JPS63289879A - 超半導体電界効果トランジスタ - Google Patents
超半導体電界効果トランジスタInfo
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- JPS63289879A JPS63289879A JP62124915A JP12491587A JPS63289879A JP S63289879 A JPS63289879 A JP S63289879A JP 62124915 A JP62124915 A JP 62124915A JP 12491587 A JP12491587 A JP 12491587A JP S63289879 A JPS63289879 A JP S63289879A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/20—Permanent superconducting devices
- H10N60/205—Permanent superconducting devices having three or more electrodes, e.g. transistor-like structures
- H10N60/207—Field effect devices
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：ＦｉＣｌｄ
Ｅｆｆｃｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）の構成に関
する。
Ｅｆｆｃｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）の構成に関
する。
従来、電界効果トランジスタの代表例として、第３図に
示す如きＭｉｓ ＦＥＴがある。すなわち、半導体で
あるＳｉ基板１１０表面には、拡散層１２、フィールド
絶縁膜１３、ゲート絶縁１ａ１４、ゲート電極１５が形
成され、ＭＩＳ型ＦＥＴを構成して成る。この他、ゲー
ト電極を拡散層で形成した、いわゆるジャンクショアＦ
ＥＴなルモのもある。
示す如きＭｉｓ ＦＥＴがある。すなわち、半導体で
あるＳｉ基板１１０表面には、拡散層１２、フィールド
絶縁膜１３、ゲート絶縁１ａ１４、ゲート電極１５が形
成され、ＭＩＳ型ＦＥＴを構成して成る。この他、ゲー
ト電極を拡散層で形成した、いわゆるジャンクショアＦ
ＥＴなルモのもある。
しかし、上記従来技術によると、ＦＥＴの動作速度が半
導体材料における電荷の移動度によって制限を受けると
云う問題点があった。
導体材料における電荷の移動度によって制限を受けると
云う問題点があった。
本発明は、かかる従来技術の問題点をなくし、電荷移動
度の極めて大なる超電導現象を用いてＦＥＴの動作速度
を速（するＦＥＴ１成を提供する事を目的とする。
度の極めて大なる超電導現象を用いてＦＥＴの動作速度
を速（するＦＥＴ１成を提供する事を目的とする。
上記問題点を解決するために、本発明は、ＦＥＴに関し
、絶縁基板表面、にはバリウム、イツトリウム、銅酸化
物等から成るセラミック系超ｆｆｉ導体膜あるいは超半
導体膜を形成し、該膜に電界効果を及ぼすゲート電極と
、該グー） Ｔｈ ！Ｈをはさんでその両端にソース及
びドレイン電極を具備する手段をとる。
、絶縁基板表面、にはバリウム、イツトリウム、銅酸化
物等から成るセラミック系超ｆｆｉ導体膜あるいは超半
導体膜を形成し、該膜に電界効果を及ぼすゲート電極と
、該グー） Ｔｈ ！Ｈをはさんでその両端にソース及
びドレイン電極を具備する手段をとる。
バリウム、イツトリウム、銅酸化物等のセラミック系超
電導体は、超電導半導体すなわち超電導体の作用もあり
、電界により超電導現象を発生させたり、消去したする
ことができ、ＦＥＴ動作を構成できる作用がある。
電導体は、超電導半導体すなわち超電導体の作用もあり
、電界により超電導現象を発生させたり、消去したする
ことができ、ＦＥＴ動作を構成できる作用がある。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示すＮＩＦ５型ＦＥＴの断
面図である。すなわち、セラミック材としてのアルミナ
基板１０表面にはスパッタ法又は分子線エピタキシャル
法等によりバリウム、イツトリウム、銅酸化物等から成
る超電導体膜２が形成され、該超電導体膜２の表面にゲ
ート絶縁膜３をはさむか、あるいは金屑を拡散するか等
した後、ゲート電極４を形成し、ゲート７となし、該ゲ
ート７をはさんで両端にソース５及びドレイ／が形成さ
れて成る。本発明はＦＥＴの構成をとればよく、例示し
たＭｉｓ ＦＥＴの他にＪ （Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）Ｆ
ＥＴｓあるいはＭＥＳ（ＭｅｔａｌＥｌρｃｔｒｏｄｅ
Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ）ＦＥＴ等の構成を
とっても良い事は云うまでもない。
面図である。すなわち、セラミック材としてのアルミナ
基板１０表面にはスパッタ法又は分子線エピタキシャル
法等によりバリウム、イツトリウム、銅酸化物等から成
る超電導体膜２が形成され、該超電導体膜２の表面にゲ
ート絶縁膜３をはさむか、あるいは金屑を拡散するか等
した後、ゲート電極４を形成し、ゲート７となし、該ゲ
ート７をはさんで両端にソース５及びドレイ／が形成さ
れて成る。本発明はＦＥＴの構成をとればよく、例示し
たＭｉｓ ＦＥＴの他にＪ （Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）Ｆ
ＥＴｓあるいはＭＥＳ（ＭｅｔａｌＥｌρｃｔｒｏｄｅ
Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ）ＦＥＴ等の構成を
とっても良い事は云うまでもない。
第２図は、本発明のＦＥＴの動作特性を示したもので、
ゲート電圧（ＶＧ）を加える事により、ソースとドレイ
ン間の電流（Ｉｐｓ）はエンハンスメント型の場合は実
線の如（、ディプレッジ。
ゲート電圧（ＶＧ）を加える事により、ソースとドレイ
ン間の電流（Ｉｐｓ）はエンハンスメント型の場合は実
線の如（、ディプレッジ。
ン型の場合は点線の如きスイッチ動作をさせることがで
きる。
きる。
本発明の如（、超電導体ＦＥＴでは、キャリアの移′Ｍ
１度をほぼ無限大にすることができ、極めて高速なスイ
ッチ動作をするＦＥＴ （Ｆｉｅｌｄ
１度をほぼ無限大にすることができ、極めて高速なスイ
ッチ動作をするＦＥＴ （Ｆｉｅｌｄ
第１図は本発明の一実施例を示すＦＥＴの断面図を、第
２図はその動作特性を示す図。第３図は従来技術による
ＦＥＴの一実施例を示す断面図である。 １・・・アルミナ基板 ２・・・超電導体膜 ３．１４・・・ゲート絶縁膜 ４．１５・・・ゲート絶縁膜 Ｓｌ １６・・・ソース ６．１７・・・ドレイ／ ７．１８・・・ゲート １１・・・Ｓｔ基板 １２・・・拡散層 １３・・・フィールド絶縁膜 以 上 出願人 セイフーエブソン株式会社 代理人 弁理士 最 上 務 他１名と・パ゛゛・
：） ＼１・、ノ ケ一ト−Ｌ日（Ｌ／４） ＣＶｏｔｔ）第２図 箒３０
２図はその動作特性を示す図。第３図は従来技術による
ＦＥＴの一実施例を示す断面図である。 １・・・アルミナ基板 ２・・・超電導体膜 ３．１４・・・ゲート絶縁膜 ４．１５・・・ゲート絶縁膜 Ｓｌ １６・・・ソース ６．１７・・・ドレイ／ ７．１８・・・ゲート １１・・・Ｓｔ基板 １２・・・拡散層 １３・・・フィールド絶縁膜 以 上 出願人 セイフーエブソン株式会社 代理人 弁理士 最 上 務 他１名と・パ゛゛・
：） ＼１・、ノ ケ一ト−Ｌ日（Ｌ／４） ＣＶｏｔｔ）第２図 箒３０
Claims (1)
- 絶縁基板表面には、バリウム、イットリウム、銅酸化物
等のセラミック系超電導体膜あるいは超半導体膜が形成
され、該膜には、電界効果を及ぼすゲート電極と、該ゲ
ート電極をはさんでその両端にソース及びドレイン電極
が具備された事を特徴とする超半導体電界効果トランジ
スタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62124915A JPS63289879A (ja) | 1987-05-21 | 1987-05-21 | 超半導体電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62124915A JPS63289879A (ja) | 1987-05-21 | 1987-05-21 | 超半導体電界効果トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63289879A true JPS63289879A (ja) | 1988-11-28 |
Family
ID=14897273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62124915A Pending JPS63289879A (ja) | 1987-05-21 | 1987-05-21 | 超半導体電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63289879A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01207982A (ja) * | 1988-01-15 | 1989-08-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 超伝導チヤネルを有する電界効果装置 |
| TWI474406B (zh) * | 2009-09-18 | 2015-02-21 | Univ Yuan Ze | 具金屬氧化物陶瓷材料之半導體場效電晶體（ｍｏｓｆｅｔ）及其製法 |
-
1987
- 1987-05-21 JP JP62124915A patent/JPS63289879A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01207982A (ja) * | 1988-01-15 | 1989-08-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 超伝導チヤネルを有する電界効果装置 |
| TWI474406B (zh) * | 2009-09-18 | 2015-02-21 | Univ Yuan Ze | 具金屬氧化物陶瓷材料之半導體場效電晶體（ｍｏｓｆｅｔ）及其製法 |
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