JPS63308586A - Evaluating system for voltage detector - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、被測定物、例えば電気回路等の所定部分の電
圧によって光の偏光状態が変化することを利用して電圧
を検出する型式の電圧検出装置の性能を評価する電圧検
出装置の評価システムに関する。[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method of detecting voltage by utilizing the fact that the polarization state of light changes depending on the voltage of a predetermined part of an object to be measured, such as an electric circuit. The present invention relates to a voltage detection device evaluation system that evaluates the performance of a voltage detection device.
従来、電気回路などの被測定物の所定部分の電圧を検出
するのに、種々の電圧検出装置が用いられる。この種の
電圧検出装置としては被測定物の所定部分にプローブを
接触させて、その部分の電圧を検出する型式のもの、あ
るいはプローブを接触させずに所定部分に電子ビームを
入射させることにより所定部分の電圧を検出する型式の
ものなどが知られている。Conventionally, various voltage detection devices have been used to detect the voltage of a predetermined portion of an object to be measured such as an electric circuit. This type of voltage detection device is of the type that detects the voltage at a predetermined portion of the object to be measured by contacting the probe with the predetermined portion of the object to be measured, or the type that detects the voltage of that portion by making the probe contact the predetermined portion of the object. Types that detect the voltage at certain points are known.
ところで、当業者間には、構造が複雑でかつ小型の集積
回路のような被測定物の微細な部分の高速に変化する電
圧を、微細な部分の状態に影響を与えず精度良く検出し
たいという強い要望がある。By the way, there is a desire among those skilled in the art to accurately detect the rapidly changing voltage of a minute part of an object to be measured, such as a small integrated circuit with a complex structure, without affecting the state of the minute part. There is a strong demand.
しかしながら、プローブを被測定物の所定部分に接触さ
せる型式の電圧検出装置では、集積回路等の微細部分に
プローブを直接接触させることが容易でなく、またプロ
ーブを接触させることができたとしても、その電圧情報
だけに基づき集積回路の動作を適確に解析するのは困難
であった。さらにプローブを接触させることにより集積
回路内の動作状態が変化するという問題があった。However, in a voltage detection device that brings the probe into contact with a predetermined part of the object to be measured, it is not easy to bring the probe into direct contact with minute parts such as integrated circuits, and even if it is possible to bring the probe into contact, It has been difficult to accurately analyze the operation of integrated circuits based only on the voltage information. Furthermore, there is a problem in that the operating state within the integrated circuit changes when the probe comes into contact with the integrated circuit.
また電子ビームを用いる型式の電圧検出装置では、プロ
ーブを被測定物に接触させずに電圧を検出することがで
きるものの、測定されるべき部分が真空中に置かれかつ
露出されているものに限られ、また電子ビームにより測
定されるべき部分を損傷するという問題があった。In addition, with a voltage detection device that uses an electron beam, it is possible to detect voltage without bringing the probe into contact with the object to be measured, but this is limited to devices where the part to be measured is placed in a vacuum and exposed. There was also the problem that the part to be measured was damaged by the electron beam.
さらに従来の電圧検出装置では、検出器の動作速度が高
速の電圧変化に追従できず、!積回路等の高速に変化す
る電圧を精度良く検出することができないという問題が
あった。Furthermore, with conventional voltage detection devices, the operating speed of the detector cannot follow high-speed voltage changes. There has been a problem in that it is not possible to accurately detect voltages that change rapidly in product circuits and the like.
このような問題点を解決するために、発明者等による昭
和62年5月30日付の特許出願に記載されているよう
な被測定物の所定部分の電圧によって光ビームの偏光状
態が変化することを利用して電圧を検出する型式の電圧
検出装置が開発された。In order to solve these problems, the polarization state of the light beam changes depending on the voltage at a predetermined part of the object to be measured, as described in a patent application filed May 30, 1986 by the inventors. A type of voltage detection device that detects voltage using
第4図は、光ビームの偏光状態が被測定物の所定部分の
電圧によって変化することを利用して被測定物の電圧を
検出する型式の電圧検出装置の構成図である。FIG. 4 is a block diagram of a voltage detection device of the type that detects the voltage of the object to be measured by utilizing the fact that the polarization state of the light beam changes depending on the voltage of a predetermined portion of the object to be measured.
第4図において電圧検出装置50は、光プローブ52と
、例えばレーザダイオードによる直流光源53と、直流
光源53から出力される光ビームを集光レンズ60を介
して光プローブ52に案内する光ファイバ51と、光プ
ローブ52からの参−5=
照光をコリメータ90を介して光電変換素子55に案内
する光ファイバ92と、光プローブ52からの出射光を
コリメータ91を介して光電変換素子58に案内する光
ファイバ93と、光電変換素子55.58からの光電変
換された電気信号を比較する比較回路61とから構成さ
れている。In FIG. 4, the voltage detection device 50 includes an optical probe 52, a DC light source 53 such as a laser diode, and an optical fiber 51 that guides the light beam output from the DC light source 53 to the optical probe 52 via a condensing lens 60. and reference-5 from the optical probe 52 = optical fiber 92 that guides illumination light to the photoelectric conversion element 55 via the collimator 90 and guides the emitted light from the optical probe 52 to the photoelectric conversion element 58 via the collimator 91 It is composed of an optical fiber 93 and a comparison circuit 61 that compares the photoelectrically converted electrical signals from the photoelectric conversion elements 55 and 58.
光プローブ52には、電気光学材f462、例えば光学
的−軸性結晶のタンタル酸リチウム(L i T a
O3)が収容されており、電気光学材料62の先端部6
3は、截頭円錐形状に加工されている。光プローブ52
の外周部には、導電性電極64が設けられ、また先端部
63には金属薄膜あるいは誘電体多層膜の反射鏡65が
被着されている。The optical probe 52 includes an electro-optic material f462, such as optically-axial crystal lithium tantalate (L i Ta
O3) is accommodated in the tip 6 of the electro-optic material 62.
3 is processed into a truncated conical shape. Optical probe 52
A conductive electrode 64 is provided on the outer periphery, and a reflective mirror 65 made of a thin metal film or a dielectric multilayer film is attached to the tip 63.
光プローブ52内にはさらに、コリメータ94と、集光
レンズ95.96と、コリメータ94からの光ビームか
ら所定の偏光成分をもつ光ビームだけを抽出する偏光子
54と、偏光子54からの所定の偏光成分をもつ光ビー
ムを参照光と入射光とに分割する一方、電気光学材料6
2からの出射光を検光子57に入射させるビームスプリ
ッタ56とが設けられている。なお参照光、出射光は、
それぞれ集光レンズ95.96を介して光ファイバ92
.93に出力されるようになっている。The optical probe 52 further includes a collimator 94, condensing lenses 95 and 96, a polarizer 54 for extracting only a light beam having a predetermined polarization component from the light beam from the collimator 94, and a predetermined polarization component from the polarizer 54. The electro-optic material 6 is split into a reference beam and an incident beam.
A beam splitter 56 is provided to make the emitted light from the analyzer 2 enter the analyzer 57. The reference light and output light are
Optical fibers 92 through condensing lenses 95 and 96, respectively.
.. 93.
このような構成の電圧検出装置50では、検出に際して
、光10−ブ52の外周部に設けられた導電性型f!6
4を例えば接地電位に保持しておく。In the voltage detection device 50 having such a configuration, during detection, the conductive type f! 6
4 is held at a ground potential, for example.
次いで、光プローブ52の先端部63を被測定物、例え
ば@積回路(図示せず)に接近させる。これにより、光
プローブ52の電気光学材料62の先端部63の屈折率
が変化する。より詳しくは、光学的−軸性結晶などにお
いて、光軸と垂直な平面内における常光の屈折率と異常
光の屈折率との差が変化する。Next, the tip 63 of the optical probe 52 is brought close to an object to be measured, for example, a product circuit (not shown). As a result, the refractive index of the tip 63 of the electro-optic material 62 of the optical probe 52 changes. More specifically, in an optically axial crystal or the like, the difference between the refractive index of ordinary light and the refractive index of extraordinary light in a plane perpendicular to the optical axis changes.
光源53から出力された光ビームは、集光レンズ60.
光ファイバ51を介して光プローブ52のコリメータ9
4に入射し、さらに偏光子54により所定の偏光成分の
強度■の光ビームとなって、ビームスプリッタ56を介
して光プローブ52の電気光学材料62に入射する。な
おビームスプリツタ56により分割された参照光、入射
光の強度はそれぞれπ/2となる。電気光学材料62の
先端部63の屈折率は上述のように被測定物の電圧によ
り変化するので、電気光学材料62に入射した入射光は
先端部63のところでその偏光状態が屈折率変化に依存
して変化し反射鏡65に達し、反射鏡65で反射され、
電気光学材料62がら出射光として再びビームスプリッ
タ56に向がう。The light beam output from the light source 53 is passed through a condenser lens 60 .
Collimator 9 of optical probe 52 via optical fiber 51
4, and is further turned into a light beam of a predetermined polarization component with an intensity 2 by a polarizer 54, and enters the electro-optic material 62 of the optical probe 52 via a beam splitter 56. Note that the intensity of the reference light and the incident light split by the beam splitter 56 is π/2. Since the refractive index of the tip 63 of the electro-optic material 62 changes depending on the voltage of the object to be measured as described above, the polarization state of the incident light incident on the electro-optic material 62 at the tip 63 depends on the change in the refractive index. changes, reaches the reflecting mirror 65, is reflected by the reflecting mirror 65,
The electro-optic material 62 directs the emitted light to the beam splitter 56 again.
電気光学材料62の先端部63の長さを1とすると、入
射光の偏光状態は電圧による常光と異常光との屈折率差
および長さ2!Jに比例して変化する。Assuming that the length of the tip 63 of the electro-optic material 62 is 1, the polarization state of the incident light is determined by the refractive index difference between the ordinary light and the extraordinary light due to the voltage and the length 2! It changes in proportion to J.
ビームスプリッタ56に戻された出射光は、検光子57
に入射する。なお検光子57に入射する出射光の強度は
、ビームスプリッタ56によりπ/4となっている。検
光子57が例えば偏光子54の偏光成分と直交する偏光
成分の光ビームだけを通過させるように構成されている
とすると、偏光状態が変化して検光子57に入射する強
度I/4の出射光は、検光子57により、強度が(π/
4)・ 2
s+n[:(π/2)−v/vo:]となって光電変換
素子58に加わることになる。ここでVは被測定物の電
圧、Voは半波長電圧である。The emitted light returned to the beam splitter 56 is sent to an analyzer 57.
incident on . The intensity of the emitted light incident on the analyzer 57 is set to π/4 by the beam splitter 56. For example, if the analyzer 57 is configured to pass only a light beam with a polarization component orthogonal to the polarization component of the polarizer 54, the polarization state changes and the output of intensity I/4 that enters the analyzer 57 The intensity of the emitted light is determined by an analyzer 57 to be (π/
4).2s+n[:(π/2)-v/vo:] and is applied to the photoelectric conversion element 58. Here, V is the voltage of the object to be measured, and Vo is the half-wavelength voltage.
比較口1161では、光電変換素子55において光電変
換された参照先の強度I/2と、光電変換素子58にお
いて光電変換された出射光の強度・ 2
(π/4)−s+n I:(π/2)V/Vo)と
が比較される。In the comparison port 1161, the intensity I/2 of the reference target photoelectrically converted in the photoelectric conversion element 55 and the intensity I/2 of the output light photoelectrically converted in the photoelectric conversion element 58 2 (π/4)-s+n I: (π/ 2) V/Vo) is compared.
出射光の強度(π/4) −5in ” [: (π
/2>v/vo〕は、電圧変化に伴なう電気光学材料6
2の先端部63の屈折率の変化によって変わるので、こ
れに基づいて被測定物、例えば集積回路の所定部分の電
圧を検出することができる。Intensity of output light (π/4) −5in” [: (π
/2>v/vo] is the electro-optic material 6 due to voltage change.
Since the voltage changes depending on the change in the refractive index of the tip 63 of No. 2, the voltage at a predetermined portion of the object to be measured, for example, an integrated circuit, can be detected based on this.
このように第4図に示す電圧検出装置50では、光プロ
ーブ52の先端部63を被測定物に接近させることで変
化する電気光学材料62の先端部63の屈折率の変化に
基づき、被測定物の所定部分の電圧を検出するようにし
ているので、特に接触させることが困難で、また接触さ
せることにより被測定電圧に影響を与えるような集積回
路の微細部分などの電圧を、光プローブ52を接触させ
ることなく検出することができる。また光源としてパル
ス幅の非常に短かい光パルスを出力するレーザダイオー
ドなどのパルス光源を用いて、被測定物の高速な電圧変
化を非常に短かい時間幅でサンプリングするかあるいは
光源に直流光源を用い検出器にストリークカメラなどの
高速応答検出器を用いて被測定物の高速な電圧変化を高
い時間分解能で測定することにより、高速な電圧変化を
も精度良く検出することが可能となる。In this manner, the voltage detection device 50 shown in FIG. Since the voltage of a predetermined part of an object is detected, the optical probe 52 detects the voltage of a minute part of an integrated circuit, which is difficult to contact, and which would affect the voltage to be measured if brought into contact. can be detected without contact. In addition, a pulsed light source such as a laser diode that outputs light pulses with a very short pulse width may be used as a light source to sample the high-speed voltage changes of the measured object over a very short time width, or a DC light source may be used as the light source. By using a high-speed response detector such as a streak camera as the detector to measure high-speed voltage changes of the object to be measured with high time resolution, it becomes possible to detect high-speed voltage changes with high accuracy.
ところで、第4図に示す電圧検出袋W50において、光
源53としてレーザダイオード、ヘリウムネオンレーザ
なとのCWレーザすなわち直流光源を用い、検出器とし
てストリークカメラなどの高速応答検出器を用いて高速
の電圧変化を検出しようとする場合、電圧検出装置50
がどの程度高速の電圧変化を検出しうるがを試験して評
価する必要がある。By the way, in the voltage detection bag W50 shown in FIG. 4, a CW laser such as a laser diode or a helium neon laser, that is, a DC light source is used as the light source 53, and a high-speed response detector such as a streak camera is used as the detector to detect high-speed voltage. When trying to detect a change, the voltage detection device 50
It is necessary to test and evaluate how fast a voltage change can be detected.
従来の評価システムとしてはパルス幅の短がい−1n
−
評価用の電気的な電圧パルスを電気光学材料62に印加
してストリークカメラにおいてこの電圧パルスが所定幅
のストリーク像として検出することができるか否かによ
り電圧検出装置50を評価していた。しかしながら、電
気的な電圧パルスのパルス幅は10ピコ秒よりも短かく
できないので、評価用のパルスとして電気的な電圧パル
スを用いるシステムでは、フェムト秒のオーダの被測定
物の超高速の電圧変化に対する性能評価を行なうことが
できないという問題があった。As a conventional evaluation system, the short pulse width is -1n.
- The voltage detection device 50 was evaluated by applying an electrical voltage pulse for evaluation to the electro-optic material 62 and determining whether the voltage pulse could be detected as a streak image of a predetermined width by a streak camera. However, the pulse width of the electrical voltage pulse cannot be made shorter than 10 picoseconds, so in a system that uses electrical voltage pulses as evaluation pulses, ultra-high-speed voltage changes of the measured object on the order of femtoseconds are required. There was a problem in that it was not possible to evaluate the performance of
本発明では、被測定物の超高速の電圧変化に対する性能
評価をも信頼性良く行なうことの可能な電圧検出装置の
評価システムを提供することを目的としている。An object of the present invention is to provide an evaluation system for a voltage detection device that is capable of reliably evaluating the performance of an object to be measured with respect to ultra-high-speed voltage changes.
本発明は、被測定物の所定部分の電圧によって屈折率が
変化する電気光学材料を用いた型式の電圧検出装置の性
能を評価する評価システムにおいて、数1. OOフェ
ムl〜秒以下のパルス幅のパルス光を出力し、このパル
ス光による光学チェレンコフ効果により電圧検出装置の
電気光学材料内に瞬時的に極めて短かい時間だけ屈折率
変化を生じさせるフェムト秒レーザを備えていることを
特徴とする電圧検出装置の評価システムによって、上記
従来技術の問題点を改善しようとするものである。The present invention provides an evaluation system for evaluating the performance of a type of voltage detection device using an electro-optic material whose refractive index changes depending on the voltage at a predetermined portion of an object to be measured. A femtosecond laser that outputs pulsed light with a pulse width of OO fem l~ seconds or less, and causes an instantaneous change in the refractive index within the electro-optical material of the voltage detection device for an extremely short period of time due to the optical Cerenkov effect caused by this pulsed light. The present invention aims to improve the problems of the prior art described above by providing an evaluation system for a voltage detection device characterized by comprising:
本発明では、光源に例えばCWレーザが用いられ検出器
に例えばストリークカメラが用いられる電圧検出装置の
性能を評価する。このために、例えばCPMリンク色素
レーザなどのフェムト秒オータのパルス幅のパルス光を
出力するフェムト秒レーザを設け、フェムト秒レーザか
らのパルス光を電圧検出装置の電気光学材料に入射させ
て光学チェレンコフ効果により電気光学材料内に瞬時的
に極めて短かい時間だけ屈折率変化を生じさせる。In the present invention, the performance of a voltage detection device that uses, for example, a CW laser as a light source and uses, for example, a streak camera as a detector, is evaluated. For this purpose, for example, a femtosecond laser such as a CPM link dye laser that outputs pulsed light with a pulse width of femtoseconds is provided, and the pulsed light from the femtosecond laser is incident on the electro-optic material of the voltage detection device to create an optical Cherenkov. The effect causes an instantaneous and extremely short period of refractive index change within the electro-optic material.
これにより、偏光子により所定の偏光成分を抽出された
光源からの光ビームは、電気光学材料の屈折率変化によ
り偏光状態か変化してストリークカメラに加わる。電気
光学材料の屈折率が極めて短かいパルス的な変化をする
ことにより、直流光源からの光ビームはその偏光状態が
パルス的に変化し、検光子により所定の偏光成分を持つ
出射光を抽出することにより、ストリークカメラではパ
ルス状の光強度分布が検出されることになる。本発明の
評価システムは、ストリークカメラで観測されたストリ
ーク像の光強度分布がフェムト秒レーザからのパルス光
に対応したものであるか否かを評価する。すなわち検出
されたパルス状の光強度分布の幅が所定の幅よりも小さ
いときには、電圧検出装置の時間的分解能は良好である
と判断し、所定の幅よりも大きいときには電圧検出装置
が所定の時間分解能をもっていないと判断する。また光
源にパルスレーザを用いたサンプリング型の電圧検出装
置の性能を評価することもできる。例えば、CPM色素
リングレーザなどのフェムト秒レーザからの光パルスを
ビームスプリッタで分岐し、一方を光学チェレンコフ効
果発生用、他方を電圧検出用光パルスとして電気光学材
料に入射させる。As a result, the light beam from the light source, from which a predetermined polarization component has been extracted by the polarizer, changes its polarization state due to the change in the refractive index of the electro-optic material and is applied to the streak camera. By changing the refractive index of the electro-optic material in an extremely short pulse-like manner, the polarization state of the light beam from the DC light source changes in a pulse-like manner, and the output light with a predetermined polarization component is extracted by an analyzer. As a result, the streak camera detects a pulsed light intensity distribution. The evaluation system of the present invention evaluates whether the light intensity distribution of a streak image observed by a streak camera corresponds to pulsed light from a femtosecond laser. In other words, when the width of the detected pulsed light intensity distribution is smaller than a predetermined width, it is determined that the temporal resolution of the voltage detection device is good, and when it is larger than the predetermined width, the voltage detection device determines that the temporal resolution is good. It is judged that it does not have resolution. It is also possible to evaluate the performance of a sampling-type voltage detection device that uses a pulsed laser as a light source. For example, a light pulse from a femtosecond laser such as a CPM dye ring laser is split by a beam splitter, and one light pulse is used to generate an optical Cherenkov effect, and the other light pulse is used to detect a voltage, and the light pulses are made incident on an electro-optic material.
光学ヂエレンコフ効果により、光学電気材料内に極めて
短かい時間だけ屈折率変化が生じ、偏光子により所定の
偏光成分を抽出された電圧検出用光パルスは、この屈折
率変化によって偏光状態が変化する。ビームスプリッタ
で分岐した2つの光パルスの一方に可変光学的遅延を加
え、2つの光パルスの相互の光路差を変化させることで
検出光の屈折率変化による偏光状態の変化の大きさが変
わり、検光子により所定の偏光成分を抽出することで検
出器で検出される光強度が変わる。すなわち電気光学材
料での屈折率変化のサンプリングを行ない、このサンプ
リングの時間分解能で電圧検出装置の評価をする。この
ようにして、フェムト秒レーザを用いることにより、電
圧検出装置を適切に評価することができる。Due to the optical Zielenkoff effect, a refractive index change occurs in the opto-electric material for a very short time, and the polarization state of the voltage detection light pulse from which a predetermined polarization component has been extracted by the polarizer changes due to this refractive index change. By adding a variable optical delay to one of the two optical pulses split by the beam splitter and changing the mutual optical path difference between the two optical pulses, the magnitude of the change in the polarization state due to the change in the refractive index of the detection light is changed. By extracting a predetermined polarized light component using an analyzer, the light intensity detected by the detector changes. That is, the refractive index change in the electro-optic material is sampled, and the voltage detection device is evaluated based on the time resolution of this sampling. In this way, by using a femtosecond laser, the voltage detection device can be appropriately evaluated.
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。 Embodiments of the present invention will be described below based on the drawings.
第1図は本発明に係る電圧検出装置の評価システムの第
1の実施例の構成図である。FIG. 1 is a block diagram of a first embodiment of a voltage detection device evaluation system according to the present invention.
第1図において評価されるべき電圧検出装置1には、光
源53にCWレーザずなわち直流光源が用いられ、検出
器にストリークカメラ7が用いられている。光源53か
らの光ビームは偏光子54により所定の偏光成分だけが
抽出され、ビームスプリッタ56を介して前述のように
、光プローブ52内の電気光学材料62に入射光として
入射する。電気光学材料62の先端部63は、被測定物
の電圧により屈折率が変化する。これにより、電気光学
材料62に入射した所定の偏光成分をもつ入射光は、電
気光学材料62の先端部63のところで偏光状態が変化
し、反射鏡65で反射されて再び電気光学材料62から
出射光として出力される。電気光学材料62から出力さ
れた出射光は、再びビームスプリッタ56に戻され、ビ
ームスプリッタ56で分割され検光子57によって所定
の偏光成分をもつ出射光だけか抽出されてストリークカ
メラ7に加わるようになっている。In the voltage detection device 1 to be evaluated in FIG. 1, a CW laser, ie, a DC light source, is used as the light source 53, and a streak camera 7 is used as the detector. Only a predetermined polarized component of the light beam from the light source 53 is extracted by the polarizer 54, and enters the electro-optic material 62 in the optical probe 52 as incident light via the beam splitter 56, as described above. The refractive index of the tip 63 of the electro-optic material 62 changes depending on the voltage of the object to be measured. As a result, the incident light having a predetermined polarization component that has entered the electro-optic material 62 changes its polarization state at the tip 63 of the electro-optic material 62, is reflected by the reflecting mirror 65, and exits from the electro-optic material 62 again. It is output as emitted light. The emitted light outputted from the electro-optic material 62 is returned to the beam splitter 56 again, split by the beam splitter 56, and only the emitted light having a predetermined polarization component is extracted by the analyzer 57 and added to the streak camera 7. It has become.
第2図はストリークカメラ7の構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram of the streak camera 7.
ストリークカメラ7は、検光子57によって抽出された
出射光が入射するスリブ1〜11と、スリット11を介
しての出射光が入射するレンズ12と、−1は =
レンズ12により集光された出射光が入射する光電面1
3と、光電面13により光電変換された電子ビームを横
方向に偏向さぜる偏向電極】4と、偏向された電子ビー
ムを増倍するマイクロチャンネルプレー1−15と、マ
イクロチャンネルプレート15からの電子ビームか入射
する螢光面16とを備えている。なお第2図では、マイ
クロチャンネルプレート15と螢光面16とが分離され
て示されているが、これらは通常互いに接合したものと
なっている。またレンズ12は円筒形状に示されている
が通常は円筒形のものとはなっていない。The streak camera 7 has sleeves 1 to 11 into which the emitted light extracted by the analyzer 57 enters, a lens 12 into which the emitted light via the slit 11 enters, and -1 = the outgoing light condensed by the lens 12. Photocathode 1 where incident light enters
3, a deflection electrode that laterally deflects the electron beam photoelectrically converted by the photocathode 13; 4, a microchannel plate 1-15 that multiplies the deflected electron beam; It has a fluorescent surface 16 on which the electron beam is incident. Although the microchannel plate 15 and the fluorescent surface 16 are shown separated in FIG. 2, they are usually joined together. Further, although the lens 12 is shown to have a cylindrical shape, it is not normally cylindrical.
このようなストリークカメラ7の偏向電極14に所定の
電気I・リガ信号TRに同期した鋸歯状電圧を加えるこ
とにより、光電面13に時系列で入射する出射光を螢光
面16上で横方向に掃引することができる。これにより
、横方向すなわち掃引方向を時間軸として、螢光面16
」二で被測定物の所定部分の電圧変化を一次元の光強度
分布FGとして検出することができる。By applying a sawtooth voltage synchronized with a predetermined electric I/rega signal TR to the deflection electrode 14 of the streak camera 7, the emitted light that is incident on the photocathode 13 in time series is deflected laterally on the fluorescent surface 16. can be swept to As a result, the fluorescent surface 16 is
2, voltage changes in a predetermined portion of the object to be measured can be detected as a one-dimensional light intensity distribution FG.
ところで、このような電圧検出装置1の性能を評価する
には、電気光学材料62に電圧を印加しない状態で、フ
ェムト秒レーザ2を用いフェムト秒レーザ2からの数1
00フェムト秒以下のパルス幅のパルス光を電気光学材
料62の先端部63に対して垂直にすなわち光源53か
らの入射光の光路と平行に入射させる。By the way, in order to evaluate the performance of such a voltage detection device 1, the femtosecond laser 2 is used with no voltage applied to the electro-optic material 62, and the equation 1 from the femtosecond laser 2 is
Pulsed light having a pulse width of 00 femtoseconds or less is made to enter the tip 63 of the electro-optic material 62 perpendicularly, that is, parallel to the optical path of the incident light from the light source 53.
これにより、電気光学材料62には、光学チェレンコフ
効果による電磁波EMが数100フェムト秒以下のパル
ス幅でチェレンコフコーン状に反射鏡65へ向けて伝搬
し、電気光学材料62の屈折率を数1. OOフェムト
秒以下の時間だけ変化′させる。CWレーザの光源53
から偏光子54を介しての入射光の偏光成分並びにスト
リークカメラ7への出射光の偏光成分は、電気光学材料
62におけるチェレンコフコーン状に伝搬する電磁波E
Mによる屈折率変化に伴なって変化し、検光子57によ
り所定の偏光成分の出射光だけが抽出されてストリーク
カメラ7に加わる。この第1の実施例では、数100フ
ェムト秒以下のパルス幅のパルス光を、入射光の光路と
平行に電気光学材料−17=
62に入射させているので、光源53からの入射光は電
気光学材料62内でパルス的な屈折率変化に追従して進
行し相互作用長を長くすることができ、その偏光成分の
変化を大きくすることができて、ストリークカメラ7で
電圧検出装置1をより感度良く評価することができる。As a result, electromagnetic waves EM due to the optical Cerenkov effect propagate toward the reflecting mirror 65 in the shape of a Cerenkov cone with a pulse width of several 100 femtoseconds or less, and the refractive index of the electro-optic material 62 changes to several 1. The time is changed by OO femtoseconds or less. CW laser light source 53
The polarized light component of the incident light from the source via the polarizer 54 and the polarized light component of the outgoing light to the streak camera 7 are electromagnetic waves E propagating in a Cerenkov cone shape in the electro-optic material 62.
It changes as the refractive index changes due to M, and only the emitted light with a predetermined polarization component is extracted by the analyzer 57 and added to the streak camera 7. In this first embodiment, pulsed light with a pulse width of several hundred femtoseconds or less is made incident on the electro-optic material -17=62 in parallel to the optical path of the incident light, so that the incident light from the light source 53 is electrically The interaction length can be lengthened by following the pulsed refractive index change within the optical material 62, and the change in the polarization component can be increased. It can be evaluated with good sensitivity.
なおストリークカメラ7の偏向電極14には、フェムト
秒レーザ2からのパルス光がビームスプリッタ3を介し
て光電変換素子4で光電変換され電気トリガ信号TRと
して加わるようになっており、ストリークカメラ7に入
射した出射光は、この電気l・リガ信号TRに同期させ
てストリークカメラ7の螢光面16上にストリーク像F
Gとして検出される。このストリーク像FGすなわち光
強度分布は、フェムト秒レーザ2からのパルス光により
電気光学材料62に生じた屈折率の変化が数100フ工
ム1〜秒以下のオーダであることから、理想的には極超
短の輝度幅のものでなければならない。Note that the pulsed light from the femtosecond laser 2 is photoelectrically converted by a photoelectric conversion element 4 via a beam splitter 3 and applied to the deflection electrode 14 of the streak camera 7 as an electric trigger signal TR. The incident and emitted light forms a streak image F on the fluorescent surface 16 of the streak camera 7 in synchronization with this electric l/rega signal TR.
Detected as G. This streak image FG, that is, the light intensity distribution, is ideal because the change in refractive index caused in the electro-optic material 62 by the pulsed light from the femtosecond laser 2 is on the order of several hundred frames per second or less. must have an extremely short brightness width.
従って、評価システムは、フェムト秒レーザ2から数1
00フェムト秒以下のオーダのパルス光を電気光学材料
62の先端部63に入射させたときに検出されるストリ
ーク像FGの輝度幅を検出し、この輝度幅が所定の幅よ
りも小さいときには、電圧検出装置1か所定以上の高時
間分解能を有していると評価することかできる。Therefore, the evaluation system can be modified from the femtosecond laser 2 to the number 1
The brightness width of the streak image FG detected when pulsed light on the order of 00 femtoseconds or less is incident on the tip 63 of the electro-optic material 62 is detected, and when this brightness width is smaller than a predetermined width, the voltage is It can be evaluated that the detection device 1 has a high time resolution higher than a predetermined level.
これに対して、検出されたストリーク像FGの輝度幅が
所定の幅よりも大きいときには、電圧検出装置1は高時
間分解能を有していないと判断する。なお、電圧検出装
置1の分解能を低下させる要因としては、電気光学材料
62自体に欠陥があるか、あるいは光源53からストリ
ークカメラ7に至るまでの入射光および出射光の光路に
欠陥があって、入射光および出射光の偏光状態の変化が
高速の屈折率変化に高速に応答しないかあるいは入射光
および出射光の強度変化が光路を進行中に伝送損失する
ことが考えられる。On the other hand, when the brightness width of the detected streak image FG is larger than the predetermined width, it is determined that the voltage detection device 1 does not have high temporal resolution. Note that factors that reduce the resolution of the voltage detection device 1 include a defect in the electro-optic material 62 itself, or a defect in the optical path of the incident light and the outgoing light from the light source 53 to the streak camera 7. It is conceivable that the change in the polarization state of the incident light and the output light does not respond quickly to the rapid change in the refractive index, or that the change in the intensity of the incident light and the output light causes a transmission loss while traveling along the optical path.
第3図は本発明に係る電圧検出装置の評価システムの第
2の実施例の構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram of a second embodiment of the voltage detection device evaluation system according to the present invention.
第2の実施例の評価システムでは、パルス光源を用いた
サンプリング型の電圧検出装置の評価を= 19−
行なうようになっている。なおサンプリング型の電圧検
出装置は、第4図に示されているのと同様のものであり
、第4図と同様の箇所には同じ符号を付して説明を省略
する。このサンプリング型の電圧検出装置は、フェムト
秒レーザ2からの光パルスをビームスプリッタ17によ
って2つの光パルスBMI、BM2に分岐し、一方の光
パルスBM1を電圧検出用に用い、他方の光パルスBM
2をチェレンコフコーン状の電磁波EMを発生させるの
に用いている。In the evaluation system of the second embodiment, a sampling type voltage detection device using a pulsed light source is evaluated as =19-. Note that the sampling type voltage detection device is similar to that shown in FIG. 4, and the same parts as in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals and the explanation thereof will be omitted. This sampling type voltage detection device splits a light pulse from a femtosecond laser 2 into two light pulses BMI and BM2 by a beam splitter 17, uses one light pulse BM1 for voltage detection, and uses the other light pulse BM1 for voltage detection.
2 is used to generate Cerenkov cone-shaped electromagnetic waves EM.
ビームスプリッタ17により分岐された一方の光パルス
BMIは、光学的可変遅延手段18を介して偏光子54
に入射し、さらにビームスプリッタ56から電気光学材
料62に電圧検出用入射光として入射するようになって
いる。One of the optical pulses BMI split by the beam splitter 17 is sent to the polarizer 54 via the optical variable delay means 18.
The light is incident on the electro-optic material 62 from the beam splitter 56 as incident light for voltage detection.
またビームスプリッタ17により分岐された他方の光パ
ルスBM2は、光学的可変遅延手段19を介して電気光
学材料62にチェレンコフコーン状の電磁波EMI発生
用として入射するようになっている。The other optical pulse BM2 split by the beam splitter 17 is made to enter the electro-optic material 62 via the optical variable delay means 19 for generating Cerenkov cone-shaped electromagnetic wave EMI.
−リn −
このような構成の評価システムでは、光学的可変遅延手
段18.19によって、電気光学材料62内における電
圧検出用光パルスBMIとチェレンコフコーン状の電磁
波、EMlにより生じる屈折率の変化位置とが一致する
よう2つの光パルスBMI、BM2の相互の光路長を合
わせ、さらに光学的可変遅延手段18.19のいずれか
一方を少しづつ駆動して相互の光路長を徐々にすらずこ
とにより、電気光学材料62のパルス的な屈折率変化を
光電変換素子55,58.比較回路61などによりサン
プリング測定することができる。すなわち、偏光子54
で所定の偏光成分だけが抽出された光パルスBMIは、
ビームスプリッタ56で分割され、一方は集光レタス9
5.光ファイバ92、コリメータ90を介して参照光R
EFとして光電変換素子55に加わり、他方は電気光学
材料62内でチェレンコフコーン状の電磁波EMIによ
る屈折率変化により偏光状態が変化して出射光すなわち
信号光SGとしてビームスプリッタ56で分割され検光
子57.集光レンズ96.光tV−
ファイバ93.コリメータ91を介して光電変換素子5
8に加わる。光パルスBMI、BM2の相互の光路長を
徐々にずらすと、信号光SGの光強度は、電気光学材料
62内に生じたパルス的な屈折率変化をサンプリングし
た結果となり、光電変換素子58においてサンプリング
した結果を電気信号に変換する。比較回路61では、光
電変換素子55からの参照光REFの電気信号に基づい
て光電変換素子58からの信号光SGの電気信号を比較
し、これにより、S/N比を向上させ評価精度をより向
上させることができる。- Lin - In the evaluation system with such a configuration, the optical variable delay means 18 and 19 detect the position of change in the refractive index caused by the voltage detection optical pulse BMI, Cerenkov cone-shaped electromagnetic wave, and EMl within the electro-optic material 62. By adjusting the mutual optical path lengths of the two optical pulses BMI and BM2 so that they match, and further driving either one of the optical variable delay means 18 or 19 little by little to gradually reduce the mutual optical path lengths. , the pulsed refractive index change of the electro-optic material 62 is transferred to the photoelectric conversion elements 55, 58 . Sampling measurement can be performed using the comparison circuit 61 or the like. That is, the polarizer 54
The optical pulse BMI from which only the predetermined polarization component is extracted is
It is divided by the beam splitter 56, and one side is focused by the lettuce 9.
5. Reference light R via optical fiber 92 and collimator 90
The other is added to the photoelectric conversion element 55 as EF, and the polarization state changes due to the refractive index change due to Cerenkov cone-shaped electromagnetic wave EMI in the electro-optic material 62, and the output light, that is, the signal light SG, is split by the beam splitter 56 and analyzed by the analyzer 57. .. Condensing lens 96. Optical tV-fiber 93. Photoelectric conversion element 5 via collimator 91
Join 8. When the mutual optical path lengths of the light pulses BMI and BM2 are gradually shifted, the light intensity of the signal light SG becomes the result of sampling the pulse-like refractive index change that occurs in the electro-optic material 62, and is sampled in the photoelectric conversion element 58. The results are converted into electrical signals. The comparison circuit 61 compares the electrical signal of the signal light SG from the photoelectric conversion element 58 based on the electrical signal of the reference light REF from the photoelectric conversion element 55, thereby improving the S/N ratio and further improving the evaluation accuracy. can be improved.
このようにして電気光学材料62の屈折率を数100フ
ェムト秒以下のオーダの時間だけ変化させることができ
るので、電圧検出装置1が高時間分解能を有しているか
否かを出荷前に試験したり、あるいは使用開始前に点検
したりすることができて、正確な評価を与えることがで
きる。In this way, the refractive index of the electro-optic material 62 can be changed over a period of time on the order of several hundred femtoseconds or less, so whether or not the voltage detection device 1 has high time resolution is tested before shipping. or inspect it before it is put into use, giving an accurate assessment.
なお、電気光学材料62の先端部63の側壁をも含めて
光プローブ52を黒塗りし、光プローブ52の内壁に入
射する光ビームが散乱されないようにするのが良い。Note that it is preferable to paint the optical probe 52, including the side wall of the tip 63 of the electro-optic material 62, black so that the light beam incident on the inner wall of the optical probe 52 is not scattered.
以上に説明したように、本発明によれば、数100フェ
ムト秒以下のパルス幅のパルス光を電圧検出装置の電気
光学材料に入射させるようにしているので、被測定物の
超高速の電圧変化に対する電圧検出装置の性能評価を信
頼性良く行なうことができる。As explained above, according to the present invention, pulsed light with a pulse width of several hundreds of femtoseconds or less is made incident on the electro-optical material of the voltage detection device, so that ultra-high-speed voltage changes of the measured object can be achieved. The performance of the voltage detection device can be evaluated with high reliability.
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る電圧検出装置の評価システムの第
1の実施例の構成図、第2図はストリークカメラの概略
構成図、第3図は本発明に係る電圧検出装置の評価シス
テムの第2の実施例の構成図、第4図は一般的な電圧検
出装置の構成図である。
1・・・電圧検出装置、2・・・フェムト秒し−サ、7
・・・ストリークカメラ、52・・・光プローブ、62
・・・電気光学材料、63・・・先端部、EM、EMI
・・・電磁波[BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS] Fig. 1 is a block diagram of a first embodiment of a voltage detection device evaluation system according to the present invention, Fig. 2 is a schematic block diagram of a streak camera, and Fig. 3 is a block diagram according to the present invention. FIG. 4 is a block diagram of a second embodiment of the voltage detection device evaluation system, and FIG. 4 is a block diagram of a general voltage detection device. 1... Voltage detection device, 2... Femtosecond sensor, 7
... Streak camera, 52 ... Optical probe, 62
...Electro-optical material, 63...Tip, EM, EMI
...electromagnetic waves
Claims (1)
る電気光学材料を用いた型式の電圧検出装置の性能を評
価する評価システムにおいて、数100フェムト秒以下
のパルス幅のパルス光を出力し、このパルス光による光
学チェレンコフ効果により電圧検出装置の電気光学材料
内に瞬時的に極めて短かい時間だけ屈折率変化を生じさ
せるフェムト秒レーザを備えていることを特徴とする電
圧検出装置の評価システム。 2)前記フェムト秒レーザからのパルス光による光学チ
ェレンコフ効果により電気光学材料の屈折率を変化させ
、前記フェムト秒レーザから分岐され電圧検出装置の偏
光子により所定の偏光成分のみ抽出されたパルス光の偏
光状態を電気光学材料内で変化させ、電気光学材料内で
偏光状態が変化した光ビームから所定の偏光成分を抽出
した出射光の強度を電圧検出装置の高速応答検出器で検
出することにより電圧検出装置の時間分解能を評価する
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の電圧検
出装置の評価システム。 3)前記高速応答検出器は、ストリークカメラであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第2項に記載の電圧検出
装置の評価システム。 4)前記フェムト秒レーザからのパルス光による光学チ
ェレンコフ効果により電気光学材料の屈折率を変化させ
、前記フェムト秒レーザから分岐され電圧検出装置の偏
光子により所定の偏光成分のみ抽出されたパルス光の偏
光状態を電気光学材料内で変化させ、電気光学材料内で
偏光状態が変化した光ビームから所定の偏光成分を抽出
した出射光の強度を電圧検出装置の光電検出器で検出し
サンプリングを行なうことにより電圧検出装置の時間分
解能を評価することを特徴とする特許請求の範囲第1項
に記載の電圧検出装置の評価システム。 5)前記サンプリングは、分岐した2つのフェムト秒レ
ーザ光の相対光路差を変化させることによって行なわれ
ることを特徴とする特許請求の範囲第4項に記載の電圧
検出装置の評価システム。[Claims] 1) In an evaluation system for evaluating the performance of a type of voltage detection device using an electro-optic material whose refractive index changes depending on the voltage at a predetermined portion of a measured object, a pulse width of several hundred femtoseconds or less is used. The device is characterized by being equipped with a femtosecond laser that outputs pulsed light and causes an instantaneous and extremely short refractive index change in the electro-optical material of the voltage detection device by the optical Cerenkov effect caused by the pulsed light. Evaluation system for voltage detection equipment. 2) The refractive index of the electro-optic material is changed by the optical Cerenkov effect caused by the pulsed light from the femtosecond laser, and the pulsed light is branched from the femtosecond laser and only a predetermined polarized component is extracted by the polarizer of the voltage detection device. By changing the polarization state within the electro-optic material and extracting a predetermined polarization component from the light beam whose polarization state has changed within the electro-optic material, the intensity of the emitted light is detected by a high-speed response detector of the voltage detection device. 2. The voltage detection device evaluation system according to claim 1, wherein the voltage detection device evaluation system evaluates the time resolution of the detection device. 3) The voltage detection device evaluation system according to claim 2, wherein the high-speed response detector is a streak camera. 4) The refractive index of the electro-optic material is changed by the optical Cerenkov effect caused by the pulsed light from the femtosecond laser, and the pulsed light is branched from the femtosecond laser and only a predetermined polarized component is extracted by the polarizer of the voltage detection device. The polarization state is changed within the electro-optic material, and a predetermined polarization component is extracted from the light beam whose polarization state has changed within the electro-optic material. The intensity of the emitted light is detected and sampled with a photoelectric detector of a voltage detection device. 2. The voltage detection device evaluation system according to claim 1, wherein the voltage detection device evaluation system evaluates the time resolution of the voltage detection device. 5) The voltage detection device evaluation system according to claim 4, wherein the sampling is performed by changing a relative optical path difference between two branched femtosecond laser beams.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62144985A JPH0814588B2 (en) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | Voltage detector evaluation device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62144985A JPH0814588B2 (en) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | Voltage detector evaluation device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63308586A true JPS63308586A (en) | 1988-12-15 |
JPH0814588B2 JPH0814588B2 (en) | 1996-02-14 |
Family
ID=15374796
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62144985A Expired - Fee Related JPH0814588B2 (en) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | Voltage detector evaluation device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0814588B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02198338A (en) * | 1989-01-27 | 1990-08-06 | Komatsu Ltd | Method for measuring human body |
-
1987
- 1987-06-10 JP JP62144985A patent/JPH0814588B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02198338A (en) * | 1989-01-27 | 1990-08-06 | Komatsu Ltd | Method for measuring human body |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0814588B2 (en) | 1996-02-14 |
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