probe is adjusted by using a transparent material such as quartz glass that does not have an electro-optic effect instead of the electro-optic material, and this adjustment is completed. At this point, there are cases where it is desired to replace a transparent substance that does not have an electro-optic effect with an electro-optic material.

しかしながら、第4図に示す電圧検出装置50では、1
つの光プローブ52だけが用いられまた光プローブ52
内には1種類の電気光学材料62だけが設けられて、光
プローブ52あるいは電気光字材料62を他の種類のも
のに交換しうるようにはなっていないので、」−述のよ
うな使用者にとって都合の良い検出結果を得たりあるい
は検出開始時に光プローブ内の光軸などの調整を行なっ
たりする融通性に欠けていた。
However, in the voltage detection device 50 shown in FIG.
Only one optical probe 52 is used and the optical probe 52
Since only one type of electro-optic material 62 is provided within the interior and there is no possibility of replacing the optical probe 52 or the electro-optic material 62 with another type, it is not possible to use it as described above. However, there is a lack of flexibility in obtaining detection results that are convenient for the operator or in adjusting the optical axis within the optical probe at the time of starting detection.

本発明は、使用者にとって所望の検出結果を得たり光プ
ローブ内の光軸の:J!1整を容易に行なうことの可能
な構造の電圧検出装置を提供することをL1的としてい
る。
The present invention enables the user to obtain desired detection results and to adjust the optical axis of the optical probe to:J! The purpose of L1 is to provide a voltage detection device with a structure that allows easy adjustment.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明は、被測定物の所定部分の電圧によって屈折率が
変化する電気光字材料を用いた型式の電圧検出装置にお
いて、被測定物の所定部分に電気光学効果1を接近させ
るための光プローブを備え、該光プローブの先端部には
所望の電気光学材料または電気光学効果のない透明′!
IJ質が光軸に沿って交換可能に配置されることを特徴
とする電圧検出装置によって、上記従来技術の開門点を
改善しようとするものである; 〔作用〕 本発明では、光プ17−ブの先端部に所望の電気光学材
料または電気光学効果のない透明物質が光軸に沿って交
li iI(能に配置されるようになっている。例えば
、鼓初光軸に沿って電気光学効果のない透明物質を配置
すると、光プローブの光軸の調整を行なうことができる
。次いで例えば感度特性の良好な電気光学材料に交換す
ると、被測定物の所定部分の電圧を感度良く検出するこ
とができる。
The present invention provides an optical probe for bringing an electro-optic effect 1 close to a predetermined portion of the object in a type of voltage detection device using an electro-optic material whose refractive index changes depending on the voltage at a predetermined portion of the object to be measured. The tip of the optical probe is made of a desired electro-optic material or a transparent material with no electro-optic effect!
[Operation] The present invention aims to improve the above-mentioned problems of the prior art by using a voltage detection device characterized in that the IJ quality is replaceably arranged along the optical axis; A desired electro-optic material or a transparent material without electro-optic effect is placed at the tip of the tube along the optical axis. By placing an ineffective transparent material, it is possible to adjust the optical axis of the optical probe. Then, for example, by replacing it with an electro-optic material with good sensitivity characteristics, it is possible to detect the voltage at a predetermined part of the object with high sensitivity. Can be done.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。 ゛ 第1図は本発明に係る電圧検出装置の第1の実施例の部
分概略構成図である。
Embodiments of the present invention will be described below based on the drawings. 1 is a partial schematic configuration diagram of a first embodiment of a voltage detection device according to the present invention.

第1図の電圧検出装置では、光プローブ1の先端部に回
転台2が回転自在に設けられ、回転台2には、例えば3
つのネジ孔3−1.3−2.3−3が設けられている0
回転台2のネジ孔3−1には飼えば温度特性の良好な電
気光学材料4−1が嵌着され、ネジ孔3−2には例えば
感度特性の良好な電気光学材料4−2が嵌着され、ネジ
孔3−3には例えば電気光学効果のない石英ガラスなど
の透明物質4−3が嵌着されるようになっている。
In the voltage detection device shown in FIG. 1, a rotary table 2 is rotatably provided at the tip of an optical probe 1.
Two screw holes 3-1.3-2.3-3 are provided.
An electro-optic material 4-1 having good temperature characteristics is fitted into the screw hole 3-1 of the rotary table 2, and an electro-optic material 4-2 having good sensitivity characteristics, for example, is fitted into the screw hole 3-2. A transparent material 4-3 such as quartz glass having no electro-optic effect is fitted into the screw hole 3-3.

なお電気光学材料4−1.4−2.i気光′7効果のな
い透明物質4−3の先端には、図示しないが金属薄膜あ
るいは誘電体多層膜の反射鏡が形成されているとする。
In addition, electro-optical material 4-1.4-2. It is assumed that at the tip of the transparent material 4-3, which has no optical effect '7, a reflecting mirror made of a thin metal film or a dielectric multilayer film is formed, although not shown.

このような構成の電圧検出装置では、被測定物5の所定
部分の電圧を検出するに先立ち、光プローブ1の先端部
に設けられた回転台2を回転して、第1図に示すように
光プローブ1の光軸に沿って電気光学効果のない透明物
質4−3を位置決めする。しかる後に、この透明物質4
−3に所定の偏光成分をもつ光ビームを入射させる。と
ころで、透明物M4−3は電気光学効果を有していない
ので、入射光の偏光状態は透明物質4−3内で変化せず
、従ってこの透明物質4−3からの出射光の偏光状態も
入射光の偏光状態と同じであるので、検出器(図示せず
)において出射光の強度が入射光の強度すなわち参照光
の強度と同じであるか否かを判別することにより、光プ
ローブ1の光軸を調整することができる。
In the voltage detection device having such a configuration, before detecting the voltage at a predetermined portion of the object to be measured 5, the rotary table 2 provided at the tip of the optical probe 1 is rotated to detect the voltage as shown in FIG. A transparent material 4-3 having no electro-optic effect is positioned along the optical axis of the optical probe 1. After that, this transparent substance 4
A light beam having a predetermined polarization component is made incident on -3. By the way, since the transparent material M4-3 does not have an electro-optic effect, the polarization state of the incident light does not change within the transparent material 4-3, and therefore the polarization state of the light emitted from the transparent material 4-3 also changes. Since the polarization state is the same as that of the incident light, a detector (not shown) determines whether the intensity of the output light is the same as the intensity of the incident light, that is, the intensity of the reference light. The optical axis can be adjusted.

次いで、使用者が温度特性の良好な検出結果を得ようと
する場合には、回転台2を回転して、光プローブ1の光
軸に沿って温度特性の良好な電気光学材f14−1を位
置決めする。しかる後に電気光学材料4−1に所定の偏
光成分をもつ光ビームを入射光として入射させ、電気光
学材f14−1からの出射光の偏光状態の変化を検出す
ることにより、被測定物5の所定部分の電圧を温度特性
良く検出することができる。また使用者が感度特性の良
好な検出結果を得ようとする場合には、光プローブ1の
光軸に沿って感度特性の良好な電気光学材料4−2を位
置決めし、被測定e15の所定部分の電圧を感度良く検
出することができる。
Next, when the user wants to obtain a detection result with good temperature characteristics, he rotates the rotary table 2 and inserts the electro-optic material f14-1 with good temperature characteristics along the optical axis of the optical probe 1. Position. Thereafter, a light beam having a predetermined polarization component is incident on the electro-optic material 4-1 as incident light, and a change in the polarization state of the light emitted from the electro-optic material f14-1 is detected. The voltage of a predetermined portion can be detected with good temperature characteristics. In addition, when the user wants to obtain a detection result with good sensitivity characteristics, the electro-optic material 4-2 with good sensitivity characteristics is positioned along the optical axis of the optical probe 1, and a predetermined portion of the measured object e15 is voltage can be detected with high sensitivity.

また上述の電気光7材VI#14−1.4−2の他にも
、比誘電率が小さく被測定電界を乱しにくい電気光学材
料を用いても良い。
Further, in addition to the above-mentioned electro-optic material VI#14-1.4-2, an electro-optic material having a small dielectric constant and hardly disturbing the electric field to be measured may be used.

このように第1の実施例によれば、光プローブ1の先端
部の回転台2を回転させるだけで、極めて容易に電気光
学材料4−1.4−2あるいは電気光学効果のない透明
物質4−3を交換することができるので、使用者にとっ
て都合の良い検出結果を容易に得ることができたり、光
軸の調整を容易に行なうことができる。
As described above, according to the first embodiment, by simply rotating the rotary table 2 at the tip of the optical probe 1, it is possible to very easily convert the electro-optic material 4-1, 4-2 or the transparent material 4 without electro-optic effect. -3 can be replaced, so it is possible to easily obtain detection results convenient for the user and to easily adjust the optical axis.

第2図は本発明に係る電圧検出装置の第2の実施例の部
分機13柩成図である。
FIG. 2 is a schematic diagram of a partial unit 13 of a second embodiment of the voltage detection device according to the present invention.

第2図の電圧検出装置では、光プローブlOに楔形のr
l!11が設けられ、これに対して交換可能な各種の電
気光学材料あるいは電気光学効果の結晶12の上部には
、光プローブ10の消11に嵌合する楔形部分13が形
成されている。なお各種の電気光字材料あるいは電気光
学効果の結晶12の先端には、図示しないが金属薄膜あ
るいは誘電体多層膜の反射鏡が形成されているとする。
In the voltage detection device shown in Fig. 2, a wedge-shaped r is attached to the optical probe lO.
l! 11 is provided, and a wedge-shaped portion 13 that fits into the lens 11 of the optical probe 10 is formed on the top of a crystal 12 of various types of electro-optic materials or electro-optic effects that can be replaced. It is assumed that, although not shown, a reflective mirror made of a metal thin film or a dielectric multilayer film is formed at the tip of the various electro-optical material or electro-optic effect crystal 12.

このような構成では、所望の電気光字材料あるいは電気
光学効果のない透明物質を光プローブ10の消11に嵌
合させて、電圧の検出あるいは光軸の調整を行なうこと
ができて、他の電気光学材料などを用いたときには、現
在液められている電気光学材fl等を取外して容易に交
換することができる。
In such a configuration, a desired electro-optic material or a transparent material without electro-optic effect can be fitted to the lens 11 of the optical probe 10 to detect voltage or adjust the optical axis, and to perform other functions. When an electro-optical material or the like is used, the currently liquid electro-optical material fl can be removed and replaced easily.

このように第2の実施例においても、電気光学材料など
を容易に交換することができるので、使用者にとって都
合の良い検出結果を容易に得ることができたり、光軸の
調整を容易に行なうことができる。
In this way, in the second embodiment as well, the electro-optical materials etc. can be easily replaced, so that detection results convenient for the user can be easily obtained and the optical axis can be easily adjusted. be able to.

なお第1および第2の実施例において、交換可能な電気
光学材料の上面には図示しないが、透明電極を設けても
良い、この場合には透明電極に接地電位を与えることに
より、被測定物の所定部分の電圧に基づく電気力線を電
気光学材料内において電気光学材料の軸線と平行にさせ
、電気光学材fl内での屈折率変化が一様となるように
して電圧の検出精度を高めることができる。
In the first and second embodiments, although not shown, a transparent electrode may be provided on the top surface of the replaceable electro-optical material. In this case, by applying a ground potential to the transparent electrode, the object to be measured can be The lines of electric force based on the voltage at a predetermined portion of are made parallel to the axis of the electro-optic material within the electro-optic material, so that changes in the refractive index within the electro-optic material fl become uniform, thereby increasing voltage detection accuracy. be able to.

また交換可能な電気光学材料は全体が電気光学材料で形
成されているものとして説明したが、第3図に示すよう
に、上部を電気光学効果のない例えば石英ガラスなどの
透明物質14で形成し、下部を電気光学材料15で形成
するようにしても良い。
Furthermore, although the replaceable electro-optic material has been described as being made entirely of electro-optic material, as shown in FIG. , the lower part may be formed of electro-optic material 15.

また、−L述した実施例では、電気光学材料等の先端を
被測定物に接触さぜないものとして説明したが、電気光
学N料の先端を被i11’l定物に接触させるようにし
ても良い。
In addition, in the embodiment described above, the tip of the electro-optic material was explained as not coming into contact with the object to be measured, but the tip of the electro-optic N material was made to come into contact with the object to be measured. Also good.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上に説明したように、本発明によれば、光プローブの
先端部に所望の電気光学材?”lまたは電気光学効果の
ない透明!IIIJ質が光軸に沿って交換可能に配置さ
れるようになっているので、使用者にとって所望の検出
結果を得たり光プローブ内の光軸の調整を容易に行なう
ことができて電圧検出装置としての融通性を著しく高め
ることができる。
As explained above, according to the present invention, a desired electro-optic material is attached to the tip of the optical probe. Transparent or non-electro-optical effects are arranged replaceably along the optical axis, making it easy for the user to obtain desired detection results and adjust the optical axis within the optical probe. This can be easily carried out and the flexibility of the voltage detection device can be significantly increased.

さらには、先の細く、v&細部分を測れるもの、あるい
は大きな範囲を測定できるもめなどの秤々の所望の形状
のものを用いることができる。
Further, it is possible to use a scale with a desired shape, such as a scale with a tapered tip that can measure v and fine parts, or a scale that can measure a large range.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明に係る電圧検出装置の第1の実施例の部
分概略構成図、第2図は本発明に係る電圧検出装置の第
2の実施例の部分機l3rR成図、第3図は光プローブ
に交換可能に取付けられる電気光学材料の変形例を示す
図、第4図は従来の電圧検出装置の構成図である。 1.10・・・光プローブ、2・・・回転台、4−1.
/I−2・・・電気光学材料、4−3・・・電気光学効
果のない透明物質5・・・被測定物、11・・・消 特許出願人   浜松ボトニクス株式会社代理人  弁
理士  植  本  雅 治第1図
FIG. 1 is a partial schematic configuration diagram of a first embodiment of the voltage detection device according to the present invention, FIG. 2 is a partial mechanical diagram of the second embodiment of the voltage detection device according to the present invention, and FIG. 4 is a diagram showing a modified example of an electro-optic material that is replaceably attached to an optical probe, and FIG. 4 is a configuration diagram of a conventional voltage detection device. 1.10... Optical probe, 2... Turntable, 4-1.
/I-2...Electro-optical material, 4-3...Transparent substance without electro-optic effect 5...Measurement object, 11...Cancelled patent applicant Hamamatsu Botonics Co., Ltd. Agent Patent attorney Uemoto Masaharu Figure 1

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1)被測定物の所定部分の電圧によって屈折率が変化す
る電気光学材料を用いた型式の電圧検出装置において、
被測定物の所定部分に電気光学材料を接近させるための
光プローブを備え、該光プローブの先端部には、所望の
電気光学材料または電気光学効果のない透明物質が光軸
に沿って交換可能に配置されることを特徴とする電圧検
出装置。 2)前記光プローブの先端部に交換可能に配置される電
気光学材料は、上面に透明電極が設けられていることを
特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の電圧検出装置
[Claims] 1) A type of voltage detection device using an electro-optic material whose refractive index changes depending on the voltage at a predetermined portion of the object to be measured,
Equipped with an optical probe for bringing an electro-optic material close to a predetermined part of the object to be measured, and a desired electro-optic material or a transparent substance without electro-optic effect can be replaced along the optical axis at the tip of the optical probe. A voltage detection device characterized in that it is arranged in. 2) The voltage detection device according to claim 1, wherein the electro-optical material replaceably arranged at the tip of the optical probe has a transparent electrode provided on its upper surface.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH04357472A (en) * 1991-03-01 1992-12-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Probe for measuring electric field
JPH07151834A (en) * 1993-09-15 1995-06-16 Hewlett Packard Co <Hp> Inspection system for electronic assembly using robot-type positioning of probe

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