JPS6327680B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6327680B2 JPS6327680B2 JP54127675A JP12767579A JPS6327680B2 JP S6327680 B2 JPS6327680 B2 JP S6327680B2 JP 54127675 A JP54127675 A JP 54127675A JP 12767579 A JP12767579 A JP 12767579A JP S6327680 B2 JPS6327680 B2 JP S6327680B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- electron
- emission window
- scanning
- plane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Particle Accelerators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子線照射装置に関するものである。
最近ゴム・プラスチツク等の材料に電子線を照射
して、材料の耐熱性、耐薬品性及び耐候性等を改
良する方法の工業化がめざましい。この照射プロ
セスにおいては、電子加速器、Ｘ線シールド建物
等が非常に高価であるため、電子線を効率よく利
用することが工業化条件の重要な決め手になる。
最近ゴム・プラスチツク等の材料に電子線を照射
して、材料の耐熱性、耐薬品性及び耐候性等を改
良する方法の工業化がめざましい。この照射プロ
セスにおいては、電子加速器、Ｘ線シールド建物
等が非常に高価であるため、電子線を効率よく利
用することが工業化条件の重要な決め手になる。
本発明は電子線照射プロセスの効率を最大にす
るための電子線遮断装置等を提供するもので、以
下に電線・チユーブ照射プロセスでの実用例を用
いて詳細を説明する。
るための電子線遮断装置等を提供するもので、以
下に電線・チユーブ照射プロセスでの実用例を用
いて詳細を説明する。
工業利用されている電子線６は、一般に第１図
の如く、電子加速部１で加速され、走査装置１０
０で走査されながら、真空ポンプ５で高真空に保
たれた電子放出管２に導かれ、極くうすいチタニ
ウム等の箔膜３を通して大気中へ放出されてい
る。電線・チユーブ等の紐状材料９は電子放出管
の下（前方）で回転ローラ７，８で繰返えし往復
させながら照射する。
の如く、電子加速部１で加速され、走査装置１０
０で走査されながら、真空ポンプ５で高真空に保
たれた電子放出管２に導かれ、極くうすいチタニ
ウム等の箔膜３を通して大気中へ放出されてい
る。電線・チユーブ等の紐状材料９は電子放出管
の下（前方）で回転ローラ７，８で繰返えし往復
させながら照射する。
このような照射プロセスにおいて、近年加速器
が大出力化され、その出力電子線を効率よく利用
するためには、材料９の移送速度の機械的制限の
ために第２図ａ，ｂに示す如く複数の材料９，１
０を独立して移送しながら照射する必要が生じて
きた。
が大出力化され、その出力電子線を効率よく利用
するためには、材料９の移送速度の機械的制限の
ために第２図ａ，ｂに示す如く複数の材料９，１
０を独立して移送しながら照射する必要が生じて
きた。
しかるに材料の長さに制限があるため、その接
続作業毎に電子線出力を止める必要上、照射プロ
セスの全体効率が非常に低下してきた。
続作業毎に電子線出力を止める必要上、照射プロ
セスの全体効率が非常に低下してきた。
この問題を解決するのが電子線遮断装置を利用
する方法である。
する方法である。
即ち、第２図ａ，ｂに示す如く、複数（２種の
例）の独立で走行中の材料９，１０のうち、接続
作業が生じた材料１０に対してのみ定格出力で運
転中の電子線６′を電子線遮断装置１１で遮断し
て、材料１０の過照射を保護し、別材料９は正常
に電子線６を照射する方法である。
例）の独立で走行中の材料９，１０のうち、接続
作業が生じた材料１０に対してのみ定格出力で運
転中の電子線６′を電子線遮断装置１１で遮断し
て、材料１０の過照射を保護し、別材料９は正常
に電子線６を照射する方法である。
しかるにこの電子線遮断装置１１を出力が50〜
100kWの電子加速器を用いて照射プロセスに実
用した場合、加速器の電子加速部の真空の低下に
よつて電子加速器が運転できないことが判明し
た。
100kWの電子加速器を用いて照射プロセスに実
用した場合、加速器の電子加速部の真空の低下に
よつて電子加速器が運転できないことが判明し
た。
この現象を第３図に従つて詳述すると、加速器
の真空度低下は、電子線遮断装置１１と放出管２
との距離Lgに大きく依存するが、実用上電子線
の大気中でのエネルギー損失を小さくして有効に
材料９を照射するにはLgは２〜10cm以内にする
必要がある。
の真空度低下は、電子線遮断装置１１と放出管２
との距離Lgに大きく依存するが、実用上電子線
の大気中でのエネルギー損失を小さくして有効に
材料９を照射するにはLgは２〜10cm以内にする
必要がある。
このために、遮断装置１１の表面で反射された
電子線が電子放出窓３を通過して放出管２を照射
してガスを放出すること（電子線i3）、また放出
窓３の支持板４を照射する電子線i2によつて支持
板４が加熱され、熱歪みを発生させて真空もれを
起こすことにより、加速管部の真空度低下が著し
くなるのである。
電子線が電子放出窓３を通過して放出管２を照射
してガスを放出すること（電子線i3）、また放出
窓３の支持板４を照射する電子線i2によつて支持
板４が加熱され、熱歪みを発生させて真空もれを
起こすことにより、加速管部の真空度低下が著し
くなるのである。
本発明はこれらの反射電子線i2，i3が放出管２
を照射することによつて生じる真空低下度を軽減
する電子加速器の工夫に関するもので、特許請求
の範囲に記載の電子線照射装置を提供するもので
ある。以下に発明の実施例を説明する。
を照射することによつて生じる真空低下度を軽減
する電子加速器の工夫に関するもので、特許請求
の範囲に記載の電子線照射装置を提供するもので
ある。以下に発明の実施例を説明する。
第４図は真空度低下に最も影響のある反射電子
線i3を軽減する遮断装置の形状を選定するための
試験装置の概略図で、i3をi2と分離して測定する
ため支持板４の全面をそれと絶縁された板１２で
覆つて、遮断装置１１をエネルギー1MeVの出力
電子線i0に対して角度θを可変にしてi3を測定し
た。その結果を第５図に示す。
線i3を軽減する遮断装置の形状を選定するための
試験装置の概略図で、i3をi2と分離して測定する
ため支持板４の全面をそれと絶縁された板１２で
覆つて、遮断装置１１をエネルギー1MeVの出力
電子線i0に対して角度θを可変にしてi3を測定し
た。その結果を第５図に示す。
この結果を検討すると、電子放出管の放出窓３
の走査方向と直角方向の幅をａ、放出窓と遮断装
置１１の電子線が照射される位置との距離をｂと
すると、 θ≧１／２tan-1ａ／2b を満たすθ＝25゜近傍において急激にi3が軽減する
ことが判明した。
の走査方向と直角方向の幅をａ、放出窓と遮断装
置１１の電子線が照射される位置との距離をｂと
すると、 θ≧１／２tan-1ａ／2b を満たすθ＝25゜近傍において急激にi3が軽減する
ことが判明した。
なお、この式は角θの傾射面を有する遮断装置
表面から角2θで反射した電子線i3が放出窓にアタ
ツクしない条件 すなわち、 tan2θ≧ａ／２／ｂ から導びかれたものである。
表面から角2θで反射した電子線i3が放出窓にアタ
ツクしない条件 すなわち、 tan2θ≧ａ／２／ｂ から導びかれたものである。
以上の結果と電子線i0のスポツト直径はほぼ放
出管の中心軸を中心にして約20〜60mmであること
を考慮して、第６図に示すように電子線遮断装置
１１′の表面を中心軸１３に頂点をほぼ合致させ
て底角θが、 θ0≧１／２tan-1ａ／2b を満たす２等辺三角形をなす構成にして、1MeV
電子線を用いてテストを実施した結果、放出管内
壁を照射する電子線i3は従来のθ＝0゜のときに比
べ、約30％と激減して、急激な真空度低下は認め
られなかつた。ここで、電子線i0が線として収束
している場合は第４図のような形状でもよく、中
心付近で反射した電子線i3が放出窓をアタツクす
るのを防ぐために電子遮断装置に角θの傾斜面を
つけたのであるが、一様な傾斜面ではスポツト直
径まわりの電子線i3がi3と平行に反射して放出窓
をアタツクすることとなり、これを防ぐために第
６図に示すような二等辺三角形のようにしたもの
である。この効果は第７図の如く前記底角θ0を満
たす二等辺三角形を複数並べた表面を持つ遮断装
置１１″でも同様に大きいものがあつた。
出管の中心軸を中心にして約20〜60mmであること
を考慮して、第６図に示すように電子線遮断装置
１１′の表面を中心軸１３に頂点をほぼ合致させ
て底角θが、 θ0≧１／２tan-1ａ／2b を満たす２等辺三角形をなす構成にして、1MeV
電子線を用いてテストを実施した結果、放出管内
壁を照射する電子線i3は従来のθ＝0゜のときに比
べ、約30％と激減して、急激な真空度低下は認め
られなかつた。ここで、電子線i0が線として収束
している場合は第４図のような形状でもよく、中
心付近で反射した電子線i3が放出窓をアタツクす
るのを防ぐために電子遮断装置に角θの傾斜面を
つけたのであるが、一様な傾斜面ではスポツト直
径まわりの電子線i3がi3と平行に反射して放出窓
をアタツクすることとなり、これを防ぐために第
６図に示すような二等辺三角形のようにしたもの
である。この効果は第７図の如く前記底角θ0を満
たす二等辺三角形を複数並べた表面を持つ遮断装
置１１″でも同様に大きいものがあつた。
以上は反射電子線i3の対策であるが、フランジ
（支持板）４を加熱して真空低下を発生させる反
射電子線i2対策として、第８図の如く、フランジ
４の表面に水ジヤケツト１６を全面に覆つてフラ
ンジ４の加熱を軽減することにより、フランジ４
の熱歪みによる加速器の真空度低下を抑えること
ができた。
（支持板）４を加熱して真空低下を発生させる反
射電子線i2対策として、第８図の如く、フランジ
４の表面に水ジヤケツト１６を全面に覆つてフラ
ンジ４の加熱を軽減することにより、フランジ４
の熱歪みによる加速器の真空度低下を抑えること
ができた。
このように本発明は大出力加速器を用いた照射
プロセスにおいて、効率よく利用できる実用価値
の高いものである。
プロセスにおいて、効率よく利用できる実用価値
の高いものである。
第１図、第２図ａ，ｂ及び第３図は従来法の照
射プロセスを示す概略図、第４図は本発明のテス
ト装置を示す概略図、第５図は第４図のテスト結
果を示す傾斜角と電流値の関係図、第６図、第７
図及び第８図は本発明の実施例を示す断面図であ
る。 図中使用する番号は共通して使用するもので、
１は加速部、２は電子放射管、３は箔膜、６，
６′は電子線、９，１０は材料、１１，１１′，１
１″は電子線遮断装置を示す。
射プロセスを示す概略図、第４図は本発明のテス
ト装置を示す概略図、第５図は第４図のテスト結
果を示す傾斜角と電流値の関係図、第６図、第７
図及び第８図は本発明の実施例を示す断面図であ
る。 図中使用する番号は共通して使用するもので、
１は加速部、２は電子放射管、３は箔膜、６，
６′は電子線、９，１０は材料、１１，１１′，１
１″は電子線遮断装置を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電子加速部と走査装置と、該走査装置によつ
て走査された電子線を放出窓から大気中へ放出す
る電子線放出管と、該電子放出窓の前方に電子線
遮断装置とを具えた電子線照射装置において、電
子線遮断装置は、電子線の走査面と直角で前記電
子加速部を含む平面上での断面の頂点が電子線放
出管側にあつてほぼ三角形をなし、前記頂点を含
み前記平面及び前記走査面と直角をなす平面と前
記三角形の傾斜面とのなす角度θが、 θ≧１／２tan-1ａ／2b 但し、 ａ：走査方向と直角方向の電子放出窓の幅 ｂ：電子放出窓と電子遮断装置の照射される位置
との間の距離 を満たす傾斜を具えたことを特徴とする電子線照
射装置。 ２ 電子線遮断装置の表面にノコ波状の断面を設
けた特許請求の範囲第１項記載の電子線照射装
置。 ３ 電子加速部と走査装置と、該走査装置によつ
て走査された電子線を放出窓から大気中へ放出す
る電子線放出管と、及び該電子放出窓の前方に電
子線遮断装置を具えた電子線照射装置において、
放出窓の電子線遮断側の表面のほぼ全面に水冷ジ
ヤケツトで覆つた電子線放出管を備えた特許請求
の範囲第１項又は第２項記載の電子線照射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12767579A JPS5651699A (en) | 1979-10-02 | 1979-10-02 | Electron beam irradiation device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12767579A JPS5651699A (en) | 1979-10-02 | 1979-10-02 | Electron beam irradiation device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5651699A JPS5651699A (en) | 1981-05-09 |
| JPS6327680B2 true JPS6327680B2 (ja) | 1988-06-03 |
Family
ID=14965929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12767579A Granted JPS5651699A (en) | 1979-10-02 | 1979-10-02 | Electron beam irradiation device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5651699A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5083695A (ja) * | 1973-11-28 | 1975-07-07 | ||
| JPS5290798A (en) * | 1976-01-26 | 1977-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | Exit window for charged particles |
-
1979
- 1979-10-02 JP JP12767579A patent/JPS5651699A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5651699A (en) | 1981-05-09 |
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