JPS63283309A - ２ポ−トｓａｗ共振子 - Google Patents
２ポ−トｓａｗ共振子Info
- Publication number
- JPS63283309A JPS63283309A JP11939487A JP11939487A JPS63283309A JP S63283309 A JPS63283309 A JP S63283309A JP 11939487 A JP11939487 A JP 11939487A JP 11939487 A JP11939487 A JP 11939487A JP S63283309 A JPS63283309 A JP S63283309A
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- saw resonator
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims abstract 7
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract description 20
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract description 20
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
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- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はＳＡＷ共振子、、殊に高周波領域でＱの高い２
ポートＳＡＷ共撮子に関する。
ポートＳＡＷ共撮子に関する。
（従来技術）
従来、 ＶＨＦ ５ｔＪＨＩ” 帯の高周波領域に於い
て基本波による直接発振が得られ、且つ、Ｑの高い安定
な共振子としてＳＡＷ共振子が広く使われてきた。中で
も２ポートＳＡＷ共撮子はｌポー）ＳＡＷ共振子に比べ
て外部容量の影響を受けにくいので発撮器を構成し易く
９周波数偏差も小さいので製造歩留シが良い等の利点が
あり、殊にＬＩＨＦ帯の高周波領域に於いて有利である
。
て基本波による直接発振が得られ、且つ、Ｑの高い安定
な共振子としてＳＡＷ共振子が広く使われてきた。中で
も２ポートＳＡＷ共撮子はｌポー）ＳＡＷ共振子に比べ
て外部容量の影響を受けにくいので発撮器を構成し易く
９周波数偏差も小さいので製造歩留シが良い等の利点が
あり、殊にＬＩＨＦ帯の高周波領域に於いて有利である
。
２ポートＳＡＷ共振子は基本的に第１図に示す如く水晶
等の圧電基板ｌの表面上に励振用の入力ＩＤＴ２と受信
用の出力ＩＤＴ３を置きその両側にグレーティングによ
る反射器４．４′を配して構成し、入力ＩＤＴによって
励振したＳＡＷの振動エネルギーを反射器間に閉じ込め
定在波を生じさせて共撮を起こし、その振動エネルギー
を出力ＩＤＴによシ受信して取り出すものであるが、Ｑ
の高い２ポートＳＡＷ共振子を得るには９通常、入出力
ＩＤ’ｔ’と反射器との間の距離１１及び入出力ＩＤＴ
間の距離１２はＩＤＴの周期りに対して。
等の圧電基板ｌの表面上に励振用の入力ＩＤＴ２と受信
用の出力ＩＤＴ３を置きその両側にグレーティングによ
る反射器４．４′を配して構成し、入力ＩＤＴによって
励振したＳＡＷの振動エネルギーを反射器間に閉じ込め
定在波を生じさせて共撮を起こし、その振動エネルギー
を出力ＩＤＴによシ受信して取り出すものであるが、Ｑ
の高い２ポートＳＡＷ共振子を得るには９通常、入出力
ＩＤ’ｔ’と反射器との間の距離１１及び入出力ＩＤＴ
間の距離１２はＩＤＴの周期りに対して。
ｌ ｔ＝ｍＬ／２ （ｍ＝１ 、２ 、３、−−）
１２＝ｎＬ／２＋Ｌ／４ （ｎ＝１．２，３．−−）
とするのが一般的であった。例えばｍ＝１．ｎ＝１ テ
Ｊ ２＝Ｌ／２ 、 ｌ ２＝３Ｌ／４ ノｍ合ｃｒ＋
ＩＤＴ ト反射器に対する励起した波の位置関係は第
２図に示す如きものであった。
１２＝ｎＬ／２＋Ｌ／４ （ｎ＝１．２，３．−−）
とするのが一般的であった。例えばｍ＝１．ｎ＝１ テ
Ｊ ２＝Ｌ／２ 、 ｌ ２＝３Ｌ／４ ノｍ合ｃｒ＋
ＩＤＴ ト反射器に対する励起した波の位置関係は第
２図に示す如きものであった。
第２図から明らかなように、このような位置関係のとき
反射器４，４′の端における反射面５．５′の間に定在
波が立ち易く、且つ、入出力ＩＤ’ｌ”の各々のＫｆｆ
ｌ指の中心が定在波の腹の部分の中心に対してＬ／８だ
けずれている為９等価１ンダクタンスが上昇しＱが高く
なる。又。
反射器４，４′の端における反射面５．５′の間に定在
波が立ち易く、且つ、入出力ＩＤ’ｌ”の各々のＫｆｆ
ｌ指の中心が定在波の腹の部分の中心に対してＬ／８だ
けずれている為９等価１ンダクタンスが上昇しＱが高く
なる。又。
定在波の腹の変位最大の部分からｗＬ電極指ずれている
ことにより、ＩＤＴの電極膜厚の変動の影響も受は難く
なシ製造時の周仮数バラツキが小さくなって製造歩留り
も良くなることが知られていた。
ことにより、ＩＤＴの電極膜厚の変動の影響も受は難く
なシ製造時の周仮数バラツキが小さくなって製造歩留り
も良くなることが知られていた。
ところがこのように入出力ＩＤＴ間の距離１２！ｌ：
ｌ ２＝ｎＬ／ ２＋Ｌ／ ４ （ｎ＝１ 、２ 、３
、−”’ ） とすると共振抵抗も大きくなってしま
い挿入損失が増加するという欠点があった。一方、この
挿入損失の増加を補うため入出力ＩＤＴの対数を増やし
たり交叉長を広くとると、電極容量が増しチップサイズ
が大きくなるのみならずＩＤ’Ｉ’対数、交叉長の増大
はＱの低下を招くという問題があった。
ｌ ２＝ｎＬ／ ２＋Ｌ／ ４ （ｎ＝１ 、２ 、３
、−”’ ） とすると共振抵抗も大きくなってしま
い挿入損失が増加するという欠点があった。一方、この
挿入損失の増加を補うため入出力ＩＤＴの対数を増やし
たり交叉長を広くとると、電極容量が増しチップサイズ
が大きくなるのみならずＩＤ’Ｉ’対数、交叉長の増大
はＱの低下を招くという問題があった。
即ち、電極容量やチップサイズに制約があるときは挿入
損失の増大は避けられず１反射器の本数を減らしてチッ
プサイズを小さくしていくしていくとＱは減少の一途を
辿り電子部品の小型化への厳しい要求に応じ難いという
欠点があった。
損失の増大は避けられず１反射器の本数を減らしてチッ
プサイズを小さくしていくしていくとＱは減少の一途を
辿り電子部品の小型化への厳しい要求に応じ難いという
欠点があった。
（発明の目的）
本発明は上述の如き従来の２ポートＳＡＷ共振子の挿入
損失が大きい欠点を解消するためになされたものであっ
て、高周波類・域に於いて挿入損失が小さくしかもＱの
高い２ポートＳＡＷ共振子ヲ提供することを目的とする
。
損失が大きい欠点を解消するためになされたものであっ
て、高周波類・域に於いて挿入損失が小さくしかもＱの
高い２ポートＳＡＷ共振子ヲ提供することを目的とする
。
（発明の概要）
上述の目的を達成する為、１本発明に於いては周期りの
入出力ＩＤＴと反射器との間の距離１１をｌ ｔ：＝ｍ
Ｌ／２ （ｍ＝１ 、２ 、３ ＋−・・）とし、且つ
。
入出力ＩＤＴと反射器との間の距離１１をｌ ｔ：＝ｍ
Ｌ／２ （ｍ＝１ 、２ 、３ ＋−・・）とし、且つ
。
入出力ＩＤ’ｌ’間の距離１２をｎ Ｌ／ ２ ＋Ｌ／
４ ＜ ｌ ２＜ｎＬ／２＋３Ｌ／８（ｎ＝０．１．
２、−−）とする。
４ ＜ ｌ ２＜ｎＬ／２＋３Ｌ／８（ｎ＝０．１．
２、−−）とする。
（発明の実施例）
以下９本発明を図面に示した実施例に基づいて詳細に説
明する。
明する。
実施例の説明に先立って本発明の理解を助ける為従来の
２ポートＳＡＷ共振子のＩＤ’［”配列と励起した波と
の関係を再度検討するに、第２図に示す如（ｌ ｌ＝Ｌ
／ ２ 、 ｌ ｓ＝３ Ｌ／ ４ の場合。
２ポートＳＡＷ共振子のＩＤ’［”配列と励起した波と
の関係を再度検討するに、第２図に示す如（ｌ ｌ＝Ｌ
／ ２ 、 ｌ ｓ＝３ Ｌ／ ４ の場合。
ＩＤＴの’ＩＩ極指極相置が定住波の腹の部分に対して
入出力ＩＤＴ各々においてＬ／３だけ内側に寄っている
。このｔ極相の位置のずれが共振抵抗を大きくし挿入損
失増大の原因となっていたと考えられること前述の通シ
である。
入出力ＩＤＴ各々においてＬ／３だけ内側に寄っている
。このｔ極相の位置のずれが共振抵抗を大きくし挿入損
失増大の原因となっていたと考えられること前述の通シ
である。
この問題を解決する為１本発明の２ポートＳＡＷ共振子
は第３図に示す如き構成をとる。即ち、１ｘ＝Ｌ／２は
そのままとして！２のみを入出力ＩＤＴ夫々についてＬ
／３２だけ外側へ移動し１２＝１３Ｌ／１６とする。斯
くすることＫよって入出力よりＴｆ′）電極指の位置が
定在波の腹の部分に近接するため共振抵抗が減少し挿入
損失が改善されるであろう。
は第３図に示す如き構成をとる。即ち、１ｘ＝Ｌ／２は
そのままとして！２のみを入出力ＩＤＴ夫々についてＬ
／３２だけ外側へ移動し１２＝１３Ｌ／１６とする。斯
くすることＫよって入出力よりＴｆ′）電極指の位置が
定在波の腹の部分に近接するため共振抵抗が減少し挿入
損失が改善されるであろう。
伺、上述の如き手法を用いると等価インダクタンスも減
少するが共振抵抗の減少の方が優勢であるから共振子の
Ｑは上昇するはずである。
少するが共振抵抗の減少の方が優勢であるから共振子の
Ｑは上昇するはずである。
そこで上述した如く構成した２ポートＳＡＷ共振子を試
作しその特性を測定したところ下表に示す如き結果を得
た。
作しその特性を測定したところ下表に示す如き結果を得
た。
この試作した２ポートｓＡＷ共振子は圧電基板としてＳ
Ｔカット水晶を用い共振周波数は３１０ＭＨｚ 、 Ｌ
＝ｌ ｘ＝１０．１２ ａｍ 、人出７）ＩＤ’ｌ’は
夫々５０対でＣＯ８τ−８の重みづけがしてあシ９９反
射器両佃夫々３００本、ＩＤＴ交叉長は５００μｍ、電
極はアルミニウムでその瞑厚は０．２μｍである。
Ｔカット水晶を用い共振周波数は３１０ＭＨｚ 、 Ｌ
＝ｌ ｘ＝１０．１２ ａｍ 、人出７）ＩＤ’ｌ’は
夫々５０対でＣＯ８τ−８の重みづけがしてあシ９９反
射器両佃夫々３００本、ＩＤＴ交叉長は５００μｍ、電
極はアルミニウムでその瞑厚は０．２μｍである。
尚２本発明に係る２ポートＳＡＷ共振子は１２の値とし
て従来の１２＝５Ｌ／４＝１２．６５μｍから１２＝２
１ Ｌ／１６＝１３．２８μｍに変化させたのみで他の
条件は全て同一である。
て従来の１２＝５Ｌ／４＝１２．６５μｍから１２＝２
１ Ｌ／１６＝１３．２８μｍに変化させたのみで他の
条件は全て同一である。
上記表よシ明らかな如＜ｌ２の値をわずかに変化させた
のみで挿入損失は３ｄＢ余り減少しＱも向上しているこ
とが理解されよう。
のみで挿入損失は３ｄＢ余り減少しＱも向上しているこ
とが理解されよう。
次にｌｌの値を１１＝Ｌに固定し１２を５Ｌ／４から３
Ｌ／２の間の種々の値に変えて１２と挿入損失及びＱと
の関係を詳細に調べた結果、 ５Ｌ／４＜ｌ２＜ｌ１
Ｌ／８ の範囲にとると挿入損失が良くなりＱも大き
くなることが判明した。
Ｌ／２の間の種々の値に変えて１２と挿入損失及びＱと
の関係を詳細に調べた結果、 ５Ｌ／４＜ｌ２＜ｌ１
Ｌ／８ の範囲にとると挿入損失が良くなりＱも大き
くなることが判明した。
又、１２が１１Ｌ／８＜ｌ２＜３Ｌ／２の範囲では。
挿入損失は良くなるがＱは逆に低下してしまい、２ポー
トＳＡＷ ＃ｉ子としては不適当であることも明らかと
なった。
トＳＡＷ ＃ｉ子としては不適当であることも明らかと
なった。
以上の実験結果を総合勘案するに２ポートＳＡＷ共振子
に於いて挿入損失を良くしてＱも大きくするための条件
はｌ ｔ＝ｍＬ／２ （ｍ＝＝１ 、２ 。
に於いて挿入損失を良くしてＱも大きくするための条件
はｌ ｔ＝ｍＬ／２ （ｍ＝＝１ 、２ 。
３、・・・・・・）とし、且つ、ｎＬ／２＋Ｌ／４＜ｌ
２＜ｎＬ＋３Ｌ／８ （ｎ＝ｏ 、 １ 、２、−・・
）とすれば良い。
２＜ｎＬ＋３Ｌ／８ （ｎ＝ｏ 、 １ 、２、−・・
）とすれば良い。
もっとも上述したような関係ＫＩＤ”［’と反射器を配
置すれば挿入損失が良くなりＱも大きくなるが９反射器
の間に閉じ込められる振動エネルギーは共振子の中央で
最大となるはｔ ＣＯ８形状をした分布となる為、上記
構成の２ポートＳＡＷ共振子において徒らにｍの値を大
きくとシ入出力１１）Ｔ間を離してしまうと、中央部が
振動エネルギー分布最大となる為その部分にＩＤＴがな
いということは受信される振動エネルギーの効率が悪く
なシ挿入損失が低下する。
置すれば挿入損失が良くなりＱも大きくなるが９反射器
の間に閉じ込められる振動エネルギーは共振子の中央で
最大となるはｔ ＣＯ８形状をした分布となる為、上記
構成の２ポートＳＡＷ共振子において徒らにｍの値を大
きくとシ入出力１１）Ｔ間を離してしまうと、中央部が
振動エネルギー分布最大となる為その部分にＩＤＴがな
いということは受信される振動エネルギーの効率が悪く
なシ挿入損失が低下する。
第４図は前述した実験例と同じ条件において、１２の値
をｌ ２＝２１ Ｌ／１６とした場合と１２＝１０１
Ｌ／１６ とし之場合との周波数特性を比較したもの
で、実線は１ｚ＝２１Ｌ／１６の場合、破線は１＝１０
１Ｌ／１６の場合であり、１１の値は共にＬである。本
図より明らかなように、１２＝１０１Ｌ／１６の場合よ
りも１２＝２１Ｌ／１６の場合の方が挿入損失が若干良
く、スプリアス抑圧量も大きいことが判る。従ってこれ
らの条件は両者共従来のｌ ２＝ｎ Ｌ／２＋Ｌ／４
（ｎ＝１ 、２ 、３ 。
をｌ ２＝２１ Ｌ／１６とした場合と１２＝１０１
Ｌ／１６ とし之場合との周波数特性を比較したもの
で、実線は１ｚ＝２１Ｌ／１６の場合、破線は１＝１０
１Ｌ／１６の場合であり、１１の値は共にＬである。本
図より明らかなように、１２＝１０１Ｌ／１６の場合よ
りも１２＝２１Ｌ／１６の場合の方が挿入損失が若干良
く、スプリアス抑圧量も大きいことが判る。従ってこれ
らの条件は両者共従来のｌ ２＝ｎ Ｌ／２＋Ｌ／４
（ｎ＝１ 、２ 、３ 。
・・・・・・）とするよりも挿入損失が良くなることは
前述の通りであるが、ｎＬ／２＋Ｌ／４＜ｌ２＜ｎＬ／
２ ＋ ３ Ｌ／８ の条件においてｎの値を１乃至
４の間にとり入出力ＩＤＴの間隔を近づけた方が、更に
挿入損失が良くスプリアス抑圧量も大きくなって一層効
果的である。
前述の通りであるが、ｎＬ／２＋Ｌ／４＜ｌ２＜ｎＬ／
２ ＋ ３ Ｌ／８ の条件においてｎの値を１乃至
４の間にとり入出力ＩＤＴの間隔を近づけた方が、更に
挿入損失が良くスプリアス抑圧量も大きくなって一層効
果的である。
ところで９本願発明を包含する先願として特願昭６Ｏ−
３１９６３（特開昭６ｌ−１９２１１２）があるがこの
出願は入出力ＩＤＴ間隔を本発明に於ける記号を用いて
表わすなら、ｌｚの値？ａＬ／２＋Ｌ／４＜ｌｚ＜ｎＬ
／２＋Ｌ／２ （ｎ＝０．１．２ 。
３１９６３（特開昭６ｌ−１９２１１２）があるがこの
出願は入出力ＩＤＴ間隔を本発明に於ける記号を用いて
表わすなら、ｌｚの値？ａＬ／２＋Ｌ／４＜ｌｚ＜ｎＬ
／２＋Ｌ／２ （ｎ＝０．１．２ 。
・・・・・・）の範囲にとれば共振特性が鋭いピークを
もたなくなシ共振モードが複数存在して通過帯域の広帯
域化が可能となることを示すものである。
もたなくなシ共振モードが複数存在して通過帯域の広帯
域化が可能となることを示すものである。
然るに本発明における実験によればｎＬ／２＋Ｌ／４＜
ｌ ２＜ｎＬ／２＋３Ｌ／８（ｎ＝０．１．２、−−）
の範囲では逆にＱが太きくなシ共掘ビークが鋭い特性を
示しており相反する結果が得られている。
ｌ ２＜ｎＬ／２＋３Ｌ／８（ｎ＝０．１．２、−−）
の範囲では逆にＱが太きくなシ共掘ビークが鋭い特性を
示しており相反する結果が得られている。
斯の如く相反する結果が生じた理由を検討するに、上述
の特願昭６０−３１９６３に開示された１２の値の範囲
は１２＝０．４２Ｌの場合の実験結果に基づいて決定さ
れたものであると認められる故広範な実験によシ確認さ
れたものでないことは明らかである。
の特願昭６０−３１９６３に開示された１２の値の範囲
は１２＝０．４２Ｌの場合の実験結果に基づいて決定さ
れたものであると認められる故広範な実験によシ確認さ
れたものでないことは明らかである。
本発明をなすに至った実験結果に於いてＩｆｉ１２がｎ
Ｌ／２＋３Ｌ／８＜４１！ ２＜ｎＬ／２＋Ｌ／２（ｎ
＝０．１．２．・・・・・・）の範囲ではＱが低下する
ことを勘案するならば、上記特願昭６０−３１９６３の
特許請求の範囲に記載すべきＩ！２の範囲はｎＬ／２＋
３Ｌ／８＜ｌ２＜ｎＬ／２＋Ｌ／２に限定されるべきで
あろう。
Ｌ／２＋３Ｌ／８＜４１！ ２＜ｎＬ／２＋Ｌ／２（ｎ
＝０．１．２．・・・・・・）の範囲ではＱが低下する
ことを勘案するならば、上記特願昭６０−３１９６３の
特許請求の範囲に記載すべきＩ！２の範囲はｎＬ／２＋
３Ｌ／８＜ｌ２＜ｎＬ／２＋Ｌ／２に限定されるべきで
あろう。
以上、水晶基板を用いた２ポートＳＡＷ共振子について
のみ説明したが、圧電基板としては水晶以外のものでも
良く、又９本発明はＳＡＷ以外の他のＩＤＴによって励
撮される波１例えばリーキーＳＡＷ、５ＳＢＷ 等にも
適用可能であることは自明であろう。
のみ説明したが、圧電基板としては水晶以外のものでも
良く、又９本発明はＳＡＷ以外の他のＩＤＴによって励
撮される波１例えばリーキーＳＡＷ、５ＳＢＷ 等にも
適用可能であることは自明であろう。
（発明の効果）
本発明は以上説明したように構成するので。
高周波領域で安定な２ボー） ＳＡＷ共橡子の挿入損失
を小さくＬＱを高める上で著しい効果がある。
を小さくＬＱを高める上で著しい効果がある。
第１図は本発明に係る２ポー） ＳＡＷ共振子の電極構
成を示す平面図、第２図は従来の２ポートｓＡＷ共振子
のＩＤＴと反射器の位置関係を説明する断面図、第３図
は本発明のＩＤＴと反射器の位置関係を説明する断面図
、第４図は本発明に於ける入出力ＩＤＴの間隔の相違に
基づく共振特性の差異を示す実験結果の図である。 １・・・・・・・・・圧電基板、 ２・・・・・・
・・・入力ＩＤＴ。 ３・・・・・・・・・出力ＩＤＴ、 ４．４’・
・・・・・・・・反射器、 ５・・・・・・・・・
反射器の反射面。 特許出願人 東洋通信機株式会社 第 １ 図 気１１．λＴ”２Ｌ ７Ｌ−１ρ２−１Ｌ 第 ２ 図 な ３４′−一〜
−−一一一 乃桝此蝿Ａ 東１梢栴軒炊 手続補正書 昭和６２年 ８月２８０ １、事件の表示 昭和６２年 特 許 願第１１９３９４号２発明の
名称 郵便吊号２５３−０１ 電話０４６７−７．１〜
＋１３１（代♂く）５、 補正により増加する発明の数
なし６ 補正の対象 願書に添付した明細書の「発明
の別紙の通シ 補正の内容 １、明細書の発明の詳細な説明第５頁第１４行目ｒ図に
示す如く・・・−・・・：・、１３＝３Ｌ／４の場合」
との記載を ｒ図に示す如く・・・・・・・・・、１２＝３Ｌ／４の
場合」 と補正する。 ２、明細書の発明の詳細な説明第６頁下段の表を下記の
如く補正する。
成を示す平面図、第２図は従来の２ポートｓＡＷ共振子
のＩＤＴと反射器の位置関係を説明する断面図、第３図
は本発明のＩＤＴと反射器の位置関係を説明する断面図
、第４図は本発明に於ける入出力ＩＤＴの間隔の相違に
基づく共振特性の差異を示す実験結果の図である。 １・・・・・・・・・圧電基板、 ２・・・・・・
・・・入力ＩＤＴ。 ３・・・・・・・・・出力ＩＤＴ、 ４．４’・
・・・・・・・・反射器、 ５・・・・・・・・・
反射器の反射面。 特許出願人 東洋通信機株式会社 第 １ 図 気１１．λＴ”２Ｌ ７Ｌ−１ρ２−１Ｌ 第 ２ 図 な ３４′−一〜
−−一一一 乃桝此蝿Ａ 東１梢栴軒炊 手続補正書 昭和６２年 ８月２８０ １、事件の表示 昭和６２年 特 許 願第１１９３９４号２発明の
名称 郵便吊号２５３−０１ 電話０４６７−７．１〜
＋１３１（代♂く）５、 補正により増加する発明の数
なし６ 補正の対象 願書に添付した明細書の「発明
の別紙の通シ 補正の内容 １、明細書の発明の詳細な説明第５頁第１４行目ｒ図に
示す如く・・・−・・・：・、１３＝３Ｌ／４の場合」
との記載を ｒ図に示す如く・・・・・・・・・、１２＝３Ｌ／４の
場合」 と補正する。 ２、明細書の発明の詳細な説明第６頁下段の表を下記の
如く補正する。
Claims (2)
- （１）圧電基板表面に周期Ｌの入出力インタディジタル
トランスジューサ（ＩＤＴ）電極を設けその両側に反射
器を配した２ポート弾性表面波（ＳＡＷ）共振子に於い
て、前記入出力ＩＤＴと前記反射器との間の距離ｌ＿１
を ｌ＿１＝ｍＬ／２（ｍ＝１、２、３、・・・・・・）と
し、且つ、前記入出力ＩＤＴ間の距離ｌ＿２をｎＬ／２
＋Ｌ／４＜ｌ＿２＜ｎＬ／２＋３Ｌ／８（ｎ＝０、１、
２、・・・・・・）としたことを特徴とする２ポートＳ
ＡＷ共振子。 - （２）前記ｎの値が１乃至４であることを特徴とする特
許請求の範囲（１）記載の２ポートＳＡＷ共振子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62119394A JP2850122B2 (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | ２ポートｓａｗ共振子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62119394A JP2850122B2 (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | ２ポートｓａｗ共振子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63283309A true JPS63283309A (ja) | 1988-11-21 |
| JP2850122B2 JP2850122B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=14760411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62119394A Expired - Lifetime JP2850122B2 (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | ２ポートｓａｗ共振子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2850122B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0685605A (ja) * | 1992-07-17 | 1994-03-25 | Nec Corp | 弾性表面波フィルタ |
| US5392013A (en) * | 1992-07-17 | 1995-02-21 | Nec Corporation | Surface acoustic wave filter capable of widening a bandwidth |
| US5703427A (en) * | 1993-03-19 | 1997-12-30 | Thomson-Csf | Surface-wave distributed acoustic reflection transducer and filter including such a transducer |
| US5909157A (en) * | 1994-10-31 | 1999-06-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Surface acoustic wave filter device and transducer therefor having unidirectional and bidirectional structures |
| WO2012158889A1 (en) * | 2011-05-19 | 2012-11-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Piezoelectric resonators with configurations having no ground connections to enhance electromechanical coupling |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61192112A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-26 | Nec Corp | 弾性表面波装置 |
| JPS6230413A (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-09 | Toshiba Corp | 弾性表面波共振子装置 |
-
1987
- 1987-05-15 JP JP62119394A patent/JP2850122B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61192112A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-26 | Nec Corp | 弾性表面波装置 |
| JPS6230413A (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-09 | Toshiba Corp | 弾性表面波共振子装置 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0685605A (ja) * | 1992-07-17 | 1994-03-25 | Nec Corp | 弾性表面波フィルタ |
| US5392013A (en) * | 1992-07-17 | 1995-02-21 | Nec Corporation | Surface acoustic wave filter capable of widening a bandwidth |
| US5703427A (en) * | 1993-03-19 | 1997-12-30 | Thomson-Csf | Surface-wave distributed acoustic reflection transducer and filter including such a transducer |
| US5909157A (en) * | 1994-10-31 | 1999-06-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Surface acoustic wave filter device and transducer therefor having unidirectional and bidirectional structures |
| US6127904A (en) * | 1994-10-31 | 2000-10-03 | Ngk Insulators, Ltd. | Surface acoustic wave filter having unidirectional and bidirectional transducers |
| WO2012158889A1 (en) * | 2011-05-19 | 2012-11-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Piezoelectric resonators with configurations having no ground connections to enhance electromechanical coupling |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2850122B2 (ja) | 1999-01-27 |
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