JPS63279228A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

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JPS63279228A
JPS63279228A JP62112588A JP11258887A JPS63279228A JP S63279228 A JPS63279228 A JP S63279228A JP 62112588 A JP62112588 A JP 62112588A JP 11258887 A JP11258887 A JP 11258887A JP S63279228 A JPS63279228 A JP S63279228A
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liquid crystal
electrode
crystal display
display device
electrodes
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Tamahiko Nishiki
玲彦 西木
Miyuki Mochizuki
望月 みゆき
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To prevent the generation of a domain phenomenon by forming an insulating plate having a flat surface on a picture element electrode base and forming picture element electrodes to be connected to a switching element through a contact hole on the surface of the insulating layer. CONSTITUTION:The insulating layer 57 for flatting a step difference due to the switching element 15 or the like is formed and the picture electrodes 51a, 51b are formed on the surface of the layer 57. Consequently, the generation of a domain phenomenon can be prevented. In addition, the electrodes 51 can be formed up to the upper area of source and gate electrodes 11, 13 by covering the element 15 and the source and gate electrodes 11, 13 with the layer 57. Thereby, an electric separation area is formed between picture element electrodes in which the domain phenomenon may be easily generated and to interrupt the domain phenomenon generated by the curve of lines of electric force by means of the electrode 11. Consequently, the domain phenomenon is not easily generated, and even if it is generated, its generation is not easily observed to improve contrast characteristics and visual field angle characteristics.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は液晶表示装置に閉するもので、特に液晶の配
向の不具合によって庄する表示品質の悪化を防止するこ
とが可能な液晶表示装置に関するものである。
Detailed Description of the Invention (Field of Industrial Application) The present invention relates to a liquid crystal display device, and particularly relates to a liquid crystal display device capable of preventing deterioration in display quality caused by poor alignment of liquid crystals. It is something.

(従来の技術) 液晶表示装置はCRTに代るフラットパネルディスプレ
イの一つとしで期待されている。さらに、液晶表示装置
は、発光を利用した他のli*の表示装置に比し消費電
力が極端に少ないため、電池駆動の小型の表示装置例え
ば超小型テレビ等に適していることから、この分野にお
いても研究が盛んに行なわれている。又、液晶パネルと
、カラーフィルクーとを組み合わせることによって鮮や
かなカラー表示が可能になることから、カラー表示化の
研究がなされ一部は実用化されている。
(Prior Art) Liquid crystal display devices are expected to be used as a flat panel display to replace CRTs. Furthermore, since liquid crystal display devices consume extremely less power than other LI* display devices that use light emission, they are suitable for small battery-powered display devices such as ultra-compact televisions, and are therefore popular in this field. There is also a lot of research going on. Furthermore, since vivid color display is possible by combining a liquid crystal panel and a color filter, research has been conducted into color display, and some of them have been put into practical use.

このような液晶表示袋Mを駆動する方法としては種々の
ものが考えられるが、近年主Iこ行なわれている方法は
アクティブマトリクス駆動法であるといえる。
Although various methods can be considered for driving such a liquid crystal display bag M, the method that has been mainly used in recent years is the active matrix driving method.

このようなアクティブマトリクス!!l!動法に適した
型の液晶表示装置は良く知られているが、以下、第3図
〜第5図を参照して従来のこの種の液晶表示装貫の一般
的な構造につき簡単に説明する。
Such an active matrix! ! l! Although liquid crystal display devices of a type suitable for the dynamic method are well known, the general structure of a conventional liquid crystal display device of this type will be briefly explained below with reference to FIGS. 3 to 5. .

第3図は従来のアクティブマトリクス型の液晶表示装置
の、スイッチング素子が設けられた側の基板(画素電極
基板と称することもある。)上の各構成成分の配W関係
につき主に示す部分的平面図である。尚、この場合、ス
イッチング素子Im膜トランジスタ(TPT)とした例
で示しである。
FIG. 3 is a partial diagram mainly showing the W distribution relationship of each component on the substrate (sometimes referred to as a pixel electrode substrate) on which switching elements are provided in a conventional active matrix liquid crystal display device. FIG. In this case, an example is shown in which the switching element Im film transistor (TPT) is used.

第3図においで、11はデータ電極としてのソース電極
を示し、13は走査電極としてのゲート電極を示す、こ
れら電極は例えばガラス基板等の好適 。
In FIG. 3, reference numeral 11 indicates a source electrode as a data electrode, and reference numeral 13 indicates a gate electrode as a scanning electrode. These electrodes are preferably made of, for example, a glass substrate.

な基板上にマトリクス状に形成されている。又、これら
両電極が交差する領域にはTPTI5が形成されていで
、図中、17で示すものはこのTPTI5のトレイン電
極になる。このトレイン電極17には画素電極19(図
中、斜線を付して示しである)が接続されている。
are formed in a matrix on a substrate. Further, a TPTI 5 is formed in a region where these two electrodes intersect, and the one indicated by 17 in the figure becomes a train electrode of this TPTI 5. A pixel electrode 19 (shown with diagonal lines in the figure) is connected to the train electrode 17.

又、第4図は、第3図に示した画素電極基板を第3図に
示すI−I線に沿って切って概略的に示した断面図であ
る。尚、図面が複雑化することを回避するため、断面を
示すハ・ンチングを一部省略して示しである。
4 is a schematic cross-sectional view of the pixel electrode substrate shown in FIG. 3 taken along the line II shown in FIG. 3. FIG. Note that, in order to avoid complicating the drawings, some hatchings indicating the cross section are omitted from the illustration.

第4図において、21は基板としての例えばガラス基板
を示す、23はゲート絶縁膜を、25はアモルファスS
i膜を、27は保護膜をそれぞれ示す。
In FIG. 4, 21 indicates a glass substrate as a substrate, 23 indicates a gate insulating film, and 25 indicates an amorphous S.
27 represents a protective film.

又、第5図は第3図及び第4図を用いて説明した画素電
極基板と、共通電極を有する別途用意された他方の基板
(共通電極基板と称することもある)とを用いで構成さ
れた従来の液晶表示装置を概略的に示す断面図である。
Further, FIG. 5 is constructed using the pixel electrode substrate explained using FIGS. 3 and 4 and another separately prepared substrate having a common electrode (sometimes referred to as a common electrode substrate). 1 is a cross-sectional view schematically showing a conventional liquid crystal display device.

尚、第5図に示した液晶表示装置はカラー表示用のもの
の例である。
The liquid crystal display device shown in FIG. 5 is an example of a color display device.

又、この図も図面が複雑化することを回避するため、断
面を示すハツチングを一部省略しで示しである。
Also, in order to avoid complicating the drawing, hatching indicating the cross section is partially omitted from this figure.

第5図において、31は第二の基板を示す。この基板3
1上には基板側からカラー表示用カラーフィルター33
と、共通電極35とが順次に設けられでいる。又、図中
37で示すものは配向膜であり、画素電極基板21及び
共通電極基板31の互いの対向面にそれぞれ形成されて
いる。これら基板21及び31間には、液晶39が封入
されている。
In FIG. 5, 31 indicates the second substrate. This board 3
On top of 1 is a color filter 33 for color display from the board side.
and a common electrode 35 are sequentially provided. Moreover, what is indicated by 37 in the figure is an alignment film, which is formed on the mutually opposing surfaces of the pixel electrode substrate 21 and the common electrode substrate 31, respectively. A liquid crystal 39 is sealed between these substrates 21 and 31.

従来の液晶表示装置では、TPTI5、走査電極(ゲー
ト電極)13、又データ電極(ソース電極)15が形成
された領域は基板表面から突出しこのため凸部41が生
じてしまう、又、モノカラー表示の液晶表示装置の共通
電極では問題とはならないが、第5図に示したように共
通電極基板の液晶注入側にカラーフィルター33ヲ用い
た場合には、隣り合うカラーフィルター闇に凹部43が
生じてしまう、このように従来の液晶表示装置において
は、対向させた開基板のいずれか一方又は双方の液晶封
入領域側表面には、1〜2μm程度の段差が連続的にか
つ周期的に存在していた。
In the conventional liquid crystal display device, the region in which the TPTI 5, the scanning electrode (gate electrode) 13, and the data electrode (source electrode) 15 are formed protrudes from the substrate surface, resulting in the formation of a convex portion 41, and also monochrome display. This is not a problem with the common electrode of a liquid crystal display device, but when the color filter 33 is used on the liquid crystal injection side of the common electrode substrate as shown in FIG. As described above, in conventional liquid crystal display devices, steps of about 1 to 2 μm exist continuously and periodically on the surface of one or both of the open substrates facing each other on the liquid crystal filling region side. was.

又、第3図からも明らかなよう【こ、従来の液晶表示装
置では、画素電極19がソース電極11やゲート電極1
3と短絡しないように、画素電極とこれら電極とを離間
させる必要があった。
Also, as is clear from FIG. 3, in the conventional liquid crystal display device, the pixel electrode 19 is
It was necessary to space the pixel electrodes from these electrodes so as not to short-circuit them.

ところで、上述したようなアクティブマトリクス型の従
来の液晶表示装置においては、液晶分子の一部の分子が
、後述するような理由で所望の配向方向でない方向に配
向すること(以下、これをドメイン現象と称することに
する。)が起こり、これがため、表示品質が悪化するこ
とが生じでいた。
By the way, in the conventional active matrix type liquid crystal display device as described above, some of the liquid crystal molecules are oriented in a direction other than the desired alignment direction for reasons described below (hereinafter, this is referred to as a domain phenomenon). ) occurs, resulting in deterioration of display quality.

このようなドメイン現象を生じさせる原因の一つは基板
上に存在する上述したような段差と云える0例えば、T
PT部分が基板表面から2um程度突出して段差を構成
しているとする。液晶表示装置の種類によっても異なる
が、対向する基板間の距離は広くと510μm程度でし
かないから、基板上に上述の如<2um程度の段差があ
ると、段差が有る部分と無い部分とにおける液晶封入用
の空隙の寸法は結果的に異なったものになってしまう、
このような両部会のそれぞれの液晶分子の配向具合は互
いに異なったものになると思われ、これがため、ドメイ
ン現象が生じてしまう。
One of the causes of such a domain phenomenon is the above-mentioned level difference existing on the substrate. For example, T
It is assumed that the PT portion protrudes from the substrate surface by about 2 um to form a step. Although it varies depending on the type of liquid crystal display device, the distance between opposing substrates is only about 510 μm at the widest, so if there is a step on the substrate of about <2 μm as described above, there will be a difference between the part with the step and the part without the step. As a result, the dimensions of the cavity for filling the liquid crystal will be different.
It is thought that the orientation of the liquid crystal molecules in each of these two sections will be different from each other, and this will cause a domain phenomenon.

ドメイン現象を生じさせる他の原因としては電気力線の
曲りが考えられる。このこと(ごつき第6図を参照して
説明する。
Another possible cause of the domain phenomenon is the bending of electric lines of force. This will be explained with reference to FIG.

アクティブマトリクス型の液晶表示装置においては、多
数のゲート電極を順次に選択し、選択されたゲート電極
に所属する多数の画素のソース電極にデータ信号がそれ
ぞれ印加される。今、あるゲート電極に所属Tる多数の
画素を一つおきにオンさせ残りの画素をオフさせる場合
を考える。第6図は従来の液晶表示装置ヲこのように駆
動した場合の電気力線の様子を模式的に示した図であり
、共通電極37に対し画素電極19が正電位となるよう
にこの画素電極19に電圧を印加した場合を示しでいる
。駆動されているTPTの画素電極と、共通電極との間
には本来は画素電極19から共通電極37に向う電気力
線が生じるはずであるが、駆動されているTPTと、駆
動されていないTPTの画素電極との間にも不用な電気
力線(第6図中、41で示す電気力線の曲り)が生ずる
ものと思われる。この不用な電気力線が生じている領域
の液晶分子の配向方向は、正常な電気力線が生じている
領域での配向方向とは異なるものになるから、これによ
ってもドメイン現象が生じるものと思われる。このよう
な不用な電気力線はオン信号が印加されているデータ電
極に沿って並ぶオフ状態の画素電極の端部領域でも生じ
る。
In an active matrix type liquid crystal display device, a large number of gate electrodes are sequentially selected, and a data signal is applied to each source electrode of a large number of pixels belonging to the selected gate electrode. Now, consider a case where a large number of pixels T belonging to a certain gate electrode are turned on every other time and the remaining pixels are turned off. FIG. 6 is a diagram schematically showing the state of electric lines of force when a conventional liquid crystal display device is driven in this manner. The case where a voltage is applied to 19 is shown. Originally, electric lines of force from the pixel electrode 19 to the common electrode 37 should occur between the pixel electrode of the driven TPT and the common electrode, but between the driven TPT and the undriven TPT. It is thought that unnecessary lines of electric force (curved lines of electric force indicated by 41 in FIG. 6) are also generated between the pixel electrode and the pixel electrode. The alignment direction of liquid crystal molecules in the area where these unnecessary electric lines of force occur is different from the alignment direction in the area where normal electric lines of force occur, so this is also likely to cause the domain phenomenon. Seem. Such unnecessary electric lines of force also occur in the end regions of off-state pixel electrodes that line up along data electrodes to which on-signals are applied.

このようなドメイン現象を問題視しこれを解決するべ(
研究を行ない、その成果が示された文献としでは例えば
特開昭60−243633号公報がある。
This domain phenomenon should be viewed as a problem and solved (
An example of a document in which research has been conducted and the results thereof are presented is Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-243633.

この公報によれば、ドメイン現象が生じた後これを速く
消滅させるため、TFTのソース電極と、画素電極の辺
との間の隙間が可能な限り直線状になるようにしている
。ざらに、カラー表示用の液晶表示装置の場合であれば
、隣り合うカラーフィルタ間に生じる隙間を上述のソー
ス電極及びこのソース電極に近接するこのソース電極で
は駆動されない側の画素電極間の隙間に対向するように
位置あわせすることを行なっている。
According to this publication, in order to quickly eliminate the domain phenomenon after it occurs, the gap between the source electrode of the TFT and the side of the pixel electrode is made as straight as possible. Roughly speaking, in the case of a liquid crystal display device for color display, the gap created between adjacent color filters is replaced by the gap between the above-mentioned source electrode and the pixel electrode on the side that is not driven by this source electrode, which is close to this source electrode. They are aligned so that they face each other.

(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、上述したように、ソース電極と画素電極
との隙間を可能な限り直線状にすることは、液晶表示装
置の画素配列の自由度を損ねることになる。又、隙間同
士が正確に対向するように位言合せさせる1こはより正
確なアライメントが必要になるから製造工程上好ましい
ことではない。
(Problems to be Solved by the Invention) However, as described above, making the gap between the source electrode and the pixel electrode as straight as possible impairs the degree of freedom in pixel arrangement of the liquid crystal display device. . Further, alignment so that the gaps accurately face each other requires more accurate alignment, which is not preferable in terms of the manufacturing process.

又、電気力綿が曲った部分(第6図に41で示した部分
)でのドメイン現象に対しでは何等の対策もなされない
ことになり、この部分の液晶分子の配向の不具合によっ
て表示品質が損ねられることになる。
In addition, no countermeasures will be taken against the domain phenomenon at the bent part of the electric fiber (the part indicated by 41 in Figure 6), and the display quality will deteriorate due to defects in the alignment of liquid crystal molecules in this part. It will be damaged.

この発明は上述したような点に鑑みなされたものであり
、従ってこの発明の目的は、ドメイン現象が発生しにく
く、又ドメイン現象が発生しても視認されにくい液晶表
示装Mf!提供することにある。
The present invention has been made in view of the above-mentioned points, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display Mf! in which the domain phenomenon is less likely to occur, and even if the domain phenomenon occurs, it is less visible. It is about providing.

(問題点を解決するための手段) この目的の達成を図るため、この発明によれば、スイッ
チング素子が設けられた画素電極基板と、共通電極基板
とを具えるアクティブマトリクス駆動型の液晶表示装置
において、 前述の画素電極基板面上に平坦表面を有する絶縁層を設
け、この絶縁層の前述の平坦表面上(ここの絶縁層に設
けられたコンタクトホールを介して前述のスイッチング
素子に接続するように画素電極を設けて成ることを特徴
とする。
(Means for Solving the Problems) In order to achieve this object, according to the present invention, an active matrix drive type liquid crystal display device includes a pixel electrode substrate provided with a switching element and a common electrode substrate. An insulating layer having a flat surface is provided on the above-mentioned pixel electrode substrate surface, and an insulating layer is formed on the above-mentioned flat surface of this insulating layer (to be connected to the above-mentioned switching element through a contact hole provided in this insulating layer). It is characterized in that a pixel electrode is provided at.

この発明の実施に当たり、前述のスイッチング素子のデ
ータ電極の上方の領域に前述の画素電極の電気的分離領
域を設けるのが好適である。
In carrying out the present invention, it is preferable to provide the electrical isolation region of the pixel electrode in a region above the data electrode of the switching element.

尚、液晶表示装置がカラー表示可能なものであって、共
通電極基板上にカラフィルタ−を有するものである場合
には、共通電極基板のカラフィルタ上に、カラーフィル
ターと基板表面との間に構成される凹凸を平坦化する絶
縁層を設け、この絶縁層上に共通電極を設けるのが好適
である。
Note that if the liquid crystal display device is capable of color display and has a color filter on the common electrode substrate, there is a layer on the color filter of the common electrode substrate between the color filter and the substrate surface. It is preferable to provide an insulating layer for flattening the concave and convex structure, and to provide a common electrode on this insulating layer.

(作用) このような構成によれば、スイッチング素子、スイッチ
ング素子の走査電極、このスイッチング素子のデータ電
極及び画素電極基板表面で主に構成される凹凸を平坦表
面を有する絶縁層で覆うようにすることが出来る。従っ
て、画素電極基板及び共通電極基板間の液晶封入用の空
隙は開基板面のどの部分においても実質的に均一寸法に
なるから、液晶分子を配向させるための種々の条件も均
−なものになる0、従って、段差に起因するドメイン現
象の発生を防止することが出来る。
(Function) According to such a configuration, the irregularities mainly formed by the switching element, the scanning electrode of the switching element, the data electrode of this switching element, and the pixel electrode substrate surface are covered with an insulating layer having a flat surface. I can do it. Therefore, the gap for liquid crystal filling between the pixel electrode substrate and the common electrode substrate has a substantially uniform size in any part of the open substrate surface, so that the various conditions for aligning the liquid crystal molecules can also be made uniform. Therefore, it is possible to prevent the domain phenomenon caused by the step from occurring.

又、スイッチング素子やこれの走査及びデータ電極が絶
縁層で覆われているから、この絶縁層上に設ける画素電
極をこのスイッチング素子や両電極が形成されている領
域上方に至るまで形成することが出来るようになる。従
って、IIa接する画素電極を電気的に分離するための
分離領域を走査電極上方の領域やデータ電極上方の領域
に設けることが出来るようになる。
Furthermore, since the switching element and its scanning and data electrodes are covered with an insulating layer, it is possible to form the pixel electrode on this insulating layer up to the area above where the switching element and both electrodes are formed. become able to do. Therefore, an isolation region for electrically isolating the pixel electrodes in contact with IIa can be provided in the region above the scanning electrode and the region above the data electrode.

この発明の好適例においでは、隣接する画素電極間の、
スイッチング素子のデータ電極のストライブ方向と平行
方向の電気的分離領域をこのデータ電極上方の絶縁層部
分上の領域内に設けている。データ電極や走査電極は一
般に遮光性の金属薄膜で形成されている。このようにす
れば、電気力線の曲りに起因するドメイン現象が発生し
易いデータ電極と平行な画素電極間の電気的分離領域を
、これらの遮光性金属により覆うことが出来るから、こ
のドメイン現象は表示袋Mをみる者には認められないよ
うになる。
In a preferred embodiment of the invention, between adjacent pixel electrodes,
An electrically isolated region in a direction parallel to the stripe direction of the data electrode of the switching element is provided in a region above the insulating layer portion above the data electrode. The data electrodes and scanning electrodes are generally formed of a light-shielding metal thin film. In this way, the electrically isolated region between the data electrode and the parallel pixel electrode, where domain phenomena caused by bending of electric lines of force are likely to occur, can be covered with these light-shielding metals, thereby preventing this domain phenomenon. will no longer be recognized by those looking at display bag M.

(実施例) 以下、第1図及び第2図を参照してこの発明のアクティ
ブマトリクス型の液晶表示袋!の実施例につき説明する
。尚、以下の説明に用いる各図はこの発明が理解出来る
程度に概略的に示しであるにすぎず、従って、この発明
がこれら図示例にのみ限定されるものでないことは理解
されたい。
(Example) The active matrix type liquid crystal display bag of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 and 2. An example will be explained below. It should be noted that the drawings used in the following explanation are only schematic illustrations to facilitate understanding of the present invention, and therefore, it should be understood that the present invention is not limited only to these illustrated examples.

又、各図において、共通の構成成分についでは同一の符
号を付しで示しである。さらに、従来と同様な構成成分
にpいては従来の符号と同一の符号を付しで示しである
Further, in each figure, common constituent components are indicated by the same reference numerals. Furthermore, constituent components similar to those of the prior art are denoted by the same reference numerals as those of the prior art.

: 8 六 第1図(A)はこの発明のアクティブマトリクス型の液
晶表示装置の、スイッチジグ素子が設けられた側の基板
(画素電極基板)上の各構成成分の配M関係につき主に
示す部分的平面図である。
8.6 Figure 1 (A) mainly shows the M distribution relationship of each component on the substrate (pixel electrode substrate) on the side where the switch jig element is provided in the active matrix type liquid crystal display device of the present invention. FIG.

尚、この場合、スイッチング素子を薄膜トランジスタ(
TPT)とした例で説明する。
In this case, the switching element is a thin film transistor (
This will be explained using an example of TPT).

第1図(A)において、11はデータ電極としてのソー
ス電極を示し、13は走査電極としてのゲート電極を示
す、これら電極は例えばガラス基板等の好適な基板上に
マトリクス状に形成されている。又、これら両電極が交
差する領域にはTFT15が形成されていて、図中、1
7で示すものはこのTF”N5のトレイン電極になる。
In FIG. 1(A), 11 indicates a source electrode as a data electrode, and 13 indicates a gate electrode as a scanning electrode. These electrodes are formed in a matrix on a suitable substrate such as a glass substrate. . In addition, a TFT 15 is formed in the area where these two electrodes intersect, and is indicated by 1 in the figure.
The part indicated by 7 becomes the train electrode of this TF''N5.

又、第1図(A)においては図示を省略しであるが(第
1図(B)!用いて後に説明する)、この発明の液晶表
示装置は、画素電極基板上に、ソース電極11、ゲート
電極13、TPT+5及び基板表面で主に構成される凹
凸を覆い表面が平坦な絶縁層を具えると共に、この絶縁
層下に画素電極51(第1図(A)中、斜線を付して示
す)を具えでいる。そして、この画素電極は51は絶縁
層に設けられているコンタクトホール53ヲ介してこの
絶縁層下のトレイン電極17に接続しである。又、この
ような絶縁層を具えていること−を利用して、この実施
例の場合の画素電極51は次のように形成しである。
Although not shown in FIG. 1(A) (described later with reference to FIG. 1(B)), the liquid crystal display device of the present invention includes a source electrode 11, a source electrode 11, An insulating layer with a flat surface is provided to cover the irregularities mainly formed by the gate electrode 13, TPT+5 and the substrate surface, and a pixel electrode 51 (indicated by diagonal lines in FIG. 1(A)) is provided under this insulating layer. (shown). This pixel electrode 51 is connected to the train electrode 17 under this insulating layer through a contact hole 53 provided in the insulating layer. Further, by utilizing the presence of such an insulating layer, the pixel electrode 51 in this embodiment is formed as follows.

ゲート電極13のストライブ方向に沿って直線的に並ん
でいる各画素電極51のうちのm接する画素電極51間
の、ソース電極のストライブ方向と平行方向の電気的分
離領域551Frソース電極11上方の領域にこのソー
ス電極の形成領域内に納るように形成しである。従って
、この場合の画素電極はTFT15が形成されている領
域の上方にも存在するようになる。
An electrically isolated region 551Fr above the source electrode 11 in a direction parallel to the stripe direction of the source electrode between m-contact pixel electrodes 51 among the pixel electrodes 51 linearly arranged along the stripe direction of the gate electrode 13 The source electrode is formed in the region so as to fit within the region where the source electrode is formed. Therefore, the pixel electrode in this case also exists above the region where the TFT 15 is formed.

第1図(B)は、第1図(A)に示した画素電極基板を
第1図(A)に示す■−■線に沿って切って概略的に示
した断面図である。尚、図面が複雑化することを回避す
るため、断面を示すハツチングを一部省略して示しであ
る。
FIG. 1(B) is a schematic cross-sectional view of the pixel electrode substrate shown in FIG. 1(A) taken along the line ■--■ shown in FIG. 1(A). Note that, in order to avoid complicating the drawings, hatching indicating a cross section is partially omitted from the illustration.

第1図(B)において、21は基板としての例えばガラ
ス基板を示す、23はゲート絶m膜を、25はアモルフ
ァス5iliiVそれぞれ示す、又、57はソース電極
11、ゲート電極13、TPTI5及び基板表面で主に
構成される凹凸を平坦化するための既に説明した絶縁層
を示し、この絶縁層57のトレイン電極17上に該当す
る領域にはコンタクトホール53を形成しである。
In FIG. 1(B), 21 indicates a glass substrate as a substrate, 23 indicates a gate insulating film, 25 indicates an amorphous film, and 57 indicates the source electrode 11, the gate electrode 13, the TPTI 5, and the substrate surface. The above-mentioned insulating layer 57 is shown for flattening the unevenness mainly composed of the insulating layer 57, and a contact hole 53 is formed in a region of the insulating layer 57 corresponding to the train electrode 17.

第1図CB)からも理解できるように、絶縁層57を有
しているため、画素電極間の電気約分M領域55をソー
ス電極上方に形成することが出来る。
As can be understood from FIG. 1 CB), since the insulating layer 57 is provided, the electrical reduction region M 55 between the pixel electrodes can be formed above the source electrode.

これがため、常に表示データが書き込まれる多数のソー
ス電極(データ電極)の中のあるデータ電極の表示デー
タか連続的にハイレベルを示す信号になって、このよう
なデータ電極と、このデータ電極に治うオフ状態の画素
電極との間にドメイン現象が長時間生じても、このドメ
イン現象はソース電極で遮蔽され液晶表示装置を見る者
には認められないようにすることが出来る。
For this reason, the display data of one data electrode among the many source electrodes (data electrodes) into which display data is always written becomes a signal that continuously shows a high level, and this data electrode and this data electrode are Even if a domain phenomenon occurs for a long time between the pixel electrode and the pixel electrode in the off-state, this domain phenomenon can be shielded by the source electrode and not be noticed by the person viewing the liquid crystal display device.

このようなこの発明の画素電極用基板と、従来の共通電
極基板とを用いて、液晶表示装置を構成すれば、液晶表
示装置がモノカラー表示のものであれば段差に起因する
ドメイン現象は全く生じることがなくなる。ざらに、カ
ラー表示、モノカラー表示を問わず、電気力線の曲りに
起因して生じるドメイン現象はゲート電極によって遮蔽
されるから、画素電極基板側から液晶表示装置を見る者
かこのドメイン現象を認めることはなくなる。
If a liquid crystal display device is constructed using such a pixel electrode substrate of the present invention and a conventional common electrode substrate, the domain phenomenon caused by steps will be completely eliminated if the liquid crystal display device is a monochrome display device. It will no longer occur. In general, regardless of color display or monochrome display, the domain phenomenon caused by the bending of electric lines of force is blocked by the gate electrode. There will be no more recognition.

又、液晶表示装置がカラー表示のものの場合であって第
5図に示したようにカラーフィルタが設(すられた従来
の共通電極基板と、この発明の画素電極基板とを用いた
ものは、画素電極基板側の段差がなくなることから、従
来のものと比し表示品質が優れたものになる。尚、この
ような構成のカラー表示液晶表示装貫で、ざら(こ優れ
た表示を得ようとする場合は、共通電極基板を第2図に
断面図で示すような構造のものにするのが好適である。
Further, in the case where the liquid crystal display device is a color display device, a device using a conventional common electrode substrate provided with a color filter and the pixel electrode substrate of the present invention as shown in FIG. Since there is no difference in level on the pixel electrode substrate side, the display quality is superior to that of conventional ones.In addition, with a color display liquid crystal display device having such a configuration, it is difficult to obtain an excellent display. In this case, it is preferable that the common electrode substrate has a structure as shown in the cross-sectional view in FIG.

第2図において、31はガラス基板を示す、このガラス
基板31上にはカラーフィルター33が設けられている
。又、この発明に係る共通電極基板は、カラーフィルタ
ー33ヲ含むガラス基板31上に、カラーフィルタ33
及び基板31表面で主に構成される段差を平坦化するた
めこの段差を覆い平坦表面を有する絶縁層61と、この
絶縁層61上に設置すられた共通電極37とを具えてい
る。
In FIG. 2, numeral 31 indicates a glass substrate, and a color filter 33 is provided on this glass substrate 31. Further, in the common electrode substrate according to the present invention, the color filter 33 is placed on the glass substrate 31 including the color filter 33.
In order to flatten the step mainly formed on the surface of the substrate 31, an insulating layer 61 covering the step and having a flat surface is provided, and a common electrode 37 is provided on the insulating layer 61.

第1図(A)及び(8)に示したような画素電極基板と
、第2図に示したような共通電極基板との間に液晶を封
入して形成されたこの発明のカラー表示の液晶表示装置
は、段差1こ起因して生ずるドメイン現象は全く起こら
ず、然も、コンタクトホール53部分の段差や、画素電
極間の電気的分離領域55における電気力線の曲りによ
ってドメイン現象が生じても、これはソース及びトレイ
ン電極によって遮蔽されるから、画素電極基板側からこ
の液晶表示装置lヲ見る者がこのドメイン現象を認める
ことはない。
The color display liquid crystal of the present invention is formed by sealing liquid crystal between a pixel electrode substrate as shown in FIGS. 1(A) and (8) and a common electrode substrate as shown in FIG. In the display device, the domain phenomenon caused by the step 1 does not occur at all, but the domain phenomenon occurs due to the step in the contact hole 53 portion and the bending of the lines of electric force in the electrical isolation region 55 between the pixel electrodes. However, since this domain phenomenon is blocked by the source and train electrodes, a person viewing the liquid crystal display device from the pixel electrode substrate side will not notice this domain phenomenon.

2晶六4のり1法 次に、この発明の液晶表示装置の理解を深めるため、第
1図(B)及び第2図を参照してこの発明の実施例の液
晶表示装置の製造方法の一例につき説明する。尚、以下
に説明する材料、形成方法及び数値的条件等は単なる例
示にすぎず、この発明がこれら材料、形成方法及び数値
的条件に限定されるものでないことは理解されたい。
2 Crystal 6 4 Glue 1 Method Next, in order to deepen the understanding of the liquid crystal display device of the present invention, an example of a method for manufacturing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1(B) and 2. I will explain about it. It should be noted that the materials, forming methods, numerical conditions, etc. described below are merely examples, and it should be understood that the present invention is not limited to these materials, forming methods, and numerical conditions.

通常の薄膜形成技術を用い、ガラス基板21上1こスイ
ッチング素子としてのTF15、これの走査電極13及
びデータ電極11ヲ形成する。この工程は従来のアクテ
ィブマトリクス型の液晶表示装置の製造方法を用いるこ
とが出来る。
Using an ordinary thin film forming technique, a TF 15 as a switching element, its scanning electrode 13 and data electrode 11 are formed on a glass substrate 21. In this step, a conventional method for manufacturing an active matrix type liquid crystal display device can be used.

次に、T P T +5及び両電極+3.I+が形成さ
れたガラス基板21上に平坦表面を有する絶縁層57の
形成を行なう、この実施例の場合、この絶縁層57の形
成を以下のように行なった。
Next, T P T +5 and both electrodes +3. In the case of this example, in which an insulating layer 57 having a flat surface was formed on the glass substrate 21 on which I+ was formed, the insulating layer 57 was formed as follows.

TPT15及び両電極13.11が形成されたガラス基
板21上に、ポリイミドワニス(日溜化学社製のサンエ
バー120と称されるものを用いた)をスピンコーティ
ング法によって塗布し、これを約170℃の温度で約1
時間乾燥させた。尚、スピンコーティングの条件は、ポ
リイミドワニスのガラス基板21の平坦部分のものの乾
煉猜ア膜厚が4umになるように設定した。基板表面か
ら2um程度突出していたTPTI5に起因する段差上
に、上述のような成膜条件でポリイミドワニスを塗布し
た時、この段差はポリイミドワニス表面では0゜3um
に緩和されて、その突出具合も滑らかなものになった。
On the glass substrate 21 on which the TPT 15 and both electrodes 13 and 11 are formed, polyimide varnish (using something called Sunever 120 manufactured by Hittame Chemical Co., Ltd.) is applied by a spin coating method, and then heated at about 170°C. at a temperature of about 1
Let dry for an hour. The spin coating conditions were set so that the thickness of the polyimide varnish on the flat part of the glass substrate 21 was 4 um. When polyimide varnish was applied under the film formation conditions described above on the step caused by TPTI5 that protruded about 2 um from the substrate surface, the step was 0°3 um on the polyimide varnish surface.
As a result, the protrusion became smoother.

尚、上述のポリイミドワニスの成膜条件は、TPT等の
形状、用いるワニスの粘度等を考慮して決定されるべき
もので、この実施例の条件に限定されるものではない、
ざらに、絶縁層57ヲ構成する材料についても、実施例
のポリイミドワニスに限定されるものではなく、他の好
適な材料を用いることが出来る。
The conditions for forming the polyimide varnish mentioned above should be determined by taking into consideration the shape of the TPT, etc., the viscosity of the varnish used, etc., and are not limited to the conditions of this example.
In general, the material constituting the insulating layer 57 is not limited to the polyimide varnish of the embodiment, and other suitable materials can be used.

次に、上述の如く形成した絶縁層57に対し加工を行な
う、この実施例の場合の加工は、TPTI5のトレイン
電極に対応する領域にコンタクトホール53を形成する
こと、及び別途用意された駆動素子に走査及びデータ電
極を接続するためこれら電極の一部を絶縁層57から露
出させること等である。これら加工は通常のフォトエッ
チジグ技術を用いてレジストマスクを形成し、8産化学
社製サンエバー専用のエツチング液及びリンス液を用い
て絶縁層57の不用部分部分を除去することで行なった
Next, the insulating layer 57 formed as described above is processed.The processing in this embodiment includes forming a contact hole 53 in a region corresponding to the train electrode of the TPTI 5, and a separately prepared drive element. such as exposing portions of the scan and data electrodes from the insulating layer 57 to connect them to the insulating layer 57. These processes were carried out by forming a resist mask using a conventional photoetch jig technique, and removing unnecessary portions of the insulating layer 57 using an etching liquid and a rinsing liquid exclusive to Sunever manufactured by Yasan Kagaku Co., Ltd.

次に、この絶縁層57上に例えば日日スパッタ法等の好
適な方法によって、ITOIii!約1000人の膜厚
に形成し、次に、このITO膜をフォトエツチング技術
によって所定形状(第1図(A)9照)に加工して画素
電極51ヲ形成し、第1図(A)及び(B)に示すよう
なこの発明(こ係る画素電極基板を得た。
Next, the ITOIii! This ITO film is then processed into a predetermined shape (see 9 in FIG. 1(A)) using a photoetching technique to form a pixel electrode 51. and (B) of the present invention (a pixel electrode substrate according to this invention was obtained).

一方、第2図を用いて既に説明した共通電極基板を次の
ように形成した。
On the other hand, the common electrode substrate already explained using FIG. 2 was formed as follows.

ガラス基板31上に従来公知の方法でカラーフィルタ3
3を形成する。この場合も、カラーフィルタ33表面と
、基板表面との間には約2umの段差が構成される0画
素電極基板を形成したときと同様にサンエバー120ヲ
用い同様な成膜条件で平坦化を行ない、サンエバー12
0の不用部分を画素電極基板形成時と同様に除去して、
絶縁層69ヲ形成した。この絶縁層69上に従来公知の
方法で共通電極37を形成した。
A color filter 3 is formed on a glass substrate 31 by a conventionally known method.
form 3. In this case as well, planarization was performed using SunEver 120 under the same film forming conditions as when forming the 0 pixel electrode substrate with a step difference of approximately 2 um between the color filter 33 surface and the substrate surface. , Sunever 12
Remove unnecessary parts of 0 in the same way as when forming the pixel electrode substrate,
An insulating layer 69 was formed. A common electrode 37 was formed on this insulating layer 69 by a conventionally known method.

上述の如く形成した画素電極基板と、共通電極基板とに
対し配向処理を行ない、その後、これら基板をスペーサ
を介して貼り合わせる。基板間の空隙に液晶を封入した
後、封入口を封止して、この発明に係る液晶表示装Mを
得た。
The pixel electrode substrate and the common electrode substrate formed as described above are subjected to alignment treatment, and then these substrates are bonded together with a spacer interposed therebetween. After filling the gap between the substrates with liquid crystal, the filling port was sealed to obtain a liquid crystal display device M according to the present invention.

尚、この発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。
Note that this invention is not limited to the embodiments described above.

上述した実施例では、データ(ソース)電極のストライ
ブ方向と直交する方向で画素電極51間を電気的に分離
する領域についでは、この領域を走査(ゲート)電極上
方に特に形成することはせず、従来の通りとしている。
In the above-described embodiment, the region that electrically isolates the pixel electrodes 51 in the direction perpendicular to the stripe direction of the data (source) electrode is not particularly formed above the scanning (gate) electrode. We are continuing as usual.

これは、データ電極と異なり走査電極は線順次に一本ず
つそれも液晶表示装Mを見る者からすればかなり高速度
で駆動されるから、液晶表示装Nを見る者が走査電極側
で生じるドメイン現象を認めることはあまり考えられな
いからである。しかしながら、データ電極のストライブ
方向と直交する方向この分離領域ヲ走査(ゲート)電極
上方に設け、この部分で生ずるドメイン現象をゲート電
極によって連蔽するようにしても勿論良い。
This is because, unlike the data electrodes, the scan electrodes are driven one by one line-by-line at a fairly high speed from the perspective of the person viewing the liquid crystal display M, so the person viewing the liquid crystal display N is on the side of the scan electrodes. This is because it is hardly conceivable to admit domain phenomena. However, it is also possible, of course, to provide this isolation region above the scanning (gate) electrode in a direction perpendicular to the stripe direction of the data electrode, so that the domain phenomenon occurring in this region is covered by the gate electrode.

又、上述の実施例においては、スイッチング素子をTP
Tとした例で説明している。しかし、スイッチング素子
をダイオード或はM I M (MetalInsul
ator Metal )等の他の非線形スイッチング
素子としで構成した液晶表示装置に対してもこの発明を
適用出来ることは明らかである。
Further, in the above embodiment, the switching element is TP
This is explained using an example of T. However, if the switching element is a diode or M I M (Metal Insul
It is clear that the present invention can also be applied to liquid crystal display devices configured with other nonlinear switching elements such as ator metal.

(発明の効果) 上述した説明からも明らかなように、この発明の液晶表
示装置は、スイッチング素子等に起因する段差を平坦化
する絶縁層を具え、この絶縁層上(こ画素電極を具えて
いる。このため、ドメイン現象が生じにくく、かつ、液
晶の封入時に気泡が発生しにくい、ざらに、画素電極と
ソース電極との間の隙間を直線的にするようなことをせ
ずともドメイン現象の発主ヲ防止することが出来るから
、画素配列の自由度が損なわれることもない。
(Effects of the Invention) As is clear from the above description, the liquid crystal display device of the present invention includes an insulating layer that flattens the level difference caused by switching elements, etc. For this reason, the domain phenomenon is less likely to occur, and bubbles are less likely to be generated when liquid crystal is sealed. Since the source of the problem can be prevented, the degree of freedom in pixel arrangement is not impaired.

又、スイッチング素子やソース及びゲート電極ヲ覆うよ
うに絶縁層を設けることが出来るから、ソース電極やゲ
ート電極の形成されている上方領域にまで画素電極を形
成することが出来るようになる。このため、ドメイン現
象が生じ易い領域である画素電極間の電気的分離領域を
例えばソース電極上方に形成して、電気力線の曲りによ
って生しるドメイン現象をソース電極によって遮蔽する
ことが出来る。
Furthermore, since the insulating layer can be provided to cover the switching elements and the source and gate electrodes, the pixel electrode can be formed even in the upper region where the source and gate electrodes are formed. Therefore, by forming an electrically isolated region between the pixel electrodes, which is a region where the domain phenomenon is likely to occur, for example above the source electrode, the domain phenomenon caused by the bending of the lines of electric force can be shielded by the source electrode.

これがため、ドメイン現象か発生しにくく、又ドメイン
現象が発生しても視認されにくい液晶表示袋Ml提供す
ることが出来、よって、この発明の液晶表示装置は従来
のものよりもコントラスト特性、視野角特性か向上する
Therefore, it is possible to provide a liquid crystal display bag Ml in which the domain phenomenon is less likely to occur, and even if the domain phenomenon occurs, it is less visible.Therefore, the liquid crystal display device of the present invention has better contrast characteristics and viewing angle than the conventional one. Improve characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図(A)及び(B)は、この発明の液晶表示装置の
説明に供する要部平面図及び断面図であって、画素電極
基板の一部を示す平面図及び断面図、 第2図は、この発明の液晶表示装置の説明に供する要部
断面図であって、共通電極基板の一部を示す断面図、 第3図〜第5図は従来の液晶表示装置の説明に供する図
であって、第3図及び第4図は画素電極基板の一部を示
す平面図及び断面図、第5図は液晶表示装置の一部を示
す断面図、 第6図は従来及びこの発明の説明に供する図である。 11・・・データ電極(ソース電極) 13・・・走査電極(ゲート電極) 15・・・スイッチング素子 17・・・トレイン電極、  23・・・ゲート絶縁膜
25・・・アモルファスS1.51.51a、51b・
・・画素電極53・・・コンタクトホール 55・・・画素電極間の電気的分離領域57.61・・
・平坦表面を有する絶縁層。 特許出願人    沖電気工業株式会社61:平坦表面
を有する絶縁層 この発明の液晶表示装置の一部を示す断面図第2図 第3図 If     D    17 第4図 従来の液晶表示装置の説明に供する口 笛5図 従来及びこの発明の説明に供する図 第6図
1(A) and 1(B) are a plan view and a cross-sectional view of essential parts for explaining the liquid crystal display device of the present invention, and are a plan view and a cross-sectional view showing a part of a pixel electrode substrate; FIG. 3 is a cross-sectional view of a main part of a liquid crystal display device of the present invention, showing a part of a common electrode substrate. FIGS. 3 to 5 are views of a conventional liquid crystal display device. 3 and 4 are a plan view and a sectional view showing a part of a pixel electrode substrate, FIG. 5 is a sectional view showing a part of a liquid crystal display device, and FIG. 6 is an explanation of the conventional method and the present invention. FIG. 11...Data electrode (source electrode) 13...Scanning electrode (gate electrode) 15...Switching element 17...Train electrode 23...Gate insulating film 25...Amorphous S1.51.51a , 51b・
...Pixel electrode 53...Contact hole 55...Electrical isolation region 57,61 between pixel electrodes...
・An insulating layer with a flat surface. Patent Applicant: Oki Electric Industry Co., Ltd. 61: Insulating layer with flat surface Cross-sectional view showing a part of the liquid crystal display device of this invention FIG. 2 FIG. 3 If D 17 FIG. 4 Provides explanation of a conventional liquid crystal display device Figure 5 for whistling Figure 6 for explaining the conventional and present invention

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)スイッチング素子が設けられた画素電極基板と、
共通電極基板とを具えるアクティブマトリクス駆動型の
液晶表示装置において、 前記画素電極基板面上に平坦表面を有する絶縁層を設け
、 該絶縁層の前記平坦表面上に該絶縁層に設けられたコン
タクトホールを介して前記スイッチング素子に接続する
ように画素電極を設けて成ることを特徴とする液晶表示
装置。
(1) A pixel electrode substrate provided with a switching element,
In an active matrix drive type liquid crystal display device comprising a common electrode substrate, an insulating layer having a flat surface is provided on the surface of the pixel electrode substrate, and a contact provided on the insulating layer is provided on the flat surface of the insulating layer. A liquid crystal display device comprising a pixel electrode connected to the switching element via a hole.
(2)前記スイッチング素子のデータ電極の上方の領域
に前記画素電極の電気的分離領域を設けて成ることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の液晶表示装置。
(2) A liquid crystal display device according to claim 1, characterized in that an electrical isolation region of the pixel electrode is provided in a region above the data electrode of the switching element.
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Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6468728A (en) * 1987-09-09 1989-03-14 Casio Computer Co Ltd Thin film transistor
JPS6468726A (en) * 1987-09-09 1989-03-14 Casio Computer Co Ltd Thin film transistor and its manufacture
JPS6468727A (en) * 1987-09-09 1989-03-14 Casio Computer Co Ltd Thin film transistor
EP0554060A2 (en) * 1992-01-31 1993-08-04 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal display apparatus
US5866919A (en) * 1996-04-16 1999-02-02 Lg Electronics, Inc. TFT array having planarized light shielding element
US5933208A (en) * 1996-04-25 1999-08-03 Lg Electronics, Inc. Liquid crystal display with color filter and light shielding layer forming a substantially planarized surface over the TFT
US5963285A (en) * 1997-11-05 1999-10-05 Lg Electronics Inc. Liquid crystal display with improved electrode adhesion and method for manufacturing same
US6001539A (en) * 1996-04-08 1999-12-14 Lg Electronics, Inc. Method for manufacturing liquid crystal display
US6100954A (en) * 1996-03-26 2000-08-08 Lg Electronics Inc. Liquid crystal display with planarizing organic gate insulator and organic planarization layer and method for manufacturing
US6188452B1 (en) 1996-07-09 2001-02-13 Lg Electronics, Inc Active matrix liquid crystal display and method of manufacturing same
US6211928B1 (en) 1996-03-26 2001-04-03 Lg Electronics Inc. Liquid crystal display and method for manufacturing the same
US6372534B1 (en) 1995-06-06 2002-04-16 Lg. Philips Lcd Co., Ltd Method of making a TFT array with photo-imageable insulating layer over address lines
US6614493B1 (en) 1996-11-27 2003-09-02 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display and method of manufacturing the same
US6797982B2 (en) 2000-08-28 2004-09-28 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and display device
JP2006100760A (en) * 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd Thin-film transistor and its manufacturing method
US7095478B2 (en) 1996-04-12 2006-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for fabricating thereof
US7479939B1 (en) 1991-02-16 2009-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device
US8012782B2 (en) 1995-03-18 2011-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing display device

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5372647A (en) * 1976-12-09 1978-06-28 Hughes Aircraft Co Surface smoothing liquid crystal matrix device
US4239346A (en) * 1979-05-23 1980-12-16 Hughes Aircraft Company Compact liquid crystal display system
JPS5730881A (en) * 1980-07-31 1982-02-19 Suwa Seikosha Kk Active matrix substrate
JPS60140091U (en) * 1985-01-17 1985-09-17 セイコーエプソン株式会社 liquid crystal display device
JPS60207116A (en) * 1984-03-31 1985-10-18 Toshiba Corp Display electrode array
JPS60257171A (en) * 1984-06-01 1985-12-18 Hitachi Ltd Manufacture of thin-film semiconductor element
JPS62223727A (en) * 1986-03-25 1987-10-01 Seiko Epson Corp Liquid crystal panel
JPS62240936A (en) * 1986-04-14 1987-10-21 Seiko Epson Corp Projection type display device

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5372647A (en) * 1976-12-09 1978-06-28 Hughes Aircraft Co Surface smoothing liquid crystal matrix device
US4239346A (en) * 1979-05-23 1980-12-16 Hughes Aircraft Company Compact liquid crystal display system
JPS5730881A (en) * 1980-07-31 1982-02-19 Suwa Seikosha Kk Active matrix substrate
JPS60207116A (en) * 1984-03-31 1985-10-18 Toshiba Corp Display electrode array
JPS60257171A (en) * 1984-06-01 1985-12-18 Hitachi Ltd Manufacture of thin-film semiconductor element
JPS60140091U (en) * 1985-01-17 1985-09-17 セイコーエプソン株式会社 liquid crystal display device
JPS62223727A (en) * 1986-03-25 1987-10-01 Seiko Epson Corp Liquid crystal panel
JPS62240936A (en) * 1986-04-14 1987-10-21 Seiko Epson Corp Projection type display device

Cited By (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6468726A (en) * 1987-09-09 1989-03-14 Casio Computer Co Ltd Thin film transistor and its manufacture
JPS6468727A (en) * 1987-09-09 1989-03-14 Casio Computer Co Ltd Thin film transistor
JPS6468728A (en) * 1987-09-09 1989-03-14 Casio Computer Co Ltd Thin film transistor
US7479939B1 (en) 1991-02-16 2009-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device
EP0554060A2 (en) * 1992-01-31 1993-08-04 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal display apparatus
US8012782B2 (en) 1995-03-18 2011-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing display device
US6870188B2 (en) 1995-06-06 2005-03-22 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. LCD with increased pixel opening sizes
US6507045B2 (en) 1995-06-06 2003-01-14 Lg Philips Lcd Co., Ltd. LCD with increased pixel opening sizes
US7445948B2 (en) 1995-06-06 2008-11-04 Lg. Display Co., Ltd. Method of making a TFT array with photo-imageable insulating layer over address lines
US7531838B2 (en) 1995-06-06 2009-05-12 Lg Display Co., Ltd. LCD with increased pixel opening sizes
US7745830B2 (en) 1995-06-06 2010-06-29 Lg Display Co., Ltd. LCD with increased pixel opening sizes
US6515300B2 (en) 1995-06-06 2003-02-04 Lg. Philips Lcd Co., Ltd Method of making a TFT array with photo-imageable insulating layer over address lines
US6372534B1 (en) 1995-06-06 2002-04-16 Lg. Philips Lcd Co., Ltd Method of making a TFT array with photo-imageable insulating layer over address lines
US6376270B1 (en) 1995-06-06 2002-04-23 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Method of making an array of TFTs having an insulation layer with a low dielectric constant
US6211928B1 (en) 1996-03-26 2001-04-03 Lg Electronics Inc. Liquid crystal display and method for manufacturing the same
US6100954A (en) * 1996-03-26 2000-08-08 Lg Electronics Inc. Liquid crystal display with planarizing organic gate insulator and organic planarization layer and method for manufacturing
US6001539A (en) * 1996-04-08 1999-12-14 Lg Electronics, Inc. Method for manufacturing liquid crystal display
US7636136B2 (en) 1996-04-12 2009-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for fabricating thereof
US7095478B2 (en) 1996-04-12 2006-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for fabricating thereof
US7196749B2 (en) 1996-04-12 2007-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for fabricating thereof
US5926702A (en) * 1996-04-16 1999-07-20 Lg Electronics, Inc. Method of fabricating TFT array substrate
US5866919A (en) * 1996-04-16 1999-02-02 Lg Electronics, Inc. TFT array having planarized light shielding element
US5933208A (en) * 1996-04-25 1999-08-03 Lg Electronics, Inc. Liquid crystal display with color filter and light shielding layer forming a substantially planarized surface over the TFT
US6188452B1 (en) 1996-07-09 2001-02-13 Lg Electronics, Inc Active matrix liquid crystal display and method of manufacturing same
US6614493B1 (en) 1996-11-27 2003-09-02 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display and method of manufacturing the same
US5963285A (en) * 1997-11-05 1999-10-05 Lg Electronics Inc. Liquid crystal display with improved electrode adhesion and method for manufacturing same
US7459723B2 (en) 2000-08-28 2008-12-02 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, method of making the substrate, and display device
US7126157B2 (en) 2000-08-28 2006-10-24 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, method of making the substrate, and display device
US7696516B2 (en) 2000-08-28 2010-04-13 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, method of making the substrate, and display device
US6797982B2 (en) 2000-08-28 2004-09-28 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and display device
US7829391B2 (en) 2000-08-28 2010-11-09 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, method of making the substrate, and display device
US8304297B2 (en) 2000-08-28 2012-11-06 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, method of making the substrate, and display device
JP2006100760A (en) * 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd Thin-film transistor and its manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
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