JPS63284519A - 光変調器 - Google Patents
光変調器Info
- Publication number
- JPS63284519A JPS63284519A JP63103731A JP10373188A JPS63284519A JP S63284519 A JPS63284519 A JP S63284519A JP 63103731 A JP63103731 A JP 63103731A JP 10373188 A JP10373188 A JP 10373188A JP S63284519 A JPS63284519 A JP S63284519A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- waveguide
- mode
- lithium niobate
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 29
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 14
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003094 perturbing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- UYLYBEXRJGPQSH-UHFFFAOYSA-N sodium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [Na+].[O-][Nb](=O)=O UYLYBEXRJGPQSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0136—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour for the control of polarisation, e.g. state of polarisation [SOP] control, polarisation scrambling, TE-TM mode conversion or separation
- G02F1/0142—TE-TM mode conversion
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/06—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 integrated waveguide
- G02F2201/066—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 integrated waveguide channel; buried
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、光変調器に関し、特にチャネル形導波路光変
調器に関する。
調器に関する。
[従来の技術]
0ptics Letters、Vol、3 、 N
o 、 3、September 1978に記載の「
Leaking−modepropaoation i
n Ti−diffused L i N bo3a
ndL ! T a、03 waveguide Jと
題する論文は、光導波路における漏れモード伝搬の観察
に関するものである。特に、そこには、非軸伝搬方向に
おけるTEおよびTM偏波間に起こる異方性結合によつ
゛て一方の伝搬モードが選択的に漏れを生じ、その結
果そのモードが高い伝搬損を生じることが報告されてい
る。特に、XカットまたはYカットのニオブ酸すヂウム
導波路においては、TE偏波入力のみに選択的に高伝搬
損を生じることが報告されている。一方、Xカットまた
はYカットのタンタル酸すウチム導波路においては、T
M(ffl波モードが選択的に影響を受ける。特に、こ
の効果が顕著であるためには、伝搬方向が結晶の光軸す
なわちZ軸と平行な方向から、その特定の結晶の臨界角
よりも大きい角だけずれている必要がある。この臨界角
は、導波路および特定結晶の関数である。
o 、 3、September 1978に記載の「
Leaking−modepropaoation i
n Ti−diffused L i N bo3a
ndL ! T a、03 waveguide Jと
題する論文は、光導波路における漏れモード伝搬の観察
に関するものである。特に、そこには、非軸伝搬方向に
おけるTEおよびTM偏波間に起こる異方性結合によつ
゛て一方の伝搬モードが選択的に漏れを生じ、その結
果そのモードが高い伝搬損を生じることが報告されてい
る。特に、XカットまたはYカットのニオブ酸すヂウム
導波路においては、TE偏波入力のみに選択的に高伝搬
損を生じることが報告されている。一方、Xカットまた
はYカットのタンタル酸すウチム導波路においては、T
M(ffl波モードが選択的に影響を受ける。特に、こ
の効果が顕著であるためには、伝搬方向が結晶の光軸す
なわちZ軸と平行な方向から、その特定の結晶の臨界角
よりも大きい角だけずれている必要がある。この臨界角
は、導波路および特定結晶の関数である。
それは数度であり、特定の設計の導波路に対しては、実
験的に決定するのが最もよい。またそれは、導波路内に
形成された電界により変調される。
験的に決定するのが最もよい。またそれは、導波路内に
形成された電界により変調される。
例えば、臨界角より大きい導波路角で、TE偏波した6
328オングストロームのビームがニオブ酸リチウムの
導波路に対し入力として印加され、導波路に沿って臨界
角より大きい角で伝搬するようにされると、TE偏波を
有する導波ビームのみでなく、導波路に沿って発生する
のであるが導波路表面に対しある傾斜角で基板内へ伝搬
して行く漏れビームも観察され、この漏れビームは入力
ビームから90’回転したTM偏波であることがわかっ
た。TM偏波の入力の場合は、漏れ、従って損失は観察
されなかった。この効果を利用するように設計された変
調器は、結晶の光軸に対し臨界角に近い適切な角で配置
されたブレーナ形導波路を含んでいた。そして、臨界角
は、電気光学的摂動によって変調され、入力のTEモー
ドの損失が変化せしめられた。伝搬波の方向を精密に制
御することによってそれを臨界角の極めて近くに保たな
くてはならないので、変調器は入力波を導波路内に正確
に入射させるためにプリズムカップラを用いていた。従
って、この技術は複雑になり、光ファイバが主たる光伝
送媒体として用いられる伝送系に使用されるために特に
適しているとはいえない。
328オングストロームのビームがニオブ酸リチウムの
導波路に対し入力として印加され、導波路に沿って臨界
角より大きい角で伝搬するようにされると、TE偏波を
有する導波ビームのみでなく、導波路に沿って発生する
のであるが導波路表面に対しある傾斜角で基板内へ伝搬
して行く漏れビームも観察され、この漏れビームは入力
ビームから90’回転したTM偏波であることがわかっ
た。TM偏波の入力の場合は、漏れ、従って損失は観察
されなかった。この効果を利用するように設計された変
調器は、結晶の光軸に対し臨界角に近い適切な角で配置
されたブレーナ形導波路を含んでいた。そして、臨界角
は、電気光学的摂動によって変調され、入力のTEモー
ドの損失が変化せしめられた。伝搬波の方向を精密に制
御することによってそれを臨界角の極めて近くに保たな
くてはならないので、変調器は入力波を導波路内に正確
に入射させるためにプリズムカップラを用いていた。従
って、この技術は複雑になり、光ファイバが主たる光伝
送媒体として用いられる伝送系に使用されるために特に
適しているとはいえない。
し発明の要約]
本発明は、光ファイバに結合して用いるのに適した変調
器に関する。
器に関する。
本発明の変調器は、ニオブ酸リチウム結晶の基板内にチ
タンのチャネル形導波路を拡散させたものなどの、チャ
ネル形導波路を用いており、拡散せしめられたチャネル
形導波路の軸方向は結晶の光軸から臨界角より十分に大
きい角だけずらされており、それによって入力波の漏れ
損モードが明確に励振されるようになっている。これに
よって、′ 従来技術の特徴であった、伝搬角の精密な
公差が必要でなくなり、チャネルの入力端および出力端
に光ファイバを結合させて用いる便宜が得られる。
タンのチャネル形導波路を拡散させたものなどの、チャ
ネル形導波路を用いており、拡散せしめられたチャネル
形導波路の軸方向は結晶の光軸から臨界角より十分に大
きい角だけずらされており、それによって入力波の漏れ
損モードが明確に励振されるようになっている。これに
よって、′ 従来技術の特徴であった、伝搬角の精密な
公差が必要でなくなり、チャネルの入力端および出力端
に光ファイバを結合させて用いる便宜が得られる。
その後、摂動効果のない場合にわずかな損失しか生じな
いように偏波した入力波が供給され、結晶上の電極構造
に対して変調信号が供給される。この構造は、入力モー
ドに電気光学的な摂動を与えることにより、損失のある
直交モードに対し電力が伝達されるようにするためのモ
ード変換器としての作用を有する。
いように偏波した入力波が供給され、結晶上の電極構造
に対して変調信号が供給される。この構造は、入力モー
ドに電気光学的な摂動を与えることにより、損失のある
直交モードに対し電力が伝達されるようにするためのモ
ード変換器としての作用を有する。
Xカットのチタン拡散チャネルを有するニオブ酸リチウ
ム結晶を用いた1実施例においては、入力ビームは非損
失伝搬を行なうTMモードに偏波したビームであり、3
電極構造がこのモードに摂動を与えて損失のあるTEモ
ードに電力を伝達するためのモード変換器として用いら
れる。
ム結晶を用いた1実施例においては、入力ビームは非損
失伝搬を行なうTMモードに偏波したビームであり、3
電極構造がこのモードに摂動を与えて損失のあるTEモ
ードに電力を伝達するためのモード変換器として用いら
れる。
もう1つの実施例においては、Yカットのチタン拡散チ
ャネルを有するニオブ酸リチウム結晶にTE入力ビーム
が供給され、この入力ビームに摂動を与えて損失のある
TMモードに電力を伝達するために、2電極モード変換
構造が用いられる。
ャネルを有するニオブ酸リチウム結晶にTE入力ビーム
が供給され、この入力ビームに摂動を与えて損失のある
TMモードに電力を伝達するために、2電極モード変換
構造が用いられる。
以下、添付図面を参照しつつ本発明の詳細な説明する。
[実施例]
第1図において、基板として用いられるXカットのニオ
ブ酸リチウム結晶11には、公知のようにして例えばチ
タンの拡散によって形成された約幅3ミクロン深さ50
0オングストロームのまっすぐな導波チャネル12が配
設され、この導波チャネルは、上述のように漏れ損モー
ドを発生させるために、結晶のZ軸から臨界角より大き
い角だけずれた方向に延長している。特徴的な動作条件
のための代表的なずれの角は5度と7度との間にあり、
従って予想される臨界角より大きい。さらに、結晶表面
上には、0ptics Letters、 V o l
。
ブ酸リチウム結晶11には、公知のようにして例えばチ
タンの拡散によって形成された約幅3ミクロン深さ50
0オングストロームのまっすぐな導波チャネル12が配
設され、この導波チャネルは、上述のように漏れ損モー
ドを発生させるために、結晶のZ軸から臨界角より大き
い角だけずれた方向に延長している。特徴的な動作条件
のための代表的なずれの角は5度と7度との間にあり、
従って予想される臨界角より大きい。さらに、結晶表面
上には、0ptics Letters、 V o l
。
■、No、 1 、January 1986.1)a
(]839−41に所載の[Wavelength−i
ndependent、 optical−damaq
e−immuneLiNb03 TE−TMmOde
converter Jと題する論文に論じられている
種類のTE−TMモード変換器として用いるための3電
極構造13が配設されている。この電極構造は通常金ま
たはアルミニウムから成り、長さに沿って導波路12上
に重なる中央電極13Aと、この中央電極の両側に対称
的に配置された平行な1対の外側電極13Bおよび13
Cとを含む。一般に、このような電極構造においては、
結晶と電極構造との間に、導波路を上に重なる電極から
光学的に絶縁するための、通常は図示されているような
電極下のバッファ層14の形式をもつ装置を含むことが
所望される。この層は、マグネシウムを拡散させた表面
層とするか、または、上述の論文に述べられているよう
にスパッタ付着せしめた二酸化シリコンの表面層とする
。このような層は、モード界を導波路表面から空間的に
分離することによって、中央電極のローディングを原因
とする伝搬損を減少させる。通常、中央電極の幅は約3
.5ミクロンで、中央電極とそれぞれの外側電極との間
の間隙の幅も約3.5ミクロンである。この電極構造は
、この電極構造を駆動するのに使用される全流電m18
のインピーダンスに整合するように設計される。通常は
、一方の外側電極は接地され、他方の外側電極も接地さ
れるか、または可変直流電源17に接続されることによ
り接地電極に対しバイアスされて3電極の不整列の補償
が行なわれうるようになっている。
(]839−41に所載の[Wavelength−i
ndependent、 optical−damaq
e−immuneLiNb03 TE−TMmOde
converter Jと題する論文に論じられている
種類のTE−TMモード変換器として用いるための3電
極構造13が配設されている。この電極構造は通常金ま
たはアルミニウムから成り、長さに沿って導波路12上
に重なる中央電極13Aと、この中央電極の両側に対称
的に配置された平行な1対の外側電極13Bおよび13
Cとを含む。一般に、このような電極構造においては、
結晶と電極構造との間に、導波路を上に重なる電極から
光学的に絶縁するための、通常は図示されているような
電極下のバッファ層14の形式をもつ装置を含むことが
所望される。この層は、マグネシウムを拡散させた表面
層とするか、または、上述の論文に述べられているよう
にスパッタ付着せしめた二酸化シリコンの表面層とする
。このような層は、モード界を導波路表面から空間的に
分離することによって、中央電極のローディングを原因
とする伝搬損を減少させる。通常、中央電極の幅は約3
.5ミクロンで、中央電極とそれぞれの外側電極との間
の間隙の幅も約3.5ミクロンである。この電極構造は
、この電極構造を駆動するのに使用される全流電m18
のインピーダンスに整合するように設計される。通常は
、一方の外側電極は接地され、他方の外側電極も接地さ
れるか、または可変直流電源17に接続されることによ
り接地電極に対しバイアスされて3電極の不整列の補償
が行なわれうるようになっている。
所望の変調によって制御される交流駆動電圧源18は、
中央電極と接地との間に接続されている。
中央電極と接地との間に接続されている。
この交流電圧の周波数は、特定の変調応用のために適す
るように選択される。駆動電圧の値が適宜に高くなると
、例えば数ミリメートルという比較的短い長さの導波路
上において、入力波の本質的に完全なカットオフが実現
されうる。光ファイバ19は、導波路の入力端に結合せ
しめられて、適宜の偏波を有する入力波を印加するよう
になっている。ニオブ酸リチウム結晶の場合入力波はT
M偏波を有し、駆動変調によって開始されるモード変換
が行なわれない場合は、目立った損失なく伝搬する。
るように選択される。駆動電圧の値が適宜に高くなると
、例えば数ミリメートルという比較的短い長さの導波路
上において、入力波の本質的に完全なカットオフが実現
されうる。光ファイバ19は、導波路の入力端に結合せ
しめられて、適宜の偏波を有する入力波を印加するよう
になっている。ニオブ酸リチウム結晶の場合入力波はT
M偏波を有し、駆動変調によって開始されるモード変換
が行なわれない場合は、目立った損失なく伝搬する。
第2図には、簡単な2電極構造を用いて所望のモード変
換を行なう実施例が示されている。この2電極構造は、
本出願と同一の譲受人および同一の出願日を有する同時
係属出願(本ケース番号は第7338号)に記載されて
いる種類のものである。この目的のために、この実施例
はYカットのニオブ酸リチウム結晶21を用いており、
その内部には公知のようにチタンの拡散によって形成す
るのを便宜とするチャネル形導波路22が配設されてい
る。前の場合と同様に、導波路の軸すなわち伝搬方向は
、光軸と臨界角より大きい角をなし、導波路へ入力とし
て供給される波のモードと直交するモードを有する損失
の多い伝搬を実現する。
換を行なう実施例が示されている。この2電極構造は、
本出願と同一の譲受人および同一の出願日を有する同時
係属出願(本ケース番号は第7338号)に記載されて
いる種類のものである。この目的のために、この実施例
はYカットのニオブ酸リチウム結晶21を用いており、
その内部には公知のようにチタンの拡散によって形成す
るのを便宜とするチャネル形導波路22が配設されてい
る。前の場合と同様に、導波路の軸すなわち伝搬方向は
、光軸と臨界角より大きい角をなし、導波路へ入力とし
て供給される波のモードと直交するモードを有する損失
の多い伝搬を実現する。
この2電極構造は導波路上の電極をもたないので、第1
図の実施例に含まれているバッファ層の必要がなくなる
。2つの電極23および24は、導波路の両側に対称的
に配置され、導波路に平行に延長している。幅約3.5
ミクロンのチャネルに対しては、電極間の間隙は約7ミ
クロンにするのが典型的である。この側においては、一
方の電極23が接地され、他方の電極は可変直流電圧1
26および交流駆動電圧源25を経て接地されている。
図の実施例に含まれているバッファ層の必要がなくなる
。2つの電極23および24は、導波路の両側に対称的
に配置され、導波路に平行に延長している。幅約3.5
ミクロンのチャネルに対しては、電極間の間隙は約7ミ
クロンにするのが典型的である。この側においては、一
方の電極23が接地され、他方の電極は可変直流電圧1
26および交流駆動電圧源25を経て接地されている。
この電極構造においては、動作点を接地から数ボルト離
れた電位に保つことが重要であり、従って直流電圧およ
び交流電圧を適切に選択しなくてはならない。通常は、
直流バイアスは約20ボルトに、交流駆動電圧は約10
ボルトにする。光ファイバ29は、導波路の入力端に入
力のTM波を供給する。
れた電位に保つことが重要であり、従って直流電圧およ
び交流電圧を適切に選択しなくてはならない。通常は、
直流バイアスは約20ボルトに、交流駆動電圧は約10
ボルトにする。光ファイバ29は、導波路の入力端に入
力のTM波を供給する。
上述の特定の股上1は、本発明の一般原理を甲に例示し
たものに過ぎない。例えば、軸から外れた伝搬に対し同
様の特性を示す伯の結晶を代用することもできる。特定
の材料の適性は、実験的に決定するのが最もよい。最初
に述べた論文に記載されているように、タンタル酸リチ
ウムにおいては諸性質が逆になる。同様にして、チャネ
ル形導波路を他の公知の形式に形成し、さまざまな波長
の入力を代用することもできる。
たものに過ぎない。例えば、軸から外れた伝搬に対し同
様の特性を示す伯の結晶を代用することもできる。特定
の材料の適性は、実験的に決定するのが最もよい。最初
に述べた論文に記載されているように、タンタル酸リチ
ウムにおいては諸性質が逆になる。同様にして、チャネ
ル形導波路を他の公知の形式に形成し、さまざまな波長
の入力を代用することもできる。
第1図および第2図は、本発明のカットオフ変調器の2
つの異なる実施例の概略斜視図である。 符号の説明 11・・・Xカットのニオブ酸リチウム結晶、12.2
2・・・チャネル形導波路、 13・・・3電極構造、13A・・・中央電極、13B
、13G・・・外側電極、14・・・バッファ層、19
.29・・・光ファイバ、 21・・・Yカットのニオブ酸リチウム結晶、23.2
4・・・電極。
つの異なる実施例の概略斜視図である。 符号の説明 11・・・Xカットのニオブ酸リチウム結晶、12.2
2・・・チャネル形導波路、 13・・・3電極構造、13A・・・中央電極、13B
、13G・・・外側電極、14・・・バッファ層、19
.29・・・光ファイバ、 21・・・Yカットのニオブ酸リチウム結晶、23.2
4・・・電極。
Claims (5)
- (1)(イ)入力端と出力端との間で光モードを導波す
るためのチャネル形導波路を有する頂部表面を備えた結
晶であつて、該導波路の軸が該結晶の光軸から1偏波方
位角を有する漏れモードの伝搬のための臨界角よりも大
きい角だけずれており且つ直交的に偏波したモードに対
しては無損失伝搬を実現するように配置されている前記
結晶と、 (ロ)該無損失モードと漏れモードとの間のスイッチン
グを行ない該無損失モードから該漏れモードへの変換を
行なうための前記結晶の前記頂部表面上の諸電極と、 を備えた光変調器。 - (2)請求項1において、前記結晶がYカットのニオブ
酸リチウム結晶であり、前記諸電極が前記チャネル形導
波路の両側に対称的に配置された1対を含む、光変調器
。 - (3)請求項1において、前記結晶がXカットのニオブ
酸リチウム結晶であり、前記諸電極が、前記導波路上に
重なる中央電極と、該中央電極の両側に対称的に配置さ
れた1対の外側電極との3個存在する、光変調器。 - (4)請求項2において、前記結晶がニオブ酸リチウム
であり、前記チャネル形導波路が該結晶の局部的に拡散
せしめられたチタン濃度の高い領域であり、該導波路が
TMモードに偏波した入力波を供給される、光変調器。 - (5)請求項3において、前記結晶がニオブ酸リチウム
であり、TMモードに偏波した入力波を供給される、光
変調器。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/043,190 US4791388A (en) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | Channel waveguide modulator |
US043190 | 1987-04-27 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63284519A true JPS63284519A (ja) | 1988-11-21 |
Family
ID=21925950
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63103731A Pending JPS63284519A (ja) | 1987-04-27 | 1988-04-26 | 光変調器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4791388A (ja) |
EP (1) | EP0288778A3 (ja) |
JP (1) | JPS63284519A (ja) |
CA (1) | CA1295406C (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4932737A (en) * | 1989-06-13 | 1990-06-12 | Hoechst Celanese Corp. | Polarization-insensitive linear waveguide electrooptic phase modulator |
US4968112A (en) * | 1990-01-04 | 1990-11-06 | Smiths Industries Aerospace And Defense Systems Incorporated | Apparatus for providing depolarized light |
KR100243779B1 (ko) * | 1993-07-07 | 2000-02-01 | 마쯔무라 토미히로 | 전계센서 |
US5749132A (en) * | 1995-08-30 | 1998-05-12 | Ramar Corporation | Method of fabrication an optical waveguide |
US5834055A (en) * | 1995-08-30 | 1998-11-10 | Ramar Corporation | Guided wave device and method of fabrication thereof |
EP0872756A1 (en) * | 1997-04-14 | 1998-10-21 | BRITISH TELECOMMUNICATIONS public limited company | Optical modulator |
US5867615A (en) * | 1997-07-22 | 1999-02-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Compact straight channel fiber optic intensity modular |
USH1848H (en) * | 1997-08-18 | 2000-05-02 | Amin; Jaymin | Z-propagating waveguide laser and amplifier device in rare-earth-doped LiNbO3 |
US6301399B1 (en) | 1998-02-18 | 2001-10-09 | Jds Uniphase Corporation | Integrated optic modulators with high gain bandwidth product |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3753157A (en) * | 1971-06-30 | 1973-08-14 | Ibm | Leaky wave couplers for guided elastic wave and guided optical wave devices |
US3990775A (en) * | 1973-07-23 | 1976-11-09 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Thin-film optical waveguide |
US3923373A (en) * | 1974-07-01 | 1975-12-02 | Western Electric Co | Coupling to graded index waveguide |
US4005927A (en) * | 1975-03-10 | 1977-02-01 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Broad bandwidth optical modulator and switch |
JPS5941167B2 (ja) * | 1975-08-09 | 1984-10-05 | 日本電信電話株式会社 | 光変調器 |
US4166669A (en) * | 1977-05-13 | 1979-09-04 | Massachusetts Institute Of Technology | Planar optical waveguide, modulator, variable coupler and switch |
US4198115A (en) * | 1978-08-16 | 1980-04-15 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Fabry-Perot resonator using a birefringent crystal |
US4262993A (en) * | 1980-01-11 | 1981-04-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Electrooptically balanced alternating Δβ switch |
FR2490835A1 (fr) * | 1980-08-29 | 1982-03-26 | Thomson Csf | Structure optique integree a couplage directionnel conforme |
-
1987
- 1987-04-27 US US07/043,190 patent/US4791388A/en not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-04-01 EP EP19880105318 patent/EP0288778A3/en not_active Withdrawn
- 1988-04-12 CA CA000563861A patent/CA1295406C/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-04-26 JP JP63103731A patent/JPS63284519A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4791388A (en) | 1988-12-13 |
CA1295406C (en) | 1992-02-04 |
EP0288778A3 (en) | 1991-01-09 |
EP0288778A2 (en) | 1988-11-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2603437B2 (ja) | 周期的ドメイン反転電気・光変調器 | |
Izutsu et al. | Broad-band traveling-wave modulator using a LiNbO 3 optical waveguide | |
US4983006A (en) | Polarization-independent optical waveguide switch | |
CN101669061A (zh) | 光控制元件 | |
US4776656A (en) | TE-TM mode converter | |
EP0036010A1 (en) | Optical switch | |
US20040170351A1 (en) | Electro-optic waveguide modulator method and apparatus | |
US6381379B1 (en) | Optical modulator having coplanar electrodes for controlling chirp | |
Sueta et al. | High speed guided-wave optical modulators | |
JPS63284519A (ja) | 光変調器 | |
US7173755B2 (en) | High-efficiency multiple-pass nonlinear optical wavelength converter with an electro-optic phase compensator and amplitude modulator | |
US6393166B1 (en) | Variable chirp modulator having three arm interferometer | |
JP3250712B2 (ja) | 偏波無依存光制御素子 | |
US20070147725A1 (en) | Coupled-waveguide electro-optic switch based on polarisation conversion | |
JP2000028979A (ja) | 偏波無依存光制御素子 | |
Okayama et al. | Directional coupler switch with reduced voltage-length product | |
JPH0756199A (ja) | 偏波無依存導波路型光スイッチ | |
Samson et al. | Two-section reversed/spl Delta//spl beta/switch with uniform electrodes and domain reversal | |
Čtyroký | Voltage-length product of X and Z-cut Ti: LiNbO3 directional coupler and BOA switches: a comparison | |
JPH04204524A (ja) | 光変調器 | |
JP2635986B2 (ja) | 光導波路スイッチ | |
JPH06308439A (ja) | 偏波変調装置及び偏波変調方法 | |
JPH0353225A (ja) | 半導体光変調器 | |
JPH06308438A (ja) | 偏波変調装置及び偏波変調方法 | |
JP2001201725A (ja) | 光変調方法及び光変調器 |