JPS63290792A - 情報記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
情報記録媒体およびその製造方法Info
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- JPS63290792A JPS63290792A JP62127422A JP12742287A JPS63290792A JP S63290792 A JPS63290792 A JP S63290792A JP 62127422 A JP62127422 A JP 62127422A JP 12742287 A JP12742287 A JP 12742287A JP S63290792 A JPS63290792 A JP S63290792A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 51
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 44
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 15
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光学的に記録・再生が可能な情報記録媒体お
よびその製造方法に関するものであり、詳細にはレーザ
光の照射により隆起変形部が形成される情報記録媒体お
よびその製造方法に関するものである。
よびその製造方法に関するものであり、詳細にはレーザ
光の照射により隆起変形部が形成される情報記録媒体お
よびその製造方法に関するものである。
本発明は、希ガスを含んだアモルファス膜を記録膜とす
ることにより、レーザ光等の選択的加熱により隆起変形
部(バブルと称される。)を形成し情報の記録・再生を
行うことが可能な情報記録媒体を提供しようとするもの
である。
ることにより、レーザ光等の選択的加熱により隆起変形
部(バブルと称される。)を形成し情報の記録・再生を
行うことが可能な情報記録媒体を提供しようとするもの
である。
さらに本発明は、金属および/または半金属を希ガスが
存在するプラズマ中で基体上に堆積することにより、ア
モルファス膜の形成と希ガスの混入とを同時に行い、希
ガスを含んだアモルファス記録膜を効率的に作製可能と
するものである。
存在するプラズマ中で基体上に堆積することにより、ア
モルファス膜の形成と希ガスの混入とを同時に行い、希
ガスを含んだアモルファス記録膜を効率的に作製可能と
するものである。
光記録方式は、非接触で記録・再生ができ取り扱いが容
易であること、傷や埃に強い・こと等の特徴を有し、さ
らに従来の磁気記録方式に比べて記憶容量が大きいとい
う利点を有することから、大容量メモリとしての活用が
期待されている。
易であること、傷や埃に強い・こと等の特徴を有し、さ
らに従来の磁気記録方式に比べて記憶容量が大きいとい
う利点を有することから、大容量メモリとしての活用が
期待されている。
なかでも、ユーザが直接書き込んで使用することができ
る。いわゆる追記型光記録媒体に対する関心は高く、筋
感度、高安定性、高品質等の要望に応えるため、特に記
録材料に関する研究が盛んに行われている。
る。いわゆる追記型光記録媒体に対する関心は高く、筋
感度、高安定性、高品質等の要望に応えるため、特に記
録材料に関する研究が盛んに行われている。
追記型光記録媒体としては、基体上にたとえばTeを主
体とする金属薄膜や、有機色素系薄膜を形成し、レーザ
ビームを照射してピットと呼ばれる孔部を形成すること
で情報の記録を行う光記録媒体が知られている。
体とする金属薄膜や、有機色素系薄膜を形成し、レーザ
ビームを照射してピットと呼ばれる孔部を形成すること
で情報の記録を行う光記録媒体が知られている。
しかしながら、このような光記録媒体の場合、形成した
ピットの周縁部にリムと称される不規則な盛り上がりを
生じ、再生時のC/N低下の大きな原因となっている。
ピットの周縁部にリムと称される不規則な盛り上がりを
生じ、再生時のC/N低下の大きな原因となっている。
そこで、ピットを形成することなく信号を記録する方法
として、バブルと称される隆起変形部を形成することで
情報の記録を行う光記録媒体が提案されている。
として、バブルと称される隆起変形部を形成することで
情報の記録を行う光記録媒体が提案されている。
たとえば、特開昭56−12793号公報には、基板上
に有機中間層、金i質光吸収層を順に形成し、金属質光
吸収層の局部加熱により間接的に透明有機中間層を加熱
してそこから発生するガスにより金属質光吸収層を隆起
・変形させ、バブルを形成することで記録を行う追記型
光記録媒体が開示されている。
に有機中間層、金i質光吸収層を順に形成し、金属質光
吸収層の局部加熱により間接的に透明有機中間層を加熱
してそこから発生するガスにより金属質光吸収層を隆起
・変形させ、バブルを形成することで記録を行う追記型
光記録媒体が開示されている。
しかしながら、前述の光記録媒体では、間接的に透明有
機中間層を加熱するために光利用効率が著しく劣り、記
録に際して非常に大きなエネルギーを必要とする。これ
は、使用するレーザの大出力化や装置の大型化等を招き
、実用化に際して大きな障害となる。
機中間層を加熱するために光利用効率が著しく劣り、記
録に際して非常に大きなエネルギーを必要とする。これ
は、使用するレーザの大出力化や装置の大型化等を招き
、実用化に際して大きな障害となる。
あるいは、特開昭56−65341号公報には、基板上
に金属質光反射層、光透過層、金属質光吸収層を順次形
成し、表面の金属質光吸収層の局部加熱により光透過層
を間接的に加熱してそこから発生するガスにより金i質
光吸収層を隆起・変形させ、バブルを形成することで記
録を行う追記型光記録媒体が開示されている。この光記
録媒体では、基板上に金属質光反射層が形成されている
ことから、光の利用効率は先の特開昭56−12793
号公報に記載されるものよりは高い。
に金属質光反射層、光透過層、金属質光吸収層を順次形
成し、表面の金属質光吸収層の局部加熱により光透過層
を間接的に加熱してそこから発生するガスにより金i質
光吸収層を隆起・変形させ、バブルを形成することで記
録を行う追記型光記録媒体が開示されている。この光記
録媒体では、基板上に金属質光反射層が形成されている
ことから、光の利用効率は先の特開昭56−12793
号公報に記載されるものよりは高い。
しかしながら、この光記録媒体は、3N構造であるため
製造工程が複雑になるという問題を有している。これは
、製造工程数の増加1歩留りの低下、製造コストの上昇
の要因となる。また、このような多層膜構造では、記録
感度を向上させるためにそれぞれの膜の屈折率や膜厚等
を非常に厳しい条件で最適化する必要があり、このこと
も光記録媒体の製造を困難なものとする要因となってい
る。
製造工程が複雑になるという問題を有している。これは
、製造工程数の増加1歩留りの低下、製造コストの上昇
の要因となる。また、このような多層膜構造では、記録
感度を向上させるためにそれぞれの膜の屈折率や膜厚等
を非常に厳しい条件で最適化する必要があり、このこと
も光記録媒体の製造を困難なものとする要因となってい
る。
さらに、特開昭61−178742号公報においては、
金属炭化物マトリクス中に金属微粒子および有機物を分
散させた薄膜を基板上に形成し、薄膜の局部的な加熱に
よってガス発生機能を有する有機物をガス化してバブル
を形成する光記録媒体が提案されている。
金属炭化物マトリクス中に金属微粒子および有機物を分
散させた薄膜を基板上に形成し、薄膜の局部的な加熱に
よってガス発生機能を有する有機物をガス化してバブル
を形成する光記録媒体が提案されている。
この光記録媒体は、構造的には簡単なものであるが、感
度が低いという問題がある。そこで、感度の向上のため
に、水素や酸素の添加が試みられているが、厳密なガス
流量の調整が必要であるため量産性に問題があること、
使用するガス自体に危険性があること、記録膜が金属微
粒子の集合体であるため微粒子の粒界による乱反射に起
因したノイズの発生が避けられないこと、等の問題を抱
えている。
度が低いという問題がある。そこで、感度の向上のため
に、水素や酸素の添加が試みられているが、厳密なガス
流量の調整が必要であるため量産性に問題があること、
使用するガス自体に危険性があること、記録膜が金属微
粒子の集合体であるため微粒子の粒界による乱反射に起
因したノイズの発生が避けられないこと、等の問題を抱
えている。
このように、バブルと称される隆起変形部を形成するこ
とで情報の記録を行う光記録媒体は、いずれも記録効率
、感度、生産性等の点で不満を残しており、その改善が
要望されている。
とで情報の記録を行う光記録媒体は、いずれも記録効率
、感度、生産性等の点で不満を残しており、その改善が
要望されている。
そこで本発明は、前述の従来の実情に鑑みて提案された
ものであって、C/Nが高く簡単な構造を有するととも
に、記録感度、記録効率に優れた情報記録媒体を提供す
ることを目的とし、かかる情報記録媒体の効率的な製造
方法を提供することを目的とする。
ものであって、C/Nが高く簡単な構造を有するととも
に、記録感度、記録効率に優れた情報記録媒体を提供す
ることを目的とし、かかる情報記録媒体の効率的な製造
方法を提供することを目的とする。
c問題点を解決するための手段〕
本発明者等は、上述の目的を達成せんものと長期に亘り
鋭意研究を重ねた結果、アモルファス膜に希ガスを導入
することで高感度にバブルを形成し得ることを見出し本
発明を完成するに至ったものである。
鋭意研究を重ねた結果、アモルファス膜に希ガスを導入
することで高感度にバブルを形成し得ることを見出し本
発明を完成するに至ったものである。
すなわち本発明の情報記録媒体は、第1図に示すように
、基体(1)上に希ガスを含んだアモルファス記録膜(
2)を有してなり、上記アモルファス記録膜(2)の選
択的加熱により加熱部を隆起させ記録することを特徴と
するものである。
、基体(1)上に希ガスを含んだアモルファス記録膜(
2)を有してなり、上記アモルファス記録膜(2)の選
択的加熱により加熱部を隆起させ記録することを特徴と
するものである。
さらに本発明の製造方法は、金属および/または半金属
を希ガスが存在するプラズマ中で基体上に堆積し、希ガ
スを含んだアモルファス記録膜を形成することを特徴と
するものである。
を希ガスが存在するプラズマ中で基体上に堆積し、希ガ
スを含んだアモルファス記録膜を形成することを特徴と
するものである。
本発明の情報記録媒体において、基体(1)の材料とし
ては、ガラス、lI!、等の金属、各種セラミックス、
ポリカーボネート等のプラスチック等が挙げられる。な
お、これら基体(1)には、グループと称される案内溝
が形成されていてもよい。
ては、ガラス、lI!、等の金属、各種セラミックス、
ポリカーボネート等のプラスチック等が挙げられる。な
お、これら基体(1)には、グループと称される案内溝
が形成されていてもよい。
一方、アモルファス記録膜(2)を構成する材料には、
アモルファス化すること、融点が低いこと、希ガスを取
り込み易いこと、レーザ光を吸収させる意味から反射率
がある程度低いこと等が要求され、Zr、Hf、Nb、
Zn、Cd、Ga、In。
アモルファス化すること、融点が低いこと、希ガスを取
り込み易いこと、レーザ光を吸収させる意味から反射率
がある程度低いこと等が要求され、Zr、Hf、Nb、
Zn、Cd、Ga、In。
Tl、Pb、Sn、Ag等の金属およびB、C。
Si、P、Ge、As、Se、Sb、Te、Bi等の半
金属の単体もしくはこれらの2種以上を組み合わせたも
の等が使用される。
金属の単体もしくはこれらの2種以上を組み合わせたも
の等が使用される。
このアモルファス記録膜(2)には、これら金属。
半金属の他、希ガスが取り込まれているが、導入される
希ガスとしては記録膜を作製する際にこれら金属、半金
属と化学的に反応しないものが使用され、例示すればA
r、Ne、Xe等である。窒素は、成膜に際して金属や
半金属と反応してしまうので使用することはできない。
希ガスとしては記録膜を作製する際にこれら金属、半金
属と化学的に反応しないものが使用され、例示すればA
r、Ne、Xe等である。窒素は、成膜に際して金属や
半金属と反応してしまうので使用することはできない。
上記アモルファス記録膜(2)の膜庫は、50Å以上で
あることが好ましい、膜厚が50人未満であると均一な
成膜が難しい、上限は特に限定されないが、記録感度や
バブルの形成条件、さらには生産性等の実用性を考慮す
ると、1000Å以下であることが好ましい。より好ま
しくは、200〜800人である。
あることが好ましい、膜厚が50人未満であると均一な
成膜が難しい、上限は特に限定されないが、記録感度や
バブルの形成条件、さらには生産性等の実用性を考慮す
ると、1000Å以下であることが好ましい。より好ま
しくは、200〜800人である。
上述のアモルファス記録膜(2)は、前記希ガスが存在
するプラズマ中で前記金属または半金属あるいはこれら
両者をターゲットとじPVD(Pby−sical V
apour Deposition )を行うことによ
り作製される。プラズマ中でPVDを行えば、膜中に希
ガスを取り込み易く、また原子の運動エネルギーが大き
いことから基体(1)へ到達した場合にアモルファス膜
となり易い。
するプラズマ中で前記金属または半金属あるいはこれら
両者をターゲットとじPVD(Pby−sical V
apour Deposition )を行うことによ
り作製される。プラズマ中でPVDを行えば、膜中に希
ガスを取り込み易く、また原子の運動エネルギーが大き
いことから基体(1)へ到達した場合にアモルファス膜
となり易い。
PVDの手法としては、スパッタやイオンブレーティン
グ、EcR<エレクトロン・サイクロトロン・レゾナン
ス)等が好適である。
グ、EcR<エレクトロン・サイクロトロン・レゾナン
ス)等が好適である。
PVDに際して、雰囲気ガス圧、すなわち導入する希ガ
スのガス圧は5X10−”〜I X 10− ’ To
rrの範囲とすることが好ましい、希ガスのガス圧が5
X 10− ’Torr未満であると、アモルファス記
録膜(2)に取り込まれる希ガスが不足し、隆起変形が
充分に起こらない虞れがある。逆に希ガスのガス圧がI
Xl0−’Torrを越えると、良好なPVDを行う
ことが難しい。
スのガス圧は5X10−”〜I X 10− ’ To
rrの範囲とすることが好ましい、希ガスのガス圧が5
X 10− ’Torr未満であると、アモルファス記
録膜(2)に取り込まれる希ガスが不足し、隆起変形が
充分に起こらない虞れがある。逆に希ガスのガス圧がI
Xl0−’Torrを越えると、良好なPVDを行う
ことが難しい。
以上のように、希ガスが存在するプラズマ中でPVDを
行えば、金属または半金属、あるいはこれら両者からな
るターゲットに希ガスが衝突し、ターゲットを構成する
原子がはじき出されて基体(1)に到達したものは当該
基体(1)上に堆積される。また同時に、希ガスも膜中
に取り込まれることになる。
行えば、金属または半金属、あるいはこれら両者からな
るターゲットに希ガスが衝突し、ターゲットを構成する
原子がはじき出されて基体(1)に到達したものは当該
基体(1)上に堆積される。また同時に、希ガスも膜中
に取り込まれることになる。
希ガスを含んだアモルファス記録膜をレーザ光等により
選択的に加熱すると、加熱部の膜が軟化するとともに膜
中に取り込まれた希ガスがガス化し、隆起変形する。
選択的に加熱すると、加熱部の膜が軟化するとともに膜
中に取り込まれた希ガスがガス化し、隆起変形する。
本発明の情報記録媒体では、この隆起変形部をバブルと
して情報が記録される。
して情報が記録される。
また、希ガスが存在するプラズマ中でPVDを行えば、
ターゲットを構成する原子がはじき出されて基体上に成
膜され、同時に膜中にPVD雰囲気中の希ガスが取り込
まれる。
ターゲットを構成する原子がはじき出されて基体上に成
膜され、同時に膜中にPVD雰囲気中の希ガスが取り込
まれる。
以下、本発明の具体的な実施例について図面を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
本実施例を実施するに際して使用した作製装置の概略構
成を第2図に示す。
成を第2図に示す。
この作製装置は、排気装置(18)が設けられた真空室
(11)内に、基体(13)を装着した基体ホルダ(1
2)、および高周波電a(15)に接続されたターゲッ
ト(14)を配設してなるスパッタ装置である。そして
、上記真空室(11)には、希ガスを充填したガスボン
ベ(17)がバルブ機構(16)を介して接続されてい
る。
(11)内に、基体(13)を装着した基体ホルダ(1
2)、および高周波電a(15)に接続されたターゲッ
ト(14)を配設してなるスパッタ装置である。そして
、上記真空室(11)には、希ガスを充填したガスボン
ベ(17)がバルブ機構(16)を介して接続されてい
る。
このような構成の作製装置を用い、以下の手順を経て情
報記録媒体を作製した。なお、本実施例においては、基
体(13)としてグループ(案内溝)付きのポリカーボ
ネートディスクを使用した。ターゲット(14)の材料
は、アモルファス膜を形成しやすいこと1反射率が適当
(20〜70%)であること2耐蝕性に優れること等を
考慮して選ばれ、ここではA g r。Ins。Gem
。(数値は組成を原子%で表す。)とした。
報記録媒体を作製した。なお、本実施例においては、基
体(13)としてグループ(案内溝)付きのポリカーボ
ネートディスクを使用した。ターゲット(14)の材料
は、アモルファス膜を形成しやすいこと1反射率が適当
(20〜70%)であること2耐蝕性に優れること等を
考慮して選ばれ、ここではA g r。Ins。Gem
。(数値は組成を原子%で表す。)とした。
先ず、上記作製装置の真空室(11)内を10−’To
rr以下まで脱気した。
rr以下まで脱気した。
次いで、バルブ(16)を開いて所定量の希ガスを真空
室(11)内に導入した。この場合、膜中に含まれる希
ガスの量によってバブルが形成されたりつぶれたりする
ので、前記希ガスの導入量を適切に設定しなければなら
ないが、これは膜を構成するターゲット材料とプラズマ
発生中の真空室(11)内の希ガスガス圧によって制御
することができる。
室(11)内に導入した。この場合、膜中に含まれる希
ガスの量によってバブルが形成されたりつぶれたりする
ので、前記希ガスの導入量を適切に設定しなければなら
ないが、これは膜を構成するターゲット材料とプラズマ
発生中の真空室(11)内の希ガスガス圧によって制御
することができる。
本例では希ガスとしてArを使用し、ガス圧はIX 1
0− ”Torrとした。
0− ”Torrとした。
希ガスによって真空室(11)内が所定の圧力に達した
ら、ターゲット(14)に高周波電力を印加し、基体(
13)とターゲット(14)の間にプラズマを発生させ
た0本例では100Wの高周波電力を印加してプラズマ
を発生させた。
ら、ターゲット(14)に高周波電力を印加し、基体(
13)とターゲット(14)の間にプラズマを発生させ
た0本例では100Wの高周波電力を印加してプラズマ
を発生させた。
これによってターゲット(14)に希ガスが衝突し、タ
ーゲット(14)を構成する原子がはじき出されて基体
(13)上に堆積され、同時に膜中に希ガスが取り込ま
れた0本例では、スパッタ開始から5分後に膜厚800
人のアモルファス記録膜が形成された。
ーゲット(14)を構成する原子がはじき出されて基体
(13)上に堆積され、同時に膜中に希ガスが取り込ま
れた0本例では、スパッタ開始から5分後に膜厚800
人のアモルファス記録膜が形成された。
このようにして作製した情報記録媒体を、300rp+
s (線速度1.3 m/5ec)で回転させ、スポ
ットサイズ1.6μmに集束した出力2.5 m V
、パルス輻lll5ecの半導体レーザ(波長83On
+s)を基体(13)面側から照射して記録を行った。
s (線速度1.3 m/5ec)で回転させ、スポ
ットサイズ1.6μmに集束した出力2.5 m V
、パルス輻lll5ecの半導体レーザ(波長83On
+s)を基体(13)面側から照射して記録を行った。
その結果、第3図に示すように、膜の隆起変形が起こり
、バブルが形成されたことが確認された。
、バブルが形成されたことが確認された。
走査電子顕微鏡観察によれば、記録部は直径1.5μm
、高さ0.15μmのバブルであることが確認されてい
る。
、高さ0.15μmのバブルであることが確認されてい
る。
次に、出力0.3mWの連続ビームを基体(13)面か
ら照射して再生を行った。このとき、再生信号のC/N
は55dBという良好な結果が得られた。
ら照射して再生を行った。このとき、再生信号のC/N
は55dBという良好な結果が得られた。
比較例として、真空蒸着法により本実施例と同一条件で
希ガスを含まないAg−In−C;efN膜を形成し、
同一条件で記録を行ったが、バブルは形成されなかった
。
希ガスを含まないAg−In−C;efN膜を形成し、
同一条件で記録を行ったが、バブルは形成されなかった
。
以上の説明からも明らかなように、本発明の情報記録媒
体は、希ガスを含むアモルファス膜を記録膜としている
ので、レーザ光等の照射により高感度でバブルを形成す
ることができ、記録効率や感度に優れた情報記録媒体を
提供することが可能である。
体は、希ガスを含むアモルファス膜を記録膜としている
ので、レーザ光等の照射により高感度でバブルを形成す
ることができ、記録効率や感度に優れた情報記録媒体を
提供することが可能である。
また、本発明の情報記録媒体は、記録膜がアモルファス
膜であるのために、結晶粒界に起因したノイズが生ずる
ことはなく、高いC/Nを得ることが可能となっている
。
膜であるのために、結晶粒界に起因したノイズが生ずる
ことはなく、高いC/Nを得ることが可能となっている
。
さらに、本発明の情報記録媒体は、その構造が捲めて簡
単で、生産性や製造コスト等の点でも有用なものである
。
単で、生産性や製造コスト等の点でも有用なものである
。
また本発明の製造方法によれば、アモルファス膜の形成
と希ガスの膜中への導入を同時に行うことができ、記録
膜の形成が一工程に単純化されるため歩留りが向上し、
製造コストを低減することが可能となる。
と希ガスの膜中への導入を同時に行うことができ、記録
膜の形成が一工程に単純化されるため歩留りが向上し、
製造コストを低減することが可能となる。
さらに本発明の製造方法によれば、結晶化しやすい材料
であっても容易にアモルファス膜を形成することができ
、ノイズが小さく高密度記録可能な記録膜を作製するこ
とが可能である。
であっても容易にアモルファス膜を形成することができ
、ノイズが小さく高密度記録可能な記録膜を作製するこ
とが可能である。
第1図は本発明を適用した情報記録媒体の構成例を示す
要部拡大断面図である。゛ 第2図はアモルファス記録膜を作製する際に使用される
作製装置の一例を模式的に示す構成図である。 第3図はアモルファス記録膜に形成された粒子の構造を
示す電子顕微鏡写真(倍率5ooo倍)である。 1・・・基体 2・・・アモルファス記録膜 2 ・fモ」し71又$乙舷にえ 第1図 第2図
要部拡大断面図である。゛ 第2図はアモルファス記録膜を作製する際に使用される
作製装置の一例を模式的に示す構成図である。 第3図はアモルファス記録膜に形成された粒子の構造を
示す電子顕微鏡写真(倍率5ooo倍)である。 1・・・基体 2・・・アモルファス記録膜 2 ・fモ」し71又$乙舷にえ 第1図 第2図
Claims (2)
- (1)基体上に希ガスを含んだアモルファス記録膜を有
してなり、 上記アモルファス記録膜の選択的加熱により加熱部を隆
起させ記録することを特徴とする情報記録媒体。 - (2)金属および/または半金属を希ガスが存在するプ
ラズマ中で基体上に堆積し、希ガスを含んだアモルファ
ス記録膜を形成することを特徴とする情報記録媒体の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62127422A JP2535910B2 (ja) | 1987-05-25 | 1987-05-25 | 情報記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62127422A JP2535910B2 (ja) | 1987-05-25 | 1987-05-25 | 情報記録媒体およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63290792A true JPS63290792A (ja) | 1988-11-28 |
JP2535910B2 JP2535910B2 (ja) | 1996-09-18 |
Family
ID=14959567
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62127422A Expired - Fee Related JP2535910B2 (ja) | 1987-05-25 | 1987-05-25 | 情報記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2535910B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0452586A2 (en) * | 1990-04-17 | 1991-10-23 | Toray Industries, Inc. | Optical recording medium |
-
1987
- 1987-05-25 JP JP62127422A patent/JP2535910B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0452586A2 (en) * | 1990-04-17 | 1991-10-23 | Toray Industries, Inc. | Optical recording medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2535910B2 (ja) | 1996-09-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |