JPS63281377A - 高周波加熱装置 - Google Patents
高周波加熱装置Info
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- JPS63281377A JPS63281377A JP62117342A JP11734287A JPS63281377A JP S63281377 A JPS63281377 A JP S63281377A JP 62117342 A JP62117342 A JP 62117342A JP 11734287 A JP11734287 A JP 11734287A JP S63281377 A JPS63281377 A JP S63281377A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/64—Heating using microwaves
- H05B6/647—Aspects related to microwave heating combined with other heating techniques
- H05B6/6488—Aspects related to microwave heating combined with other heating techniques combined with induction heating
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- Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
- Electric Ovens (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高周波誘電加熱を利用した電子レンジと、高周
波誘導加熱を利用した電磁調理器を一体化した新しい高
周波加熱装置に関するものである。
波誘導加熱を利用した電磁調理器を一体化した新しい高
周波加熱装置に関するものである。
従来の技術
高周波誘導加熱と高周波誘電加熱を一体化した高周波加
熱装置としては、例えば第６図のような回路構成を取る
ことによシ実現できる。第６図において商用周波数の電
源１２、整流器１７とインダクタンス１３とコンデンサ
ー１４よりなる平滑回路１８、スイッチング素子１６と
コンデンサー１５よりなるインバータ回路１９、スイッ
チング素子１６のＯＮ、ＯＦＦ制御をする制御ドライブ
回路２０によシ発生した数十ＫＨｚの高周波電圧は、誘
導加熱用の励磁コイル８、もしくは誘電加熱のマイクＯ
波発生源であるマグネトロン１の昇圧ト３ｔ、−； ランス１ｏのｂずれかに印加され、その切替はスイッチ
１１で行なわれる構成となっている。
熱装置としては、例えば第６図のような回路構成を取る
ことによシ実現できる。第６図において商用周波数の電
源１２、整流器１７とインダクタンス１３とコンデンサ
ー１４よりなる平滑回路１８、スイッチング素子１６と
コンデンサー１５よりなるインバータ回路１９、スイッ
チング素子１６のＯＮ、ＯＦＦ制御をする制御ドライブ
回路２０によシ発生した数十ＫＨｚの高周波電圧は、誘
導加熱用の励磁コイル８、もしくは誘電加熱のマイクＯ
波発生源であるマグネトロン１の昇圧ト３ｔ、−； ランス１ｏのｂずれかに印加され、その切替はスイッチ
１１で行なわれる構成となっている。
この種の高周波加熱装置としては、誘導加熱用の励磁コ
イルを誘電加熱用の加熱室内に設け、加熱室を誘導加熱
と誘電加熱の両方式に使える構成が最も望捷しい。しか
るに励磁コイルは加熱室内にそのまま配置すると、励磁
コイル巻線が誘電加熱時にマイクロ波によ）加熱される
と共に、コイルの線間で放電したりしてその絶縁皮膜が
損傷する他、励磁コイルから下方への磁気漏洩を防止す
る目的で使用するフェライトコアもマイクロ波を吸収し
て発熱し、実用に耐えない。
イルを誘電加熱用の加熱室内に設け、加熱室を誘導加熱
と誘電加熱の両方式に使える構成が最も望捷しい。しか
るに励磁コイルは加熱室内にそのまま配置すると、励磁
コイル巻線が誘電加熱時にマイクロ波によ）加熱される
と共に、コイルの線間で放電したりしてその絶縁皮膜が
損傷する他、励磁コイルから下方への磁気漏洩を防止す
る目的で使用するフェライトコアもマイクロ波を吸収し
て発熱し、実用に耐えない。
励磁コイルを加熱室内に配置してもマイクロ波により発
熱や、放電によシ損傷を受けないようにする方法として
は第６図に示すように励磁コイル巻線８ａ及びフェライ
トコア２３をアルミ板のような非磁性体金属によりなる
シールドカバー２６及びシールドカバー２８によシ覆う
と共に、シールドカバー２６については、励磁コイル巻
線により発生する誘導電流によるジュール損の発生を防
止するため、発生する誘導電流と略直角方向、従って放
射状の多数のスリット孔２９を設ける構成が考えられる
。
熱や、放電によシ損傷を受けないようにする方法として
は第６図に示すように励磁コイル巻線８ａ及びフェライ
トコア２３をアルミ板のような非磁性体金属によりなる
シールドカバー２６及びシールドカバー２８によシ覆う
と共に、シールドカバー２６については、励磁コイル巻
線により発生する誘導電流によるジュール損の発生を防
止するため、発生する誘導電流と略直角方向、従って放
射状の多数のスリット孔２９を設ける構成が考えられる
。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記第６図に示すような構成にした場合
、シールドカバーＡ２６は金属板で構成しているため、
スリット孔２９を設けておいても、誘導電流発生に伴な
うジュール損と発熱の低減には限度があった。
、シールドカバーＡ２６は金属板で構成しているため、
スリット孔２９を設けておいても、誘導電流発生に伴な
うジュール損と発熱の低減には限度があった。
本発明は、かかる従来の問題を解消するもので、励磁コ
イルをマイクロ波からシールドすると同時に、誘導電流
による損失とこれに伴なう発熱をほとんど発生しない励
磁コイルのシールドカバーの実現を可能ならしめること
を目標としたものである。
イルをマイクロ波からシールドすると同時に、誘導電流
による損失とこれに伴なう発熱をほとんど発生しない励
磁コイルのシールドカバーの実現を可能ならしめること
を目標としたものである。
問題点を解決するだめの手段
上記問題を解決するために、本発明の高周波加熱装置は
、誘電加熱用の加熱室内に設ける誘導加熱用の励磁コイ
ルを、アルミ等の非磁性体金属箔からなるハニカムコア
でその一部あるいは全てを構成したシールドカバーで覆
ったものである。
、誘電加熱用の加熱室内に設ける誘導加熱用の励磁コイ
ルを、アルミ等の非磁性体金属箔からなるハニカムコア
でその一部あるいは全てを構成したシールドカバーで覆
ったものである。
作 用
本発明は、励磁コイルのシールドカバーにアルミハニカ
ムコアを用因ることにより、数十ＫＨｚの誘導加熱用高
周波磁界はほとんど透過し、一方２４５０ＭＨｚの誘電
加熱用の高周波電磁界（マイクロ波）は、１１とんど誘
過しないので、励磁コイル巻線とフェライトコアをマイ
クロ波による加熱や放電から守ると共に、誘導加熱時に
誘導電流によるジュール損をほとんど発生しないため、
効、率と信頼性を大巾に向上することが出来る。
ムコアを用因ることにより、数十ＫＨｚの誘導加熱用高
周波磁界はほとんど透過し、一方２４５０ＭＨｚの誘電
加熱用の高周波電磁界（マイクロ波）は、１１とんど誘
過しないので、励磁コイル巻線とフェライトコアをマイ
クロ波による加熱や放電から守ると共に、誘導加熱時に
誘導電流によるジュール損をほとんど発生しないため、
効、率と信頼性を大巾に向上することが出来る。
実施例
以下本発明の実施例を添付図面にもとすいて説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は前記実施
例の要部すなわち励磁コイルの詳細図である。第１図に
おいて、マグネトロン１で発生したマイクロ波（高周波
電磁界）は導波管２、回転アンテナ３を通じて加熱室６
内に放射される。
例の要部すなわち励磁コイルの詳細図である。第１図に
おいて、マグネトロン１で発生したマイクロ波（高周波
電磁界）は導波管２、回転アンテナ３を通じて加熱室６
内に放射される。
回転アンテナ３．′ハ、特開昭６０−１３０．）９４号
公報にあるような略扇形形状となっておフ、モー６ベー
／ り４によシ回転することによシ、誘電加熱の均一加熱化
が実現されている。
公報にあるような略扇形形状となっておフ、モー６ベー
／ り４によシ回転することによシ、誘電加熱の均一加熱化
が実現されている。
一方、励磁コイル８は回転アンテナ３のすぐ上に配置さ
れ、この励磁コイル８にほぼ接する位置に耐熱セラミッ
クス板等の誘電体材料よりなる仕切板９が配設されてい
る。この仕切板９は、加熱室６内底部に設けた回転アン
テナ３及び、励磁コイル８を保護すると共に、被加熱物
７の載置台としての機能もはたす。
れ、この励磁コイル８にほぼ接する位置に耐熱セラミッ
クス板等の誘電体材料よりなる仕切板９が配設されてい
る。この仕切板９は、加熱室６内底部に設けた回転アン
テナ３及び、励磁コイル８を保護すると共に、被加熱物
７の載置台としての機能もはたす。
ここでマグネトロン１を駆動する昇圧トランス及び励磁
コイル８への高周波電力の供給の仕方は、第５図を用い
て説明した従来技術の回路構成と基本的には同等であシ
、従ってその使用符号も共通の番号を使用している。
コイル８への高周波電力の供給の仕方は、第５図を用い
て説明した従来技術の回路構成と基本的には同等であシ
、従ってその使用符号も共通の番号を使用している。
第２図は、第１図を用いて説明した前記実施例の要部詳
細図で、本発明の基本部分である励磁コイル８の一実施
例の詳細構成が示されており、第２図（ａ）は破断面、
第２図（ｂ）は同図（ａ）に対応する平面図である。第
２図において励磁コイル８は、巻線を偏平に巻き回して
平板状に構成した励磁コイ７ 、、。
細図で、本発明の基本部分である励磁コイル８の一実施
例の詳細構成が示されており、第２図（ａ）は破断面、
第２図（ｂ）は同図（ａ）に対応する平面図である。第
２図において励磁コイル８は、巻線を偏平に巻き回して
平板状に構成した励磁コイ７ 、、。
層巻線８ａ、この励磁コイル巻線８ａの下面に設けた磁
気迦へい用のフェライトコア２３、上記の励磁コイル８
ａとフェライトコア２３の両方を上。
気迦へい用のフェライトコア２３、上記の励磁コイル８
ａとフェライトコア２３の両方を上。
下面からはさむように設けた穴あき円板状のアルミ・・
ニカムコア２１ａ、２１ｂと、さらにこれらアルミハニ
カムコア２１ａ、２１ｂの内周、外周両側に設けた、ア
ルミ等の非磁性金属板よりなるシールドリング２４ａ
、２４ｂから構成されている。ここでシールドリング２
４ａ、２４ｂは放射状に多数のスリット孔２５ａ、２５
ｂを有してお９、これはシールドリング２４ａ 、２４
ｂ上に発生する円周方向の誘導電流の流れを阻止し、発
熱による損失と温度上昇を防止するためのものである。
ニカムコア２１ａ、２１ｂと、さらにこれらアルミハニ
カムコア２１ａ、２１ｂの内周、外周両側に設けた、ア
ルミ等の非磁性金属板よりなるシールドリング２４ａ
、２４ｂから構成されている。ここでシールドリング２
４ａ、２４ｂは放射状に多数のスリット孔２５ａ、２５
ｂを有してお９、これはシールドリング２４ａ 、２４
ｂ上に発生する円周方向の誘導電流の流れを阻止し、発
熱による損失と温度上昇を防止するためのものである。
第３図は上記アルミハニカムコア２１の構造の詳細を説
明するためのもので、第３図（ａ）はアルミ−・ニカム
コアの一部を略長方形に切シ出したものの斜視図、第３
スル）はアルミハニカムコアを形成するセル（単位構造
）一つの拡大図である。ノーニカムコアは第３図（ｂ）
の拡大図から理解されるように、アルミ箔をはシ合せて
六角形のセルを構成し、これを多数に連続して出来てい
る。非常に軽量１（もかかわらず、相当の機械強度を持
たせることが出来るので、航空機の構造体として使用さ
れる他、通気性を保ったままで、電磁波の遮蔽性能を得
られるので、電磁波遮蔽用シールドルームの換気口等に
広く用いられているものである。本実施例の場合、ハニ
カムコア２１ ａ 、 ２１ ｂに使用されるアルミ箔
の箔厚Ｓは、誘導加熱に使用される高周波、例えば２０
ＫＨｚでのアルミの浸透深さｏ、ｅｍｍのに以下の厚
みのものを使用している。セルサイズＤと、ハニカムコ
ア２１ａ、２１ｂのコア高すＴは、誘電加熱に使用する
２ ４５０ＭＨｚの電波を十分遮蔽できる程度に、かつ
励磁コイル巻線２８ａと被加熱物７と距離が誘導加熱可
能な範囲内に収−まるようなコア高さＴも考慮して決定
されるが、本実施例の場合、コア高さＴは２１ａ、２１
ｂ共に１．１５ｍｍ、セルサイズＤは３印程度の値とな
っている。
明するためのもので、第３図（ａ）はアルミ−・ニカム
コアの一部を略長方形に切シ出したものの斜視図、第３
スル）はアルミハニカムコアを形成するセル（単位構造
）一つの拡大図である。ノーニカムコアは第３図（ｂ）
の拡大図から理解されるように、アルミ箔をはシ合せて
六角形のセルを構成し、これを多数に連続して出来てい
る。非常に軽量１（もかかわらず、相当の機械強度を持
たせることが出来るので、航空機の構造体として使用さ
れる他、通気性を保ったままで、電磁波の遮蔽性能を得
られるので、電磁波遮蔽用シールドルームの換気口等に
広く用いられているものである。本実施例の場合、ハニ
カムコア２１ ａ 、 ２１ ｂに使用されるアルミ箔
の箔厚Ｓは、誘導加熱に使用される高周波、例えば２０
ＫＨｚでのアルミの浸透深さｏ、ｅｍｍのに以下の厚
みのものを使用している。セルサイズＤと、ハニカムコ
ア２１ａ、２１ｂのコア高すＴは、誘電加熱に使用する
２ ４５０ＭＨｚの電波を十分遮蔽できる程度に、かつ
励磁コイル巻線２８ａと被加熱物７と距離が誘導加熱可
能な範囲内に収−まるようなコア高さＴも考慮して決定
されるが、本実施例の場合、コア高さＴは２１ａ、２１
ｂ共に１．１５ｍｍ、セルサイズＤは３印程度の値とな
っている。
次に第４図に従って、上記実施例の作用につい９へ−２
て説明する。第４図（ａ）は、励磁コイル巻線８ａとこ
の励磁コイル巻線８ａによ多発生される高周波磁界を示
す磁力線３１、この高周波磁界によ多発生する誘導電流
で加熱される金属性の被加熱物７、」二記高周波磁界の
下面への漏洩を遮蔽するフェライトコア２３、そして励
磁コイル巻線が誘電加熱用の高周波すなわち２４５０Ｍ
Ｈｚのマイクロ波により加熱されたシ、放電を発生した
シするのを防ぐだめのアルミハニカムコア２１ａの相互
の位置関係を示している。今励磁コイル巻線８ａと、被
加熱物７との間に介在するハニカムコア２１ａは、その
セルサイズＤが誘電加熱に使用される２４５゜ＭＨｚ
の高周波電磁界（マイクロ波）の波長に対し十分小さ
いため、一つ一つのセルが導波管と見なせるため、導波
管のカット・オフ現象と同じ効果によシ、高いシールド
効果（２４５０ＭＨ２に対して）が得られる。一方誘導
加熱に使用される２０ＫＨｚの高周波磁界３１とアルミ
ノ・ニカム２１ａとの関係は、第４図（、）に示されて
お勺、第４図（ｂ）はアルミハニカム２１ａと磁力線３
１との関係を拡１０ ベーン 大して示したもので、高周波磁界の磁力線３１はハニカ
ムコア２１を構成するセルの管軸方向と略平行になって
いる。
の励磁コイル巻線８ａによ多発生される高周波磁界を示
す磁力線３１、この高周波磁界によ多発生する誘導電流
で加熱される金属性の被加熱物７、」二記高周波磁界の
下面への漏洩を遮蔽するフェライトコア２３、そして励
磁コイル巻線が誘電加熱用の高周波すなわち２４５０Ｍ
Ｈｚのマイクロ波により加熱されたシ、放電を発生した
シするのを防ぐだめのアルミハニカムコア２１ａの相互
の位置関係を示している。今励磁コイル巻線８ａと、被
加熱物７との間に介在するハニカムコア２１ａは、その
セルサイズＤが誘電加熱に使用される２４５゜ＭＨｚ
の高周波電磁界（マイクロ波）の波長に対し十分小さ
いため、一つ一つのセルが導波管と見なせるため、導波
管のカット・オフ現象と同じ効果によシ、高いシールド
効果（２４５０ＭＨ２に対して）が得られる。一方誘導
加熱に使用される２０ＫＨｚの高周波磁界３１とアルミ
ノ・ニカム２１ａとの関係は、第４図（、）に示されて
お勺、第４図（ｂ）はアルミハニカム２１ａと磁力線３
１との関係を拡１０ ベーン 大して示したもので、高周波磁界の磁力線３１はハニカ
ムコア２１を構成するセルの管軸方向と略平行になって
いる。
一般に金属に代表される導電体は、磁性体、非磁性体に
かかわらず交流磁界が印加されると、誘導電流が発生す
るがその誘導電流が表面から浸透する深さは有限で、電
流密度工が、表面電流密度工。
かかわらず交流磁界が印加されると、誘導電流が発生す
るがその誘導電流が表面から浸透する深さは有限で、電
流密度工が、表面電流密度工。
の１ ／ｅ になる深さを、浸透深さと呼びδ（ｍ ）
とし、導電体の固有抵抗をρ（Ω、ｍ）、周波数をｆ
（Ｈ２）１比透磁率をμｒとすると、δ−ＪフＷｉ−と
なる。
とし、導電体の固有抵抗をρ（Ω、ｍ）、周波数をｆ
（Ｈ２）１比透磁率をμｒとすると、δ−ＪフＷｉ−と
なる。
この浸透深さδを用めて、表面からＸの位置の導体中の
電流密度工は、表面での電流密度を工。とじて、 Ｉ＝Ｉｅ−φ ・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・（１）で表わされる。例えば導電
体をアルミとすると２０ＫＨｚでの浸透深さは、０．６
ｍｍ程度となる。又誘起される電流の向きは、磁界（磁
力線３１）の向きに垂直方向となる。
電流密度工は、表面での電流密度を工。とじて、 Ｉ＝Ｉｅ−φ ・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・（１）で表わされる。例えば導電
体をアルミとすると２０ＫＨｚでの浸透深さは、０．６
ｍｍ程度となる。又誘起される電流の向きは、磁界（磁
力線３１）の向きに垂直方向となる。
さて第４図（Ｃ）は、ハニカムコアを形成する厚さＳの
アルミ箔とこれ如平行に加わる交番磁界の磁１１ ヶ−
７ 力線３１及びアルミ箔中に誘起される誘導電流の様子を
説明するためのものである。アルミ箔中に誘導される電
流は、（１）式で示されるように表面から指数関数的に
減少するが、その方向は磁界に垂直で、かつ箔の裏表で
互いに逆方向の電流密度工、。
アルミ箔とこれ如平行に加わる交番磁界の磁１１ ヶ−
７ 力線３１及びアルミ箔中に誘起される誘導電流の様子を
説明するためのものである。アルミ箔中に誘導される電
流は、（１）式で示されるように表面から指数関数的に
減少するが、その方向は磁界に垂直で、かつ箔の裏表で
互いに逆方向の電流密度工、。
Ｉｂ を有している。ところで、アルミハニカム２１を
構成するアルミ箔の厚さＳは、浸透深さδ＝０．６ｍｍ
より十分小さな値、例えば、０．０２ｍｍを選んでいれ
ば、箔の裏表対称で、逆方向に誘起される電流密度Ｉ、
、Ｉｂが互いに打ち消し合って、実際に流れる電流密度
工は、工、とよりの差となる。そして磁界に平行に置か
れたこうしたアルミ箔中に誘起される電流は、厚みが実
施例のように浸透深さδのに以下の十分小さい場合、は
とんど無視でなる程度となる。
構成するアルミ箔の厚さＳは、浸透深さδ＝０．６ｍｍ
より十分小さな値、例えば、０．０２ｍｍを選んでいれ
ば、箔の裏表対称で、逆方向に誘起される電流密度Ｉ、
、Ｉｂが互いに打ち消し合って、実際に流れる電流密度
工は、工、とよりの差となる。そして磁界に平行に置か
れたこうしたアルミ箔中に誘起される電流は、厚みが実
施例のように浸透深さδのに以下の十分小さい場合、は
とんど無視でなる程度となる。
従って、アルミハニカム２１は、被加熱物７と励磁コイ
ル巻線８ａとの間に介在されているＫもかかわらず、誘
導加熱に使用する２０ＫＨｚの高周波磁界に対しては、
はとんど損失を発生せず、一方で誘電加熱に使用される
２ ４５０ＭＨｚの高周波電磁界（マイクロ波）から、
励磁コイル巻線８ａをマイクロ波からシールド（保護）
するという役割を果す。
ル巻線８ａとの間に介在されているＫもかかわらず、誘
導加熱に使用する２０ＫＨｚの高周波磁界に対しては、
はとんど損失を発生せず、一方で誘電加熱に使用される
２ ４５０ＭＨｚの高周波電磁界（マイクロ波）から、
励磁コイル巻線８ａをマイクロ波からシールド（保護）
するという役割を果す。
さらに下面のアルミハニカムコア２１ｂについては、フ
ェライトコア２３も含めて覆っているため、フェライト
コア２３がマイクロ波を吸収して発熱するという問題も
解消できる。
ェライトコア２３も含めて覆っているため、フェライト
コア２３がマイクロ波を吸収して発熱するという問題も
解消できる。
以上の説明で、ハニカムを構成する金属箔としては、ア
ルミ箔を前提として説明して来たが、その働きはアルミ
に限定されるものであることは当然である。ただ発生し
た高周波磁界に対して分流路を出来るだけ形成しないと
いう目的のために非磁性体金属の方がよシ望ましい。
ルミ箔を前提として説明して来たが、その働きはアルミ
に限定されるものであることは当然である。ただ発生し
た高周波磁界に対して分流路を出来るだけ形成しないと
いう目的のために非磁性体金属の方がよシ望ましい。
又実施例では、アルミハニカムコアを励磁コイル巻線の
上、下面に使用し、内周と外周についてはアルミ等の非
磁性体金属で構成しだが、ハニカムコアを使用する範囲
が本実施例に限定されないことは当然である。
上、下面に使用し、内周と外周についてはアルミ等の非
磁性体金属で構成しだが、ハニカムコアを使用する範囲
が本実施例に限定されないことは当然である。
又ハニカムの持つ通気性、軽量性といった特徴も有効に
働き、特に通気性については、励磁コイ１３Ａ 。
働き、特に通気性については、励磁コイ１３Ａ 。
層巻線８ａの温度上昇を抑える冷却効果を発揮するもの
である。
である。
発明の効果
以上のように本発明によれば、次の効果か得られる。
（１）励磁コイル巻線を、金属箔よりなるハニカムコア
で覆っているため、マイクロ波による励磁コイル巻線の
発熱、放電を防止できると共に、励磁コイル巻線によ多
発生される、誘導加熱用の高周波磁界は、はとんど減衰
されることなく、被加熱物に達するため、誘導加熱時の
励磁コイルの発熱を抑えることが出来ると其処、加熱効
率も高く保つことが可能となる。
で覆っているため、マイクロ波による励磁コイル巻線の
発熱、放電を防止できると共に、励磁コイル巻線によ多
発生される、誘導加熱用の高周波磁界は、はとんど減衰
されることなく、被加熱物に達するため、誘導加熱時の
励磁コイルの発熱を抑えることが出来ると其処、加熱効
率も高く保つことが可能となる。
（２）さらに、ハニカムコアは、当然の事ながら通気性
を有しているので、励磁コイルの空冷にも有効に働き、
励磁コイルからの放熱が有効に行なわれるという効果も
ある。
を有しているので、励磁コイルの空冷にも有効に働き、
励磁コイルからの放熱が有効に行なわれるという効果も
ある。
（３）ハニカムコアは、励磁コイル巻線の下部に設けた
、磁気遮蔽用のフェライトコアも含めて覆っているので
、フェライトコアがマイクロ波１４ べ−７ を吸収して発熱するとＡう問題も解消することができる
。
、磁気遮蔽用のフェライトコアも含めて覆っているので
、フェライトコアがマイクロ波１４ べ−７ を吸収して発熱するとＡう問題も解消することができる
。
以上のような効果によシ、従来はとんど実用的でないと
考えられた、誘電加熱用の加熱室内に誘導加熱用の励磁
コイルを設けた、誘電、誘導両加熱方式可能な高周波加
熱装置を実現可能としたものである。
考えられた、誘電加熱用の加熱室内に誘導加熱用の励磁
コイルを設けた、誘電、誘導両加熱方式可能な高周波加
熱装置を実現可能としたものである。
第１図は本発明の一実施例における高周波加熱装置の断
面図、第２図（、） 、 （ｂ）は同励磁コイルの一部
切欠側面図および一部切欠平面図、第３図（ａ）。 （ロ）は、同励磁コイルを構成するアルミノ・ニカムコ
アの要部斜視図および拡大平面図、第４図（ａ）〜（Ｃ
）は同動作説明図、第５図は誘電加熱と誘導加熱の両加
熱方式を選択可能とした一般的な高周波加熱装置の回路
図、第６図（ａ） Ｆ （ｂ）は従来提案されている加
熱室内に配置される励磁コイルの断面図および一部切欠
平面図である。 １・・・・・・マグネトロン、３・・・・・・回転アン
テナ、７・・・・・・被加熱物、８・・・・・・励磁コ
イル、９・・・・・・仕切板。 第３図 第４図 第５図 第６図
面図、第２図（、） 、 （ｂ）は同励磁コイルの一部
切欠側面図および一部切欠平面図、第３図（ａ）。 （ロ）は、同励磁コイルを構成するアルミノ・ニカムコ
アの要部斜視図および拡大平面図、第４図（ａ）〜（Ｃ
）は同動作説明図、第５図は誘電加熱と誘導加熱の両加
熱方式を選択可能とした一般的な高周波加熱装置の回路
図、第６図（ａ） Ｆ （ｂ）は従来提案されている加
熱室内に配置される励磁コイルの断面図および一部切欠
平面図である。 １・・・・・・マグネトロン、３・・・・・・回転アン
テナ、７・・・・・・被加熱物、８・・・・・・励磁コ
イル、９・・・・・・仕切板。 第３図 第４図 第５図 第６図
Claims (3)
- （１）マイクロ波が照射される加熱室と、前記マイクロ
波を発生するマグネトロンと、このマグネトロンに電力
を供給する昇圧トランスと、前記加熱室内に設けられた
誘導加熱用の励磁コイルと、前記昇圧トランス及び前記
励磁コイルに電力を供給する高周波インバータ回路とを
具備し、前記励磁コイルは金属箔よりなるハニカムコア
で一部あるいは全てを覆った高周波数加熱装置。 - （２）励磁コイルは巻線を偏平に巻き回して平板状に構
成して、加熱室底面に略平行に配置すると共に、励磁コ
イルの下面に磁気遮へい用のフェライトコアを設け、こ
のフェライトコアも含めて、励磁コイルを金属箔よりな
るハニカムコアで一部あるいは全てを覆った特許請求の
範囲第１項記載の高周波加熱装置。 - （３）ハニカムコアを構成する金属箔は、アルミ等の非
磁性体金属とし、その厚みはその金属の浸透深さの略１
／１０以下とした特許請求の範囲第１項または第２項記
載の高周波加熱装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62117342A JPH0812792B2 (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 高周波加熱装置 |
| CA000566797A CA1309752C (en) | 1987-05-14 | 1988-05-13 | Stationary induction apparatus |
| KR1019880005644A KR910003967B1 (ko) | 1987-05-14 | 1988-05-14 | 정지유도기기 |
| EP88107785A EP0291093B1 (en) | 1987-05-14 | 1988-05-14 | Stationary induction apparatus |
| DE3853695T DE3853695T2 (de) | 1987-05-14 | 1988-05-14 | Feststehender Induktionsapparat. |
| US07/540,870 US5025489A (en) | 1987-05-14 | 1990-06-19 | Transformer having shielding wall for driving a magnetron |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62117342A JPH0812792B2 (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 高周波加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63281377A true JPS63281377A (ja) | 1988-11-17 |
| JPH0812792B2 JPH0812792B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=14709331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62117342A Expired - Fee Related JPH0812792B2 (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 高周波加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0812792B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0356009A (ja) * | 1989-07-20 | 1991-03-11 | Arutetsuku Kk | フラットケーブルの敷設法及びこの敷設法に用いられるフラットケーブル |
| US5698125A (en) * | 1995-05-09 | 1997-12-16 | Lg Electronics Inc. | Microwave oven in combination with induction heating cooker |
| US6147336A (en) * | 1998-02-26 | 2000-11-14 | Japanese Research And Development Association For Application Of Electronic Technology In Food Industry | Induction heaters for heating food, fluids or the like |
| US11665793B2 (en) * | 2020-02-24 | 2023-05-30 | Lg Electronics Inc. | Cooking appliance |
-
1987
- 1987-05-14 JP JP62117342A patent/JPH0812792B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0356009A (ja) * | 1989-07-20 | 1991-03-11 | Arutetsuku Kk | フラットケーブルの敷設法及びこの敷設法に用いられるフラットケーブル |
| US5698125A (en) * | 1995-05-09 | 1997-12-16 | Lg Electronics Inc. | Microwave oven in combination with induction heating cooker |
| US6147336A (en) * | 1998-02-26 | 2000-11-14 | Japanese Research And Development Association For Application Of Electronic Technology In Food Industry | Induction heaters for heating food, fluids or the like |
| US11665793B2 (en) * | 2020-02-24 | 2023-05-30 | Lg Electronics Inc. | Cooking appliance |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0812792B2 (ja) | 1996-02-07 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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