JPS63291488A - 光ファイバレ−ザ装置 - Google Patents

光ファイバレ−ザ装置

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JPS63291488A
JPS63291488A JP62127347A JP12734787A JPS63291488A JP S63291488 A JPS63291488 A JP S63291488A JP 62127347 A JP62127347 A JP 62127347A JP 12734787 A JP12734787 A JP 12734787A JP S63291488 A JPS63291488 A JP S63291488A
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optical
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堀口 正治
Makoto Shimizu
誠 清水
Fumiaki Hanawa
文明 塙
Hiroyuki Suda
裕之 須田
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/063Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
    • H01S3/067Fibre lasers

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  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、安定な出力を効率良く取り出すことが可能な
光ファイバレーザ装置に関する。
(従来の技術) 近年、Nd(ネオジウム)、Er(エルビウム)Pr(
プラセオジミウム)、Yb(イッテリビウム)等の希土
類元素を添加した光ファイバ(以下、希土類元素添加光
ファイバと記す)をレーザ活性物質とした、単一モード
光ファイバレーザ或いは光増幅器が、光センサや光通信
の分野で多くの利用の可能性を有することが報告され、
その応用が期待されている。
希土類元素添加光ファイバを用いた光ファイバレーザと
しては、Ndを添加した石英系光ファイバをレーザ活性
物質として用い、半導体レーザ或いはArレーザ励起C
W(連続波)色素レーザを励起光源として、波長1.0
88μmでCW発振、Qスイッチ発振、モードロック発
振等を確認した例、また、Pr添加又はEr添加した光
ファイバをレーザ活性物質とし、Arレーザを励起光源
として、各々波長1.08 a m 、  1.54 
a mのCW発振を確認した例が、アール、ジエー、メ
アーズ等(J、Mears他、OFC’ 88.7UL
15等)によって報告されている。
第2図は、上述のような光ファイバレーザを発振するた
めの装置の構成を概略的に示す図である。
即ち、この装置は、レーザ活性物質である所定長の光フ
ァイバ1の両端に1対の反射鏡2a、2bを配置すると
共に、この光フアイバ1内に励起光を注入する手段を備
えている。第1図に示す構成では、反射鏡2aの側方に
設けた半導体レーザ素子3がそれであり、半導体レーザ
素子3から1組の光学系レンズ4を介して、光ファイバ
1のコアに励起用レーザ光を集光して注入するように構
成されている。反射鏡2a、2bとしては、1対の誘電
体多層膜が用いられており、これらが光学的共振器を形
成している。
これに対し、出願人は、特願昭62−14974号とし
て第3図に示すような高効率の光ファイバレーザ装置を
出願−1ている。即ち第3図において、5はコア部に希
土類が添加された単一モード光ファイバコード、2a、
2bは光フアイバコード5の端面に直接形成された誘電
体反射膜、6a。
6bは光コネクタ、4aはロッドレンズ、7はロッドレ
ンズ4aと光コネクタ6aと半導体レーザ3を結合させ
るためのホルダである。
第3図の発明では光学的共振器ミラーを構成する反射膜
2a、2bを光ファイバ1の端面上に直接形成すること
により、共振器の損失を大幅に低イバエにはコア部に希
土類元素が添加されているが、種々の実験の結果、この
種の光ファイバ1では希土類元素イオンによる吸収が生
じ、光ファイバ1の光学的損失が増加することを見い出
した。
第4図の曲線aは、約150P P MのN d ”4
オンを添加した石英系単一モード光ファイバの伝送損失
特性を示しており、通常の単一モード光ファイバ(第4
図の曲線b)に比較して、レーザの発振波長である 1
.088μmにおいて1〜3dB程度損失が大きい。
これは、N d ”(オンの吸収体(例えば、 0.8
2μm)や散乱損失増によるものと考えられ、希土類元
素を添加した光ファイバでは不可避な現象である。従っ
て、光ファイバレーザ装置の共振長を長くとり、しかも
高効率にレーザ発振を行なわせようとする際、希土類元
素を共振長全体にわたって添加することは、共振器内損
失を増加せしめて出力を低下させる要因となる。
即ち、本発明は希土類元素を添加する光ファイバの長さ
は、端面から入射された励起光を効率よく吸収する長さ
であれば十分であり、必要以上に長くとることは得策で
はないことに着目したものである。
しかも、光ファイバレーザ装置内に、光変調器を配置し
てモードロック動作を行なわせる場合、光変調器の周波
数fは で与えられる。ここにCは光速、nは光ファイバのコア
の屈折率、Lは共振器の長さく光ファイバ長)である。
第(1)式から明らかなように、所望の周波数でモード
ロック動作を行なおうとするには、コアの屈折率nを大
幅に変化させることば困難であるから共振長りを変化さ
せることになる。
しかるに、前述の通り希土類元素を添加した光ファイバ
は、希土類元素を含まない光ファイバに比較して損失が
大きいため、従来技術では、発振効率の劣化なしにはモ
ードロックの周波数を自由に選べないという問題があっ
た。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、そ
の目的は、共振器の光学的損失を大幅に低減して全体の
効率化を実現すると共に、モードロックを行なう場合に
は周波数の範囲を自由に選択できる光ファイバレーザ装
置を提供することにある。
(問題点を解決するための手段) 上記目的を達成するため、本発明では、コア及びクラッ
ドで構成される光ファイバ、該光ファイバの両端に形成
された反射部から成る光学的共振器と、光ファイバに励
起光を注入する手段とを具備する光ファイバレーザ装置
において、前記光ファイバを、その長さ方向において希
土類元素を含む部分と希土類元素を含まない部分とで構
成している。
(作用) これらの構成により、半導体レーザ等の励起光注入手段
が作動すると、励起光が光共振器の光フアイバ入射側へ
光学的に結合する。光ファイバに入射した光は両端の反
射部により反射をくり返して増幅された後、発振状態に
到達する。この間、光ファイバの希土類元素添加部分で
は励起光が効率よく吸収され、希土類元素無添加部分、
即ち通常の光フアイバ部分では光学的損失が殆ど生ずる
ことなく光が進んで出射側へと向かう。
(実施例) 第1図は、本発明に係る光ファイバレーザ装置の第1実
施例を示す簡略図で、従来品と同じ部分には同一の参照
番号を付しである。
この光ファイバレーザ装置は、光ファイバ1、反射膜’
la、2bs半導体レーザ3、ロッドレンズ4as光コ
ネクタ5a、6b%光ファイバ10、光変調器11 、
G e光検出器12、サンプリングオシロスコープ13
、高周波信号発生器(シンセサイザ)14から構成され
ている。
光ファイバ1は、Ndを添加したパンダ型偏波保持光フ
ァイバ(後屈曲率4X10−’)で、これにNdを含ま
ないパンダ型の複屈折性単一モード、即ち通常の光ファ
イバ10が接続されている。光ファイバ10には、伝送
損失がλ−1,088μmで0.5d B / k m
、複屈折率5X1G−’及び比屈折率差0.3%のもの
を採用し、その長さは90mである。
光変調器11は、光ファイバ1.10の接続箇所に配置
され、ここではL iN b Oaの導波路型を用いて
いる。高周波信号発生器14は、光変調器11に駆動用
の信号を出力すると共にオシロスコープ13に信号観測
用のトリガパルスを送る。
ここに、レーザ活性物質である光ファイバ1は、基本的
にはS iO2のコア並びにクラッドからなる長さ10
mの単一モード光ファイバであり、コアにはNdを15
0p p m添加し、クラッドにはFを添加して希土類
元素添加光ファイバとしている。
コアークラッド間の比屈折率差は0.3%であり、LP
IIモードのカットオフ波長は1.0μmであった。こ
の光ファイバ1の端面に、真空蒸着法により誘電体多層
膜を形成してレーザの反射鏡とした。
各反射膜2a、2bの特性は、後述するこのレーザ装置
の励起光である波長0.82μmの半導体レーザ3と、
このレーザ装置が発生する波長1.088μmの光ファ
イバレーザ光に対して、それぞれ次のように設定した。
反射膜2a(入射側鎖)の特性 ・波長0.82μmの光に対して透過率90%以上・波
長1.088μmの光に対して反射率99.5%以上反
射膜2b(出射側鎖)の特性 ・波長0.82μmの光に対して透過率90%以上Φ波
長1.088μmの光に対して反射率90±1%以上 この光ファイバレーザ装置の動作に当っては、まず発振
波長0.82μmの半導体レーザ3を点灯し、ロッドレ
ンズ4a介して光ファイバ1に出力光を結合させる。こ
のとき、光ファイバ1に結合した光出力は約18m W
であり、半導体レーザ3の励起光量の約97%が吸収さ
れた。また、各光ファイバ1,10は、光変調器11を
介して低損失に接続されており、その挿入損失は1.5
d Bであった。この状態即ち、高周波信号発生器14
を動作させない状態で、光ファイバレーザ装置の発振し
きい値光電力は、吸収光量換算で3.5mW、レーザの
発振光出力は5mWであった。
次いで、高周波信号発生器14を動作し、駆動ンブリン
グオシロスコープ13を用いて、光ファイバレーザ装置
の出力光パルスの波形観測を行なう。ここに、(2)式
のnl、n2.n3はそれぞれ光ファイバ1、光ファイ
バ10及び光変調器11のコア部の屈折率、L  、L
  、L  はそれぞれ光ファイバ1、光ファイバ10
及び光変調器11の長さである。
第(2)式に、各パラメータの測定値n1mn2−1.
448. n3−2.2% Ll−10m、 Lz−9
0msLa−0,025mを代入すると、f O−1,
03MH2を得る。上記の実際の測定では、f O−1
,036325MHzで最も鋭い出力光パルス列が得ら
れ、その半値幅は0.9nsであった。周波数の計算値
と実測値の差は、n−n  SL1〜L3の測定膜差に
起因するものと考えられる。尚、本実施例において、光
パルスのピーク出力は、波長17088μmで、約45
0m Wが得られた。
このように、本実施例では、低損失の光ファイバ10を
光ファイバ1に付加することにより、(2)式から導か
れるような低周波の駆動が可能となるため、ピーク出力
の大きな光パルス列が得られる。また、本実施例で複屈
折性の光ファイバを使用しているのは、光変調器11と
発振光の偏波面との整合を図るためである。尚、光ファ
イバ1゜10の複屈折率が5×10−5以下では、光変
調器11の変調度を深くとることができず、i ns以
下の鋭い光パルス2は得られなかった。
第5図には、本発明の第2の実施例が示されており、前
実施例と同じ部分には同様の参照番号を付しである。こ
の実施例では、光ファイバ1oの出力側にQスイッチ用
の光変調器11aを設置し、光変調器11aの出射端面
に反射膜2cを形成している。また、高周波信号発生器
14aには2チヤンネルタイプを採用し、ここから第2
光変調器11aに駆動信号を出力できるようにしである
このような光ファイバレーザ装置を実施例1と同様の方
法でモードロック動作を行なわせる。このとき、最適な
駆動周波数は、f O−1,038715M Hzであ
った。次いで、高周波信号発生器14aから駆動信号を
出力し、Qスイッチ用の光変調器11aを駆動する。こ
のときの周波数f1は、fOをt7toooに分周した
ものでf 1−1036.7Hzである。光変調器11
aの駆動によって、第5図の光ファイバレーザ装置はモ
ードロックとQスイッチ動作を同時に行なわせることが
できた。
このときの波長1.088μmにおけるピークの光出力
は、約320Wであった。ここで分周率が100以下で
は、出力光パルスの出力増加に顕著な改善はみられなか
った。
以上の実施例においては光ファイバ10の長さとして9
0mを選んだが、この長さを適当に選択することにより
モードロック周波数を広範囲に選べることは、本発明の
特徴として当然のことである。
第6図には、本発明の第3実施例が示されており、前述
の各実施例と同じ部分には同様の参照番号を付しである
。この光ファイバレーザ装置では、光ファイバ1の出射
側に軸方向に沿って一対の光コネクタ15a、15bを
取付け、一方の光コネクタ15bと前述の光コネクタ6
bとの間に光ファイバ10aを結合している。この実施
例では、コアにP2O5をドープした 150mのパン
ダ形複屈折性光ファイバが用いられている。
光コネクタ15a、15bの対向面には、波長1.08
8μmで透過率99.3%以上の無反射誘電体多層膜の
コーティング層16a、16bが形成されている。また
、光コネクタ15a、15bの間には、同軸的に一対の
ロッドレンズ17a、17bが配置され、ロッドレンズ
17a、17bにも同様のコーティングが施されている
ロッドレンズ17a、17bの間には、光路を遮る位置
に2枚の光チヨツパブレード18a。
18bが設置され、各光チャツバブレード18a。
18bはヒステリシスモータ19により高速回転するよ
うになっている。ヒステリシスモータ19は、コントロ
ーラ20によりその駆動及び回転数が制御される。光チ
ヨツパブレード18bの下方両側には、LED21及び
光検知器22が配置され、これらはオシロスコープ13
からのトリガ信号で作動するようになっている。
ここに、モータ19の回転速度は、最大30000rp
m、光チョッパブレード18aのブレード数は4000
、光チヨツパブレード18bのブレード数は1である。
従って、両者は同一回転数で回るため光チヨツパブレー
ド18aの周波数は最大2MHz、光チョッパブレード
18bの周波数は最大500Hzである。各光チヨツパ
ブレード18a。
18bは、フォトリソグラフィを用いて石英ガラス基盤
上に蒸着したAIをエツチングして作製したものであり
、加工精度は0.1μm以下である。
これを動作するには、実施例1,2と同様に、光ファイ
バレーザ装置CW発振させる。次いで、コントローラ2
0により、モータ19を回転させ、その回転数を徐々に
変化させながら、サンプリングオシロスコープ13で波
形観測を行ない、最も鋭い光パルス列が得られる周波数
を選定する。本実施例では、F O−847,531K
 Hzで、上記条件が満たされた。このときのレーザパ
ルスは、半値幅0.85 nss ピーク出力450W
であった。また、共振器内で誘導ラマン散乱が生じ、λ
−1,1〜1.3μmにおいても光出力が観測された。
第7図には、本発明の第4実施例が示されており、前実
施例と同じ部分には同様の参照番号を付しである。この
光ファイバレーザ装置では、光変調器11を光ファイバ
10の出射側に設置し、両光ファイバ1.10は融着手
段によって光学的に結合(23で示す)されている。こ
の接続部に隙間ができると発振特性が劣化するから、こ
れを防止するには融着手段を用いるのが最適である。
これを動作するには、前記実施例と同様に光ファイバレ
ーザ装置をCW発振状態にし、次いで高周波信号発生器
14を駆動し、光変調器11を動作する。このときの最
適なモードロック周波数は、第1の実施例とほぼ同一で
f O−1,088195MH2であった。本実施例で
は、モードロック光パルスの出力として4θOmW、パ
ルス幅0.88 nsが得られた。この場合、光ファイ
バの接続損失は、波長1.088μmで0.03dBで
あった。
尚、モードロック等を行なわない場合は、各光変調器1
1.11aを省略することができる。
(発明の効果) 以上詳述したように、本発明の光ファイバレーザ装置で
は、光学的共振器の光ファイバを、その長さ方向におい
て希土類元素を含む部分と希土類元素を含まない部分と
で構成したから、共振器の長さを広範囲に亘って設定し
ても光学的損失を最小限に抑えられ、モードロック動作
を行なう場合にもその周波数を自由に選択できると共に
出力光パルスのピークを高くできる効果がある。
また、希土類元素を含む光ファイバに接続する光ファイ
バを自由に選択できるため、Qスイッチやモードロック
動作をする際、これに使用する光変調器の性能を極限に
まで高めることができるばかりでなく、誘導ラマン散乱
効果等の光非線形現象を応用した広波長域の光源として
の利用にも応用できる利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明に係る光ファイバレーザ装置の第1実
施例を示す簡略図、第2図及び第3図は各々従来品の簡
略図及び簡略断面図、第4図は希土類元素を含む光ファ
イバと含まない光ファイバの伝送損失特性を比較したグ
ラフ、第5図は本発明の第2実施例を示す簡略図、第6
図は本発明の第3実施例を示す簡略図、第7図は本発明
の第4実施例を示す簡略図である。 1・・・希土類元素添加光ファイバ 2a、2b。 2C・・・反射膜 3・・・半導体レーザ 10.10
a元章

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)コア及びクラッドで構成される光ファイバ、該光
    ファイバの両端に形成された反射部から成る光学的共振
    器と、光ファイバに励起光を注入する手段とを具備する
    光ファイバレーザ装置において、前記光ファイバが、そ
    の長さ方向において希土類元素を含む部分と希土類元素
    を含まない部分とで構成された ことを特徴とする光ファイバレーザ装置。
  2. (2)前記光ファイバが単一モードであり、少なくとも
    一方の光ファイバが5×10^−^5以上の複屈折率を
    有する特許請求の範囲第(1)項に記載の光ファイバレ
    ーザ装置。
  3. (3)前記光学的共振器が、単一モード光ファイバと光
    学的に結合される1個以上の光変調器を具備している特
    許請求の範囲第(1)項または第(2)項に記載の光フ
    ァイバレーザ装置。
  4. (4)前記光変調器が、2種類の基本周波数成分f1、
    f2を有し、かつf1≧100f2の関係を満足するも
    のである特許請求の範囲第(3)項に記載の光ファイバ
    レーザ装置。
  5. (5)前記希土類元素を含まない部分の光ファイバが、
    応力付与型の偏波保持単一モード光ファイバである特許
    請求の範囲の第(1)〜第(3)項のいずれかに記載の
    光ファイバレーザ装置。
  6. (6)前記希土類元素を含まない部分の光ファイバが誘
    導ラマン効果の大きい元素であるP_2O_5、アルカ
    リ元素のうち少なくとも1つ以上を含む特許請求の範囲
    第(1)項〜第(5)項のいずれかに記載の光ファイバ
    レーザ装置。
  7. (7)前記両光ファイバが相互に融着接続されている特
    許請求の範囲第(1)項〜第(6)項のいずれかに記載
    の光ファイバレーザ装置。
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