JPS63287788A - 新規なジアリールホスファイド - Google Patents
新規なジアリールホスファイドInfo
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- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、テトラアリールジホスフィン類の製造に際し
出発物質として使用するのに適した新規なジアリールホ
スファイドに関するものである。
出発物質として使用するのに適した新規なジアリールホ
スファイドに関するものである。
−酸化炭素と1種もしくはそれ以上のオレフィン系不飽
和化合物との重合体を製造する目的の触媒組成物中に、
テトラアリールジホスフィン化合物は成分として使用さ
れる。
和化合物との重合体を製造する目的の触媒組成物中に、
テトラアリールジホスフィン化合物は成分として使用さ
れる。
一酸化炭素と1種もしくはそれ以上のオレフィン系不飽
和化合物(簡便のため以下Aと言う)との高分子量の線
状重合体であって単量体単位が交互の順序で存在しかつ
したがって重合体が一般式−CO−(A’ )−[式
中、A′は使用する単量体Aから誘導される単量体単位
を示す]の単位よりなるものは、次の成分に基づく触媒
組成物を用いて製造することができる: (a)パラジウム化合物、 (b)6未満のpKaを有する酸の陰イオン、および(
C)一般式RRP−R−PR3R4[式中R1−R4は
同一もしくは異なる芳香族炭化水素基を示しかつRは架
橋中に少なくとも2個の炭素原子を有する二価の架橋基
である]のテトラアリールジホスフィン。
和化合物(簡便のため以下Aと言う)との高分子量の線
状重合体であって単量体単位が交互の順序で存在しかつ
したがって重合体が一般式−CO−(A’ )−[式
中、A′は使用する単量体Aから誘導される単量体単位
を示す]の単位よりなるものは、次の成分に基づく触媒
組成物を用いて製造することができる: (a)パラジウム化合物、 (b)6未満のpKaを有する酸の陰イオン、および(
C)一般式RRP−R−PR3R4[式中R1−R4は
同一もしくは異なる芳香族炭化水素基を示しかつRは架
橋中に少なくとも2個の炭素原子を有する二価の架橋基
である]のテトラアリールジホスフィン。
触媒組成物中に成分(C)として極めて好適に使用しう
るジホスフィンは基R,R,R3およびR4が互いに同
一でありかつしたがって一般式%式% なジホスフィン類である。これらジホスフィン類の製造
は、アルカリ金属ジアリールホスファイド(R1)2P
Mとジハロ化合物X−R−X、!:の反応により或いは
アリールアルカリ金属化合物R1Mとテトラハロジホス
フィンX2P−R−PX2との反応によって行なうこと
ができる。たとえば1.3−ビス−(ジフェニル−ホス
フィノ)プロパンは、(06H5)2PNaとCρ−(
CH2)3−Cρとの反応、或いはC6R5Liと01
2−P−(OH> −PCl3との反応のいずれかに
よって製造することができる。前者の製造方法に対する
燐含有の出発物質をもたらす簡単な1工程の合成、すな
わち液体アンモニア中におけるアルカリ金属Mと第三ホ
スフィン(R1)3Pとの反応による合成、並びに後者
の製造方法に対する燐含有の出発物質をもたらす極めて
面倒な多工程合成に鑑み、前者の製造方法がずっと好適
である。
るジホスフィンは基R,R,R3およびR4が互いに同
一でありかつしたがって一般式%式% なジホスフィン類である。これらジホスフィン類の製造
は、アルカリ金属ジアリールホスファイド(R1)2P
Mとジハロ化合物X−R−X、!:の反応により或いは
アリールアルカリ金属化合物R1Mとテトラハロジホス
フィンX2P−R−PX2との反応によって行なうこと
ができる。たとえば1.3−ビス−(ジフェニル−ホス
フィノ)プロパンは、(06H5)2PNaとCρ−(
CH2)3−Cρとの反応、或いはC6R5Liと01
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よって製造することができる。前者の製造方法に対する
燐含有の出発物質をもたらす簡単な1工程の合成、すな
わち液体アンモニア中におけるアルカリ金属Mと第三ホ
スフィン(R1)3Pとの反応による合成、並びに後者
の製造方法に対する燐含有の出発物質をもたらす極めて
面倒な多工程合成に鑑み、前者の製造方法がずっと好適
である。
犀
過去において、本 は前記触媒組成物に対する研究
を行なった。この研究が示したところでは、触媒組成物
の性能は一般式R5R6P−R−PR7R8[式中、R
5、R2H−7およびR8は同一もしくは異なる芳香族
炭化水素基を示し、これらの炭化水素基は極性基によっ
て置換しても置換されなくてもよく、ただし基R5、R
6、R7およびR8の少なくとも1個は少なくとも1個
の極性置換基を有しかつRは上記の意味を有する]のジ
ホスフィンを混入することにより著しく向上することが
できる。触媒組成物中に成分(C)として極めて好適に
使用しうるジホスフィンは、基炭化水素基である1で示
しうるようなジホスフィン類である。成分(C)として
一般式(R1)2P−R−P (R1) 2のジホスフ
ィンを含有する触媒組成物の性能を、成分(C)として
一般式%式% を含有する対応の触媒組成物と比較すれば、両組酸物に
つき同様な反応速度にて、極性置換されたジホスフィン
を有する組成物はより高い分子量を有する重合体を与え
ることが示され、或いは等しい分子量を有する重合体を
製造するためにこれら2種の組成物を用いれば、極性置
換されたジホスフィンを含有する組成物はより高い反応
速度をもたらすことが示される。
を行なった。この研究が示したところでは、触媒組成物
の性能は一般式R5R6P−R−PR7R8[式中、R
5、R2H−7およびR8は同一もしくは異なる芳香族
炭化水素基を示し、これらの炭化水素基は極性基によっ
て置換しても置換されなくてもよく、ただし基R5、R
6、R7およびR8の少なくとも1個は少なくとも1個
の極性置換基を有しかつRは上記の意味を有する]のジ
ホスフィンを混入することにより著しく向上することが
できる。触媒組成物中に成分(C)として極めて好適に
使用しうるジホスフィンは、基炭化水素基である1で示
しうるようなジホスフィン類である。成分(C)として
一般式(R1)2P−R−P (R1) 2のジホスフ
ィンを含有する触媒組成物の性能を、成分(C)として
一般式%式% を含有する対応の触媒組成物と比較すれば、両組酸物に
つき同様な反応速度にて、極性置換されたジホスフィン
を有する組成物はより高い分子量を有する重合体を与え
ることが示され、或いは等しい分子量を有する重合体を
製造するためにこれら2種の組成物を用いれば、極性置
換されたジホスフィンを含有する組成物はより高い反応
速度をもたらすことが示される。
についても、アルカリ金属化合物をテトラハロジホスフ
ィンと反応させることによる製造は所要の燐含有出発物
質が極めて面倒な多工程合成であることを考慮すれば極
めて魅力的な方法であるため、本出願人が行なった研究
はアルカリ金属ジアリー明において前記したように、そ
の合成に必要とされる燐含有出発物質は液体アンモニア
中におけるアルカリ金属Mと第三ホスフィン(R1)3
Pとの反応により簡単に得ることができる。研究が示し
たところでは、この方法はアリール基が置換基を持たな
いたとえばす1−リウムジフェニルホスファイドのよう
なアルカリ金属ジアリールホスファイドの製造、並びに
アリール基が非極性@換基(たとえばメチル基)を有す
るようなアルカリ金属ジアリールホスファイドの製造の
両者につき適している。この種のアルカリ金属ジアリー
ルホスファイドの例はナトリウムジ−(オルト−トリル
)ホスファイド、ナトリウムジ−(メタ−トリル)ホス
ファイドおよびナトリウムジ−(パラ−トリル)ホスフ
ァイドである。定量的変換に達しうるトリフェニルホス
フィンからのナトリウムジフェニルホスファイドの製造
と比較して、アリール単行する際の収率は低いが、この
収率は製造方法を工業規模で使用するのにまだ充分であ
ることが判明した。アリール基が1個もしくはそれ以上
の極性置換基を有するテトラアリールジホスフィンを製
造するため、上記方法を使用する研究が示したところで
は、金属添加に際し極性置換トリアリールホスフィンの
変換は殆んどまたは全く生じなかった。たとえば、アル
カリ金属ジアリールホスファイドの生成は、燐に対しパ
ラ位置におけるたとえばN、N−ジアルキルアミノ基の
ような成る種の極性基の存在により完全に抑制されるこ
とが判明した。燐に対しパラ位置におけるたとえばアル
コキシ基のような他の極性基の存在は、低収率で゛進行
するアルカリ金属ジアリールホスファイドの生成をもた
らした。同様に、アリール基に2個もしくは3個の極性
置換基が存在する場合にも、これら極性置換基が燐に対
して存在する位置がアルカリ金属ジアリールホスファイ
ドの製造に成功するのに極めて重要であると言える。た
とえば、燐に対しオルト位置における2個のアルコキシ
基の存在はアルカリ金属ジアリールホスファイドの生成
が低収率で進行するのに充分である一方、燐に対しパラ
位置における他の第三のアルコキシ基の存在はアルカリ
金属ジアリールホスファイドの生成を完全に阻止すると
思われた。さらに、2個のメトキシ基が燐に対しオルト
位置およびパラ位置に存在する場合には、アルカリ金属
ジアリールホアリールホスフィンを、液体アンモニアに
おけるアルカリ金属との反応によりアルカリ金属ジアリ
ールホスファイドの製造に対する出発物質として作用す
るその適性に基づき、2種類に分類しうろことを突き止
めた: すなわち、 ■、対応のアルカリ金属ジアリールホスファイドイン類
、並びに ■、対応のアルカリ金属ジアリールホスファイドを貧弱
もしくは極めて貧弱な収率においてのみ製類。
ィンと反応させることによる製造は所要の燐含有出発物
質が極めて面倒な多工程合成であることを考慮すれば極
めて魅力的な方法であるため、本出願人が行なった研究
はアルカリ金属ジアリー明において前記したように、そ
の合成に必要とされる燐含有出発物質は液体アンモニア
中におけるアルカリ金属Mと第三ホスフィン(R1)3
Pとの反応により簡単に得ることができる。研究が示し
たところでは、この方法はアリール基が置換基を持たな
いたとえばす1−リウムジフェニルホスファイドのよう
なアルカリ金属ジアリールホスファイドの製造、並びに
アリール基が非極性@換基(たとえばメチル基)を有す
るようなアルカリ金属ジアリールホスファイドの製造の
両者につき適している。この種のアルカリ金属ジアリー
ルホスファイドの例はナトリウムジ−(オルト−トリル
)ホスファイド、ナトリウムジ−(メタ−トリル)ホス
ファイドおよびナトリウムジ−(パラ−トリル)ホスフ
ァイドである。定量的変換に達しうるトリフェニルホス
フィンからのナトリウムジフェニルホスファイドの製造
と比較して、アリール単行する際の収率は低いが、この
収率は製造方法を工業規模で使用するのにまだ充分であ
ることが判明した。アリール基が1個もしくはそれ以上
の極性置換基を有するテトラアリールジホスフィンを製
造するため、上記方法を使用する研究が示したところで
は、金属添加に際し極性置換トリアリールホスフィンの
変換は殆んどまたは全く生じなかった。たとえば、アル
カリ金属ジアリールホスファイドの生成は、燐に対しパ
ラ位置におけるたとえばN、N−ジアルキルアミノ基の
ような成る種の極性基の存在により完全に抑制されるこ
とが判明した。燐に対しパラ位置におけるたとえばアル
コキシ基のような他の極性基の存在は、低収率で゛進行
するアルカリ金属ジアリールホスファイドの生成をもた
らした。同様に、アリール基に2個もしくは3個の極性
置換基が存在する場合にも、これら極性置換基が燐に対
して存在する位置がアルカリ金属ジアリールホスファイ
ドの製造に成功するのに極めて重要であると言える。た
とえば、燐に対しオルト位置における2個のアルコキシ
基の存在はアルカリ金属ジアリールホスファイドの生成
が低収率で進行するのに充分である一方、燐に対しパラ
位置における他の第三のアルコキシ基の存在はアルカリ
金属ジアリールホスファイドの生成を完全に阻止すると
思われた。さらに、2個のメトキシ基が燐に対しオルト
位置およびパラ位置に存在する場合には、アルカリ金属
ジアリールホアリールホスフィンを、液体アンモニアに
おけるアルカリ金属との反応によりアルカリ金属ジアリ
ールホスファイドの製造に対する出発物質として作用す
るその適性に基づき、2種類に分類しうろことを突き止
めた: すなわち、 ■、対応のアルカリ金属ジアリールホスファイドイン類
、並びに ■、対応のアルカリ金属ジアリールホスファイドを貧弱
もしくは極めて貧弱な収率においてのみ製類。
の位置に関し上記2種類の極性置換されたトリアリール
ホスフィン類は次のように定義しうろことを突き止めた
: ■、一般式(R) P[式中、R9は1個もしくはそ
れ以上の極性置換基を有するアリール基を示し、ここで
極性置換基は燐原子に対し2個のメタ位置およびオルト
位置の一方以外の位置を占めることができない1のトリ
アリールホスフィン類、並びに ■、一般式(R) Pr式中、Rloは1個もしく
はそれ以上の極性置換基を有するアリール基を示し、こ
れら極性置換基の1個はパラ位置を占めかつ/または極
性置換基の2個は2つのオル1ル位置を占める]のトリ
アリールホスフィン類。
ホスフィン類は次のように定義しうろことを突き止めた
: ■、一般式(R) P[式中、R9は1個もしくはそ
れ以上の極性置換基を有するアリール基を示し、ここで
極性置換基は燐原子に対し2個のメタ位置およびオルト
位置の一方以外の位置を占めることができない1のトリ
アリールホスフィン類、並びに ■、一般式(R) Pr式中、Rloは1個もしく
はそれ以上の極性置換基を有するアリール基を示し、こ
れら極性置換基の1個はパラ位置を占めかつ/または極
性置換基の2個は2つのオル1ル位置を占める]のトリ
アリールホスフィン類。
液体アンモニア中におけるアルカリ金属Mとトリアリー
ルホスフィンとの反応による一般式嗜勿乃シ 研究が今回驚ろくことに示した一暮4、一般式(R11
)2PMの多数のこれらアルカリ金属ジアリールホスフ
ァイドは、最初に出発物質として使用する一般式(R1
1)3Pのトリアリールホスフィンの代りに一般式(R
11)2(R12)P[この一般式中、R11は1個も
しくはそれ以上の極性置換基を有するアリール基を示し
、これら置換基は燐原子に対しパラ位置を占め、かつメ
タ位置の一方もしくは両方以外の位置を占めることがで
きず、ざらにR12は燐原子に対しパラ位置を占める極
性置換基が存在しないようなアリール基である]のトリ
アリールホスフィンを使用すれば相当高い収率で得られ
る。
ルホスフィンとの反応による一般式嗜勿乃シ 研究が今回驚ろくことに示した一暮4、一般式(R11
)2PMの多数のこれらアルカリ金属ジアリールホスフ
ァイドは、最初に出発物質として使用する一般式(R1
1)3Pのトリアリールホスフィンの代りに一般式(R
11)2(R12)P[この一般式中、R11は1個も
しくはそれ以上の極性置換基を有するアリール基を示し
、これら置換基は燐原子に対しパラ位置を占め、かつメ
タ位置の一方もしくは両方以外の位置を占めることがで
きず、ざらにR12は燐原子に対しパラ位置を占める極
性置換基が存在しないようなアリール基である]のトリ
アリールホスフィンを使用すれば相当高い収率で得られ
る。
一般式(R11)2PMのアルカリ金属ジアリールホス
ファイドは新奇な化合物であり、かつアリ一ル基が1個
もしくはそれ以上の極性置換基を有するテトラアリール
ジホスフィンの製造の問題に対し解決策を与える。
ファイドは新奇な化合物であり、かつアリ一ル基が1個
もしくはそれ以上の極性置換基を有するテトラアリール
ジホスフィンの製造の問題に対し解決策を与える。
したがって、本発明は一般式(R11)2PM[式中、
Mはアルカリ金属を示しかつR11は上記の意味を有す
る]の新規なアルカリ金属ジアリールホスファイドに関
するものである。
Mはアルカリ金属を示しかつR11は上記の意味を有す
る]の新規なアルカリ金属ジアリールホスファイドに関
するものである。
これら新規なアルカリ金属ジアリールホスファイドの例
はナトリウムジ−(4−メトキシフェニル)ホスファイ
ドおよびナトリウムジ−(4−(N、N−ジメチルアミ
ノ)フェニル)ホスファイドである。
はナトリウムジ−(4−メトキシフェニル)ホスファイ
ドおよびナトリウムジ−(4−(N、N−ジメチルアミ
ノ)フェニル)ホスファイドである。
さらに本発明は、液体アンモニア中におけるアルカリ金
属Mと一般式(R11)2(R12)P[式中、Rおよ
びR12は上記の意味を有する]の1−リアリールホス
フィンとの反応による新規なアルカリ金属ジアリールホ
スファイドの製造に関する。
属Mと一般式(R11)2(R12)P[式中、Rおよ
びR12は上記の意味を有する]の1−リアリールホス
フィンとの反応による新規なアルカリ金属ジアリールホ
スファイドの製造に関する。
16 一
本発明による一般式(R11)2PMのアルカリ金属ジ
アリールホスファイドは、先ず第1に一般式(R11)
2P−R−P(R11)2のデトラアリールジホスフィ
ン(すなわち4個のアリール基が互いに同一であるテト
ラアリールジホスフィン)の製造に対する出発物質とし
て使用することを目的とする。この目的で、アルカリ金
属ジアリールホスファイドを一般式X−R−X [式中
、Xは塩素もしくは臭素を示す]のジハロ化合物と反応
させることができる。さらに、本発明による一般式(R
11)2PMのアルカリ金属ジアリールホスファイドは
、一般式(R11)2P−R−P(R13)(R14)
[式中、R13およびR14は同一もしくは異なるアリ
ール基であって極性置換基を有することができる]のテ
トラアリールジホスフィンの製造に対する出発物質とし
て使用するのに適している。この目的で′、アルカリ金
属ジアリールホスフアイトヲ一般式X−R−P (R)
(R14) ノーtノハロ化合物と反応させること
ができる。一般式(R) P−R−P(R13)
(R14) [式中、アリール基R13J>よびR1
4のいずれか一方は適宜R11と同一とすることができ
る]のテトラアリールジホスフィンは新規な化合物であ
る。さらに本発明は、一般式(R) P−R−P(R
13)(R)[式中、アリール基R13およびR14の
いずれか一方は適宜R11と同一とすることがている1
の新規な化合物としてのテトラアリールジホスフィンに
も関す“るものである。
アリールホスファイドは、先ず第1に一般式(R11)
2P−R−P(R11)2のデトラアリールジホスフィ
ン(すなわち4個のアリール基が互いに同一であるテト
ラアリールジホスフィン)の製造に対する出発物質とし
て使用することを目的とする。この目的で、アルカリ金
属ジアリールホスファイドを一般式X−R−X [式中
、Xは塩素もしくは臭素を示す]のジハロ化合物と反応
させることができる。さらに、本発明による一般式(R
11)2PMのアルカリ金属ジアリールホスファイドは
、一般式(R11)2P−R−P(R13)(R14)
[式中、R13およびR14は同一もしくは異なるアリ
ール基であって極性置換基を有することができる]のテ
トラアリールジホスフィンの製造に対する出発物質とし
て使用するのに適している。この目的で′、アルカリ金
属ジアリールホスフアイトヲ一般式X−R−P (R)
(R14) ノーtノハロ化合物と反応させること
ができる。一般式(R) P−R−P(R13)
(R14) [式中、アリール基R13J>よびR1
4のいずれか一方は適宜R11と同一とすることができ
る]のテトラアリールジホスフィンは新規な化合物であ
る。さらに本発明は、一般式(R) P−R−P(R
13)(R)[式中、アリール基R13およびR14の
いずれか一方は適宜R11と同一とすることがている1
の新規な化合物としてのテトラアリールジホスフィンに
も関す“るものである。
さらに本発明(ま、
[a)パラジウム化合物と、
(b)6未満のI)Kaを有する酸の陰イオンと、fc
)上記したように製造されるテトラアリールジホスフィ
ンの1種と に基づく新規な触媒組成物にも関するものである。
)上記したように製造されるテトラアリールジホスフィ
ンの1種と に基づく新規な触媒組成物にも関するものである。
最後に本発明は、−酸化炭素と1種もしくはそれ以上の
オレフィン系不飽和化合物との重合体の製造におけるこ
れら新規な触tlXIIf]成物の使用、並びにこのよ
うに製造された重合体および少なくとも部分的にこれら
重合体よりなる成形物品にも関覆るものである。
オレフィン系不飽和化合物との重合体の製造におけるこ
れら新規な触tlXIIf]成物の使用、並びにこのよ
うに製造された重合体および少なくとも部分的にこれら
重合体よりなる成形物品にも関覆るものである。
一般式(R11) 2 PMのアルキル金属ジアリール
ホスファイドは、一般式(R11)2(R12)Pのト
リアリールホスフィンから出発して製造するtfaeさ
れたアリール基R11がフェニル基であれば、これは最
高3個の極性置換基を有することができる。その個数に
応じて、極性置換基は次の配置にてフェニル基に結合す
ることができる(lは1位置を占める)。単一の極性置
換基が存在する場合、この置換基は必らず4−位置を占
めねばならない。
ホスファイドは、一般式(R11)2(R12)Pのト
リアリールホスフィンから出発して製造するtfaeさ
れたアリール基R11がフェニル基であれば、これは最
高3個の極性置換基を有することができる。その個数に
応じて、極性置換基は次の配置にてフェニル基に結合す
ることができる(lは1位置を占める)。単一の極性置
換基が存在する場合、この置換基は必らず4−位置を占
めねばならない。
2個の極性置換基が存在する場合、これらは3位置と4
−位置とを占めねばならない。3個の極性置換基が存在
する場合、これらは3−14−J3よび5−位置を占め
ねば′ならない。アリール基は最高4個の極性置換基を
有することができる。
−位置とを占めねばならない。3個の極性置換基が存在
する場合、これらは3−14−J3よび5−位置を占め
ねば′ならない。アリール基は最高4個の極性置換基を
有することができる。
甲−の極性置換基がR12に存在すれは゛、これは2−
位置もしくは3−位置を占めることができる。
位置もしくは3−位置を占めることができる。
2個の極性置換基がR12に存在する場合、これらは2
−および3−位置、2−および5−位置、2−および6
−位置、或いは3−および5−位置を占めるこができる
。3個の極性置換基がR12に存在する場合、これらは
2−13−および5−位置、或いは2−13−および6
〜位置を占めることができる。4個の極性置換基がR1
2に存在する場合、フェニル基てあって、1個もしくは
それ以上(特もしくは3個の極性置換基を有する場合、
これらの極性置換基は同一もしくは異なるものとするこ
とができ、同一の極性置換基が好適である。同様に、こ
のことはアリール基R12が2個もしくはそれ以上の置
換基を有する場合にもこのアリール基R12につき当て
はまる。1個もしくはそれ以上の極性置換基の仙に、ア
リール基R11およびR12はさらにJ[g!性置換基
(たとえばアルキル基、特にメブル基)をも含むことが
できる。適する2種の極性置換基は、たとえばN、N−
ジメチルアミノ基のようなN、N−ジアルキルアミノ基
、並びにたとえばメトキシおよびt−ブトキシ基のよう
なアル」キシ基を包含する。アリール基R11およびR
12に存在づ−る好適な極性置換基はアルコキシ基、特
にメトキシ基である。
−および3−位置、2−および5−位置、2−および6
−位置、或いは3−および5−位置を占めるこができる
。3個の極性置換基がR12に存在する場合、これらは
2−13−および5−位置、或いは2−13−および6
〜位置を占めることができる。4個の極性置換基がR1
2に存在する場合、フェニル基てあって、1個もしくは
それ以上(特もしくは3個の極性置換基を有する場合、
これらの極性置換基は同一もしくは異なるものとするこ
とができ、同一の極性置換基が好適である。同様に、こ
のことはアリール基R12が2個もしくはそれ以上の置
換基を有する場合にもこのアリール基R12につき当て
はまる。1個もしくはそれ以上の極性置換基の仙に、ア
リール基R11およびR12はさらにJ[g!性置換基
(たとえばアルキル基、特にメブル基)をも含むことが
できる。適する2種の極性置換基は、たとえばN、N−
ジメチルアミノ基のようなN、N−ジアルキルアミノ基
、並びにたとえばメトキシおよびt−ブトキシ基のよう
なアル」キシ基を包含する。アリール基R11およびR
12に存在づ−る好適な極性置換基はアルコキシ基、特
にメトキシ基である。
本発明によるアルカリ金属ジアリールホスファイドの製
造は、液体アンモニア中におけるアルカリ金fEKMと
トリアリールホスフィンとの反応により行なわれる。使
用しつるアルカリ金属はリブラム、カリウムおよびナト
リウl\て°ある。アルカリ金属としては、好ましくは
す1〜リウムを使用−づ−る。
造は、液体アンモニア中におけるアルカリ金fEKMと
トリアリールホスフィンとの反応により行なわれる。使
用しつるアルカリ金属はリブラム、カリウムおよびナト
リウl\て°ある。アルカリ金属としては、好ましくは
す1〜リウムを使用−づ−る。
変換り”べきトリアリールホスフィン1モル当り2モル
のアルカリ金属を使用するのが好適である。
のアルカリ金属を使用するのが好適である。
液体アンモニアの量は、広範囲で変化することができる
。アルカリ金属1ミリモル当り 1〜125d 。
。アルカリ金属1ミリモル当り 1〜125d 。
特に10〜40威の液体アンモニアを用いるのが好適で
ある。液体アンモニアは大気圧下で約−33°Cにて沸
とうするという事実を考虐し、大気圧で行なうとすれば
この方法は一33℃未満で行なうべきである。好ましく
は、この方法は−100〜−35℃、特に−80−−−
−35°Cの温度で行なわれる。本光明の方法を加圧下
で行なう場合は、−33°Cより高い温度を所望に応じ
て用いることができる。
ある。液体アンモニアは大気圧下で約−33°Cにて沸
とうするという事実を考虐し、大気圧で行なうとすれば
この方法は一33℃未満で行なうべきである。好ましく
は、この方法は−100〜−35℃、特に−80−−−
−35°Cの温度で行なわれる。本光明の方法を加圧下
で行なう場合は、−33°Cより高い温度を所望に応じ
て用いることができる。
1−記したように、本光明によるアルカリ金属ジアリー
ルホスファイドは、−酸化炭素と1種もしくはそれ以上
のオレフィン系不飽和化合物どの重合体を製造すること
を目的とした触媒組成物の成典騙蘂春も。本発明のアル
カリ金属ジアリールホスファイドから!iしつる多数の
テトラアリールジホスフィンは新規な化合物である。こ
れは一般式(R) P−、R−P (R13) (
R,4)の化合物の場合で゛ある。
ルホスファイドは、−酸化炭素と1種もしくはそれ以上
のオレフィン系不飽和化合物どの重合体を製造すること
を目的とした触媒組成物の成典騙蘂春も。本発明のアル
カリ金属ジアリールホスファイドから!iしつる多数の
テトラアリールジホスフィンは新規な化合物である。こ
れは一般式(R) P−、R−P (R13) (
R,4)の化合物の場合で゛ある。
上記したように、本発明はさらに一酸化炭素と1種もし
くはそれ以上のオレフィン系不飽和化合物との重合体を
製造するための新規な触媒組成物にも関し、この触fi
llll成物は (a)パラジウム化合物と、 (b)6未満のpKaを有する酸の陰イオンと、fc)
上記のように製造したテトラアリールジホスフィンの1
種と に基づいている。
くはそれ以上のオレフィン系不飽和化合物との重合体を
製造するための新規な触媒組成物にも関し、この触fi
llll成物は (a)パラジウム化合物と、 (b)6未満のpKaを有する酸の陰イオンと、fc)
上記のように製造したテトラアリールジホスフィンの1
種と に基づいている。
成分(a)として触媒組成物中に用いるパラジウム化合
物は好ましくはカルボン酸のパラジウム塩、特に酢酸パ
ラジウムである。触媒組成物中に使用する成分(b)は
好ましくは4未満のpKa (18°Cにて水溶液で
測定)を有する酸の陰イオンであり、特に2未満のpK
aを有する酸の陰イオンである。
物は好ましくはカルボン酸のパラジウム塩、特に酢酸パ
ラジウムである。触媒組成物中に使用する成分(b)は
好ましくは4未満のpKa (18°Cにて水溶液で
測定)を有する酸の陰イオンであり、特に2未満のpK
aを有する酸の陰イオンである。
特に好適には、たとえばパラートルJンスルホン酸のよ
うなスルホン酸の陰イオンまたはたとえばトリフルオロ
酢酸のようなカルボン酸の陰イオンである。成分子b)
は、触媒組成物中に酸としておよび/または塩として混
入することができる。適する塩は非貴金属遷移金属塩、
たとえば銅塩を包含する。触媒組成物中に好適に使用さ
れる成分(c)は、二価の架橋基Rが−(CH2)3−
基であるようなテトラアリールジホスフィンである。
うなスルホン酸の陰イオンまたはたとえばトリフルオロ
酢酸のようなカルボン酸の陰イオンである。成分子b)
は、触媒組成物中に酸としておよび/または塩として混
入することができる。適する塩は非貴金属遷移金属塩、
たとえば銅塩を包含する。触媒組成物中に好適に使用さ
れる成分(c)は、二価の架橋基Rが−(CH2)3−
基であるようなテトラアリールジホスフィンである。
所望ならば、成分(a)および(b)を単一化合物とし
て組合せて使用することもできる。この種の化合物の例
Lt Sa体Pd (CH3CN)2 (o3s−C6
H4−CH3)2であり、これは溶剤としてのアセトニ
トリル中における塩化パラジウムとパラトルエン酸の銀
塩との反応により製造することができる。成分(a)
、(b) d3よび(C)の他に触媒組成物はさらに促
進剤を含むこともできる。この目的で、1,4−キノン
(特に1,4−ナフトキノン)が好適に使用される。
て組合せて使用することもできる。この種の化合物の例
Lt Sa体Pd (CH3CN)2 (o3s−C6
H4−CH3)2であり、これは溶剤としてのアセトニ
トリル中における塩化パラジウムとパラトルエン酸の銀
塩との反応により製造することができる。成分(a)
、(b) d3よび(C)の他に触媒組成物はさらに促
進剤を含むこともできる。この目的で、1,4−キノン
(特に1,4−ナフトキノン)が好適に使用される。
水素とのみからなる化合物、並びに炭素と水素との他に
1個もしくはそれ以上の異原子を含む化合物の両者であ
る。好ましくは、−酸化炭素と1+I!もしくはそれ以
上のオレフィン系不飽和炭化水素どの重合体の製造が挙
げられる。適する炭化水素上ツマ−の例は1テンおよび
その他のα−Δレフイン類、たとえばプロペン、ブテン
−1、ヘキセン−1およびオクテン−1である。本発明
の触媒組成物は一酸化炭素と1テンとの共重合体を製造
づるため、および−酸化炭素と1テンおよび他のオレフ
ィン系不飽和化合物(たとえばプロペン)との三元重合
体を製造するために使用するが特に適している。好まし
くは、重合は20−200℃の温度かつ1〜200バー
ルの圧力、特に30〜150℃の温度かつ20〜100
バールの圧力にて行なわれる。重合は典型的には、単毎
体を重合体が不溶性である右b1きる。
1個もしくはそれ以上の異原子を含む化合物の両者であ
る。好ましくは、−酸化炭素と1+I!もしくはそれ以
上のオレフィン系不飽和炭化水素どの重合体の製造が挙
げられる。適する炭化水素上ツマ−の例は1テンおよび
その他のα−Δレフイン類、たとえばプロペン、ブテン
−1、ヘキセン−1およびオクテン−1である。本発明
の触媒組成物は一酸化炭素と1テンとの共重合体を製造
づるため、および−酸化炭素と1テンおよび他のオレフ
ィン系不飽和化合物(たとえばプロペン)との三元重合
体を製造するために使用するが特に適している。好まし
くは、重合は20−200℃の温度かつ1〜200バー
ルの圧力、特に30〜150℃の温度かつ20〜100
バールの圧力にて行なわれる。重合は典型的には、単毎
体を重合体が不溶性である右b1きる。
以下、実施例にまり本光明をさらに説明する。
実施例1
す1−リウムジ−(4−メトキシフェニル)ホスフる1
00戒の液体アンモニアに対し、順次に8ミリモルのナ
トリウムと4ミリモルの1〜リ−(4−メトキシフ■ニ
ル)ホスフィンとを添加した。4時間後、4ミリモルの
塩化アンモニウムを反応混合物へ添加した。15分間後
、アンモニアを蒸発除去した。得られた残留物の分析は
、トリー(4−メトキシフェニル)ホスフィンの2%が
す]−リウムジ−(4−メトキシフェニル)ホスファイ
ドまで変換したことを示した。
00戒の液体アンモニアに対し、順次に8ミリモルのナ
トリウムと4ミリモルの1〜リ−(4−メトキシフ■ニ
ル)ホスフィンとを添加した。4時間後、4ミリモルの
塩化アンモニウムを反応混合物へ添加した。15分間後
、アンモニアを蒸発除去した。得られた残留物の分析は
、トリー(4−メトキシフェニル)ホスフィンの2%が
す]−リウムジ−(4−メトキシフェニル)ホスファイ
ドまで変換したことを示した。
実施例2
1〜リー(4−メトキシフェニル)ホスフィンの代りに
トリー(4−(N、N−ジメチルアミノ)フエ= 27
− ニル)ホスフィンを用いた以外は、実質的に実施例1を
反復した。トリー(4−(N、N−ジメチルアミノ)フ
ェニル)ホスフィンからす1〜リウムジ−(4−(N、
N−ジメチルアミノ)フェニル)ホスフィンへの変換は
生じなかったと思われる。
トリー(4−(N、N−ジメチルアミノ)フエ= 27
− ニル)ホスフィンを用いた以外は、実質的に実施例1を
反復した。トリー(4−(N、N−ジメチルアミノ)フ
ェニル)ホスフィンからす1〜リウムジ−(4−(N、
N−ジメチルアミノ)フェニル)ホスフィンへの変換は
生じなかったと思われる。
実施例3
トリー(4−メトキシフェニル)ホスフィンの代りにジ
−(2,4−ジメトキシフェニル)−フェニルホスフィ
ンを使用した以外は、実質的に実施例1を反復した。ジ
−(2,4−ジ−メトキシフェニル)フェニルホスフィ
ンからす1−リウムジ−(2,4−ジメトキシフェニル
)ホスファイドへの変換は生じなかったと思われる。
−(2,4−ジメトキシフェニル)−フェニルホスフィ
ンを使用した以外は、実質的に実施例1を反復した。ジ
−(2,4−ジ−メトキシフェニル)フェニルホスフィ
ンからす1−リウムジ−(2,4−ジメトキシフェニル
)ホスファイドへの変換は生じなかったと思われる。
実施例4
相違点はトリー(4−メトキシフェニル)ホスフィンの
代りにジ−(4−ラメ1〜キシフ1ニル)フェニルホス
フィンを使用したことである。ジ−(4−ジメトキシフ
ェニル)フェニルホスフィンの1%がす[ヘリウムジ−
(4−メトキシフェニル)ホスファイドまで変換したこ
とが判明した。
代りにジ−(4−ラメ1〜キシフ1ニル)フェニルホス
フィンを使用したことである。ジ−(4−ジメトキシフ
ェニル)フェニルホスフィンの1%がす[ヘリウムジ−
(4−メトキシフェニル)ホスファイドまで変換したこ
とが判明した。
実施例5
実質的に実施例1ど同様にナトリウムジ−(4−メト1
シフエニル)ホスファイドを作成したが、たたしトリー
(4−メトキシフェニル)ホスフィンの代りにジ−(4
−メトキシフェニル)−2−メトキシフェニルホスフィ
ンを使用した。ジ−(4−メトキシフェニル)−2−メ
]〜キシフェニルホスフィンのうち、77%がブ1〜リ
ウムジ−(4−メトキシフ■ニル)ボスファイドまで変
換したことが判明した。
シフエニル)ホスファイドを作成したが、たたしトリー
(4−メトキシフェニル)ホスフィンの代りにジ−(4
−メトキシフェニル)−2−メトキシフェニルホスフィ
ンを使用した。ジ−(4−メトキシフェニル)−2−メ
]〜キシフェニルホスフィンのうち、77%がブ1〜リ
ウムジ−(4−メトキシフ■ニル)ボスファイドまで変
換したことが判明した。
実施例6
実7°[的に実施例1ど同様にしてナトリウムジ−ただ
しトリ=(4−メ1へキシフェニル)ホスフィンの代り
にジ−(4−メト1シフ■ニル)−2,6−ジメトキシ
フェニルホスフインを使用した。このジ=(4−メトキ
シフェニル)−2,6−シメトキシフ■ニルホスフィン
は、定量的にす1〜リウムジ−(4−メトキシフェニル
)ホスファイドまで変換したことが判明した。
しトリ=(4−メ1へキシフェニル)ホスフィンの代り
にジ−(4−メト1シフ■ニル)−2,6−ジメトキシ
フェニルホスフインを使用した。このジ=(4−メトキ
シフェニル)−2,6−シメトキシフ■ニルホスフィン
は、定量的にす1〜リウムジ−(4−メトキシフェニル
)ホスファイドまで変換したことが判明した。
実施例7
実質的に実施例1のす1ヘリウムジ−(4−メトキシフ
ェニル)ホスファイドと同様にす1〜リウムジ−<4−
(N、N−ジメチルアミノ)フェニル〉ホスファイドを
作成したが、ただしトリー(4−メト1シフエニル)小
スフィンの代りにジ−<4−<N。
ェニル)ホスファイドと同様にす1〜リウムジ−<4−
(N、N−ジメチルアミノ)フェニル〉ホスファイドを
作成したが、ただしトリー(4−メト1シフエニル)小
スフィンの代りにジ−<4−<N。
N−ジメチルアミノ)フェニル)−フェニルホスフィン
を使用した。ジ−(4−(N、N−ジメチルアミノ)フ
ェニル)−7■ニルホスフインの5%がす1−リウムジ
−(4−(N、N−ジメチルアミノ)フェニル)ホスフ
ァイドまで変換したことが判明した。出発ジ−(4−(
N、N−ジメチルアミノ)フェニル)−フェニルホスフ
ィンの52%が未変化のまま残留したことが判明し、こ
れに対し43%が1−ジ−(4−(N、N−ジメチルア
ミノ)フェニル)ホスフィノ−2,5−シクロへキザジ
■ンまで変換された。後者の化合物は新規な第三ホスフ
ィンである。
を使用した。ジ−(4−(N、N−ジメチルアミノ)フ
ェニル)−7■ニルホスフインの5%がす1−リウムジ
−(4−(N、N−ジメチルアミノ)フェニル)ホスフ
ァイドまで変換したことが判明した。出発ジ−(4−(
N、N−ジメチルアミノ)フェニル)−フェニルホスフ
ィンの52%が未変化のまま残留したことが判明し、こ
れに対し43%が1−ジ−(4−(N、N−ジメチルア
ミノ)フェニル)ホスフィノ−2,5−シクロへキザジ
■ンまで変換された。後者の化合物は新規な第三ホスフ
ィンである。
実施例1〜7のうち実施例4〜7は本R,明による実施
例である。これらの実施例において、液体アンモニア中
におけるナトリウムと一般式%式% との反応により一般式(R11)2PNaのアルカリ金
属ジアリールホスファイドが製造された。実施例1〜3
は本発明の範囲外である。これらは、比較のため本明細
書中に含ま甘た。実施例1および2において、用いた出
発物質は本明lII書中に提案した一般式(R11)
2 (R12) Pのトリアリールホスフィンでなく
一般式(R11)3PのI・リアリールホスフィンとし
た。実施例3において用いた出発物質は2個の同一の極
・−ン漬されlこアリール基の他にアリール基R12を
も含むトリアリールホスフィンとしたが、これら2個の
同一のアリール基はR11の定義を満足しなかった。ト
リアリールホスフィン(R11)3Pにおけるアリール
基R11の1個をアリール基R12により置換ずればア
ルカリ金属ジアリールホスファイドの収率に及ぼJよう
な好適作用は、実施例4,5および6の結果と実施例1
の結果とを比較することによりかつ実施例7の結果と実
施例2の結果とを比較することにより明らかに示される
。
例である。これらの実施例において、液体アンモニア中
におけるナトリウムと一般式%式% との反応により一般式(R11)2PNaのアルカリ金
属ジアリールホスファイドが製造された。実施例1〜3
は本発明の範囲外である。これらは、比較のため本明細
書中に含ま甘た。実施例1および2において、用いた出
発物質は本明lII書中に提案した一般式(R11)
2 (R12) Pのトリアリールホスフィンでなく
一般式(R11)3PのI・リアリールホスフィンとし
た。実施例3において用いた出発物質は2個の同一の極
・−ン漬されlこアリール基の他にアリール基R12を
も含むトリアリールホスフィンとしたが、これら2個の
同一のアリール基はR11の定義を満足しなかった。ト
リアリールホスフィン(R11)3Pにおけるアリール
基R11の1個をアリール基R12により置換ずればア
ルカリ金属ジアリールホスファイドの収率に及ぼJよう
な好適作用は、実施例4,5および6の結果と実施例1
の結果とを比較することによりかつ実施例7の結果と実
施例2の結果とを比較することにより明らかに示される
。
実施例5および6において出発物質どして用いたトリア
リ匂レホスフィqφk(4−メトキシフェニル)−2−
メトキシフェニルホスフィンおよびジ−(4−メトキシ
フェニル)−2,6−ジメトキシフェニルホスフインは
新規な化合物である。これらは、たとえばジ−(4−メ
トキシフェニル)塩化燐と2−メトキシフェニル臭化マ
グネシウムまたは2,6−ジメトキシフェニルリチウム
のいずれかとの反応により関連のトリアリールホスフィ
ンを製造する公知方法によって製造することができる。
リ匂レホスフィqφk(4−メトキシフェニル)−2−
メトキシフェニルホスフィンおよびジ−(4−メトキシ
フェニル)−2,6−ジメトキシフェニルホスフインは
新規な化合物である。これらは、たとえばジ−(4−メ
トキシフェニル)塩化燐と2−メトキシフェニル臭化マ
グネシウムまたは2,6−ジメトキシフェニルリチウム
のいずれかとの反応により関連のトリアリールホスフィ
ンを製造する公知方法によって製造することができる。
Claims (13)
- (1)一般式(R_1_1)_2PM[式中、Mはアル
カリ金属を示しかつR_1_1は1個もしくはそれ以上
の極性置換基を有するアリール基であつて、これら極性
置換基は燐原子に対しパラ位置を占めかつこの位置に加
えてメタ位置のいずれか一方もしくは両方以外の位置を
占めることができない]の新規なアルカリ金属ジアリー
ルホスファイド。 - (2)R_1_1が極性置換されたフェニル基であるこ
とを特徴とする請求項1記載のアルカリ金属ジアリール
ホスファイド。 - (3)R_1_1がたとえばメトキシ基のような1個も
しくはそれ以上のアルコキシ基またはたとえばジメチル
−アミノ基のような1個もしくはそれ以上のジアルキル
−アミノ基を有することを特徴とする請求項1または2
記載のアルカリ金属ジアリールホスファイド。 - (4)アルカリ金属としてナトリウムを有することを特
徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のアルカリ
金属ジアリールホスファイド。 - (5)ナトリウムジ−(4−メトキシフェニル)ホスフ
ァイドおよびナトリウムジ−(4−(N,N−ジメチル
アミノ)フェニル)ホスファイドである請求項1記載の
新規なアルカリ金属ジアリールホスファイド。 - (6)液体アンモニア中にてアルカリ金属Mを一般式(
R_1_1)_2(R_1_2)P[この一般式中、R
_1_2は燐原子に対しパラ位置を占める極性置換基が
存在しないアリール基を示す]のトリアリールホスフィ
ンと反応させることにより製造を行なうことを特徴とす
る請求項1〜5のいずれか一項に記載のアルカリ金属ジ
アリールホスファイドの製造方法。 - (7)R_1_2が、極性置換されてもされなくても良
いフェニル基であることを特徴とする請求項6記載の方
法。 - (8)R_1_2が2個もしくはそれ以上の極性置換基
を有する場合、これらは互いに同一であることを特徴と
する請求項6または7記載の方法。 - (9)R_1_2が2−メトキシフェニル基または2,
6−ジメトキシフェニル基であることを特徴とする請求
項6〜8のいずれか一項に記載の方法。 - (10)変換すべきトリアリールホスフィン1ミリモル
当り2ミリモルのアルカリ金属を使用し、さらに2〜2
50mlの液体アンモニアを使用し、かつ反応を−10
0〜−35℃の温度で行なうことを特徴とする請求項6
〜9のいずれか一項に記載の方法。 - (11)アルカリ金属1ミリモル当り10〜40mlの
液体アンモニアを使用することを特徴とする請求項10
記載の方法。 - (12)一般式(R_1_1)_2P−R−P(R_1
_3)(R_1_4)[式中、R_1_1は1個もしく
はそれ以上の極性置換基を有するアリール基を示し、こ
れら極性置換基はR_1_1が結合している燐原子に対
しパラ位置を占めかつこの位置に加えて2個のメタ位置
のいずれか一方もしくは両方以外の位置を占めることが
できず、R_1_3およびR_1_4は極性置換基を有
しうる同一もしくは異なるアリール基を示し、これらの
うち1個は適宜R_1_1と同一であっても良く、さら
にRは架橋中に少なくとも2個の炭素原子を有する二価
の架橋基を示す]の新規なテトラアリールジホスフィン
。 - (13)新規な第三ホスフィンとしてのジ−(4−メト
キシフェニル)−2−メトキシフェニルホスフィン、ジ
−(4−メトキシフェニル)−2,6−ジメトキシフェ
ニルホスフィンおよび1−ジ−(4−(N,N−ジメチ
ルアミノ)フェニル)ホスフィノ−2,5−シクロヘキ
サジエン。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL8701086 | 1987-05-08 | ||
NL8701086 | 1987-05-08 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63287788A true JPS63287788A (ja) | 1988-11-24 |
Family
ID=19849978
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11031588A Pending JPS63287788A (ja) | 1987-05-08 | 1988-05-06 | 新規なジアリールホスファイド |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0290075A3 (ja) |
JP (1) | JPS63287788A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5288912A (en) * | 1993-02-12 | 1994-02-22 | Eastman Kodak Company | Process for the preparation of lithium diarylphosphides and alkylated derivatives thereof |
US6548708B1 (en) | 1998-08-05 | 2003-04-15 | Sri International | Preparation of biphosphine ligands for incorporation into catalytic complexes |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1298331A (en) * | 1968-08-02 | 1972-11-29 | Johnson Matthey Co Ltd | Improved hydroformylation process |
US4120870A (en) * | 1977-07-18 | 1978-10-17 | Hoffmann-La Roche Inc. | Metal phosphine complex |
US4343741A (en) * | 1981-04-22 | 1982-08-10 | Hoffmann-La Roche Inc. | Chiral phosphines |
-
1988
- 1988-04-20 EP EP88200766A patent/EP0290075A3/en not_active Withdrawn
- 1988-05-06 JP JP11031588A patent/JPS63287788A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0290075A3 (en) | 1989-02-22 |
EP0290075A2 (en) | 1988-11-09 |
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