JPS63276331A - ダイオ−ドスイツチ駆動回路 - Google Patents
ダイオ−ドスイツチ駆動回路Info
- Publication number
- JPS63276331A JPS63276331A JP62111840A JP11184087A JPS63276331A JP S63276331 A JPS63276331 A JP S63276331A JP 62111840 A JP62111840 A JP 62111840A JP 11184087 A JP11184087 A JP 11184087A JP S63276331 A JPS63276331 A JP S63276331A
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- JP
- Japan
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- diode
- drive circuit
- diode switch
- pin diode
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- Pending
Links
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)
- Transceivers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明は、送受信の切換制御を行うためのダイオードス
イッチ駆動回路に関する。
イッチ駆動回路に関する。
（従来の技術）
医療機器として知られているＭＲＩ装置では、静磁場内
に配置した被検体にＲＦパルスを印加し、このＲＦパル
スの印加を解除したとき被検体から発せられるＭＲＩ信
＠（磁場共鳴信号）を受信用ＲＦコイルによって検出す
るようにしている。このようなＭＲＩ！置においては送
信器（ＲＦパワーアンプ）が用いられ、送信器によって
ＲＦパルスを印加すると共に、ＭＲＩ信号を受信するよ
うになっている。この送信器の送受信の切換制御を行う
には通常ダイオード例えばＰＩＮダイオードを用い、こ
のダイオードを直流バイアスによってオン、オフ制御す
ることによりオン、オフ時のインピーダンスの差を利用
して切換えることが行われている。すなわちダイオード
スイッチによって送受信の切換えを行っている。
に配置した被検体にＲＦパルスを印加し、このＲＦパル
スの印加を解除したとき被検体から発せられるＭＲＩ信
＠（磁場共鳴信号）を受信用ＲＦコイルによって検出す
るようにしている。このようなＭＲＩ！置においては送
信器（ＲＦパワーアンプ）が用いられ、送信器によって
ＲＦパルスを印加すると共に、ＭＲＩ信号を受信するよ
うになっている。この送信器の送受信の切換制御を行う
には通常ダイオード例えばＰＩＮダイオードを用い、こ
のダイオードを直流バイアスによってオン、オフ制御す
ることによりオン、オフ時のインピーダンスの差を利用
して切換えることが行われている。すなわちダイオード
スイッチによって送受信の切換えを行っている。
第４図はこのダイオードスイッチに直流パイアスを供給
するための駆動回路を示すもので、１はＰＩＮダイオー
ド、２は駆動回路でトランジスタＱ１と０２とから成り
、３は抵抗、４はＲＦコイルである。ＰＩＮダイオード
１は負荷（図示せず）と並列接続され、また送信器（図
示ぜず）と直列接続されている。ＲＦコイル４は送信器
で発生したＲＦ酸成分カットするためのもので駆動回路
２に対する影響を防止している。駆動回路２の端子Ｔ１
、Ｔ２に対し図のように直流電圧＋ＶＨ及び−ＶＬを
加えることにより、ＰＩＮダイオード１には抵抗３．Ｒ
Ｆコイル４を介して順方向の直流バイアスが供給される
のでオンする。
するための駆動回路を示すもので、１はＰＩＮダイオー
ド、２は駆動回路でトランジスタＱ１と０２とから成り
、３は抵抗、４はＲＦコイルである。ＰＩＮダイオード
１は負荷（図示せず）と並列接続され、また送信器（図
示ぜず）と直列接続されている。ＲＦコイル４は送信器
で発生したＲＦ酸成分カットするためのもので駆動回路
２に対する影響を防止している。駆動回路２の端子Ｔ１
、Ｔ２に対し図のように直流電圧＋ＶＨ及び−ＶＬを
加えることにより、ＰＩＮダイオード１には抵抗３．Ｒ
Ｆコイル４を介して順方向の直流バイアスが供給される
のでオンする。
（発明が解決しようとする問題点）
ところで従来の駆動回路では、ＰＩＮダイオード１と駆
動回路２間にＲＦコイル４が存在しているので、十ＶＨ
として比較的低い電圧を加えた場合は第３図の巳のよう
にＰＩＮダイオード１の立上り特性が遅くなる（なまる
）ので高速スイッチングに適さない欠点が存在している
。この欠点を除くためには＋ＶＨとして比較的高い電圧
を加えればよいが、この場合には駆動回路２のトランジ
スタＱ１の消費電力が増加するので熱放出量が大きくな
ってしまうため、ヒートシンクを大面積で取付ける必要
があるので駆動部が大型化してしまう問題がある。
動回路２間にＲＦコイル４が存在しているので、十ＶＨ
として比較的低い電圧を加えた場合は第３図の巳のよう
にＰＩＮダイオード１の立上り特性が遅くなる（なまる
）ので高速スイッチングに適さない欠点が存在している
。この欠点を除くためには＋ＶＨとして比較的高い電圧
を加えればよいが、この場合には駆動回路２のトランジ
スタＱ１の消費電力が増加するので熱放出量が大きくな
ってしまうため、ヒートシンクを大面積で取付ける必要
があるので駆動部が大型化してしまう問題がある。
本発明は以上のような問題に対処してなされたもので、
熱放出量を減少させるようにしたダイオードスイッチ駆
動回路を提供することを目的とするものである。
熱放出量を減少させるようにしたダイオードスイッチ駆
動回路を提供することを目的とするものである。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
上記目的を達成するために本発明は、ダイオードスイッ
チの立上り時のみ比較的高い電圧を加え、続いて低い電
圧を加えることを特徴とするものである。
チの立上り時のみ比較的高い電圧を加え、続いて低い電
圧を加えることを特徴とするものである。
（作 用）
立上り時に比較的高い電圧を加え・ることによりダイオ
ードスイッチの立上り特性が改善される。
ードスイッチの立上り特性が改善される。
また立上り時以外は低い電圧を加えるので駆動回路にあ
ける熱放出量は減少する。
ける熱放出量は減少する。
（実施例）
第１図は本発明実施例のダイオードスイッチ駆動回路を
示すもので、１はＰＩＮダイオード、２は駆動回路、３
は抵抗、４はＲＦコイル、５はダイオードである。駆動
回路２はトランジスタ（ｈ 、Ｑ２ 、Ｑ３から成って
いる。駆動回路２の端子Ｔ１ （トランジスタＱ１コレ
クタ）には、第２図（ａ＞のような比較的高い電圧子Ｖ
Ｈが加えられる。また駆動回路２の端子Ｔ３ （トラン
ジスタＱ２のコレクタ）には、第２図（Ｃ）のような比
較的低い電圧＋ＶＬがダイオード５を介して加えられる
。同様にして駆動回路２の端子下４ （トランジスタＱ
１のベース）には第２図（ｂ）のような電圧ＶＢＩが加
えられると共に、端子Ｔｓ （トランジスタＱ２のベ
ース）には第２図（ｄ＞のような電圧Ｖｉ３２が加えら
れる。比較的高い電圧子Ｖ＋及び低い電圧＋ＶＬの切換
制御は各々ＶＢＩ及びＶＢ２によって行われる。この結
果駆動回路２から（トランジスタＱ３のエミッタから）
は、第２図（ｅ）のような電圧が出力される。
示すもので、１はＰＩＮダイオード、２は駆動回路、３
は抵抗、４はＲＦコイル、５はダイオードである。駆動
回路２はトランジスタ（ｈ 、Ｑ２ 、Ｑ３から成って
いる。駆動回路２の端子Ｔ１ （トランジスタＱ１コレ
クタ）には、第２図（ａ＞のような比較的高い電圧子Ｖ
Ｈが加えられる。また駆動回路２の端子Ｔ３ （トラン
ジスタＱ２のコレクタ）には、第２図（Ｃ）のような比
較的低い電圧＋ＶＬがダイオード５を介して加えられる
。同様にして駆動回路２の端子下４ （トランジスタＱ
１のベース）には第２図（ｂ）のような電圧ＶＢＩが加
えられると共に、端子Ｔｓ （トランジスタＱ２のベ
ース）には第２図（ｄ＞のような電圧Ｖｉ３２が加えら
れる。比較的高い電圧子Ｖ＋及び低い電圧＋ＶＬの切換
制御は各々ＶＢＩ及びＶＢ２によって行われる。この結
果駆動回路２から（トランジスタＱ３のエミッタから）
は、第２図（ｅ）のような電圧が出力される。
次に、本実施例の作用を説明する。
第２図のタイムチャートのように、時刻ｔｏ−１１にお
いて第２図（ｂ）のようなベース電圧Ｖ８１を加えるこ
とにより、この間駆動回路２からは第２図（ｅ）のよう
な比較的高い電圧子ＶＨが出力される。これによってこ
の高い電圧＋Ｖ＋が抵抗３．ＲＦコイル４を介してＰＩ
Ｎダイオード１に供給されるので、ＰＩＮダイオード１
はオンして立上ることになる。続いて時刻ｔ１において
十ＶＨがＯになるとトランジスタＱ１はオフする。
いて第２図（ｂ）のようなベース電圧Ｖ８１を加えるこ
とにより、この間駆動回路２からは第２図（ｅ）のよう
な比較的高い電圧子ＶＨが出力される。これによってこ
の高い電圧＋Ｖ＋が抵抗３．ＲＦコイル４を介してＰＩ
Ｎダイオード１に供給されるので、ＰＩＮダイオード１
はオンして立上ることになる。続いて時刻ｔ１において
十ＶＨがＯになるとトランジスタＱ１はオフする。
同時にベース電圧Ｖ３２が加えられてｔｏ−１１の間オ
ンしているトランジスタＱ２はそのままオンしているの
で、駆動回路２からは第２図の（ｅ）のように低い電圧
子ＶＬが出力され、ＶＢ２がＯになる時刻ｔ２までこの
状態が続く、これによってＰＩＮダイオード′ｉＧよｔ
２までオン状態が維持される。
ンしているトランジスタＱ２はそのままオンしているの
で、駆動回路２からは第２図の（ｅ）のように低い電圧
子ＶＬが出力され、ＶＢ２がＯになる時刻ｔ２までこの
状態が続く、これによってＰＩＮダイオード′ｉＧよｔ
２までオン状態が維持される。
このような本実施例によればＰＩＮスイッチ１の立上り
時には、すなわち時刻ｔｏ−ｔｘの間には比較的高い電
圧−１−Ｖ ＋−＋が供給されるので、その立上り特性
は第３図のＡのように急峻になる。時刻ｔ１以降は低い
電圧子ＶＬが供給されるのでＰＩＮダイオード１はオン
状態を維持し、しかも駆動回路２のトランジスタＱ２に
は低い電圧子ＶＬが加えられているため消費電力は少な
くなる。従って熱放出量が減少するので、ヒートシンク
は小さな面積のもので十分となるため駆動部を小型化す
ることができる。
時には、すなわち時刻ｔｏ−ｔｘの間には比較的高い電
圧−１−Ｖ ＋−＋が供給されるので、その立上り特性
は第３図のＡのように急峻になる。時刻ｔ１以降は低い
電圧子ＶＬが供給されるのでＰＩＮダイオード１はオン
状態を維持し、しかも駆動回路２のトランジスタＱ２に
は低い電圧子ＶＬが加えられているため消費電力は少な
くなる。従って熱放出量が減少するので、ヒートシンク
は小さな面積のもので十分となるため駆動部を小型化す
ることができる。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、ダイオードスイッチ
の立上り時のみ比較的高い電圧を供給するようにしたの
で、熱放出量を大きくすることなしに立上り特性を改善
することができる。
の立上り時のみ比較的高い電圧を供給するようにしたの
で、熱放出量を大きくすることなしに立上り特性を改善
することができる。
第１図は本発明実施例のダイオードスイッチ駆動回路を
示す回路図、第２図（ａ＞乃至（ｅ）は本実施例の作用
を説明するタイムチャート、第３図はダイオードスイッ
チの特性図、第４図は従来例を示す回路図である。 １・・・ＰＩＮダイオード、２・・・駆動回路、４・・
・ＲＦコイル、 Ｑｌ、Ｑ２ 、Ｑ３・・・トランジスタ、＋ＶＨ・・・
比較的高い電圧、 ＋ＶＬ・・・比較的低い電圧。
示す回路図、第２図（ａ＞乃至（ｅ）は本実施例の作用
を説明するタイムチャート、第３図はダイオードスイッ
チの特性図、第４図は従来例を示す回路図である。 １・・・ＰＩＮダイオード、２・・・駆動回路、４・・
・ＲＦコイル、 Ｑｌ、Ｑ２ 、Ｑ３・・・トランジスタ、＋ＶＨ・・・
比較的高い電圧、 ＋ＶＬ・・・比較的低い電圧。
Claims (3)
- （１）ダイオードスイッチに対してこれをオンする直流
をＲＦ成分カット用素子を介して供給するダイオードス
イッチ駆動回路において、第１の直流供給回路と、これ
よりも高い値の直流を供給する第２の直流供給回路とを
備えたことを特徴とするダイオードスイッチ駆動回路。 - （２）ダイオードスイッチの立上り時のみ第２の直流供
給回路を動作させ、続いて第１の直流供給回路を動作さ
せる特許請求の範囲第１項記載のダイオードスイッチ駆
動回路。 - （３）ダイオードスイッチがＰＩＮダイオードから成り
、ＲＦ成分カット用素子がインダクタンスから成る特許
請求の範囲第１項記載のダイオードスイッチ駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62111840A JPS63276331A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | ダイオ−ドスイツチ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62111840A JPS63276331A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | ダイオ−ドスイツチ駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63276331A true JPS63276331A (ja) | 1988-11-14 |
Family
ID=14571485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62111840A Pending JPS63276331A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | ダイオ−ドスイツチ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63276331A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010517355A (ja) * | 2007-01-18 | 2010-05-20 | エヌエックスピー ビー ヴィ | Ｍｅｍｓキャパシタ回路及び方法 |
-
1987
- 1987-05-07 JP JP62111840A patent/JPS63276331A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010517355A (ja) * | 2007-01-18 | 2010-05-20 | エヌエックスピー ビー ヴィ | Ｍｅｍｓキャパシタ回路及び方法 |
| US8233856B2 (en) | 2007-01-18 | 2012-07-31 | Epcos Ag | MEMS capacitor circuit and method |
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