JPS632888A - 単結晶引き上げ装置の群管理システム - Google Patents
単結晶引き上げ装置の群管理システムInfo
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- JPS632888A JPS632888A JP14637286A JP14637286A JPS632888A JP S632888 A JPS632888 A JP S632888A JP 14637286 A JP14637286 A JP 14637286A JP 14637286 A JP14637286 A JP 14637286A JP S632888 A JPS632888 A JP S632888A
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 239000003550 marker Substances 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、シリコン単結晶等を製造する複数の単結晶
引き上げ装置を管理する単結晶引き上げ装置の群管理シ
ステムに関する。
引き上げ装置を管理する単結晶引き上げ装置の群管理シ
ステムに関する。
［従来の技術］
一般に、シリコン単結晶の製造工場には、複数の単結晶
引き上げ装置が設置されていて、それぞれの引き上げ装
置にて、単結晶が引き上げられて単結晶体が製造されて
いる。各引き上げ装置に対しては、単結晶の引き上げ開
始の府に、予め多くの制御パラメータが設定される。例
えば、引き上げ速度を決定するパラメータ、種結晶の回
転速度を決定するパラメータ、ヒータ温度を決定するパ
ラメータなどである。このらのパラメータをいかに適切
に設定するかによって、単結晶の生産性が大きく左右さ
れる。
引き上げ装置が設置されていて、それぞれの引き上げ装
置にて、単結晶が引き上げられて単結晶体が製造されて
いる。各引き上げ装置に対しては、単結晶の引き上げ開
始の府に、予め多くの制御パラメータが設定される。例
えば、引き上げ速度を決定するパラメータ、種結晶の回
転速度を決定するパラメータ、ヒータ温度を決定するパ
ラメータなどである。このらのパラメータをいかに適切
に設定するかによって、単結晶の生産性が大きく左右さ
れる。
ところで、各引き上げ装置の特性は全く同一ではない。
そのため、制御パラメータを各引き上げ装置毎に最適に
設定する必要がある。
設定する必要がある。
［発明が解決しようとする問題点コ
制御パラメータを最適に設定する方法の１つとしては、
製造後の単結晶体の形状と重量を測定して、それを補正
データとして各引き上げ装置毎の制御パラメータを補正
する方法が考えられる。
製造後の単結晶体の形状と重量を測定して、それを補正
データとして各引き上げ装置毎の制御パラメータを補正
する方法が考えられる。
ところが、従来においては、製造後の単結晶体の形状と
重量の測定が手作業によって行なわれており、その測定
データが充分に生かされていないのが現状であった。
重量の測定が手作業によって行なわれており、その測定
データが充分に生かされていないのが現状であった。
この発明は、製造後の単結晶体の形状と重量を測定し、
その測定データと、その測定対象の単結晶体Ｍを製造し
た引き上げ装置とを自動的に関連付けることによって、
その測定データを各引き上げ装置用制御パラメータの補
正データとして有効に活用する管理システムを提供する
ことを目的とする。
その測定データと、その測定対象の単結晶体Ｍを製造し
た引き上げ装置とを自動的に関連付けることによって、
その測定データを各引き上げ装置用制御パラメータの補
正データとして有効に活用する管理システムを提供する
ことを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
この発明の単結晶引き上げ装置の群管理システムは、複
数の単結晶引き上げ装置を管理する群管理システムにお
いて、 各引き上げ装置にて製造された単結晶体に、それを製造
した引き上げ装置毎の識別マークを付するマーカーと、 識別マークの付された単結晶体が上部に載置されて、そ
の単結晶体を載置したままスライドするスライドテーブ
ルと、 スライドテーブルと対向する定位置に備えられ、スライ
ドテーブルのスライドに伴って、そのスライドテーブル
上の単結晶体の直径をその全長に渡って測定する直径測
定器と、 前記スライドテーブル上の単結晶体の重量を求める重量
センナと、 前記スライドテーブル上の単結晶体に付された識別マー
クを読み取るマークリーダと、各引き上げ装置にて用い
られる制御パラメータを記憶していて、その制御パラメ
ータを対応する引き上げ装置に送り、かつ前記マークリ
ーダによって読み取った識別マーク別に、前記直径測定
器と前記重量センサからのデータを入力し、そのデータ
を補正データとして、対応する引き上げ装置の制御パラ
メータを補正する制御手段とを具備してなることを特徴
とする。
数の単結晶引き上げ装置を管理する群管理システムにお
いて、 各引き上げ装置にて製造された単結晶体に、それを製造
した引き上げ装置毎の識別マークを付するマーカーと、 識別マークの付された単結晶体が上部に載置されて、そ
の単結晶体を載置したままスライドするスライドテーブ
ルと、 スライドテーブルと対向する定位置に備えられ、スライ
ドテーブルのスライドに伴って、そのスライドテーブル
上の単結晶体の直径をその全長に渡って測定する直径測
定器と、 前記スライドテーブル上の単結晶体の重量を求める重量
センナと、 前記スライドテーブル上の単結晶体に付された識別マー
クを読み取るマークリーダと、各引き上げ装置にて用い
られる制御パラメータを記憶していて、その制御パラメ
ータを対応する引き上げ装置に送り、かつ前記マークリ
ーダによって読み取った識別マーク別に、前記直径測定
器と前記重量センサからのデータを入力し、そのデータ
を補正データとして、対応する引き上げ装置の制御パラ
メータを補正する制御手段とを具備してなることを特徴
とする。
［作用］
この発明の単結晶引き上げ装置の群管理システムは、製
造直後の単結晶体の形状と重量を測定して、その測定デ
ータを対応する引き上げ装置に自動的に関連付け、そし
てその測定データを補正データとして、各引き上げ装置
用制御パラメータを自動的に補正する。
造直後の単結晶体の形状と重量を測定して、その測定デ
ータを対応する引き上げ装置に自動的に関連付け、そし
てその測定データを補正データとして、各引き上げ装置
用制御パラメータを自動的に補正する。
［実施例］
以下、この発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
図において、ｌは複数の引き上げ装置であり、個々に備
えられたコンピュータにより制御されて、単結晶体Ｍを
製造するものである。引き上げ装置ｌの個々のコンピュ
ータに対しては、製造すべき単結晶体に対応する各種制
御パラメータか制御部２から与えられる。そのため、制
御部２には、引き上げ装置Ｉの各々に対応する各種の制
御パラメータを記憶するテーブルと、各引き上げ装置Ｉ
毎の運転経過などを記憶する記憶手段が備えられている
。
えられたコンピュータにより制御されて、単結晶体Ｍを
製造するものである。引き上げ装置ｌの個々のコンピュ
ータに対しては、製造すべき単結晶体に対応する各種制
御パラメータか制御部２から与えられる。そのため、制
御部２には、引き上げ装置Ｉの各々に対応する各種の制
御パラメータを記憶するテーブルと、各引き上げ装置Ｉ
毎の運転経過などを記憶する記憶手段が備えられている
。
各引き上げ装置ｌにて製造された単結晶体Ｍは、各引き
上げ装置１毎に備えられたマーカー３を経てから、共通
の直径プロファイラ−４へ運ばれる。
上げ装置１毎に備えられたマーカー３を経てから、共通
の直径プロファイラ−４へ運ばれる。
本例の場合、マーカー３は、引き上げ装置ｌ毎に対応す
るラベルＲを単結晶体Ｍの表面に貼付するものであり、
そのラベルＲには、各引き上げ装置り毎の番号がバーコ
ードによって記録されている。
るラベルＲを単結晶体Ｍの表面に貼付するものであり、
そのラベルＲには、各引き上げ装置り毎の番号がバーコ
ードによって記録されている。
直径プロファイラ−４には、単結晶体Ｍが載置されるス
ライドテーブル５が備えられている。スライドテーブル
５は、ベルトまたはチェーンなどの線状体６に連結され
、その線状体６は第２図中の左右方向に掛は渡されてい
る。線状体６はパルスモータ７によって移動され、それ
に追従して、スライドテーブル５が第２図中の左右方向
へスライドするようになっている。スライドテーブル５
の上方の定位置には、ラインカメラ８とバーコードリー
グ９が備えられている。ラインカメラ８は、単結晶体Ｍ
の径方向にライン状に並ぶ多数の撮像素子を有しており
、映像信号を制御部２へ送る。
ライドテーブル５が備えられている。スライドテーブル
５は、ベルトまたはチェーンなどの線状体６に連結され
、その線状体６は第２図中の左右方向に掛は渡されてい
る。線状体６はパルスモータ７によって移動され、それ
に追従して、スライドテーブル５が第２図中の左右方向
へスライドするようになっている。スライドテーブル５
の上方の定位置には、ラインカメラ８とバーコードリー
グ９が備えられている。ラインカメラ８は、単結晶体Ｍ
の径方向にライン状に並ぶ多数の撮像素子を有しており
、映像信号を制御部２へ送る。
−方、バーコードリーダ９は、単結晶体Ｍに貼付された
ラベルＲのバーコードを光学的に読み取り、その読み取
り信号を制御部２へ送る。スライドテーブル５の脚部に
は重量センサｌＯが設けられている。この重量センサｌ
Ｏは、スライドテーブル５と共に単結晶体Ｍの重量を計
り、その重量信号を制御部２へ送る。
ラベルＲのバーコードを光学的に読み取り、その読み取
り信号を制御部２へ送る。スライドテーブル５の脚部に
は重量センサｌＯが設けられている。この重量センサｌ
Ｏは、スライドテーブル５と共に単結晶体Ｍの重量を計
り、その重量信号を制御部２へ送る。
制御部２は、ラインカメラ８の映像信号と、バーコード
リーダ９の読み取り信号と、重量センサ９の重量信号に
基づいて、各引き上げ装置Ｉ毎の制御パラメータを補正
する。制御部２の機能については、作用と共に後述する
。
リーダ９の読み取り信号と、重量センサ９の重量信号に
基づいて、各引き上げ装置Ｉ毎の制御パラメータを補正
する。制御部２の機能については、作用と共に後述する
。
次に、作用について説明する。
各引き上げ装置１にて製造された単結晶体Ｍは、まず、
対応するマーカー３へと運ばれる。マーカー３は、各引
き上げ装置ｌ毎に対応する番号が付されたラベルＲを単
結晶体Ｍに貼付する。ラベルＲが貼付された単結晶体Ｍ
は、スライドテーブル５上へと運ばれる。スライドテー
ブル５は、単結晶体Ｍを載せたままスライドする。重量
セ′ンサ１０は、スライドテーブル５と共に単結晶体Ｍ
の重量を計り、制御部２はその重量信号から単結晶体Ｍ
自体の重量を求める。また、スライドテーブル５のスラ
イドに伴って、ラインカメラ８は、撮像素子からの映像
信号を連続して制御部２へ送る。
対応するマーカー３へと運ばれる。マーカー３は、各引
き上げ装置ｌ毎に対応する番号が付されたラベルＲを単
結晶体Ｍに貼付する。ラベルＲが貼付された単結晶体Ｍ
は、スライドテーブル５上へと運ばれる。スライドテー
ブル５は、単結晶体Ｍを載せたままスライドする。重量
セ′ンサ１０は、スライドテーブル５と共に単結晶体Ｍ
の重量を計り、制御部２はその重量信号から単結晶体Ｍ
自体の重量を求める。また、スライドテーブル５のスラ
イドに伴って、ラインカメラ８は、撮像素子からの映像
信号を連続して制御部２へ送る。
制御部２は、その映像信号から、単結晶体Ｍの全長にわ
たっての外径を求める。また、バーコードリーダ９は、
単結晶体Ｍに貼付されたラベルＲのバーコードを読み取
り、その読み取り信号を制御部２へ送る。
たっての外径を求める。また、バーコードリーダ９は、
単結晶体Ｍに貼付されたラベルＲのバーコードを読み取
り、その読み取り信号を制御部２へ送る。
制御部２は、バーコードリーダ９の読み取り信号から、
自動的に、単結晶体Ｍを製造した引き上げ装置ｌを判断
する。そして、その引き上げ装置ｌの制御パラメータの
補正データとして、単結晶体Ｍの外径と重量の測定デー
タを利用する。すなわち、制御部２は、製造直後におけ
る単結晶体Ｍの実際の外径と重量を補正データとしてフ
ィードバックし、対応する引き上げ装置ｌの制御パラメ
ータを自動的に補正する。したがって、各引き上げ装置
１は、実際の製造結果との照合によって補正された制御
パラメータにしてかって、最適に制御されることになる
。このフィードバックにより、結晶のシード、肩、直胴
、ボトム等の形状、制御条件が最適化されることにより
、結晶の品質及び収率の改善、及び品質再現性の確立が
実現できる。
自動的に、単結晶体Ｍを製造した引き上げ装置ｌを判断
する。そして、その引き上げ装置ｌの制御パラメータの
補正データとして、単結晶体Ｍの外径と重量の測定デー
タを利用する。すなわち、制御部２は、製造直後におけ
る単結晶体Ｍの実際の外径と重量を補正データとしてフ
ィードバックし、対応する引き上げ装置ｌの制御パラメ
ータを自動的に補正する。したがって、各引き上げ装置
１は、実際の製造結果との照合によって補正された制御
パラメータにしてかって、最適に制御されることになる
。このフィードバックにより、結晶のシード、肩、直胴
、ボトム等の形状、制御条件が最適化されることにより
、結晶の品質及び収率の改善、及び品質再現性の確立が
実現できる。
運転パラメータの例として、結晶位置に対する温度、引
き上げ速度、結晶標準形状ＰＩＤ制御パラメータ等が挙
げられる。
き上げ速度、結晶標準形状ＰＩＤ制御パラメータ等が挙
げられる。
ところで、マーカー３によって貼付するラベルＲには、
バーコード以外のかたちで引き上げ装置ｌ毎の識別マー
クを付してもよい。当然、その識別マークに合わせて、
それを読み取るマークリーダの形式も変更することにな
る。また、マーカー３は、ラベルＲを貼付するもののみ
に特定されず、単結晶体Ｍの表面に直接、識別マークを
付すようなものであってもよく、要は、引き上げ装置ｌ
毎の識別マークを単結晶体Ｍに付すものであればよい。
バーコード以外のかたちで引き上げ装置ｌ毎の識別マー
クを付してもよい。当然、その識別マークに合わせて、
それを読み取るマークリーダの形式も変更することにな
る。また、マーカー３は、ラベルＲを貼付するもののみ
に特定されず、単結晶体Ｍの表面に直接、識別マークを
付すようなものであってもよく、要は、引き上げ装置ｌ
毎の識別マークを単結晶体Ｍに付すものであればよい。
また、マーカー３として、単結晶体Ｍに付する識別マー
クを変更できるものを採用することによって、複数台の
引き上げ装置に対して１台のマーカー３を備えるように
することも可能である。
クを変更できるものを採用することによって、複数台の
引き上げ装置に対して１台のマーカー３を備えるように
することも可能である。
［発明の効果コ
以上説明したように、この発明の単結晶引き上げ装置の
群管理システムは、製造直後の単結晶体の形状と重量を
測定して、その測定データを対応する引き上げ装置に自
動的に関連付け、そしてその測定データを補正データと
して、各引き上げ装置用制御パラメータを補正する構成
であるから、実際の製造結果との照合によって補正され
た制御パラメータにしてかって、各引き上げ装置を最適
に制御することができる。
群管理システムは、製造直後の単結晶体の形状と重量を
測定して、その測定データを対応する引き上げ装置に自
動的に関連付け、そしてその測定データを補正データと
して、各引き上げ装置用制御パラメータを補正する構成
であるから、実際の製造結果との照合によって補正され
た制御パラメータにしてかって、各引き上げ装置を最適
に制御することができる。
第１図、第２図はこの発明の一実施例の説明図であり、
第１図はシステム全体のブロック構成図、第２図は直径
プロファイラ−の側面図である。 ｌ・・・・・・引き上げ装置、 ２・・・・・・制御
部、３・・・・・・マーカー、 ４・・・・・・直径
プロファイラ−１５・・・・・・スライドテーブル、 ８・・・・・・ラインカメラ、 ９・・・・・・バーコードリーグ、 ｌＯ・・・・・・重量センサ。
第１図はシステム全体のブロック構成図、第２図は直径
プロファイラ−の側面図である。 ｌ・・・・・・引き上げ装置、 ２・・・・・・制御
部、３・・・・・・マーカー、 ４・・・・・・直径
プロファイラ−１５・・・・・・スライドテーブル、 ８・・・・・・ラインカメラ、 ９・・・・・・バーコードリーグ、 ｌＯ・・・・・・重量センサ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 複数の単結晶引き上げ装置を管理する群管理システムに
おいて、 各引き上げ装置にて製造された単結晶体に、それを製造
した引き上げ装置毎の識別マークを付するマーカーと、 識別マークの付された単結晶体が上部に載置されて、そ
の単結晶体を載置したままスライドするスライドテーブ
ルと、 スライドテーブルと対向する定位置に備えられ、スライ
ドテーブルのスライドに伴って、そのスライドテーブル
上の単結晶体の直径をその全長にわたって測定する直径
測定器と、 前記スライドテーブル上の単結晶体の重量を求める重量
センサと、 前記スライドテーブル上の単結晶体に付された識別マー
クを読み取るマークリーダと、 各引き上げ装置にて用いられる制御パラメータを記憶し
ていて、その制御パラメータを対応する引き上げ装置に
送り、かつ前記マークリーダによって読み取った識別マ
ーク別に、前記直径測定器と前記重量センサからのデー
タを入力し、そのデータを補正データとして、対応する
引き上げ装置の制御パラメータを補正する制御手段とを
具備してなることを特徴とする単結晶引き上げ装置の群
管理システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61146372A JPH0751476B2 (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | 単結晶引き上げ装置の群管理システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61146372A JPH0751476B2 (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | 単結晶引き上げ装置の群管理システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS632888A true JPS632888A (ja) | 1988-01-07 |
| JPH0751476B2 JPH0751476B2 (ja) | 1995-06-05 |
Family
ID=15406226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61146372A Expired - Fee Related JPH0751476B2 (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | 単結晶引き上げ装置の群管理システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0751476B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992019797A1 (en) * | 1991-04-26 | 1992-11-12 | Mitsubishi Materials Corporation | Process for pulling up single crystal |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4846574A (ja) * | 1971-10-18 | 1973-07-03 | ||
| JPS5761509U (ja) * | 1981-08-12 | 1982-04-12 | ||
| JPS57122544A (en) * | 1981-01-23 | 1982-07-30 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5110154A (ja) * | 1974-07-16 | 1976-01-27 | Mitsubishi Electric Corp | Yosetsukiseigyosochi |
-
1986
- 1986-06-23 JP JP61146372A patent/JPH0751476B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4846574A (ja) * | 1971-10-18 | 1973-07-03 | ||
| JPS57122544A (en) * | 1981-01-23 | 1982-07-30 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS5761509U (ja) * | 1981-08-12 | 1982-04-12 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992019797A1 (en) * | 1991-04-26 | 1992-11-12 | Mitsubishi Materials Corporation | Process for pulling up single crystal |
| US5408952A (en) * | 1991-04-26 | 1995-04-25 | Mitsubishi Materials Corporation | Single crystal growth method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0751476B2 (ja) | 1995-06-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |