JPS63276061A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光（ここでは広義の光であって、紫外線、可視
光線、赤外線、Ｘ線、γ線などを意味する。）のような
電磁波に対して感受性のある光受容部材に関する。

〔従来技術〕

像形成分野において、光受容部材における光受容層を構
成する光導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流
（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ））が高く、照射する電磁波の
スペクトル特性に適合した吸収スペクトル特性を有する
こと、光応答性が早く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して無公害であること、等の特
性が要求される。殊に、事務機としてオフィスで使用さ
れる電子写真装置内に組み込まれる電子写真用光受容部
材の場合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。

このような点に立脚して最近注目されている光導電材料
にアモルファスシリコン（以後Ａ−３ｉと表記す）があ
り、たとえば独国公開第２７４６９６７号公報、同第２
８５５７１８号公報等には電子写真用光受容部材として
の応用が記載されている第２図は、従来の電子写真用光
受容部材の層構成を模式的に示す断面図であって、２０
１はアルミニウム系支持体、２０２はＡ−８ｉからなる
感光層である。こうした電子写真用光受容部材は、一般
的には、アルミニウム系支持体２０１を５０℃〜３５０
℃に加熱し、該支持体上に蒸着、熱ＣＶＤ法、プラズマ
ＣＶＤ法、スパッタリング等の成膜法によりＡ−８ｉか
らなる感光層２０２を作成する。

しかしながら、この電子写真用光受容部材ルアルミニウ
ムとＡ−８ｉの熱膨張係数が一桁程違うために、成膜後
冷却時に、Ａ−８ｉ感光層２０２にクラックやはがれが
発生する場合があり問題となっている。これらの問題を
解決するために、特開昭５９−２８１６２号公報におい
ては、アルミニウム系支持体上に、少なくともアルミニ
ウムを含む中間層と、Ａ−８ｉ悪感光からなる電子写真
感光体が提案されており、少なくともアルミニウムを含
む中間層によって、アルミニウム系支持体とＡ−３ｉ悪
感光の熱膨張係数の違いにより発生する応力を緩和し、
Ａ−８ｉ悪感光のクラックやはがれを低減している。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、従来のＡ−３ｉで構成された光受容層を
有する電子写真用光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光
応答性などの電気的、光学的、光導電的特性および使用
環境特性の点、さらには経時的安定性および耐久性の点
において、各々個々には特性の向上が計られているが、
総合的な特性向上を計る上でさらに改良される余地が存
在するのが実情である。

たとえば、近年電子写真装置の画像特性向上のために電
子写真装置内の光学露光装置、現像装置、転写装置等の
改良がなされた結果、電子写真用光受容部材においても
従来以上の画像特性の向上が求められるようになった。

特に画像の解像力が向上した結果、俗に「ガサツキ」と
呼ばれる、画像濃度の微細な領域における不均一性の減
少や、俗に「ポチ」と呼ばれる、黒点状または白点状の
画像欠陥の減少、特には従来はあまり問題視されなかっ
た微小な大きさの「ポチ」の減少が求められるようにな
った。

さらには、電子写真装置内に混入した異物と電子写真用
光受容部材とが接触したり、電子写真装置のメンテナン
ス時に電子写真用光受容部材が電子写真装置本体やメン
テナンス用工具と接触した際に加わる比較的短時間な衝
撃性の機械的圧力による画像欠陥の発生やＡ−８ｉ膜の
はがれの発生により電子写真用光受容部材の耐久性が損
なわれる等の問題があった。さらには、アルミニウム系
支持体とＡ−８ｉ膜の熱膨張率の違いにより発生する応
力のために−Ａ−８ｉ膜にクラックやはか、　　れが生
じ、生産性における歩留まりが減少する問題点があった
。

従ってＡ−８ｉ材料そのものの特性改良が計られる一方
で、電子写真用光受容部材を設計する際に、上述した問
題のすべてが解決されるように、電子写真用光受容部材
の構成上の総合的な観点からの改良を計ることが必要と
されている。

〔問題点を解決するための手段及び作用〕本発明の電子
写真用光受容部材は、アルミニウム系支持体と該支持体
上に、少なくとも光導電性を有する多層構造の光受容層
を有する電子写真用光受容部材において、前記光受容層
が前記支持体側より、構成要素として少なくアルミニウ
ム原子（ＡＩ）、シリコン原子（Ｓ　ｉ）　、水素原子
（Ｈ）、ハロゲン原子（Ｘ）を含む無機材料（以後ｒＡ
１ｓｉＨＪと略記する）で構成され且つ前記アルミニウ
ム原子（Ａ１）とシリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ
）が、層厚方向に不均一な分布状態で含有する部分を有
する下部層と、シリコン原子（Ｓｉ）を母体とし、水素
原子（Ｈ）およびハロゲン原子（Ｘ）の中の少なくとも
いずれか一方を含有する非単結晶質材料（以後ｒＮｏｎ
−３ｉ　（Ｈ。

Ｘ）Ｊと略記する）で構成され、且つ前記下部層と接す
る層領域に炭素原子（Ｃ）および窒素原子（Ｎ）および
酸素原子（０）の中の少なくとも一つの原子を含有する
上部層からなることを特徴としている。

上記したような層構成を取るようにして設計された本発
明の電子写真用光受容部材は、前記諸問題の全てを解決
し得、極めて優れた、電気的特性、光学的特性、光導電
特性、画像特性、耐久性および使用環境特性を示す。

さらに、下部層において、アルミニウム原子（ＡＩ）、
シリコン原子（Ｓｉ）、特には水素原子（Ｈ）を層厚方
向に不均一な分布状態で含有させることにより、アルミ
ニウム系支持体と上部層との間における電荷（フォトキ
ャリヤ）の注入性が改善され、さらには、アルミニウム
系支持体と上部層との構成元素の組織的構造的連続性が
改善されるために、ガサツキやボチ等の画−像特性が改
善され、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像力の高い
、高品質の画像を安定して繰り返し得ることができる。

さらには、電子写真用光受容部材に加わる比較的短時間
な衝撃性の機械的圧力による画像欠陥の発生やＮｏｎ−
Ｓｉ　（Ｈ，Ｘ）膜のはがれの発生を防止し耐久性を向
上させ、さらには、アルミニウム系支持体とＮｏｎ−３
ｔ（Ｉｆ、　Ｘ）膜の熱膨張率の違いにより発生する応
力を緩和し、Ｎｏｎ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）膜にクラックやは
がれが生じるのを防ぎ、生産性における歩留まりを向上
させることができる。

特に、本発明においては、下部層中にハロゲン原子（Ｘ
）を含有させることによってシリコン原子（Ｓｉ）、ア
ルミニウム原子（ＡＩ）等の未結合手を補償し組織的構
造的により安定な状態を得ることができるため、前記、
シリコン原子（Ｓｉ）、アルミニウム原子（ＡＩ）、及
び水素原子（Ｈ）の分布による効果と相まって、ガサツ
キやボチなどの画像特性において著しい改善が見られる
という特徴を有する。

さらに本発明においては、上部層において下部層と接す
る層領域に炭素原子（Ｃ）および窒素原子（Ｎ）および
酸素原子（０）の中の少なくとも一つの原子を含有させ
るこにより、上部層の層質が改善されて高電圧に対する
耐久性が向上し、上部層と下部層との間の密着性が更に
改善されるために、画像欠陥の発生や、ｌ□ｎ−５ｉ（
Ｈ，Ｘ）膜のはがれの発生を防止し耐久性が向上する。

また、前記特開昭５９−２８１６２号公報には、アルミ
ニウム原子（ＡＩ）と、υっッ原子（Ｓ　ｉ）を層厚方
向に不均一に含有し、さらには水素原子を含有すること
については言及されているものの、水素原子の含有のさ
れ方には言及されておらず、本発明とは明確に区別され
るものである。

〔発明の詳細な説明〕

以下、図面に従って本発明の電子写真用光受容部材につ
いて具体例を挙げて詳細に説明する。

第１図は、本発明の電子写真用光受容部材の好適な層構
成を説明するために模式的に示した構成図である。

第１図に示す電子写真用光受容部材１００は、電子写真
用光受容部材用としてのアルミニウム系支持体１０１の
上に、Ａｌ５ｉＨで構成され且つ前記アルミニウム原子
（ＡＩ）とシリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）が、
層厚方向に不均一な分布状態で含有する部分を有する下
部層１０３と、Ｎｏｎ−８ｉ（Ｉｆ、　Ｘ）で構成され
、且つ前記下部層と接する層領域に炭素原子（Ｃ）およ
び窒素原子（Ｎ）および酸素原子（０）の中の少なくと
も一つの原子を含有する上部層１０４とから成る層構成
を有する光受容層１０２とを有する。上部層１０４は自
由表面１０５を有する。

支」Ｌ体 本発明において使用されるアルミニウム系支持体１０１
としては、アルミニウム合金が用いられる。本発明のア
ルミニウム合金における、基質アルミニウムをはじめと
する合金成分については、特に制限はなく、成分の種類
、組成等については任意に選択することができる。従っ
て、本発明のアルミニウム合金には、日本工業規格（Ｊ
ＩＳ）、ＡＡ規格、ＢＳ規格、ＤＩＮ規格、国際合金登
録等に展伸材、鋳物用、ダイカスト等とし規格化あるい
は登録されている、純アルミニウム系、＾１−Ｃｕ系、
Ａｌ−Ｍｎ系、Ａｌ−９ｉ系、Ａｌ−Ｍｇ系、＾１−Ｍ
ｇ−３ｉ系、Ａｌ−Ｚｎ−Ｍｇ系、等の組成の合金、Ａ
ｌ−Ｃｕ−Ｍｇ系（ジュラルミン、超ジュラルミン等）
　、Ａｌ−Ｃｕ−３ｉ系（ラウタル等）　、Ａｌ−Ｃｕ
−Ｎｉ−Ｍｇ系（Ｙ合金、ＲＲ金合金）、アルミニウム
粉末焼結体（ＳＡＰ）等が含有される。

因みに、本発明のアルミニウム合金の具体的組成を以下
に例示するが、これは本発明の一例にすぎず、下記の例
示により本発明が限定されるものではない。

純アルミニウム系としては、例えばＪＩＳＩｌｏｏの、
Ｓｔ及びＦｅ１．０重量％以下、Ｃｕ　　Ｏ，０５〜０
．２０重量％、輩ｎ　　０．０５重量％以下、Ｚｎ　　
０．１０重量％以下、Ａｌ　９９．００重量％以上が挙
げられる。

Ａｌ　−Ｃｕ　−Ｍｇ系としては、例えば封５２０１７
の、Ｓｉ　０．０５〜０．２０重量％、ＦｅＯ，７重量
％以下、Ｃｕ３．５〜４．５重量％、Ｍｎ　　０．４０
〜１．０重量％、ＭｇＯ，４０〜０．８重量％、Ｚｎ　
　０．２５重量％以下、Ｃｒ００１０重量％以下、ＡＩ
　　残部が挙げられる。

Ａｌ−Ｍｎ系としては、例えばＪＩＳ３００３の、Ｓｉ
０．６重量％以下、ＦｅＯ，７重量％以下、Ｃｕ　　Ｏ
，０５〜０．２０重量％、Ｍｎ　１．０〜１．５重量％
、Ｚｎ　　Ｏ，１０重量％以下、Ａ１　　残部が挙げ゛
られる。

Ａｌ−３ｉ系としては、例えば月５４０３２のＳｉ　１
１．０〜１３．５重量％、Ｆｅ１．０重量％以下、Ｃｕ
　Ｏ，５０〜１．３重量％、Ｍｇ　０．８〜１．３重量
％、Ｚｎ　　Ｏ，２５重量％以下、Ｃｒ　　Ｏ，１０重
量％以下、Ｎｉ　Ｏ，５〜１．３重量％、ＡＩ　　残部
が挙げられる。

Ａｔ−Ｍｇ系としては、例えばＪＩＳ５０８６の、Ｓｉ
０．４０重量％以下、Ｆｅ　　Ｏ，５０重量％以下、Ｃ
ｕ　　Ｏ，１０重量％以下、Ｍｎ　　０．２０〜０．７
重量％、Ｍｇ　３．５〜４．５重量％、Ｚｎ　　Ｏ，２
５重量％以下、Ｃｒ　　Ｏ，０５〜０．２５重量％、Ｔ
ｉ　　０．１５重量％以下、Ａｌ　　残部が挙げられる
。

さらには、Ｓｉ　　０．５０重量％以下、Ｆｅ　　Ｏ，
２５重量％以下、Ｃｕ　　Ｏ，０４〜０．２０重量％、
Ｍｎ　　０．０１〜１．０重量％、Ｍｇ　０．５〜１０
重量％、Ｚｎ　　Ｏ，０３〜０．２５重量％以下、Ｃｒ
　　Ｏ，０５〜０．５０重量％、Ｔｉ又はＴｒ　　Ｏ，
０５〜０．２０重量％、Ｈ，Ａ１１００グラムに対して
１．０ｃｃ以下、Ａｌ　残部が挙げられる。

また、さらには、Ｓｉ　　０．１２重量％以下、Ｆｅ０
６１５重量％以下、Ｍｎ　　０．３０重量％以下、Ｍｇ
Ｏ，５〜５．５重量％、Ｚｎ　　Ｏ，０１〜１．０重量
％以下、Ｃｒ０１２０重量％以下、Ｚｒ　　Ｏ，０１〜
０．２５重量％以下、Ａ１　　残部が挙げられる。

Ａｌ−Ｍｇ−３ｉ系としては、例えばＪＩＳ６０６３の
、Ｓｉ０．２０〜０．６重量％、Ｆｅ　　Ｏ，３５重量
％以下、ＣｕＯ９１０重量％以下、Ｍｎ　　０．１０重
量％以下、Ｍｇ０．４５〜０．９重量％、Ｚｎ　　０．
１０重量％以下、Ｃｒ　　Ｏ，１０重量％以下、Ｔｉ　
　０．１０重量％以下、Ａ１　　残部が挙げられる。

＾１−　Ｚｎ　−Ｍｇ系としては、例えばＪＩＳ７ＮＯ
１の、Ｓｉ０．３０重量％以下、Ｆｅ　　Ｏ，３５重量
％以下、ＣｕＯ０２０重量％以下、Ｍｎ　　０．２０〜
０．７重量％、Ｍｇ　１．０〜２．０重量％、Ｚｎ　４
．０〜５．０重量％、Ｃｒ　　Ｏ，３０重量％以下、Ｔ
ｉ　　０．２０重量％以下、Ｚｒ　　Ｏ，２５重量％以
下、Ｖｏ、１０重量％以下、Ａ１　　残部が挙げられる
。

本発明においてアルミニウム合金の組成を選択するには
、使用目的に応じた特性として、例えば機械的強度、耐
食性、加工性、耐熱性、寸法制度等を考慮して適宜に選
択すれば良いが、例えば精密加工に際して、鏡面化切削
加工等を伴う場合には、アルミニウム合金中にマグネシ
ウム及び／又は銅を共存させることによって、アルミニ
ウム合金の快削性が向上する。

本発明においてアルミニウム系支持体１０１の形状は、
平滑表面あるいは凸凹表面の円筒状あるいは板状無端ベ
ルト状であることができ、その厚さは、所望通りの電子
写真用光受容部材を形成しつるように適宜決定するが、
電子写真用光受容部材としての可撓性が要求される場合
には、支持体としての機能が充分発揮される範囲内で可
能な限り薄（することができる。しかしながら、支持体
の製造上及び取扱い上、機械的強度の点から、通常は１
０μｍ以上とされる。

レーザー光などの可干渉光を用いて像記録を行う場合に
は、可視画像において現われる、いわゆる干渉縞模様に
よる画像不良を解消するために、アルミニウム系支持体
表面に凹凸を設けてもよい。

支持体表面に設けられる凹凸は、特開昭６０−１６８１
５６号公報、特開昭６０−１７８４５７号公報、特開昭
６０−２２５８５４号公報等に記載された公知の方法に
より作成される。

また、レーザー光などの可干渉光を用いた場合の干渉縞
模様による画像不良を解消する別の方法として、支持体
表面に複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を設けてもよ
い。

すなわち支持体の表面が電子写真用光受容部材に要求さ
れる解像力よりも微小な凹凸を有し、しかも該凹凸は、
複数の球状痕跡窪みによるものである。

支持体表面に設けられる複数の球状痕跡窪みによる凹凸
は、特開昭６１−２３１５６１号公報に記載された公知
の方法により作成される。

Ｌ躯旦 本発明における下部層は、構成要素として少なくともア
ルミニウム原子（ＡＩ）、シリコン原子（Ｓｉ）、水素
原子（Ｈ）ハロゲン原子（Ｘ）を含む無機材料で構成さ
れ、必要に応じて耐久性を調整する原子（ＣＮＯｃ）　
、画質を調整する原子（Ｍ　ｃ　）を含有してもよい。

該下部層に含有されるアルミニウム原子（Ａ１）、シリ
コン原子（Ｓ　ｉ）　、水素原子（Ｈ）は、該下部層の
全層領域に万偏無く含有されてはいるが、層厚方向にお
いてその分布濃度が不均一である部分を有する。しかし
ながら、支持体の表面と平行な面内方向においては、均
一な分布で万偏無く含有されることが、面内方向におけ
る特性の均一化を図る点からも必要である。

該下部層に含有されるハロゲン原子（Ｘ）、必要に応じ
て含有される耐久性を調整する原子（ＣＮＯｃ）および
画質を調整する原子（Ｍ　ｃ　）は、該下部層の全層領
域に万偏無く均一な分布状態で含有されても良いし、あ
るいは該下部層の全層領域に万偏無く含有されてはいる
が、層厚方向に対し不均一に分布する状態で含有してい
る部分があっても良い。しかしながら、いずれの場合に
も支持体の表面と平行な面内方向においては、均一な分
布で万偏無く含有されることが、面内方向における特性
の均一化を図る点からも必要である。

また、好ましい実施態様例の１つにおいては、下部層中
におけるアルミニウム原子（ＡＩ）、シリコン原子（Ｓ
ｉ）、水素原子（Ｈ）の分布状態は全層領域にアルミニ
ウム原子（ＡＩ）、シリコン原子（Ｓ　ｉ）　、水素原
子（Ｈ）が連続的に万偏無く分布し、アルミニウム原子
（ＡＩ）の層厚方向の分布濃度が支持体側より上部層に
向かって減少する変化が与えられ、シリコン原子（Ｓｉ
）、水素原子（Ｈ）の層厚方向の分布濃度が支持体側よ
り上部層に向かって増加する変化が与えられているので
、アルミニウム系支持体と下部層及び下部層と上部層と
の親和性に優れている。

本発明の電子写真用光受容部材においては、前記したよ
うに下部層中に含有されるアルミニウム原子（Ａｌ）、
シリコン原子（Ｓｉ）、水素原子（Ｈ）の分布状態は、
層厚方向においては前記の様な分布状態を取り、支持体
の表面と平行な面内方向には均一な分布状態とされるの
が望ましい。

第３図乃至第８図には、本発明における電子写真用光受
容部材の下部層中に含有されるアルミニウム原子（ＡＩ
）、ハロゲン原子（Ｘ）、必要に応じて含有される耐久
性を調整する原子（ＣＮＯＣ）および画質を調整する原
子（Ｍ　ｃ　）の層厚方向の分布状態の典型的例が示さ
れる。

第３図乃至第８図において、横軸はアルミニウム原子（
ＡＩＸ以・後［原子（ＡＩ）Ｊと略記する）、ハロゲン
原子（Ｘ）（以後「原子（Ｘ）」と略記する）、耐久性
を調整する原子（ＣＮＯｃ）（以後「原子（ＣＮＯｃ）
Ｊと略記する）、画質を調整する原子（Ｍｃ）（以後［
原子（Ｍｃ）Ｊと略記し、原子（Ａ１）と原子（Ｘ）と
原子（ＣＮＯｃ）と原子（Ｍｅ）を総称して「原゛子（
ＡＸ）Ｊと略記する。但し、原子（Ａ１）と原子（Ｘ）
と原子（ＣＮＯｃ）と原子（Ｍｃ）の層厚方向の分布状
態は同一であってもよいし異なってもよい）の分布濃度
Ｃを、縦軸は下部層の層厚を示し、ｔ、は支持体側の下
部層の端面の位置を、ｔアは上部層側の下部層の端面の
位置を示す。すなわち、原子（ＡＸ）の含有される下部
層はｔ、側より１１側に向かって層形成される。

第３図には、下部層中に含有される原子（ＡＸ）の層厚
方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第３図に示される例では、含有される原子（ＡＸ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔ６より位置ｔ３１までは濃度Ｃ３１
なる一定の値を取り、位置ｔｓ＋より位置ｔ７に至るま
で濃度Ｃ３１から一次関数的に減少して、位置ｔＴにお
いて濃度Ｃ３２となる様な分布状態を形成している。

第４図に示される例では、含有される原子（ＡＸ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔ、より位置ｔアに至るまで濃度Ｃ４
１から一次関数的に減少して、位置ｔＴにおいて濃度Ｃ
４２となる様な分布状態を形成している。

第５図に示される例では、含有される原子（ＡＸ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔ、より位置ｔ７に至るまで濃度Ｃｓ
＋から徐々に連続的に減少して、位置ｔ７において濃度
ＣＩ２となる様な分布状態を形成している。

第６図に示される例では、含有される原子（ＡＸ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔ８より位置ｔ８１までは濃度Ｃ６，
なる一定の値を取り、位置ｔｌｌｌより位置ｔ７までは
濃度Ｃ６，から−次間数的に減少して、位置１１におい
て濃度Ｃａｓとなる様な分布状態を形成している。

第７図に示される例では含有される原子（ＡＸ）の分布
濃度Ｃは、位置ｔｌｌより位置ｔ７＋までは濃度ＣＨ＋
なる一定の値を取り、位置ｔｅｌより位置ｔ７に至るま
で濃度Ｃ２，から徐々に連続的に減少して、位置１１に
おいて濃度Ｃｔｓとなる様な分布状態を形成している。

第８図に示される例では含有される原子（ＡＸ）の分布
濃度Ｃは、位置ｔ８より位置１１に至るまで濃度Ｃ０か
ら徐々に連続的に減少して、位置ｔ７において濃度Ｃ８
□となる様な分布状態を形成している。

以上、第３図乃至第８図により下部層中に含有される原
子（ＡＩ）の層厚方向の分布状態の典型例の幾つかを説
明したように、本発明においては、支持体側において、
シリコン原子（Ｓｔ）、水素原子（Ｈ）を含み、且つ原
子（Ａ１）の分布濃度Ｃの高い部分を有し、界面ｔ７に
おいて、前記分布濃度Ｃが支持体側に比べてかなり低く
された部分を有する場合には、好適な例が形成される。

この場合、原子（ＡＩ）の分布濃度の最大値Ｃｍａｘは
、好ましくは１０原子％以上、より好適には３０原子％
以上、最適には５０原子％以上とされる様な分布状態と
なり得るように層形成されるのが望ましい。

本発明において、下部層中に含有される原子（ＡＩ）の
含有量としては、本発明の目的が効果的に達成されるよ
うに所望に従って適宜状められるが、好ましくは５原子
％を越え９５原子％以下、より好ましくは１０〜９ｏ原
子％、最適には２０〜８０原子％とされるのが望ましい
。

第９図乃至第１６図には、本発明における電子写真用光
受容部材の下部層中に含有されるシリコン原子（Ｓｉ）
、水素原子（Ｈ）、ハロゲン原子（Ｘ）、必要に応じて
含有される原子（ＣＮＯＣ）、原子（Ｍｃ）の層厚方向
の分布状態の典型的例が示される。

第９図乃至第１６図において、横軸はシリコン原子（Ｓ
　ｉ）　、水素原子（Ｈ）、ハロゲン原子（Ｘ）、原子
（ＣＮＯｃ）、原子（Ｍｃ）（以後これらを総称して「
原子（ＳＨＸ）Ｊと略記する。但しシリコン原子（Ｓ　
ｉ）と水素原子（Ｈ）と原子（Ｘ）と原子（ＣＮＯｃ）
と原子（Ｍｃ）の層厚方向の分布状態は同一であっても
よいし異なってもよい）の分布濃度Ｃを、縦軸は下部層
の層厚を示し、ｔ８は支持体側の下部層の端面の位置を
、１１は上部層側の下部層の端面の位置を示す。すなわ
ち、原子（ＳＩＩＸ）の含有される下部層はＩｌｌ側よ
りｔ７側に向かって層形成される。

第９図には、下部層中に含有される原子（ＳＨＸ・）の
層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第９図に示される例では、含有される原子（ＳＨＸ）の
分布濃度Ｃは、位置ｔＩｌより位置ｔ９１に至るまで濃
度ＣＩＩから一時間数的に増加して、位置ｔ９１より位
置ｔ７までは濃度ＣＩＩなる一定の値を取る様な分布状
態を形成している。

第１０図に示される例では、含有される原子（ＳＨＸ）
の分布濃度Ｃは、位置ｔ、より位置１、までは濃度Ｃ１
゜、から−次間数的に増加して、位置１１において濃度
Ｃ１゜、となる様な分布状態を形成している。

第１１図に示される例では、含有される原子（ＳＨＸ）
の分布濃度Ｃは、位置ｔ、より位置１１に至るまで濃度
ＣＩｌｌから徐々に連続的に増加して位置ｔ７において
濃度Ｃ１１，となる様な分布状態を形成している。

第１２図に示される例では、含有される原子（ＳＨＸ）
の分布濃度Ｃは位置ｔ、より位置ｔ１，１に至るまで濃
度Ｃ１□から一時間数的に増加して位置ｔ１゜１におい
て濃度Ｃ２！２となり、位置ｔ、。１より位置ｔ７まで
は濃度Ｃ１□なる一定の値を取る様な分布状態を形成し
ている。

第１３図に示される例では、含有される原子（ＳＨＸ）
の分布濃度Ｃは位置ｔｌｌより位置ｔ３，１に至るまで
濃度Ｃ１，１から徐々に連続的に増加して位置ｔ１，１
において濃度ＣＩＩ２となり、位置ｔ８，１より位置ｔ
７までは濃度ｃＩｓｓなる一定の値を取る様な分布状態
を形成している。

第１４図に示される例では、含有される原子（ＳＨＸ）
の分布濃度Ｃは、位置ｔｌｌより位置１１に至るまで濃
度ＣＩ４１から徐々に連続的に増加して位置ｔ７におい
て濃度Ｃ１４，となる様な分布状態を形成している。

第１５図に示される例では、含有される原子（ＳＨＸ）
の分布濃度Ｃは位置ｔ８より位置ｔ１６．に至るまで実
質的に零（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合
であ゛る、以後の「実質的に零」の意味も同様である）
から徐々に増加して位置ｔ　Ｉｌｌにおいて濃度Ｃ１□
となり、位置ｔ　Ｉｌｌより位置ｔ７に至るまで濃度Ｃ
１６，なる一定の値を取る様な分布状態を形成している
。

第１６図に示される例では、含有される原子（ＳＨＸ）
の分布濃度Ｃは、位置ｔＢより位置ｔ７に至るまで実質
的に零から徐々に増加して位置ｔアにおいて濃度ＣＩ８
＋となる様な分布状態を形成している。

以上、第９図乃至第１６図により下部層中に含有される
シリコン原子（Ｓ　ｉ）　、水素原子（Ｈ）の層厚方向
の分布状態の典型例の幾つかを説明したように、本発明
においては、支持体側において、アルミニウム原子（Ａ
Ｉ）を含み、且つシリコン原子（Ｓｉ）、水素原子（Ｈ
）の分布濃度Ｃの低い部分を有し、界面ｔＴにおいては
、前記分布濃度Ｃは支持体側に比べてかなり高くされた
部分を有するシリコン原子（ｓｉ）、水素原子（Ｈ）の
分布状態が下部層に設けられている場合において、好適
な例が形成される。この場合、シリコン原子（Ｓｉ）、
水素原子（Ｈ）の和の分布濃度の最大値Ｃｔａａｘは、
好ましくは１ｏ原子％以上、より好適には３ｏ原子％以
上、最適には５０原子％以上とされる様な分布状態とな
り得るように層形成されるのが望ましい。

本発明において、下部層中に含有されるシリコン原子（
Ｓｉ）の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成
されるように所望に従って適宜法められるが、好ましく
は５〜９５原子％、より好ましくは１０〜９ｏ原子％、
最適には２０〜８０原子％とされるのが望ましい。

本発明において、下部層中に含有される水素原子（Ｈ）
の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成される
ように所望に従って適宜決められるが、好ましくは０．
０１〜７０原子％、より好ましくは０゜１〜５０原子％
、最適には１〜４０原子％とされるのが望ましい。

前記ハロゲン原子（Ｘ）としては、フッ素原子（Ｆ）、
塩素原子（Ｃ１）、臭素原子（Ｂｒ）＝ヨウ素原子（１
）を用いる。本発明においては、下部層にハロゲン原子
（Ｘ）としてフッ素原子（Ｆ）および／または塩素原子
（Ｃｔ）および／または臭素原子（Ｂｒ）および／また
はヨウ素原子（１）を含有させることによって、主とし
て下部層中に含有されるシリコン原子（Ｓｉ）、アルミ
ニウム原子（ＡＩ）等の未結合手を補償し組織的構造的
に安定となって層品質を向上させることができる。下部
層中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）の含有量としては
、本発明の目的が効果的に達成されるように所望に従っ
て適宜決められるが、好ましくは１〜４Ｘ１０’原子１
）Ｉ）ｍ％より好ましくは１０〜３×１ＯＳ原子ｐｐｍ
、最適には１×１０２〜２Ｘ１０ｓ原子ｐｐｍとされる
のが望ましい。

前記の必要に応じて含有される耐久性を調整する原子（
ＣＮＯｃ）としては、炭素原子（Ｃ）、窒素原子（Ｎ）
、酸素原子（０）を用いる。本発明においては、下部層
に耐久性を調整する原子（ＣＮＯｃ）としては炭素原子
（Ｃ）および／または窒素原子（Ｎ）および／または酸
素原子（０）を含有させることによって、主としてアル
ミニウム系支持体と上部層との間における電荷の注入性
を向上させる効果および／または下部層中での電荷の走
行性を改善する効果および／またはアルミニウム系支持
体と上部層の密着性を改善する効果を得ることができる
。さらに、下部層においてアルミニウム原子（ＡＩ）の
含有量の少ない層領域では禁性帯幅を制御する効果も得
ることができる。下部層に含有される耐久性を調整する
原子（ＣＮＯｃ）の含有量としては好ましくは１ｘｌＯ
’　〜５ｘｌＯ’原子ｐｐｍ、より好ましくは５Ｘ１０
’〜４Ｘ１０’原子ｐｐｍ％最適には１ｘｌＯ”　〜３
ｘｌＯ”原子ｐｐｍとされるのが望ましい。

前記の必要に応じて含有される画質を調整する原子（Ｍ
ｃ）としては、周期率表箱■族に属する原子（以後「第
■族」と略記する）、窒素原子（Ｎ）を除（周期率表第
Ｖ族に属する原子（以後「第Ｖ族原子」と略記する）、
酸素原子（０）を除く周期率表第Ｖｌ族に属する原子（
以後「第Ｖｌ族原子」と略記する）を用いる。第■族原
子としては、具体的には、Ｂ（硼素）、ＡＩ（アルミニ
ウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）。

（タリウム）等があり、特にＢ、ＡＩ、Ｇａが好適であ
る。第■族原子としては、具体的には、Ｐ（燐）、Ａｓ
（砒素）、Ｓｂ（アンチモン）。

Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ、Ａｓが好適である
。第Ｖｌ族原子としては具体的には、Ｓ（硫黄）、Ｓｅ
（セレン）、Ｔｅ（テルル）、ＰＯ（ポロニウム）等が
あり、特にＳ、Ｓｅが好適である。本発明においては、
下部層に画質を調整する原子（Ｍ　ｃ　）として第■族
原子または第Ｖ族原子または第Ｖｌ族原子を含有させる
ことによって、主としてアルミニウム系支持体と上部層
との間における電荷の注入性を向上させる効果および／
または下部層中での電荷の走行性を改善する効果を得る
ことができる。さらに、下部層においてアルミニウム原
子（ＡＩ）の含有量の少ない層領域では伝導型および／
または伝導率を制御する効果も得ることができる。下部
層に含有される画質を調整する原子（Ｍ　ｃ　）の含有
量としては好ましくは１ｘｌＯ−”　〜５ｘｌＯ’原子
ｐ　ｐ　ｍ　、より好ましくは１×１０−２〜ｌＸｌ０
’原子ｐｐｍ５最適にはｌＸｌ０−’〜５Ｘ１０”原子
ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明において、Ａｌ５ｉＨで構成される下部層は、た
とえば、後述される上部層と同様の真空堆積膜形成法に
よって、所望特性が得られるように適宜成膜パラメータ
の数値条件が設定されて作成される。具体的には、たと
えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ、高周波ＣＶＤまたは
マイクロ波ＣＶＤ等の交流放電ＣＶＤ、あるいは直流放
電ＣＶＤ等）　、ＥＣＲ−ＣＶＤ法、スパッタリング法
、真空蒸着法、イオンブレーティング法、光ＣＶＤ法、
材料の原料ガスを分解することにより生成される活性種
（Ａ）と、該活性種（Ａ）と化学的相互作用をする成膜
用の化学物質より生成される活性種（Ｂ）とを、各々別
々に堆積膜を形成するための成膜空間内に導入し、これ
らを化学反応させることによって材料を形成する方法（
以後ｒＨＲＣＶＤ法」と略記する）。材料の原料ガスと
、該原料ガスに酸化作用をする性質を有するハロゲン系
の酸化ガスを各々別々に堆積膜を形成するための成膜区
間内に導入し、これらを化学反応させることによって材
料を形成する方法（以後ｒＦＯｃＶＤ法」と略記する）
などの数々の薄膜積法によって形成することができる。

これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負
荷程度、製造規模、作成される電子写真用光受容部材に
所望される特性等の要因によって適宜選択されて採用さ
れるが、所望の特性を有する電子写真用光受容部材を製
造するに当っての条件の制御が比較的容易であり、アル
ミニウム原子、シリコン原子と共に、水素原子の導入を
容易に行い得る等のことからして、グロー放電法、スパ
ッタリング法、イオンブレーティング法、ＨＲＣＶ　Ｄ
法、ＦＯＣＶＤ法が好適である。そして、これらの方法
を同一装置系内で併用して形成してもよい。

たとえば、グロー放電法によって、Ａｌ５ｉ）ｌで構成
される下部層を形成するには、基本的にはアルミニウム
原子（ＡＩ）を供給し得る＾ｌ供給用の原料ガスと、シ
リコン原子（Ｓ　ｉ）を供給し得るＳｉ供給用ガスと、
水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用ガスとハロゲン原
子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用ガスと、必要に応じて耐
久性を調整する原子（ＣＮＯｃ）を供給し得るＣＮ０ｃ
供給用ガスと、必要に応じて画質を調整する原子（Ｍｃ
）を供給し得るＭｃ供給用ガスを、内部が減圧にし得る
堆積室内に所望のガス圧状態で導入して、該堆積室内に
グロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位置に設置さ
れである所定の支持体表面上にＡｌ５ｉＨからなる層を
形成すればよい。

ＨＲＣＶＤ法によってＡｌ５ｉｌｌで構成される下部層
を形成するには、基本的にはアルミニウム原子（Ａ１）
を供給し得るＡＩ供給用の原料ガスと、シリコン原子（
Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用ガスと、ハロゲン原子（
Ｘ）を供給し得るＸ供給用ガスと、必要に応じて耐久性
を調整する原子（ＣＮＯｃ）を供給し得るＣＮ０ｃ供給
用ガスと、必要に応じて画質を調整する原子（Ｍｃ）を
供給し得るＭｃ供給用ガスを、必要に応じて別々に、あ
るいは−緒に、内部が減圧にし得る堆積室内の前段に設
けた活性化空間に所望のガス圧状態で導入して、該活性
化空間内にグロー放電を生起させ、または加熱したりす
ることにより活性種（Ａ）を生成し、水素原子（Ｈ）を
供給し得るＨ供給用の原料ガスを同様に別の活性化空間
に導入して活性種（Ｂ）を生成し、活性種（Ａ）と活性
種（Ｂ）を各々別々に前記堆積室内に導入してあらかじ
め所定の位置に設置されである所定の支持体表面上にＡ
ｌ５ｉＨからなる層を形成すればよい。

ＦＯＣＶＤ法によってＡｌ５ｉＨで構成される下部層を
形成するには、基本的にはアルミニウム原子（ＡＩ）を
供給し得るＡ１供給用の原料ガスと、シリコン原子（Ｓ
　ｉ）を供給し得るＳｉ供給用ガスと、水素原子（Ｈ）
を供給し得るＨ供給用ガスと、ハロゲン原子（Ｘ）を供
給し得るＸ供給用ガスと、必要に応じて耐久性を調整す
る原子（ＣＮＯｃ）を供給し得るＣＮ０Ｃ供給用ガスと
、必要に応じて画質を調整する原子（Ｍｃ）を供給し得
るＭｅ供給用ガスを、必要に応じて別々に、あるいは−
緒に、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態
で導入し、さらにハロゲン（Ｘ）ガスを前記原料ガスと
は別に前記堆積室内に所望のガス圧状態で導入し、堆積
室内でこれらのガスを化学反応させて、あらかじめ所定
の位置に設置されである所定の支持体表面上にＡｌ５ｉ
Ｈからなる層を形成すればよい。

スパッタリング法で形成する場合には、たとえばＡｒ、
　Ｈｅ等の不活性ガスまたはこれ等のガスをベースとし
た混合ガスの雰囲気中でＡ１で構成されたターゲット、
Ｓｉで構成されたターゲットを使用して、またはＡＩと
Ｓｉの混合されたターゲットを使用して、水素原子（Ｈ
）を供給し得るＨ供給用の原料ガスと、ハロゲン原子（
Ｘ）を供給し得るＸ供給用ガスと、必要に応じて耐久性
を調整する原子（ＣＮＯｃ）を供給し得るＣＮ０ｃ供給
用ガスと、必要に応じて画質を調整する原子（Ｍｃ）を
供給し得るＭｅ供給用ガスをスパッタリング用の堆積室
に導入し、さらに必要に応じて、アルミニウム原子（Ａ
１）を供給し得る＾１供給用の原料ガスおよび／または
シリコン原子（Ｓ　ｉ）を供給し得るＳｉ供給用ガスを
、スパッタリング用の堆積室に導入し、所望のガスのプ
ラズマ雰囲気を形成することによって成される。

イオンブレーティング法の場合には、たとえばアルミニ
ウムと多結晶シリコンまたは単結晶シリコンとを、それ
ぞれ蒸発源として蒸着ボードに収容し、この蒸発源を抵
抗加熱法、あるいはエレクトロンビーム法（ＥＢ法）等
によって加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガスプラズ
マ雰囲気中を通過させる以外は、スパッタリング法の場
合と同様にする事で行うことができる。

本発明において、下部層の形成の際に、該層に含有され
るアルミニウム原子（Ａｌ）、シリコン原子（Ｓｉ）、
水素原子（Ｈ）、ハロゲン原子（Ｘ）、必要に応じて含
有される耐久性を調整する原子（ＣＮＯｃ）および画質
を調整する原子（Ｍｃ）（以後これらを総称して［原子
（ＡＳＩ（）Ｊと略記する）の分布濃度Ｃを層厚方向に
変化させて、所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｐｔｈｐ
ｒｏｆｉｌｅ　）を有する層を形成するには、グロー放
電法、ＨＲＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ法の場合ニハ、分布濃
度を変化させるべき原子（ＡＳＨ）供給用の原料ガスを
、そのガス流量を所望の変化率曲線にしたがって適宜変
化させ、堆積室内に導入することによって成される。

たとえば、手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いら
れている何らかの方法により、ガス流路系の途中に設け
られた所定のニードルバルブの開口を適宜変化させる。

スパッタリング法によって形成する場合、原子（Ａ　Ｓ
　Ｈ）の分布濃度Ｃを層厚方向に変化させて、所望の層
厚方向の分布状態（ｄｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を有
する層を形成するには、第一には、グロー放電法による
場合と同様に、原子（Ａ　Ｓ　Ｈ）供給用の原料をガス
状態で使用し、そのガス流量を所望の変化率曲線にした
がって適宜変化させ、堆積室内に導入することによって
成される。

第二は、スパッタリング用のターゲットを、例えばＡｔ
とＳｉとの混合されたターゲットを使用するのであれば
、Ａ１とＳｉの混合比を、ターゲットの層厚方向におい
て、あらかじめ変化させておくことによって成される。

本発明において使用される＾１供給用ガスと成り得る物
質としてはＡｌＣｌ５　、ＡＩＢｒｘ　、Ａｔ１、、Ａ
Ｉ　　（ＣＨＩ）、ＣＩ、ＡＩ　　（ＣＨＩ）８　。

ＡＩ（ＯＣＨ，）、、　　ＡＩ（ＣｚＨｓ）ｓ。

ＡＩ　（０’Ｃｚ　Ｈｓ　）　＊　＊　ＡＩ　（ｌ　　
Ｃａ　Ｈｅ）ｓ　。

ＡＩ　（ｉ−ＣａＨ２）ｓ、ＡＩ　（ＣｓＨｙ）ａ。

ＡＩ　　（ＱＣ，Ｈ，）、などが有効に使用されるもの
として挙げられる。また、これらのＡＩ供給用の原料ガ
スを必要に応じてＨａ　、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスに
より希釈して使用してもよい。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、Ｓ　ｉ　Ｈ４，Ｓ　ｉ　ｚ　Ｈａ。

Ｓ　ｔｓＨｓ、５ｔｔＨ＋１１等のガス状態の、または
ガス化し得る水素化珪素（シラン類）が有効に使用され
るものとして挙げられ、更に層作成作業時の取扱い易さ
、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳ　ｉＨｎ　、Ｓ　ｉｔ
　Ｈａが好ましいものとして挙げられる。また、これら
のＳｉ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ，’、Ｈｅ、
Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。

本発明において使用されるハロゲン供給用ガスとして有
効なのは多くのハロゲン化合物が挙げられ、例えばハロ
ゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲン
で置換されたシラン誘導体等のガス状態のまたはガス化
し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる。

また、さらには、シリコン原子とハロゲン原子とを構成
要素とするガス状態のまたはガス化し得る、ハロゲン原
子を含む水素化硅素化合物も有効ななものとして本発明
においては挙げることができる。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲン
ガス、Ｂ　ｒ　Ｆ、　ＣＩ　Ｆ、　ＣＩ　Ｆｓ。

ＢｒＦａ、ＢｒＦ　ｓ、ＩＦ、、ＩＦ、、ＩＣＩ。

ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げることができる。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、いわゆるハロゲン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば
ＳｉＨ，，５ｔ２Ｆａ、５ｉＣ１，，５ｉＢｒ、等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることができる
。

このようなハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグ
ロー放電法、ＨＲＣＶＤ法によって本発明の特徴的な電
子写真用光受容部材を形成する場合は、Ｓｉ供給用ガス
としての水素化硅素ガスを使用しなくても、所望の支持
体上にハロゲン原子を含むＡ　Ｉ　Ｓ　ｉ　Ｈから成る
下部層を形成することができる。

グロー放電法、ＨＲＣＶＤ法にしたがって、ハロゲン原
子を含む下部層を形成する場合には、基本的には、たと
えばＳｉ供給用ガスとなるハロゲン化硅素を用いること
によって、所望の支持体上に下部層を形成し得るもので
あるが、水素原子の導入割合を一層容易になるように図
るために、これ等のガスにさらに水素ガスまたは水素原
子を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成して
もよい。

また、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種
混合して使用しても差支えないものである。

本発明においては、ハロゲン原子供給用ガスとして上記
されたハロゲン化合物、あるいはハロゲンを含む硅素化
合物が有効なものとして使用されるものであるが、その
他に、ＨＦ、ＨＣＩ、ＨＢｒ、Ｈｌ等のハロゲン化水素
、ＳｉＨ，Ｆ。

ＳｔＨ＊　Ｆ２，５ｉＨＦｓ、５ｉＨｔ　Ｉｌ、５ｉ８
２　　Ｃ１２、５ｉＨＣ１ｓ　　、　　ＳｉＨ２Ｂｒｚ
　　。

５ｉＨＢｒｓ等のハロゲン置換水素化硅素、等々のガス
状態のあるいはガス化し得る物質も有効な下部層形成用
の原料物質として挙げることができる。これ等の物質の
中、水素原子を含むハロゲン化物は、下部層形成の際に
層中にハロゲン原子の導入と同時に電気的あるいは光電
的特性の制御に極めて有効な水素原子も導入されるので
、本発明においては好適なハロゲン供給用ガスとして使
用される。

水素原子を下部層中に構造的に導入するには、上記の他
にＨｌ、あるいはＳ　ｉＨ４，Ｓ　ｉＨ＊Ｈ１ｌｌ　　
５ｉｎ）Ｉｌ、ｓｔ４　Ｈｌ。等の水素化硅素とＳｉを
供給するためのシリコンまたはシリコン化合物とを堆積
室中に共存させて放電を生起させる事でも行うことがで
きる。

下部層中に含有され得る水素原子（Ｈ）および／または
ハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには例えば支持体温
度および／または水素原子（Ｈ）、あるいハロゲン原子
（Ｘ）を含有させるために使用される原料物質の堆積装
置系内へ導入する量、放電電力等を制御してやれば良い
。

下部層中に、耐久性を調整する原子（ＣＮＯｃ）、例え
ば炭素原子（Ｃ）あるいは窒素原子（Ｎ）あるいは酸素
原子（０）を構造的に導入するには、層形成の際に、炭
素原子（Ｃ）導入用の原料物質あるいは窒素原子（Ｎ）
導入用の原料物質あるいは酸素原子（０）導入用の原料
物質をガス状態で・堆積室中に、下部層を形成するため
の他の原料物質と共に導入してやれば良い。炭素原子（
Ｃ）導入用の原料物質あるいは窒素原子（Ｎ）導入用の
原料物質あるいは酸素原子（０）導入用の原料物質と成
り得るもとしては、常温常圧でガス状のまたは、少なく
とも層形成条件化で容易にガス下し得るものが採用され
るのが望ましい。

炭素原子（Ｃ）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される出発物質は、ＣとＨとを構成原子とす
る、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４
のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭
化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタン（Ｃ，Ｈ，）、プロパン（Ｃ１Ｈ，）、ｎ−ブ
タン（ｎ−Ｃ４Ｈ＋ｏ）　。

ペンタン（Ｃ，Ｈ，、）、エチレン系炭化水素としては
、エチレン（Ｃ２Ｈ，）、プロピレン（Ｃ。

Ｈ６）、ブテン−１（Ｃ，Ｈｓ）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ
−）、　イソブチレン（Ｃ４Ｈ８）、ペンテン（Ｃ，Ｈ
，。）、アセチレン系炭化水素としては、アセチレン（
Ｃ２Ｂ２　）　、メチルアセチレン（Ｃ，Ｈ４）、ブチ
ン（Ｃａ　Ｈｓ　）等カ挙げラレる。

ＳｔとＣとを構成原子とする原料ガスとしては、Ｓ　１
（ＣＨｓ　）　ａ　、　Ｓ　ｉ　（Ｃｓ　Ｈｓ　）　４
等のケイ化アルキルを挙げることができる。

この他に、炭素原子（Ｃ）の導入に加えて、ハロゲン原
子（Ｘ）の導入も行えるという点からＣＦ、、ＣＣ１，
、ＣＨ，ＣＦ、等ノハロケン化炭素ガスを挙げることが
できる。

窒素原子（Ｎ）導入用の原料ガスに成り得るもρとして
有効に使用される原料物質は、Ｎを構成原子とする、あ
るいはＮとＨとを構成原子とする例えば窒素ＣＮ２　）
、アンモニア（ＮＨ３）。

ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ，）、アジ化水素（ＨＮ３）、
アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）等のガス状のまたは
ガス化し得る窒素、窒化物およびアジ化物等の窒素化合
物を挙げることができる。

この他に、窒素原子（Ｎ）の導入に加えて、ハロゲン原
子（Ｘ）の導入も行えるという点から、三弗化窒素（Ｆ
、Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ、Ｎ、）等のハロゲン化窒素化
合物を挙げることができる。

酸素原子（０）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効（こ使用される出発物質は、例えば酸素（０，）、
オゾン（０，）、−酸化窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素（Ｎ
ｏ、　）、−二酸化窒素（Ｎ、Ｏ）、三二酸化窒素（Ｎ
２　ｏｓ　）　、゛四三酸化Ｎ素（Ｎ、Ｏ，）、　三二
酸化窒素（Ｎ２０．）。

Ｎ酸化窒素（Ｎｏ、）、シリコン原子（Ｓｉ）とＮ素原
子（０）と水素原子（Ｈ）と構成原子とする例えば、ジ
シロキサン（Ｈａ　Ｓ　ｉＯ８ｉＨｓ　）。

トリシロキサン（Ｈｓ　Ｓ　ｉ　ＯＳ　ｉ　Ｂ２０　Ｓ
　ｉ　Ｈｓ）等の低級シロキサン等を挙げることができ
る。

下部層中に、画質を調整する原子（Ｍｃ）、例えば、第
■族原子あるいは第Ｖ族原子あるいは第Ｖｌ族原子を構
造的に導入するには、層形成の際に、第■族原子導入用
の原料物質あるいは第Ｖ族原子導入用の原料物質あるい
は第Ｖｌ族原子導入用の原料物質をガス状態で堆積室中
に、下部層を形成するための他の原料物質と共に導入し
てやれば良い。第■族原子導入用の原料物質あるいは第
Ｖ族原子導入用の原料物質あるいは第Ｖｌ族原子導入用
の原料物質と成り得るものとしては、常温常圧でガス状
のまたは、少なくとも層形成条件化で容易にガス化し得
るものが採用されるのが望ましい。そのような第■族原
子導入用の原料物質として具体的には、硼素原子導入用
としては、Ｂ、Ｈ，、Ｂ、Ｈ，。、Ｂｓ　Ｈｅ　、Ｂｓ
　Ｈ＋１．Ｂ−Ｈｌ。、Ｂ、）ｌ、２．Ｂ、Ｈ，、等の
水素化硼素、ＢＦｓ　＋　ＢＣＩｓ　、ＢＢｒｍ等のハ
ロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ５．Ｇ
ａｌ。

Ｇａ　（ＣＨＩ　）３　、ＩｎＣ１５、ＴｌＣ１１等も
挙げられることができる。

第Ｖ族原子導入用の原料物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨｓ　
、Ｐ、Ｈ４等の水素比隣、ＰＨ，Ｉ。

ＰＦｓ　、ＰＦｓ　、ＰＣＩｎ　、ＰＣｌ５　、ＰＢｒ
ｓ。

ＰＢｒｓ　、ＰＩｓ　、等のハロゲン比隣が挙げられる
。この他、ＡＳＨｓ　、ＡｓＦ５　、ＡｓＣｌ５　。

ＡｓＢｒ５　、ＡｓＦ５．５ｂＨｓ　、５ｂＦｓ　。

５ｂＣ１ａ、５ｂＣ１ｓ、ＢｉＨｓ、Ｂ１Ｃ１１゜Ｂ　
ｉ　Ｂ　ｒｓ等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効な
ものとして挙げられることができる。

第Ｖｌ族原子導入用の原料物質としては、硫化水素（Ｈ
，Ｓ）、ＳＦ、、ｓＦｓ　、Ｓｏ２゜Ｓｏ、Ｆ、、ＣＯ
８，Ｃ８，、ＣＨ，ＳＨＣ。

Ｈ，ＳＨ，Ｃ４Ｓ、Ｈ，（ＣＨＩ　）、Ｓ　（Ｃ。

Ｈ，）、Ｓ等のガス状態のまたはガス化し得る物質が挙
げられる。この他、Ｓ　ｅ　Ｈｚ　ｒ　Ｓ　ｅ　Ｆ　ａ
　＊（ＣＨｓ　）２　Ｓｅ、（Ｃａ　Ｈａ　）２　Ｓｅ
、ＴｅＨ２、ＴｅＦａ　　、　　（ＣＨ３）２Ｔｅ、　
　（Ｃ２Ｈ６）２Ｔｅ等のガス状態のまたはガス化し得
る物質が挙げられる。

また、これらの画質を制御する原子（Ｍｃ）導入用の原
料物質を必要に応じてＨ＊、Ｈｅ。

Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。

本発明における下部層の層厚は、所望の電子写真特性が
得られること、および経済的効果等の点からＯ，ＯＯ３
〜５　μｍ、好ましくは０．０１〜１μｍ１最適には０
．０５〜０．５μｍとするのが望ましい。

なお、本発明において、下部層におけるアルミニウム系
支持体との端面は、下部層のアルミニウム原子（ＡＩ）
の含有量がアルミニウム系支持体におけるアルミニウム
原子（ＡＩ）の含有量の９５％以下となる領域である。

これは、アルミニウム原子（ＡＩ）の含有量がアルミニ
ウム系支持体におけるアルミニウム原子（Ａ　Ｉ）の含
有量の９５％を越える組成の領域では、その機能はほと
んど支持体としての機能しか有しないからである。さら
に、下部層における上部層との端面は、下部層のアルミ
ニウム原子（ＡＩ）の含有量が５％を越える領域である
。これは、アルミニウム原子（Ａ１）の含有量が５％以
下となる組成の領域では、その機能はほとんど上部層と
しての機能しか有しないからである。

本発明の目的を達成しつる特性を有するＡｌ５ｉＨから
なる下部層を形成するには、堆積室内のガス圧、支持体
の温度を所望に従って適宜設定する必要がある。

堆積室内のガス圧は、層設針に従って適宜最適範囲が選
択されるが、通常の場合ｌＸｌ０−’〜１０Ｔｏ　ｒ　
ｒ、好ましくは１×１０−４〜３Ｔ。

ｒｒ、最適には１ｘｌＯ−’　〜ＩＴｏｒｒとするのが
好ましい。

支持体温度（Ｔｓ）は、層設針に従って適宜最適範囲が
選択されるが、通常の場合、５０〜６００℃、好適には
１００〜４００℃とするのが望ましい。

本発明において、ＡＩＳ　ｉ　Ｈからなる下部層をグロ
ー放電法によって作成する場合には、堆積室内に供給す
る放電電力は、層設針に従って適宜最適範囲が選択され
るが通常の場合５Ｘ１０−’〜１０Ｗ／ｃｄ、好ましく
は５Ｘ１０−’〜５Ｗ／ｃｄ、最適にはＩ　Ｘ　１０”
−”　〜２　Ｘ　１０−’Ｗ／　ｃｍ”とするのが望ま
しい。

本発明においては、下部層を作成するための堆積室内の
ガス圧、支持体温度、堆積室内に供給する放電電力の望
ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、こ
れらの層作成ファクターは、通常は独立的に別々に決め
られるものではなく、所望の特性を有する下部層を形成
すべ（、相互的且つ有機的関連性に基づいて、下部層作
成ファクターの最適値を決めるのが望ましい。

上」Ｌ雁 本発明における上部層は、Ｎｏｎ−３ｉ（Ｈ。

Ｘ）で構成され所望の光導電特性を有する。

本発明における上部層の少なくとも下部層と接する層領
域中には、炭素原子（Ｃ）および／または窒素原子（Ｎ
）および／または酸素原子（０）は含有し、必要に応じ
て伝導性を制御する原子（Ｍ）も含有してもよいが、ゲ
ルマニウム原子（Ｇｅ）、スズ原子（Ｓｎ）のいずれも
実質的には含有されない。しかしながら、上部層のその
他の層領域中には、伝導性を制御する原子（Ｍ）、炭素
原子（Ｃ）、窒素原子（Ｎ）、酸素原子（０）、ゲルマ
ニウム原子（Ｇｅ）、スズ原子（Ｓ　ｎ）のうちの少な
くとも一種を含有してもよい。特に上部層の自由表面側
近傍の層領域においては、炭素原子（Ｃ）、窒素原子（
Ｎ）、酸素原子（０）のうちの少なくとも一種を含有す
るのが好ましい。

上部層の少なくとも下部層と接する層領域中に含有され
る炭素原子（Ｃ）および／または窒素原子（Ｎ）および
／または酸素原子（０）および／または必要に応じて含
有される伝導性を制御する原子（Ｍ）には該層領域中に
万遍無く均一に分布されてもよいし、あるいは該層領域
中に万遍無く含有されてはいるが、層厚方向に対し不均
一に分布する状態で含有している部分があってもよい。

しかしながら、いずれの場合にも支持体の表面と平行な
面内方向においては、均一な分布で万遍無く含有されて
いることが、面内方向における特性の均一化を図る点か
らも必要である。

上部層の少なくとも下部層と接する層領域以外の層領域
に伝導性を制御する原子（Ｍ）、炭素原子（Ｃ）、窒素
原子（Ｎ）、酸素原子（０）、ゲルマニウム原子（Ｇｅ
）、スズ原子（Ｓ　ｎ）の少なくとも一種を含有させる
場合には、前記伝導性を制御する原子（Ｍ）、炭素原子
（Ｃ）、窒素原子（Ｎ）、酸素原子（０）、ゲルマニウ
ム原子（Ｇｅ）、スズ原子（Ｓｎ）は該層領域中に万遍
無（均一に分布されても良いし、あるいは該層領域中に
万遍無く含有されてはいるが、層厚方向に対し不均一に
分布する状態で含有している部分があっても良い。しか
しながら、いずれの場合にも支持体の表面と平行な面内
方向においては、均一な分布で万偏無く含有されている
ことが、面内方向における特性の均一化を図る点からも
必要である。

また、伝導性を制御する原子（Ｍ）（以後「原子（Ｍ）
」と略記する）を含有する層領域（以後「層領域（Ｍ）
」と略記する）と、炭素原子（Ｃ）および／または窒素
原子（Ｎ）および／または酸素原子（０）（以後［原子
（ＣＮＯ）Ｊと略記する）を含有する上部層の少なくと
も下部層と接する層領域（以後「層領域（ＣＮＯ，’）
ｊと略記する）は、実質的に同一な層領域であってもよ
いし、少なくとも層領域（ＣＮＯ，）の表面側の一部を
共有していても良い。

また、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）および／またはスズ原
子（Ｓｎ）（以後「原子（ＧＳ）ｊと略記する）を含有
する層領域（以後「層領域（ＧＳ）Ｊと略記する）は、
層領域（ＣＮＯ，）の表面側の一部を共有していても良
い。

また、層領域（ＣＮＯ，）以外の原子（ＣＮＯ）を含有
する層領域（以後「層領域（ＣＮ０７）」と略記し、ま
た層領域（ＣＮＯ，）と層領域（ＣＮＯ，）を総称して
「層領域（ＣＮＯ）Ｊと略記する）と、層領域（Ｍ）と
、層領域（ＧＳ）は、実質的に同一な層領域であっても
よいし、少なくとも各々の層領域の一部を共有していて
もよいし、各々の層領域を実質的に共有していな（とも
良い。

第１７図乃至第３６図には、本発明における電子写真用
光受容部材の上部層において、層領域（Ｍ）に含有され
る原子（Ｍ）の層厚方向の分布状態の典型的例、層領域
（ＣＮＯ）に含有される原子（ＣＮＯ）の層厚方向の分
布状態の典型的例、層領域（ＧＳ）に含有される原子（
ＧＳ）の層厚方向の分布状態の典型的例を示したもので
ある。（以後、層領域（Ｍ）、層領域（ＣＮＯ）、層領
域（ＧＳ）を代表して「層領域（Ｙ）」と記し、原子（
Ｍ）、原子（ＣＮＯ）　、原子（ＧＳ）を代表して「原
子（Ｙ）」と記す。従って、第１７図乃至第３６図には
、層領域（Ｙ）に含有される原子（Ｙ）の層厚方向の分
布状態の典型的例が示されているが、前述したように、
層領域（Ｍ）、層領域（ＣＮＯ）　、層領域（ＧＳ）が
実質的に同一な層領域である場合には層領域（Ｙ）は上
部層内に単数含まれ、実質的に同一な層領域で無い場合
には層領域（Ｙ）は上部層内に複数含まれている）。

第１７図乃至第３６図において、横軸は原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃを、縦軸は層領域（Ｙ）の層厚を示し、ｔ、は
下部層側の層領域（Ｙ）の端面の位置を、ｔ７は自由表
面側の層領域（Ｙ）の端面の位置を示す。すなわち、原
子（Ｙ）の含有される層領域（Ｙ）はｔ、側よりｔア側
に向かって層形成される。

第１７図には、層領域（Ｙ）中に含有される原子（Ｙ）
の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第１７図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔ、より位置１１に至るまで濃度ＣＩ
７１から徐々に連続的に増加して位置ｔＴにおいて濃度
Ｃ３７２となる様な分布状態を形成している。

第１８図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔ８より位置ｔ　ＩＩＩに至るまで濃
度ＣＩＩＩから一時間数的に増加して位置ｔ１６１にお
いて濃度Ｃ１゜となり、位置ｔ　１８１より位置ｔＴま
では濃度ＣＩｍｓなる一定の値を取る様な分布状態を形
成している。

第１９図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔ、より位置ｔ　ＩＩＩに至るまで濃
度Ｃ１□なる一定の値となり、位置ｔ　ＩＩＩより位置
ｔ　１９２に至るまで濃度Ｃｌ９１から徐々に連続的に
増加して位置ｔ、。、において濃度Ｃ１１１２となり、
位置ｔ　Ｉ＠２より位置ｔアまでは濃度Ｃ８，３なる一
定の値を取る様な分布状態を形成している。

第２０図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔ、より位置ｔ２゜。

に至るまで濃度Ｃ２゜１なる一定の値となり、位置ｔ　
２０１　より位置ｔ２゜２に至るまで濃度Ｃ２゜２なる
一定の値となり、位置ｔ２゜、より位置１１までは濃度
Ｃ２゜３なる一定の値を取る様な分布状態を形成してい
る。

第２１図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔ、より位２１アまでは濃度Ｃ２１１
なる一定の値となる様な分布状態を形成している。

第２２図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔ、より位置ｔ２２１までは濃度Ｃ２
２，なる一定の値を取り、位置ｔ２２１　より位置ｔ７
に至るまで濃度Ｃ２２２から徐々に連続的に減少して、
位置ｔ７において濃度Ｃｚｚｓとなる様な分布状態を形
成している。

第２３図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔ、より位置１１に至るまで濃度Ｃ２
，１から徐々に連続的に減少して、位置ｔ□において濃
度Ｃ１，となる様な分布状態を形成している。

第２４図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置１．より位置ｔ　ｆｉ４１までは濃度
Ｃ２４，なる一定の値を取り位置ｔ、４１より位置ｔＴ
に至るまで濃度Ｃ３４，から徐々に連続的に減少して、
位置１１において分布濃度Ｃは実質的に零（ここで実質
的に零とは検出唄界量未満の場合である、以後の「実質
的に零」の意味も同様である）となる様な分布状態を形
成している。

第２５図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔ、より位置１１に至るまで濃度Ｃ３
，１から徐々に連続的に減少して、位置ｔ７において分
布濃度Ｃは実質的に零となる様な分布状態を形成してい
る。

第２６図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔ、より位置ｔ、６１までは濃度Ｃ２
６，なる一定の値を取り、位置ｔ２６．より位置ｔ。に
至るまで濃度Ｃ１６，から−次関数的に減少して、位置
ｔＴにおいて濃度Ｃ２，、となる様な分布状態を形成し
ている。

第２７図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置１．より位置ｔＴに至るまで濃度Ｃ２
７，から−次関数的に減少して、位置ｔＴにおいて分布
濃度Ｃは実質的に零となる様な分布状態を形成している
。

第２８図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔ、より位置ｔ２８１までは濃度Ｃ３
，１なる一定の値を取り、位置ｔ１．より位置１１に至
るまで濃度Ｃ２，、から−次関数的に減少して、位置ｔ
７において濃度Ｃ３８，となる様な分布状態を形成して
いる。

第２９図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔｌｌより位ｆｉｉ　ｔ　ｔに至るま
で濃度Ｃ３，から徐々に連続的に減少して、位置ｔｖに
おいて濃度Ｃ２９，となる様な分布状態を形成している
。

第３０図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔ３より位置ｔ、。１までは濃度Ｃ１
゜１なる一定、の値を取り、位置ｔ、。１より位置１Ｔ
までは濃度Ｃ３゜、から−次関数的に減少して、位置ｔ
Ｔにおいて濃度Ｃ８゜３となる様な分布状態を形成して
いる。

第３１図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔ、より位置ｔ３１１に至るまで濃度
Ｃ３１，から徐々に連続的に増加して位置ｔ、１１にお
いて濃度Ｃ３１，となり、位置ｔ、１１より位１ｔｔま
では濃度Ｃ８１，なる一定の値を取る様な分布状態を形
成している。

第３２図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔ、より位置ｔＴに至るまで濃度Ｃ３
２＋から徐々に連続的に増加して位置１１において濃度
Ｃ，２２となる様な分布状態を形成している。

第３３図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔ３より位置ｔ、、１に至るまで実質
的に零（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合で
ある、以後の「実質的に零」の意味も同様である）から
徐々に増加して位置ｔ、３１において濃度ＣＩ＄１とな
り、位置ｔ。１より位置１Ｔに至るまで濃度Ｃ３１，な
る一定の値を取る様な分布状態を形成している。

第３４図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔａより位置ｔ７に至るまで実質的に
零から徐々に増加して位置ｔ７において濃度Ｃ３４，と
なる様な分布状態を形成している。

第３５図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置１．より位置ｔ　３Ｂ＋に至るまで濃
度Ｃｓｓｌから一次関数的に増加して、位置ｔ□１より
位置ｔ７までは濃度Ｃ１２なる一定の値を取る様な分布
状態を形成している。

第３６図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔ３より位置ｔ７までは濃度Ｃ３６，
から−次間数的に増加して、位置ｔ１において濃度Ｃ３
６，となる様な分布状態を形成している。

前記の伝導性を制御する原子（Ｍ）としては、半導体分
野における、いわゆる不純物を挙げることができ、本発
明においては、ｐ型伝導特性を与える周期律表第■族に
属する原子（以後［第■族原子」と略記する）またはｎ
型伝導特性を与える窒素原子（Ｎ）を除（周期律表第Ｖ
族に属する原子（以後「第Ｖ族原子」と略記する）およ
び酸素原子（０）を除（周期律表第■族に属する原子（
以後「第■族原子」と略記する）を用いる。

第■族原子としては具体的には、Ｂ（硼素）。

ＡＩ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、　　Ｉｎ（
インジウム）、ＴＩ（タリウム）等があり、特にＢ、Ａ
Ｉ、Ｇａが好適である。第Ｖ族原子としては、具体的に
は、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）。

Ｓｂ（アンチモン）、　Ｂｉ　（ビスマス）等があり、
特にＰ、Ａｓが好適である。第■族原子としては、具体
的には、Ｓ（硫黄）、Ｓｅ（セレン）。

Ｔｅ（テルル）、Ｐｏ（ボロニウム）等があり、特にＳ
、Ｓｅが好適である。本発明においては、層領域（Ｍ）
に伝導性を制御する原子（Ｍ）として第■族原子または
第Ｖ族原子または第■族原子を含有させることによって
、主として伝導型および／または伝導率を制御する効果
および／または層領域（Ｍ）と上部層の層領域（Ｍ）以
外の層領域との間の電荷注入性を向上させる効果を得る
ことができる。層領域（Ｍ）に含有される伝導性を制御
する原子（Ｍ）の含有量としては好ましくは１ｘｌＯ−
”　〜５ｘｌＯ’原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０
１〜ｌＸｌ０’原子ｐＩ）　ｍ　ｓ最適には１ｘｌＯ−
’　〜５ｘｌＯ”、原子ｐｐｍとされるのが望ましい。

特に層領域（Ｍ）において後述する炭素原子（Ｃ）およ
び／または窒素原子（Ｎ）および／または酸素原子（０
）の含有量がｌＸｌ０”原子ｐｐｍ以下の場合は、層領
域（Ｍ）に含有される伝導性を制御する原子（Ｍ）の含
有量としては好ましくはｌＸｌ０−”〜ｌＸ１０３原子
ｐｐｍとされるのが望ましく、炭素原子（Ｃ）および／
又は窒素原子（Ｎ）および／または酸素原子（０）の含
有量がＩ　Ｘ　１０”原子ｐｐｍを越える場合は、伝導
性を制御する原子（Ｍ）の含有量としては好ましくはｌ
Ｘｌ０−’〜５Ｘ１０’原子ｐｐｍとされるのが望まし
い。

本発明においては、層領域（ＣＮＯ）に炭素原子（Ｃ）
および／または窒素原子（Ｎ）および／または酸素原子
（０）を含有させることによって、主として高暗抵抗化
および／または高硬度化および／または分光感度の制御
および／または層領域（ＣＮＯ，）と下部層との間の密
着性の向上および／または層領域（ＣＮＯ）と上部層の
層領域（ＣＮＯ）以外の層領域との間の密着性を向上さ
せる効果を得ることができる。層領域（ＣＮＯ）に含有
される炭素原子（Ｃ）および／または窒素原子（Ｎ）お
よび／または酸素原子（０）の含有量としては好ましく
は１〜９Ｘ１０’原子ｐｐｍ、より好ましくはｌＸ１０
’　〜５Ｘ１０’原子ｐｐｍ、最適には１ｘｌＯ”　〜
３ｘｌＯ’原子ｐｐ重原子れるのが望ましい。特に高暗
抵抗化および／または高硬度化を計る場合には好ましく
は１×１０ｓ〜９Ｘ１０’原子ｐｐｍとされるのが望ま
しく、分光感度の制御を計る場合には好ましくは１×１
０２〜５Ｘ１０’原子ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明においては、層領域（ＧＳ）にゲルマニウム原子
（Ｇｅ）及び／またはスズ原子（Ｓ　ｎ）を含有させる
ことによって、主として分光感度の制御、特には電子写
真装置の画像露光源に半導体レーザ等の長波長光を用い
る場合の長波長光感度を向上させる効果を得ることがで
きる。層領域（ＧＳ）に含有されるゲルマニウム原子（
Ｇｅ）および／又はスズ原子（Ｓ　ｎ）の含有量として
は好ましくは１〜９．５Ｘ１０’原子ｐｐｍ、より好ま
しくはｌＸｌ０”　〜８Ｘ１０’原子ｐｐｍ。

最適には５Ｘ１０”〜７Ｘ１０’原子ｐｐｍとされるの
が望ましい。

また、本発明における上部層に含有する水素原子（Ｈ）
および／またはハロゲン原子（Ｘ）はシリコン原子の未
結合手を補償し層品質の向上を図ることができる。上部
層中に含有される水素原子（Ｈ）、あるいは水素原子（
Ｈ）とハロゲン原子（Ｘ）の和の含有量は、好適にはｌ
Ｘｌ０’〜７Ｘ１０’原子ｐｐｍとされるのが望ましく
、ハロゲン原子（Ｘ）の含有量は、好適には１〜４Ｘ１
０’原子ｐｐｍとされるのが望ましい。

特に、上部層中において前記した炭素原子（Ｃ）および
／または窒素原子（Ｎ）および／または酸素原子（０）
の含有量が３Ｘ１０”原子ｐｐｍ以下の場合には水素原
子（Ｈ）、あるいは水素原子（Ｈ）とハロゲン原子（Ｘ
）の和の含有量は、１×１０３〜４×１０１１原子ｐｐ
ｍとされるのが望ましい。さらに、上部層が多結晶質材
料で構成される場合には、上部層中に含有される水素原
子（Ｈ）、あるいは水素原子（Ｈ）とハロゲン原子（Ｘ
）の和の含有量は、好適にはｌＸｌ０”〜２Ｘ１０’原
子ｐｐｍとされるのが望ましく、非結晶質材料で構成さ
れる場合には、好適にはＩ　Ｘ　１０’〜７Ｘ１０’原
子ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明において、Ｎｏｎ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成され
る上部層は、前述した下部層と同様の真空堆積膜形成法
によって作成することができ、特にグロー放電法、スパ
ッタリング法、イオンブレーティング法、ＨＲＣＶＤ法
、ＦＯＣＶＤ法が好適である。そして、これらの方法を
同一装置系内で併用して形成してもよい。

たとえば、グロー放電法によって、Ｎｏｎ−８ｉ　（Ｈ
，Ｘ）で構成される上部層を形成するには、基本的には
シリコン原子（Ｓｔ）を供給し得るＳｉ供給用ガスと、
水素原子（Ｈ）を供給し得るＮ供給用ガスおよび／また
はハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用ガスと、必
要に応じて伝導性を制御する原子（Ｍ）を供給し得るＭ
供給用ガスおよび／または炭素原子（Ｃ）を供給し得る
Ｃ供給用ガスおよび／または窒素原子（Ｎ）を供給し得
るＮ供給用ガスおよび／または酸素原子（０）を供給し
得る０供給用ガスおよび／またはゲルマニウム原子（Ｇ
ｅ）を供給し得るＧｅ供給用ガスおよび／またはスズ原
子（Ｓｎ）を供給し得るＳｎ供給用ガスを、内部が減圧
にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入して、該堆
積室内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位置
に設置されである所定のあらかじめ下部層を形成した支
持体表面上にＮｏｎ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成
すればよい。

ＨＲＣＶＤ法によってＮｏｎ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成
される上部層を形成するには、基本的にはシリコン原子
（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用ガスと、必要に応じて
伝導性を制御する原子（Ｍ）を供給し得るＭ供給用ガス
および／または炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用ガ
スおよび／または窒素原子（Ｎ）を供給し得るＮ供給用
ガスおよび／または酸素原子（０）を供給し得るＣ供給
用ガスおよび／またはゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給
し得るＧｅ供給用ガスおよび／またはスズ原子（Ｓ　ｎ
）を供給し得るＳｎ供給用ガスを、必要に応じて別々に
、あるいは−緒に、内部が減圧にし得る堆積室内の前段
に設けた活性化空間に所望のガス圧状態で導入して、該
活性化空間内にグロー放電を生起させ、または加熱した
りすることにより活性種（Ａ）を生成し、水素原子（Ｈ
）を供給し得るＮ供給用ガスおよび／またはハロゲン原
子（Ｘ）を供給し得るハロゲン供給用ガスを同様に別の
活性化空間に導入して活性種（Ｂ）を生成し、活性種（
Ａ）と活性種（Ｂ）を各々別々に前記堆積室内に導入し
てあらかじめ所定の位置に設置されである所定のあらか
じめ下部層を形成した支持体表面上にＮｏｎ−３ｉ　（
Ｈ，Ｘ）からなる層を形成すればよい。

ＦＯＣＶＤ法によってＮｏｎ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成
される上部層を形成するには、基本的にはシリコン原子
（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用ガスと、水素原子（Ｈ
）を供給し得るＮ供給用ガスと、必要に応じて伝導性を
制御する原子（Ｍ）を供給し得るＭ供給用ガスおよび／
または炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用ガスおよび
／または窒素原子（Ｎ）を供給し得るＮ供給用ガスおよ
び／または酸素原子（０）を供給し得るＣ供給用ガスお
よび／またはゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得るＧ
ｅ供給用ガスおよび／またはスズ原子（Ｓ　ｎ）を供給
し得るＳｎ供給用ガスを、必要に応じて別々に、あるい
は−緒に、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧
状態で導入し、さらにハロゲン（Ｘ）ガスを前記供給用
ガスとは別に前記堆積室内に所望のガス圧状態で導入し
、堆積室内でこれらのガスを化学反応させて、あらかじ
め所定の位置に設置されである所定のあらかじめ下部層
を形成した支持体表面上にＮｏ　ｎ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）
からなる層を形成すればよい。

スパッタリング法あるいはイオンブレーティング法によ
ってＮｏ　ｎ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成される上部層を
形成するには、基本的には例えば特開昭６１−５９３４
２公報等に記載されている公知の方法にて形成すればよ
い。

本発明において、上部層の形成の際に、該層に含有され
る伝導性を制御する原子（Ｍ）、炭素原子（Ｃ）、窒素
原子（Ｎ）、酸素原子（０）、ゲルマニウム原子（Ｇｅ
）、スズ原子（Ｓ　ｎ）（以後これらを総称して［原子
（ＭＣＮＯＧＳ）Ｊと略記する）の分布濃度Ｃを層厚方
向に変化させて、所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｐｔ
ｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を有する層を形成するには、グロ
ー放電法、ＨＲＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ法の場合には、分
布濃度を゛変化させるべき原子（ＭＣＮＯＧＳ）供給用
の原料ガスを、そのガス流量を所望の変化率曲線にした
がって適宜変化させ、堆積室内に導入することによって
成される。

たとえば、手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いら
れている何らかの方法により、ガス流路系の途中に設け
られた所定のニードルバルブの開口を適宜変化させる。

本発明において使用されるＳｉ供給用ガスと成り得る物
質としては、Ｓ　ｉＨａ　＊　Ｓ　ｉａ　Ｈｓ　ｒＳ　
１ｓＨｓ、５ｉ４Ｈ＋ｏ等のガス状態の、またはガス化
し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるもの
として挙げられ、更に層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ
供給効率のよさ等の点で５ｉ）Ｉ４．ｓｉ！）Ｉ＠が好
ましいものとして挙げられる。また、これらのＳｉ供給
用の原料ガスを必要に応じてＨｚ　、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ
等のガスにより希釈して使用してもよい。

本発明において使用されるハロゲン供給用ガスとして有
効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ、例えばハ
ロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲ
ンで置換されたシラン誘導体等のガス状態のまたはガス
化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる。

また、さらには、シリコン原子とハロゲン原子とを構成
要素とするガス状態のまたはガス化し得る、ハロゲン原
子を含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明に
おいては挙げることができる。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素子のハロ
ゲンガス、Ｂ　ｒ　Ｆ、　ＣＩ　Ｆ、　ＣＩＦａ、Ｂｒ
Ｆａ、ＢｒＦ５．ＩＦＦ、ＩＦ７゜ＩＣＩ、ＩＢｒ等の
ハロゲン間化合物を挙げることができる。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、いわゆるハロゲン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には、例え
ばＳｉＦ４．Ｓｉｔ　Ｆｓ　、５ｉＣ１４，ＳｉＢｒ４
等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
できる。

このようなハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグ
ロー放電法、ＨＲＣＶＤ法によって本発明の特徴的な電
子写真用光受容部材を形成する場合には、Ｓｉ供給用ガ
スとしての水素化硅素ガスを使用しなくても、所望の支
持体上にハロゲン原子を含むＮｏｎ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）
から成る上部層を形成することができる。

グロー放電法、ＨＲＣＶＤ法にしたがって、ハロゲン原
子を含む上部層を形成する場合には、基本的には、たと
えばＳｉ供給用ガスとなるハロゲン化硅素を用いること
によって、所望の支持体上に上部層を形成し得るもので
あるが、水素原子の導入割合を一層容易になるように図
るために、これ等のガスにさらに水素ガスまたは水素原
子を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成して
もよい。

また、各ガスは単独様のみでな（所定の混合比で複数種
混合して使用しても差し支えないものである。

本発明においては、ハロゲン原子供給用ガスとして上記
されたハロゲン化合物、あるいはハロゲンを含む硅素化
合物が有効なものとして使用されるものであるが、その
他に、ＨＦ、ＨＣＩ、ＨＢｒ、ＨＩ等のハロゲン化水素
、ＳｉＨ，Ｆ、ＳｉＨ２Ｆ２．５ｉＨＦｓ　、５ｉＨｉ
　Ｉ２，５ｉＨａＣｌ、５ｉＨＣ１ｓ、５ｉＨｚ　Ｂｒ
＊、５ｉＨＢｒｓ等のハロゲン置換水素化硅素、等々の
ガス状態のあるいはガス化し得る物質も有効な上部層形
成用の原料物質として挙げることができる。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、上
部層形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同時に電気
的あるいは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子も
導入されるので、本発明においては好適なハロゲン供給
用ガスとして使用される。

水素原子を上部層中に構造的に導入するには、上記の他
にＨ２、あるいはＳ　ｆ　Ｈ４、Ｓ　ｆ　＊　Ｈ’ｓ。

Ｓ　ｉｓ　Ｈａ　＊　Ｓ　１　ａ　Ｈｒ。等の水素化硅
素とＳｉを供給するためのシリコンまたはシリコン化合
物とを堆積室中に共存させて放電を生起させる事でも行
うことができる。

上部層中に含有され得る水素原子（Ｈ）および／または
ハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持体
温度および／または水素原子（Ｈ）、あるいはハロゲン
原子（Ｘ）を含有させるために使用される原料物質の堆
積装置系内へ導入する量、放電電力等を制御してやれば
良い。

上部層中に、伝導性を制御する原子（Ｍ）、例えば、第
■族原子あるいは第Ｖ族原子あるいは第■族原子を構造
的に導入するには、層形成の際に、第■族原子導入用の
原料物質あるいは第Ｖ族原子導入用の原料物質あるいは
第■族原子導入用の原料物質をガス状態で堆積室中に、
上部′層を形成するための他の原料物質と共に導入して
やれば良い。第■族原子導入用の原料物質あるいは第Ｖ
族原子導入用の原料物質あるいは第■族原子導入用の原
料物質と成り得るものとしては、常温常圧でガス状のま
たは、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るも
のが採用されるのが望ましい。そのような第■族原子導
入用の原料物質として具体的には硼素原子導入用として
は、Ｂ２Ｈｓ。

Ｂ４Ｈ，、、Ｂ、Ｈ，、Ｂ、Ｈ，、、Ｂ、Ｈ，、、Ｂ。

Ｈ，、、Ｂ、Ｈ，４等の水素化硼素、ＢＦ、、ＢＣｌ、
。

Ｂ　Ｂ　ｒ　ｓ等のハロゲン化硼素等が挙げられる。

この他ＡｌＣｌ５　、ＧａＣ１５、Ｇａ　（ＣＨ３）３
゜Ｉ　ｎ　Ｃｌ　３　、　Ｔ　Ｉ　Ｃ１１等も挙げるこ
とができる。

第Ｖ族原子導入用の原料物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ，、
Ｐ、Ｈ，等の水素北隣、ＰＨ，Ｉ。

ＰＦｓ　、ＰＦｓ　、ＰＣｌｍ　、、ＰＣｌ５　、ＰＢ
ｒｓ。

ＰＢｒｓ、ＰＩｓ等のハロゲン北隣が挙げられる。この
他、Ａ　ｓ　Ｈｓ　＋　Ａ　ｓ　Ｆ　＊　＋　Ａ　ｓ　
Ｃ１ｓ　＋ＡｓＢｒ５　、ＡｓＦ５　＋　５ｂＨｓ　＊
　５ｂＦｓ　ｒＳｂＦａ　、５ｂＣ１ｓ　、ＳｂＣ１ｍ
’、ＢｉＨｓ　＋Ｂ１Ｃ１５，Ｂ１Ｂｒ５等も第Ｖ族原
子導入用の出発物質の有効なものとして挙げることがで
きる。

第■族原子導入用の原料物質としては、硫化水素（Ｈ，
Ｓ）　、　ＳＦ、　、　ＳＦａ、ＳＯｉ、Ｓｏｗ　Ｆ２
゜ＣＯ３，Ｃ８２、ＣＨ，ＳＨ，Ｃ２Ｈ，ＳＨ。

Ｃ，Ｈ，Ｓ、　　（ＣＨ，）、Ｓ、　　（Ｃ，Ｈ，）、
Ｓ等のガス状態のまたはガス化し得る物質が挙げられる
。この他、５ｅＨｚ　、５ｅＦｓ　、（ＣＩ−１，）ｚ
Ｓｅ、（Ｃａ　Ｈｓ　）２　Ｓｅ、ＴｅＯ２，ＴｅＦｓ
　。

（ＣＨｓ　）＊　Ｔｅ、（Ｃｚ　Ｈｓ　）２　Ｔｅ等の
ガス状態のまたはガス化し得る物質が挙げられる。

また、これらの伝導性を制御する原子（Ｍ）導入用の原
料物質を必要に応じてＨａ、Ｈｅ。

Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。

上部層中に、炭素原子（Ｃ）あるいは窒素原子（Ｎ）あ
るいは酸素原子（０）を構造的に導入するには、層形成
の際に、炭素原子（Ｃ）導入用の原料物質あるいは窒素
原子（Ｎ）導入用の原料物質あるいは酸素原子（０）導
入用の原料物質をガス状態で堆積室中に、上部層を形成
するための他の原料物質と共に導入してやれば良い。炭
素原子（Ｃ）導入用の原料物質あるいは窒素原子（Ｎ）
導入用の原料物質あるいは酸素原子（０）導入用の原料
物質と成り得るものとしては、常温常圧でガス状のまた
は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るもの
が採用されるのが望ましい。

炭素原子（Ｃ）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される出発物質は、ＣとＨとを構成原子とす
る、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４
のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭
化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタン（Ｃ，Ｈ，）、プロパン（Ｃ。

Ｈ，）、ｎ−ブタン（ｎ　　Ｃ，Ｈｌｏ）−ペンタン（
ｃａ　Ｈ，、）、エチレン系炭化水素としては、エチレ
ン（Ｃ，Ｈ，’）、プロピレン（Ｃ，Ｈ，）。

ブテン−１（Ｃ４Ｈｓ）、ブテン−２（Ｃ，Ｈ，）。

インブチレン（Ｃ，Ｈ，）、ペンテン（Ｃｓ　Ｈｌ。）
。

アセチレン系炭化水素としてはアセチレン（Ｃ。

Ｆ３）、メチルアセチレン（Ｃ，Ｈ４）、ブチン（Ｃ４
Ｈ，）等が挙げられる。

ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、５
ｉ（ＣＨＩ）４，５ｉ（Ｃ２Ｈ６）４等のケイ化アルキ
ルを挙げることができる。

この他に、炭素原子（Ｃ）の導入に加えて、ハロゲン原
子（Ｘ）の導入も行えるという点からＣＦ、、ＣＣ１，
、ＣＨ，ＣＦ、等のハロゲン化炭素ガスを挙げることが
できる。

窒素原子（Ｎ）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される原料物質は、Ｎを構成原子とする、あ
るいはＮとＨとを構成原子とする例えば窒素（Ｎ、）、
アンモニア（ＮＨ，）、　　ヒドラジン（Ｈ，ＮＮＨ，
）、アジ化水素（ＨＮ　、）。

アジ化アンモニウム（ＮＨ，Ｎ、）等のガス状のまたは
ガス化し得る窒素、窒化物およびアジ化物等の窒素化合
物を挙げることができる。この他に、窒素原子（Ｎ）の
導入に加えて、ハロゲン原子（Ｘ）の導入も行えるとい
う点から、三弗化窒素（ＦＩＮ）、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ
２）等のハロゲン化窒素化合物を挙げることができる。

酸素原子（０）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される出発物質は、例えば酸素（０、）、オ
ゾン（０、）、−酸化窒素（Ｎｏ）。

二酸化窒素（Ｎ　Ｏ２）、−二酸化窒素（Ｎ２０）。

三二酸化窒素（ＮｚＯｓ）、四三酸化窒素（Ｎ２０４）
、三二酸化窒素（Ｎ、ｏｓ）、二酸化窒素（Ｎｏ□）、
シリコン原子（Ｓ　ｉ）と酸素原子（０）と水素原子（
Ｈ）とを構成原子とする例えば、ジシロキサン（Ｈ３Ｓ
ｉＯ８ｉＨ８）、トリシロキサン（Ｈｓ　Ｓ　１０　Ｓ
　ｉＨａ　ＯＳ　ｉ　Ｈｓ　）等の低級シロキサン等を
挙げることができる。

上部層中に、ゲルマニウム（Ｇｅ）あるいはスズ原子（
Ｓ　ｎ）を構造的に導入するには、層形成の際に、ゲル
マニウム（Ｇｅ）導入用の原料物質あるいはスズ原子（
Ｓ　ｎ）導入用の原料物質をガス状態で堆積室中に、上
部層を形成するための他の原料物質と共に導入してやれ
ば良い。ゲルマニウム（Ｇｅ）導入用の原料物質あるい
はスズ原子（Ｓ　ｎ）導入用の原料物質と成り得るもの
として（ま、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも層
形成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが
望ましい。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
ａ　、Ｇｅｚ　Ｈａ　＋　Ｇｅａ　Ｈａ　、Ｇｅ＜Ｈ＋
ｏ＋　Ｇｅｍ　Ｈ１ｚ＋　Ｇｅｓ　Ｎ１４１　Ｇｅ７Ｈ
１６１Ｇ　ｅ　ａ　Ｈ１ｓ、Ｇ　ｅ　＊　Ｈ２゜などの
ガス状態のまたはガス化し得る水素化ゲルマニウムが有
効に使用されるものとして挙げられ、殊に層作成作業時
の取り扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点で、ＧｅＩ
（４、Ｇｅｔ　）（ａ　、Ｇｅｓ　Ｈａが好ましいもの
として挙げられる。

その他に、ＧｅＨＦ５　、ＧｅＨ２Ｆ、ＧｅＨａＦ、Ｇ
ｅＨＣ］ｓ　＊　　ＧｅＨ２ｃｔ２．ＧｅＨｓＣｌ、Ｇ
ｅＨＢｒ、、ＧｅＨｚ　Ｂｒ、、ＧｅＨｓＢ　ｒ　、Ｇ
　ｅ　ＨＩ　ｓ　＊　　Ｇ　ｅ　Ｈｚ　　Ｉ　２１　　
Ｇ　ｅ　Ｈｓ　　Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム
、ＧｅＦ４゜ＧｅＣｌａ　、ＧｅＢ　ｒ４　＋　Ｇｅ　
１４　、ＧｅＦ２１ＧｅＣＩｓ　、ＧｅＢｒ１　、Ｇｅ
　Ｉｓ等のハロゲン化ゲルマニウムが挙げられる。

Ｓｎ供給用の原料ガスと成り得る物質とじては、ＳｎＨ
４，５ｎ２Ｈａ　、Ｓｎｓ　Ｈａ　、５ｎ４１（１ｏ、
　　Ｓ　ｎＢ　　Ｈ（２，Ｓ　ｎａ　　Ｎ１４．　　Ｓ
　ｎｔ　　Ｈ１６１Ｓ　ｎ　ａ　ＨＩｓ、　Ｓ　ｎ　＊
　Ｈ２ｏ、などのガス状態のまたはガス化し得る水素化
スズが有効に使用されるものとして挙げられ、殊に層作
成作業時の取り扱い易さ、Ｓｎ供給効率の良さ等の点で
Ｓ　ｎ　Ｈ４１Ｓｎ２Ｈｓ　＋　Ｓｎｓ　Ｈｓ　＋が好
ましいものとして挙げられる。

その他に、５ｎＨＦｓ、５ｎＨｚ　Ｆ２　＋　　５ｎＨ
ｓＦ、５ｎＨＣ１ｓ　、５ｎＨｚ　Ｃ１２，５ｎＨｓＣ
ｌ、５ｎＨＢｒｓ　、５ｎＨｘ　Ｂｒ＊　、５ｎＨｓＢ
ｒ、５ｎＨＩｓ、５ｎＨ２Ｉｓ、５ｎＨｓ　Ｉ等の水素
化ハロゲン化スズ、Ｓ　ｎ　Ｆ　４．Ｓ　ｎ　Ｃ１ａ　
＋ＳｎＢｒ４．ＳｎＩ４，５ｎＦｚ、５ｎＣ１＊。

５ｎＢｒ＝、５ｎＩａ等のハロゲン化スズ等々のガス状
態のあるいはガス化し得る物質も有効な上部層形成用の
出発物質として挙げる事ができる。

本発明における上部層の層厚は、所望の電子写真特性が
得られること、及び経済的効果等の点から１〜１３０μ
ｍ１好ましくは３〜１００μｍ１最適には５〜６０μｍ
とするのが望ましい。

本発明の目的を達成しうる特性を有するＮｏｎ−８ｉ　
（Ｈ，Ｘ）からなる上部層を形成するには、堆積室内の
ガス圧、支持体の温度を所望に従って適宜設定する必要
がある。

堆積室内のガス圧は、層設計に従って適宜最適範囲が選
択されるが、通常の場合ｌＸｌ０−’〜１０Ｔｏ　ｒ　
ｒ、好ましくはｌＸｌ０−’　〜３Ｔ。

ｒｒ、最適には１　ｘ　１０−’　〜Ｉ　Ｔｏ　ｒ　ｒ
とするのが好ましい。

上部層をＮｏｎ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）として水素原子（Ｈ
）および／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有するＡ−８
ｉ（以後、［Ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）　Ｊと略記する）を
選択して構成する場合には、支持体温度（Ｔｓ）は、層
設計に従って適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合
、５０〜４００℃、好適には１００〜３００℃とするの
が望ましい。

上部層をＮｏｎ−８ｉ　（Ｈ＋　Ｘ）として水素原子（
Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有する多結
晶質シリコン（以後、ｒｐｏｌｙ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）Ｊと
略記する）を選択して構成する場合には、その層を形成
するについては種々の方法があり、例えば次のような方
法が挙げられる。その１つの方法は、支持体温度を高温
、具体的には４００〜６００℃に設定し、該支持体上に
プラズマＣＶＤ法により膜を堆積せしめる方法である。

他の方法は、支持体表面に先ずアモルファス状の膜を形
成、すなわち、支持体温度をたとえば約２５０℃にした
支持体上にプラズマＣＶＤ法により膜を形成し、該アモ
ルファス状の膜をアニーリング処理することによりｐｏ
ｌｙ化する方法である。該アニーリング処理は、支持体
を４００〜６００℃に約５〜３０分間加熱するか、ある
いは、レーザー光を約５〜３０分間照射することにより
行われる。

本発明において、Ｎｏｎ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）からなる上
部層をグロー放電法によって作成する場合には、堆積室
内に供給する放電電力は、層設針に従って適宜最適範囲
が選択されるが通常の場合５×１０−６〜１０Ｗ／ｃｍ
３、好ましくは５×１０−４〜５Ｗ／Ｃｍ３、最適には
１×１０−ｓ〜２　ｘ　１０−’Ｗ／　ｃ　ｍ”　とす
るのが望ましい。

本発明においては、上部層を作成するための堆積室内の
ガス圧、支持体温度、堆積室内に供給する放電電力の望
ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、こ
れらの層作成ファクターは、通常は独立的に別々に決め
られるものではな（、所望の特性を有する上部層を形成
すべく、相互的且つ有機的関連性に基づいて、上部層作
成ファクターの最適値を決めるのが望ましい。

〔実施例〕 以下実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発
明はこれらによって限定されるものではない。

〈実施例１〉 高周波（以下ｒＲＦＪと略記する）グロー放電分解法に
よって本発明の電子写真用光受容部材を形成した。

第３７図に原料ガス供給装置１０２０と堆積装置１００
０からなる、ＲＦグロー放電分解法による電子写真用光
受容部材の製造装置を示す。

図中の１０７１．１０７２，１０７３，１０７４．１０
７５，１０７６．１０７７のガスボンベおよび１０７８
の密閉容器には、本発明の各々の層を形成するための原
料ガスが密封されており、１０７１はＳｉＨ４ガス（純
度９９．９９％）ボンベ、１０７２はＨ２ガス（純度９
９．９９９９％）ボンベ、１０７３はＣＨ，ガス（純度
９９゜９９９％）ボンベ、１０７４はＳｉＦ４ガス（純
度９９．９９９％）ボンベ、１０７５はＨ２ガスで希釈
されたＢ２Ｈ，ガス（純度９９．９９９％、以下ｒＢ、
Ｈ，／Ｈ，Ｊと略記する）、１０７６はＮｏガス（純度
９９．９％）ボンベ、１０７７はＨｅガス（純度９９．
９９９％）ボンベ、１０７８はＡＩＣＩｍ（純度９９．
９９％）を詰めた密閉容器である。

図中１００５は円筒状アルミニウム系支持体であり、外
直径は１０８ｍｍで、表面に鏡面加工を施しである。

まずガスボンベ１０７１〜１０７７のバルブ１０５１〜
１０５７、流入バルブ１０３１〜１０３７、堆積室１０
０１のリークバルブ１０１５が閉じられていることを確
認し、また、流出バルブ１０４１〜１０４７、補助バル
ブ１０１８が開かれていることを確認して先ずメインバ
ルブ１０１６を開いて不図示の真空ポンプにより堆積室
１００１およびガス配管内を排気した。

次に、真空計１０１７の読みが約ｌＸｌ０−”Ｔｏｒｒ
になった時点で補助バルブ１０１８、流出バルブ１０４
１〜１０４７を閉じた。

その後、ガスボンベ１０７１よりＳｉＨ４ガス、ガスボ
ンベ１０７２よりＨ２ガス、ガスボンベ１０７３よりＣ
Ｈ４ガス、ガスボンベ１０７４よりＳ　ｉＦ　ａガス、
ガスボンベ１０７５よりＢ１０．／Ｈ，ガス、ガスボン
ベ１０７６よりＮｏガス、ガスボンベ１０７７よりＨｅ
ガスを、バルブ１０５１〜１０５７を開けて導入し、圧
力調整器１０６１〜１０６７により各ガス圧力を２Ｋｇ
／Ｃｍ２に調整した。

次に流入バルブ１０３１〜１０３７を徐々に開けて、以
上の各ガスをマスフローコントローラー１０２１〜１０
２７内に導入した。この際にマスフローコントローラー
１０２７には、ガスボンベ１０７７からのＨｅガスがＡ
ｌＣｌ３の詰まった密閉容器１０７８を通って（るので
−１Ｈｅガスで希釈されたＡｌＣ１，ガス（以下ｒＡ１
ｃ１．／Ｈｅｊと略記する）が導入される。

また、堆積室１００１内に設置された円筒状アルミニウ
ム系支持体１００５の温度は加熱ヒーター１０１４によ
り２５０℃に加熱した。

以上のようにして成膜の準備が完了した後、円筒状アル
ミニウム系支持体１００５上に、下部層、上部層の凸周
の成膜を行った。

下部層を形成するには、流出バルブ１０４１゜１０４２
．１０４４，１０４６．１０４７および補助バルブ１０
１８を徐々に開いてＳｉＨ４ガス、Ｈ２ガス、Ｓ　ｉ　
Ｆ　ａガス、Ｎｏガス、ＡｔＣ１ｓ　／　Ｈｅガスをガ
ス導入管１００８のガス放出孔１００９を通じて堆積室
１００１内に流入させた。この時、ＳｉＨ４ガス流量が
５０３ＣＣＭ１Ｈ，ガス流量がＩＯ８ＣＣＭ、ＳｉＦ４
ガス流量が５８ＣＣＭ、Ｎｏガス流量が５８ＣＣＭ。

ＡｌＣ１，／Ｈｅガス流量が１２０８ＣＣＭとなるよう
に各々のマスフローコントローラー１０２１．１０２２
，１０２４．１０２６．１０２７で調整した。堆積室１
００１内の圧力は、０．４Ｔｏｒｒとなるように真空計
１０１７を見ながらメインバルブ１０１６の開口を調整
した。その後、不図示のＲＦ電源の電力を５ｍＷ／ｃｍ
”に設定し高周波マツチングボックス１０１２を通じて
堆積室１００１内にＲＦ電力を導入し、ＲＦグロー放電
を生起させ、円筒状アルミニウム系支持体上に下部層の
形成を開始した。下部層の形成中、Ｓ　Ｉ　Ｈａガス流
量は５０８ＣＣＭの一定流量となるように、Ｈ２ガス流
量はＩＯ３ＣＣＭから２００ＳＣＣＭに一定の割合で増
加するように、Ｓ　Ｉ　Ｆ　４ガス流量及びＮｏガス流
量は共に５８ＣＣＭの一定流量となるように、Ａ　Ｉ　
Ｃｌ　ｓ　／　Ｈｅガス流量は１２０ＳＣＣＭから４０
ＳＣＣＭに一定の割合で減少するようにマスフローコン
トローラー１０２１．１０２２，１０２４，１０２６゜
１０２７を調整し、層厚０．０５μｍの下部層を形成し
たところでＲＦグロー放電を止め、また、流出バルブ１
０４１，１０４２，１０４４，１０４６．１０４７およ
び補助バルブ１０１８を閉じて、堆積室１００１内への
ガスの流入を止め、下部層の形成を終えた。

次に、上部層の第一の層領域を形成するには、流出バル
ブ１０４１，１０４２．１０４６および補助バルブ１０
１８を徐々に開いてＳ　ｉＨ４ガス、Ｈ２ガス、Ｈｅガ
スをガス導入管１００８のガス放出孔１００９を通じて
堆積室１００１内に流入させた。この時、Ｓ　Ｉ　Ｈ４
ガス流量が１１００８ＣＣ，Ｈ，ガス流１１が１１００
５ＣＣ，Ｎ。

ガス流量が３０８ＣＣＭとなるように各々のマスフロー
コントローラー１０２１．１０２２．１０２６で調整し
た。堆積室１００１内の圧力は、０．３５Ｔｏｒｒとな
るように真空計１０１７を見ながらメインバルブ１０１
６の開口を調整した。その後、不図示のＲＦ電源の電力
を１０ｍＷ／　ｃ　ｍ　”に設定し高周波マツチングボ
ックス１０１２を通じて堆積室１００１内にＲＦ電力を
導入し、ＲＦグロー放電を生起させ、下部層上に上部層
の第一の層領域の形成を開始し、層厚３μｍの上部層の
第一の層領域を形成したところでＲＦグロー放電を止め
、また、流出バルブ１０４１゜１０４２．１０４６およ
び補助バルブ１０１８を閉じて、堆積室１００１内への
ガスの流入を止め、上部層の第一の層領域の形成を終え
た。

次に、上部層の第二の層領域を形成するには、流出バル
ブ１０４１．１０４２および補助バルブ１０１８を徐々
に開いてＳｉＨ４ガス、Ｈ，ガスをガス導入管１００８
のガス放出孔１００９を通じて堆積室１００１内に流入
させた。この時、Ｓ　ｉ　Ｈａガス流量が３００３ＣＣ
Ｍ、）（！ガス流量が３００８　ＣＣＭとなるように各
々のマスフローコントローラー１０２１．１０２２で調
整した。堆積室１００１内の圧力は、０．５Ｔｏｒｒと
なるように真空計１０１７を見ながらメインバルブ１０
１６の開口を調整した。その後、不図示のＲＦ電源の電
力を１５　ｍＷ／　ｃ　ｍ’に設定し高周波マツチング
ボックス１０１２を通じて堆積室１００１内にＲＦ電力
を導入し、ＲＦグロー放電を生起させ、上部層の第一の
層領域上に上部層の−第二の層領域の形成を開始し、層
厚２０μｍの上部層の第二の層領域を形成したところで
ＲＦグロー放電を止め、また、流出バルブ１０４１゜１
０４２および補助バルブ１０１８を閉じて、堆積室１０
０１内へのガスの流入を止め、上部層の第二の層領域の
形成を終えた。

次に、上部層の第三の層領域を形成するには、流出バル
ブ１０４１．１０４３および補助バルブ１０１８を除々
に開いてＳ　ｔ　Ｈａガス、ＣＨ。

ガスをガス導入管１００８のガス放出孔１００９を通じ
て堆積室１００１流入させた。この時、ＳｉＨ，ガス流
量が５０８ＣＣＭ、ＣＨ，ガス流量が５００８ＣＣＭと
なるように各々のマスフローコントローラー１０２１．
１０２３で調整した。堆積室１００１内の圧力は、０．
４Ｔｏｏｒとなるように真空計１０１７を見ながらメイ
ンバルブ１０１６の開口を調整した。その後、不図示の
ＲＦＩＩ源の電力を１０　ｍ　Ｗ　／　ｃ　ｍ　”に設
定し高周波マツチングボックス１０１２を通じて堆積室
１００１内にＲＦ電力を導入し、ＲＦグロー放電を生起
させ、上部層の第二の層領域上に第三の層領域の形成を
開始し、層厚０．５μｍの上部層の第三の層領域を形成
したところでＲＦグロー放電を止め、また流出バルブ１
０４１．１０４３および補助バルブ１０１８を閉じて、
堆積室１００１内へのガスの流入を止め、上部層の第三
の層領域の形成を終えた。

以上の、電子写真用光受容部材の作成条件を第１表に示
す。

それぞれの層を形成する際に必要なガス以外の流出バル
ブは完全に閉じられていることは云うまでもな（、また
、それぞれのガスが堆積室１００１内、流出バルブ１０
４１〜１０４７から堆積室１００１に至る配管内に残留
することを避けるために、流出バルブ１０４１〜１０４
７を閉じ、補助バルブ１０１８を開き、さらにメインバ
ルブを全開にして系内を一旦高真空に排気する操作を必
要に応じて行う。

また、層形成を行っている間は層形成の均一化を図るた
め、円筒状アルミニウム系支持体１００５を、不図示の
駆動装置によって所望される速度で回転させる。

〈比較例） 下部層を形成する際に、Ｈ，ガス、５ＩＦ４ガス、Ｎｏ
ガス、Ｂ、Ｈａ　／Ｈ，ガスを用いない以外は、実施例
１と同じ作成条件で電子写真用光受容部材を作成した。

この、電子写真用光受容部材の作成条件を第２表に示す
。

作成された実施例１および比較例の電子写真用光受容部
材をキャノン製の複写機ＮＰ−７５５０を実験用に改造
した電子写真装置にそれぞれセットして、種々の条件の
もとに幾つかの電子写真特性をチェックしたところ、共
に非常に強力なコロナ帯電や、クリーニング剤等による
摩擦帯電によって、電子写真用光受容部材に高電圧が印
加された場合においても画像欠陥の発生は認められない
という耐電圧性に対する顕著な特徴を有するということ
がわかった。

次に、画像特性としてポチの数を比較したところ、特に
直径０．１ｍｍ以下のポチの数につき実施例１の電子写
真用光受容部材のほうが比較例の電子写真用光受容部材
の１／２以下のポチ数となっていることがわかった。さ
らに、ガサツキの度合いを比較するために、直径０．０
５ｍｍの円形の領域を１単位として１００点の画像濃度
を測定し、その画像濃度のバラツキを評価したところ、
実施例１の電子写真用光受容部材のほうが比較例の電子
写真用光受容部材の１／２以下のバラツキとなり、目視
においても実施例１の電子写真用光受容部材のほうが比
較例の電子写真用光受容部材より優れていることがわか
った。

また、電子写真用光受容部材に加わる比較的短時間な衝
撃性の機械的圧力による画像欠陥の発生や光受容層の層
はがれの発生の度合いを比較するために、直径３．５ｍ
ｍのステンレス製ボールを電子写真用光受容部材の表面
の鉛直上３０ｃｍから自由落下させて電子写真用光受容
部材表面に当て、光受容層に亀裂が生じる確率を測定し
たところ、実施例１の電子写真用光受容部材のほうが比
較例の電子写真用光受容部材の２１５以下の発生確率と
なっていることがわかった。

以上に見られるように、実施例１の電子写真用光受容部
材のほうが比較例の電子写真用光受容部材より総合的に
優位性が認められた。

〈実施例２〉 実施例１の下部層においてＨｅガスを使用せずに、Ａｌ
Ｃ１，／Ｈｅガス流量の変化の仕方を変え、第３表に示
す作成条件により、実施例１と同様に電子写真用光受容
部材を作成し、同様な評価を行ったところ、実施例１と
同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対して改善される良
好な効果が得られた。

〈実施例３〉 実施例１においてＣＨ，ガスを使用せず、第４表に示す
作成条件により、実施例１と同様に電子写真用光受容部
材を作成し、同様な評価を行ったところ、実施例１と同
様にポチ、ガサツキ、層はがれに対して改善される良好
な効果が得られた。

〈実施例４〉 実施例１において不図示のボンベよりＨｅガス（純度９
９．９９９９％）をさらに使用し、第５表に示す作成条
件により実施例１と同様に電子写真用光受容部材を作成
し、同様な評価を行ったところ、実施例１と同様にポチ
、ガサツキ、層はがれに対して改善される良好な効果が
得られた。

〈実施例５〉 実施例１においてＢ、Ｈ，／Ｈ，ガスボンベを水素で希
釈されたＰＨ，ガス（以下ＰＨ，／Ｈｚガスと略記する
。純度９９．９９９％）ボンベに変え、Ｎｏガスボンベ
をＮＨ，ガス（純度９９゜９９９％）ボンベに変えて第
６表に示す作成条件により、実施例１と同様に電子写真
用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったところ、実
施例１と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対して改善
される良好な効果が得られた。

〈実施例６〉 実施例１において不図示のボンベよりＣ，Ｈ。

ガスをさらに使用し、第７表に示す作成条件により、実
施例１と同様に電子写真用光受容部材を作成し、同様な
評価を行ったところ、実施例１と同様にポチ、ガサツキ
、層はがれに対して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例７〉 不図示のボンベよりＰＨ，／Ｈ”ガスをさらに使用し、
第８表に示す作成条件により、実施例１と同様に電子写
真用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったところ、
実施例１と同様にボチ、ガサツキ、層はがれに対して改
善される良好な効果が得られた。

〈実施例８〉 実施例１において不図示のボンベよりＮ、ガス、Ｈ，Ｓ
ガス、ＰＨ，／Ｈ，ガスをさらに使用し、第９表に示す
作成条件により、実施例１と同様に電子写真用光受容部
材を作成し、同様な評価を行ったところ、実施例１と同
様にボチ、ガサツキ、層はがれに対して改善される良好
な効果が得られた。

〈実施例９〉 実施例１においてＣＨ，ガスボンベをＣ＊　Ｈ２ガス（
純度９９．９９９９％）ボンベに変えて、第１０表に示
す作成条件により、実施例１と同様に電子写真用光受容
部材を作成し、同様な評価を行ったところ、実施例１と
同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対して改善される良
好な効果が得られた。

〈実施例１０〉 実施例１において、Ｂ２Ｈ，／Ｈ，ガスボンベを水素で
希釈したＢＦ、ガス（以下ＢＦ、／Ｈ２ガスと略記する
。純度９９．９９９％）ボベに変え、Ｎｏガスボンベを
Ｎ２ガスボンベに変えて、また不図示のボンベよりＨ，
Ｓガスを用いて第１１表に示す作成条件により、実施例
１と同様に電子写真用光受容部材を作成し、同様な評価
を行ったところ、実施例１と同様にポチ、ガサツキ、層
はがれに対して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例１１〉 実施例１においてＮｏガスボンベをＮＨ，ガス（純度９
９．９９９％）ボンベに変えて、第１２表に示す作成条
件により、実施例１と同様に電子写真用光受容部材を作
成し、同様な評価を行ったところ、実施例１と同様にボ
チ、ガサツキ、層はがれに対して改善される良好な効果
が得られた。

〈実施例１２〉 不図示のボンベより水素で希釈されたＰＦ。

ガス（以下ＰＦ、／Ｈ２ガスと略記する。純度９９．９
９９％）　、ＰＨ，／Ｈ２ガスをさらに使用し、Ｇ２Ｈ
２ガスボンベをＣＨ，ガスボンベに変え、第１３表に示
す作成条件により、実施例６と同様に電子写真用光受容
部材を作成し、同様な評価を行ったところ、実施例６と
同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対して改善される良
好な効果が得られた。

〈実施例１３〉 不図示のボンベよりＳｉ２Ｆｇガスをさらに使用し、第
１４表に示す作成条件により、実施例９と同様に電子写
真用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったところ、
実施例９と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対して改
善される良好な効果が得られた。

〈実施例１４〉 ＰＨ，／Ｈ，ガス、５ｉ２Ｆ、ガスをさらに使用し、第
１５表に示す作成条件により、実施例１１と同様に電子
写真用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったところ
、実施例１１と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対し
て改善される良好な効果が得られた。

〈実施例１５〉 上部層において不図示のボンベよりＧ　ｅ　Ｈａガスを
さらに使用し、第１６表に示す作成条件により、実施例
１と同様に電子写真用光受容部材を作成し、同様な評価
を行ったところ、実施例１と同様にポチ、ガサツキ、層
はがれに対して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例１，６〉 実施例１において、円筒状アルミニウム系支持体の外直
径を８０ｍｍにし、第１７表に示す作成条件により、実
施例１と同様に電子写真用光受容部材を作成し、キャノ
ン製の複写機ＮＰ−９０３０を実験用に改造した電子写
真装置を用いた以外は実施例１と同様な評価を行ったと
ころ、実施例１と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対
して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例１７） 実施例１において、円筒状アルミニウム系支持体の外直
径を６０ｍｍにし、第１８表に示す作成条件により、実
施例１と同様に電子写真用光受容部材を作成し、キャノ
ン製の複写機ＮＰ−１５０２を実験用に改造した電子写
真装置を用いた以外は実施例１と同様な評価を行ったと
ころ、実施例１と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対
して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例１８〉 実施例１において、円筒状アルミニウム系支持体の外直
径を３０ｍｍにし、第１９表に示す作成条件により、実
施例１と同様に電子写真用光受容部材を作成し、キャノ
ン製の複写機ＦＣ−５を実験用に改造した電子写真装置
を用いた以外は実施例１と同様な評価を行ったところ、
実施例１と同様にボチ、ガサツキ、層はがれに対して改
善される良好な効果が得られた。

〈実施例１９〉 実施例１において、円筒状アルミニウム系支持体の外直
径を１５ｍｍにし、第２０表に示す作成条件により、実
施例１と同様に電子写真用光受容部材を作成し、実験用
に試作した電子写真装置を用いた以外は実施例１と同様
な評価を行ったところ、実施例１と同様にポチ、ガサツ
キ、層はがれに対して改善される良好な効果が得られた
。

〈実施例２０〉 実施例１６において、鏡面加工を施した円筒状アルミニ
ウム系支持体に、更に剣バイトによる旋盤加工により、
第３８図のような断面形状でａ＝２５ｐｍ、ｂ＝０．８
１Ｌｍとなる円筒状アルミニウム系支持体を用い、実施
例１６と同様な作成条件で電子写真用光受容部材を作成
し゛、実施例１６と同様な評価を行ったところ、実施例
１６と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対して改善さ
れる良好な効果が得られた。

〈実施例２１〉 実施例１６において、鏡面加工を施した円筒状アルミニ
ウム系支持体を、引き続き多数のベアリング用法の落下
のもとにさらして、円筒状アルミニウム系支持体表面に
無数の打痕を生じしめるいわゆる表面ディンプル化処理
を施し、第３９図のような断面形状でＣ＝５０μｍ、ｄ
＝１μｍとなる円筒状アルミニウム系支持体を用い、実
施例１６と同様な作成条件で電子写真用光受容部材を作
成し、実施例１６と同様な評価を行ったところ、実施例
１６と同様にボチ、ガサツキ、層はがれに対して改善さ
れる良好な効果が得られた。

〈実施例２２〉 実施例９において、円筒状アルミニウム系支持体の温度
を５００℃とし、第２１表に示す作成条件により、上部
層がｐｏｌｙ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）からなる電子写真用光
受容部材を実施例９と同様に作成し、同様な評価を行っ
たところ、実施例９と同様にポチ、ガサツキ、層はがれ
に対して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例２３〉 マイクロ波（以下「μＷ」と略記する）グロー放電分解
法によって本発明の電子写真用光受容部材を形成した。

第３７図に示したＲＦグロー放電分解法の製造装置の堆
積装置１０００を第４０図に示すμＷグロー放電分解法
用の堆積装置１１００に交換して原料ガス供給装置１０
２０と接続した、第４１図に示すμＷグロー放電分解法
による電子写真用光受容部材の製造装置を用いた。

図中１１０７は円筒状アルミニウム系支持体であり、外
直径は１０８ｍｍで、表面に鏡面加工を施しである。

まず実施例１と同様に、堆積室１１０１及びガス配管内
を、堆積室１１０１の圧力が５Ｘ１０−’Ｔｏｒｒにな
るまで排気した。

その後実施例１と同様に、各ガスをマスフシ−コントロ
ーラー１０２１〜１０２７内に導入した。

また、堆積室１１０１内に設置された円筒状アルミニウ
ム系支持体１１０７の温度は不図示の加熱ヒーターによ
り２５０℃に加熱した。

以上のようにして成膜の準備が完了した後、円筒状アル
ミニウム系支持体１１０７上に、下部層、上部層の各層
の成膜を行った。下部層を形成するには、流出バルブ１
０４１，１０４２，１０４４．１０４５，１０４６，１
’０４７および補助バルブ１０１８を徐々に開いてＳｉ
Ｈ４ガス、Ｈ，ガス、ＳｉＦ４ガス、Ｂ、Ｈ，／Ｈ，ガ
ス。

Ｎｏガス、　Ａ、ｌ　Ｃ］　ｓ　／　Ｈｅガスをガス導
入管１１１０の不図示のガス放出孔を通じてプラズマ発
生領域１１０９内に流入させた。この時、ＳｉＨ４ガス
流量が１５０ＳＣＣＭ、Ｈ２ガス流量が２０ＳＣＣＭＳ
Ｓ　ｉＦ４ガス流量がｉｏｓｃｃＭ、Ｂ、Ｈ，／Ｈ２ガ
ス流量がＳｉＨ４ガス流量に対して６０ｐｐｍ、Ｎｏガ
ス流量がＩＯ８ＣＣＭ　、　Ａ　Ｉ　Ｃ１ａ　／　Ｈｅ
ガス流量が４００８ＣＣＭとなるように各々のマスフロ
ーコントロラー１０２１．１０２２，１０２４，１０２
５，１０２６．１０２７で調整した。堆積室１１０１内
の圧力は、０．６ｍＴｏｒｒとなるように不図示の真空
計を見ながら不図示のメインバルブの開口を調整した。

その後、不図示のμＷ電源の電力を０．５Ｗ／ｃｍ’に
設定し導波部１１０３および誘電体窓１１０２を通じて
プラズマ発生領域１１０９内にμＷ電力を導入し、μＷ
グロー放電を生起させ、円筒状アルミニウム系支持体１
１０７上に下部層の形成を開始した。下部層の形成中、
Ｓ　ｉＨ４ガス流量は１５０８ＣＣＭの一定流量となる
ように、Ｈ２ガス流量は２０ＳＣＣＭから５００ＳＣＣ
Ｍに一定の割合で増加するように、Ｓｉ　Ｆ　４ガス流
量は１０８００Ｍの一定流量となるように、Ｂ、Ｈ，／
Ｈ，ガス流量はＳ　Ｉ　Ｈａガス流量に対して６０ｐｐ
ｍ、の一定流量となるように、Ｎｏガス流量は１０８０
０Ｍの一定流量となるように、Ａ　Ｉ　Ｃｌ　ｓ　／　
Ｈｅガス流量は支持体側０．０１μｍでは４００ＳＣＣ
ＭからｓｏｓｃＣＭに一定の割合で減少するように、上
部層側０．０１μｍでは８０ＳＣＣＭから５０ＳＣＣＭ
に一定の割合で減少するようにマスフローコントローラ
ー１０２１．１０２２，１０２４，１０２５．１０２６
．１０２７を調整し、層厚０．０２μｍの下部層を形成
したところでμＷグロー放電を止め、また、流出バルブ
１０４１，１０４２゜１０４４．１０４５，１０４６．
１０４７および補助バルブ１０１８を閉じて、プラズマ
発生領域１１０９内へのガスの流入を止め、下部層の形
成を終えた。

次に、上部層の第一の層領域を形成するには、流出バル
ブ１０４１，１０４２，１０４４．１０４５．１０４６
．および補助バルブ１０１８を徐々に開いてＳ　ｉＨａ
ガス、Ｈ２ガス、Ｓ　ｉＦ　ａガス、Ｂ、Ｈ，ガス、Ｎ
Ｏガスをガス導入管１１１０の不図示のガス放出孔を通
じてプラズマ発生空間１１０９内に流入させた。この時
、Ｓ　Ｉ　Ｈ４ガス流量が３５０ＳＣＣＭ、Ｈ２ガス流
量が３５０ＳＣＣＭ、ＳｉＦ４ガス流量が２０ＳＣＣＭ
。

Ｂ、Ｈ，流量ガスがＳｉＨ，ガス流量に対して６００ｐ
ｐｍ、Ｎｏガス流量が１３８ＣＣＭとなるように各々の
マスフローコントロラー１０２１．１０２２．１０２４
，１０２５．１０２６で調整した。堆積室１１０１内の
圧力は、０．５ｍＴｏｒｒとなるように調整した。その
後、不図示のμＷ電源の電力を０．５Ｗ／ｃｍ”に設定
し下部層と同様に、プラズマ発生室１１０９内にμＷグ
ロー放電を生起させ、下部層上に上部層の第一の層領域
の形成を開始し、層厚３μｍの上部層の第一の層領域を
形成した。

次に、上部層の第二の層領域を形成するには、流出バル
ブ１０４１，１０４２．１０４４および補助バルブ１０
１８を徐々に開いてＳｉＨ４ガス、Ｈ２ガス、ＳｉＦ４
をガス導入管１１１０の不図示のガス放出孔を通じてプ
ラズマ発生空間１１０９内に流入させた。この時、Ｓｉ
Ｈ４ガス流量が７００３ＣＣＭ、Ｈ，ガス流量が５００
Ｓ　ＣＣＭ、　Ｓ　ｉ　Ｆ４ガス流量が３０３ＣＣＭと
、なるように各々のマスフローコントロラー１０２１．
１０２２．１０２４で調整した。堆積室１１０１内の圧
力は、０．５ｍＴｏｒｒとなるように調整した。その後
、不図示のμＷ電源の電力を０　、５　Ｗ／　ｃ　ｍ　
”に設定し下部層と同様に、プラズマ発生室１１０９内
に、μＷグロー放電を生起させ、上部層の第一の層領域
上に上部層の第二の層領域の形成を開始し、層厚２０μ
ｍの上部層の第二の層領域を形成した。

次に、上部層の第三の層領域を形成するには、流出バル
ブ１０４１．１０４３および補助バルブ１０１８を徐々
に開いてＳｉＨ４ガス、ＣＨ。

ガスをガス導入管１１１０の不図示のガス放出孔を通じ
てプラズマ発生空間１１０９内に流入させた。゛この時
、Ｓ　ｉ　Ｈａガス流量が１５０ＳＣＣＭ、ＣＨ，ガス
流量が５００８ＣＣＭとなるように各々のマスフローコ
ントローラー１０２１゜１０２３で調整した。堆積室１
１０１内の圧力は、０．３ｍＴｏｒｒとした。その後、
不図示のμＷ電源の電力を０．５Ｗ／ｃｍ”に設定しプ
ラズマ発生領域１１０９内に、μＷグロー放電を生起さ
せ、上部層の第二の層領域上に層圧１μｍの上部層の第
三の層領域を形成した。

以上の、電子写真用光受容部材の作成条件を第２２表に
示す。

この電子写真用光受容部材を実施例１と同様な評価を行
ったところ、実施例１と同様にボチ、ガサツキ、層はが
れに対して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例２４〉 実施例１においてＣＨ４ガスボンベをＣ＊Ｈ２ガス（純
度９９．９９９９％）ボンベに変えて、第２３表に示す
作成条件により、実施例１と同様に電子写真用光受容部
材を作成し、同様な評価を行ったところ、実施例１と同
様にポチ、ガサツキ、層はがれに対して改善される良好
な効果が得られた。

〈実施例２５〉 実施例１においてＮＯガスボンベをＮ、ガスボンベに変
えて、第２４表に示す作成条件により、実施例１と同様
に電子写真用光受容部材を作成し、同様な評価を行った
ところ、実施例１と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに
対して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例２６〉 実施例１において不図示のボンベよりＰＦ、ガス、５１
ｚＦａガスを用い、ＮＯガスボンベをＮ）−１、ガスボ
ンベに変えて、第２５表に示す作成条件により、実施例
１と同様に電子写真用光受容部材を作成し、同様な評価
を行ったところ、実施例１と同様にポチ、ガサツキ、層
はがれに対して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例２７〉 不図示のボンベよりＰＦ、／Ｈ，ガスをさらに使用し、
第２６表に示す作成条件により、実施例６と同様に電子
写真用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったところ
、実施例６と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対して
改善される良好な効果が得られた。

〈実施例２８〉 第２７表に示す作成条件により、実施例９と同様に電子
写真用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったところ
、実施例９と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対して
改善される良好な効果が得られた。

〈実施例２９〉 ＰＨ，／Ｈ２ガスをさらに使用し、第２８表に示す作成
条件により、実施例１１と同様に電子写真用光受容部材
を作成し、同様な評価を行ったところ、実施例１１と同
様にポチ、ガサツキ、層はがれに対して改善される良好
な効果が得られた。

〈実施例３０〉 実施例１において不図示のボンベより、Ｈｅガス（純度
９９．９９９９％）をさらに使用し、第２９表に示す作
成条件により、実施例１と同様に電子写真用光受容部材
を作成し、同様な評価を行ったところ、実施例１と同様
にポチ、ガサツキ、層はがれに対して改善される良好な
効果が得られた。

〈実施例３１〉 不図示のボンベよりＣ２Ｈ，ガス、ＰＨ，／Ｈ２ガスを
さらに使用し、第３０表に示す作成条件により、実施例
１と同様に電子写真用光受容部材を作成し、同様な評価
を行ったところ、実施例１と同様にポチ、ガサツキ、層
はがれに対して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例３２〉 不図示のボンベよりＰ　Ｈ＊　／　Ｈｚガスをさらに使
用し、第３１表に示す作成条件により、実施例３１と同
様に電子写真用光受容部材を作成し、同様な評価を行っ
たところ、実施例６と同様にポチ、ガサツキ、層はがれ
に対して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例３３〉 不図示のボンベよりＣ，Ｈ，ガスをさらに使用し、第３
２表に示す作成条件により、実施例１と同様に電子写真
用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったところ、実
施例１と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対して改善
される良好な効果が得られた。

〈実施例３４〉 不図示のボンベよりＣ，Ｈ，ガス、ＰＨ，／Ｈ，ガスを
さらに使用し、第３３表に示す作成条件により、実施例
３３と同様に電子写真用光受容部材を作成し、同様な評
価を行ったところ、実施例１と同様にポチ、ガサツキ、
層はがれに対して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例３５〉 不図示のボンベよりＣ＊　Ｈ２ガス、ＰＨ，／Ｈ２ガス
、Ｈ，Ｓガスをさらに使用し、第３４表に示す作成条件
により、実施例１と同様に電子写真用光受容部材を作成
し、同様な評価を行ったところ、実施例１と同様にポチ
、ガサツキ、層はがれに対して改善される良好な効果が
得られた。

〈実施例３６〉 不図示のボンベよりＣ２Ｈ２ガスをさらに使用し、第３
５表に示す作成条件により、実施例９と同様に電子写真
用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったところ、実
施例９と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対して改善
される良好な効果が得られた。

〈実施例３７〉 第３６表に示す作成条件により、実施例３６と同様に電
子写真用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったとこ
ろ、実施例３６と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対
して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例３８〉 第３７表に示す作成条件により、実施例３６と同様に電
子写真用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったとこ
ろ、実施例３６と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対
して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例３９〉 不図示のボンベよりＢＦ、ガスを用い、第３８表に示す
作成条件により、実施例３６と同様に電子写真用光受容
部材を作成し、同様な評価を行った処、実施例３６と同
様にボチ、ガサツキ、層はがれに対して改善される良好
な効果が得られた。

〈実施例４０〉 第３９表に示す作成条件により、実施例３６と同様に電
子写真用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったとこ
ろ、実施例３６と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対
して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例４１〉 第４０表に示す作成条件により、実施例３６と同様に電
子写真用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったとこ
ろ、実施例３６と同様にボチ、ガサツキ、層はがれに対
して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例４２〉 第４１表に示す作成条件により、実施例３６と同様に電
子写真用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったとこ
ろ、実施例３６と同様にボチ、ガサツキ、層はがれに対
して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例４３〉 第４２表に示す作成条件により、実施例３６と同様に電
子写真用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったとこ
ろ、実施例３６と同様にボチ、ガサツキ、層はがれに対
して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例４４〉　゛ 第４３表に示す作成条件により、実施例３６と同様に電
子写真用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったとこ
ろ、実施例３６と同様にボチ、ガサツキ、層はがれに対
して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例４５〉 不図示のボンベよりＰＨ，ガス、５ｉｉＦｓガスをさら
に使用し、第４４表に示す作成条件により、実施例３６
と同様に電子写真用光受容部材を作成し、同様な評価を
行ったところ、実施例３６と同様にポチ、ガサツキ、層
はがれに対して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例４６〉 第４５表に示す作成条件により、実施例４５と同様に電
子写真用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったとこ
ろ、実施例４５と同様にボチ、ガサツキ、層はがれに対
して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例４７〉 不図示のボンベよりＨ，Ｓガスをさらに使用し、第４６
表に示す作成条件により、実施例３６と同様に電子写真
用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったところ、実
施例３６と同様にボチ、ガサツキ、層はがれに対して改
善される良好な効果が得られた。

〈実施例４８〉 第４７表に示す作成条件により、実施例３６と同様に電
子写真用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったとこ
ろ、実施例３６と同様にボチ、ガサツキ、層はがれに対
して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例４９〉 第４８表に示す作成条件により、実施例３６と同様に電
子写真用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったとこ
ろ、実施例３６と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対
して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例５０〉 不図示のボンベよりＮＨ，ガスをさらに使用し、第４９
表に示す作成条件により、実施例３６と同様°に電子写
真用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったところ、
実施例３６と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対して
改善される良好な効果が得られた。

〈実施例５１〉 不図示のボンベよりＮ、ガスをさらに使用し、第５０表
に示す作成条件により、実施例３６と同様に電子写真用
光受容部材を作成し、同様な評価を行ったところ、実施
例３６と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対して改善
される良好な効果が得られた。

〈実施例５２〉 第５１表に示す作成条件により、実施例３６と同様に電
子写真用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったとこ
ろ、実施例３６と同様にボチ、ガ１サツキ、層はがれに
対して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例５３〉 第５２表に示す作成条件により、実施例３６と同様に電
子写真用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったとこ
ろ、実施例３６と同様にボチ、ガサツキ、層はがれに対
して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例５４〉 第５３表に示す作成条件により、実施例４５と同様に電
子写真用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったとこ
ろ、実施例４５と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対
して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例５５〉 第５４表に示す作成条件により、実施例３６と同様に電
子写真用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったとこ
ろ、実施例３６と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対
して改善される良好な効果が得られた。

Ｌ　　　−一、、、、、１ 第１表 第２表 第３表 第４表 第５表 第６表 第７表 第８表 第９表 第１０表 第１１表 第１２表 第１３表 第１４表 第１５表 第１６表 第１７表 第１８表 第１９表 第２０表 第２１表 第２２表 第２３表 第２４表 第２５表 第２６表 第２７表 第２８表 第２９表 第３０表 第３１表 第３２表 第３３表 第３４表 第３５表 第３７表 第３８表 第３９表 第４０表 第４１表 第４２表 第４３表 第４４表 第４５表 第４７表 第４８表 第４９表 第５１表 Ｗ　並　夷 填　Ｒ？Ｉ　　壽 〔発明の効果〕 本発明の電子写真用光受容部材を前述のごとき特定の層
構成としたことにより、Ａ−３ｉで構成された従来の電
子写真用光受容部材における諸問題を全て解決すること
ができ、特に極めて優れた、電気的特性、光学的特性、
光導電特性、画像特性、耐久性および使用環境特性を示
す。

特に本発明においては、下部層において、アルミニウム
原子（ＡＩ）、シリコン原子（Ｓ　ｉ）、特には水素原
子（Ｈ）を層厚方向に不均一な分布状態で含有させるこ
とにより、アルミニウム系支持体と上部層との間におけ
る電荷（フォトキャリヤ）の注入性が改善され、さらに
は、アルミニウム系支持体と上部層との構成元素の組織
的構造的連続性が改善されるために、ガサツキやボチ等
の画像特性が改善され、ハーフトーンが鮮明に出て、且
つ解像力の高い、高品質の画像を安定して繰り返し得る
ことができる。

さらには、電子写真用光受容部材に加わる比較的短時間
な衝撃性の機械的圧力による画像欠陥の発生やＮｏｎ−
５ｉ（Ｈ，Ｘ）膜のはがれの発生を防止し耐久性を向上
させ、さらには、アルミニウム系支持体とＮｏｎ−５ｉ
（Ｈ，Ｘ）膜の熱膨張率の違いにより発生する応力を緩
和し、Ｎｏｎ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）膜にクラックやはがれが
生じるのを防ぎ、生産性における歩留まりを向上させる
ことができる。

特に、本発明においては、下部層中にハロゲン原子（Ｘ
）を共存させることによってシリコン原子（Ｓ　ｉ）　
、アルミニウム原子（Ａ１）等の未結合手を補償し組織
的、構造的により安定な状態を得ることができるため、
前記アルミニウム原子（ＡＩ）、シリコン原子（Ｓｔ）
、及び水素原子（Ｈ）の分布による効果と相まって、ガ
サツキやポチなどの画像特性において著しい改善が見ら
れるという特徴を有する。

さらに本発明においては、上部層において下部層と接す
る層領域に炭素原子（Ｃ）および窒素原子（Ｎ）および
酸素原子（Ｏ）の中の少なくとも−の原子を含有させる
ことにより、上部層の層質が改善されて高電圧に対する
耐久性が向上し、上部層と下部層との間の密着性が更に
改善されるために、画像欠陥の発生やＮｏｎ−５ｔ（Ｈ
，Ｘ）膜のはがれの発生を防止し耐久性が向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電子写真用光受容部材の層構成を説明
するための模式的構成図、 第２図は従来の電子写真用光受容部材の層構成を説明す
るための模式的構成図、 第３図乃至第８図はそれぞれ、下部層に含有されるアル
ミニウム原子（ＡＩ）、ハロゲン原子（Ｘ）、必要によ
り含有される耐久性を調整する原子（ＣＮＯｃ）および
画質を調整する原子（ＭＣ）の分布状態の説明図。 第９図乃至第１６図はそれぞれ、下部層に含有されるシ
リコン原子（Ｓｉ）、水素原子（）（）、ハロゲン原子
（Ｘ）、必要により含有される耐久性を調整する原子（
ＣＮＯｃ）および画質を調整する原子（Ｍｃ）の分布状
態の説明図。 第１７図乃至第３６図はそれぞれ、上部層に含有される
伝導性を制御する原子（Ｍ）、炭素原子（Ｃ）および／
または窒素原子（Ｎ）および／または酸素原子（０）、
ゲルマニウム原子（Ｇｅ）および／またはスズ原子（Ｓ
ｎ）の分布状態の説明図、 第３７図は本発明の電子写真用光受容部材の光受容層を
形成するための装置の一例でＲＦを用いたグロー放電法
による製造装置の模式的説明図、第３８図は本発明の電
子写真用光受容部材を形成する際のアルミニウム系支持
体の断面形状がＶ字形である場合の支持体断面の拡大図
、第３９図は本発明の電子写真用光受容部材を形成する
際のアルミニウム系支持体の表面がいわゆるディンプル
化処理された場合の支持体断面の拡大図、 第４０図は本発明の電子写真用光受容部材の光受容層を
形成するためにマイクロ波グロー放電法をもちいる際の
堆積装置の模式的説明図、第４１図は本発明の電子写真
用光受容部材の光受容層を形成するための装置の一例で
マイクロ波を用いたグロー放電法による製造装置の模式
的説明図である。 第１図について、 １００・・・本発明の電子写真用光受容部材１０１・・
・アルミニウム系支持体 １０２・・・先受用層 １０３・・・下部層 １０４・・・上部層 １０５・・・自由表面 第２図について、 ２００・・・従来の電子写真用光受容部材２０１・・・
アルミニウム系支持体 ２０２・・・Ａ−８ｔからなる感光層 ２０３・・・自由表面 第３７図において、 １０００・・・ＲＦグロー放電分解法による堆積装置 １００１・・・堆積室 １００５・・・円筒状アルミニウム系支持体１００８・
・・ガス導入管 １００９・・・ガス放出孔 １０１２・・・高周波マツチングボックス１０１４・・
・加熱ヒーター １０１５・・・リークバルブ １０１６・・・メインバルブ １０１７・・・真空計 １０１８・・・補助バルブ １０２０・・・原料ガス供給装置 １０２１〜１０２７・・・マスフローコントローラー １０３１〜１０３７・・・ガス流入バルブ１０４１〜１
０４７・・・ガス流出バルブ１０５１〜１０５７・・・
原料ガスボンベのノくルブ１０６１〜１０６７・・・圧
力調整器 １０７１〜１０７７・・・原料ガスボンベ１０７８・・
・原料の密閉容器 第４０図、第４１図において、 １１００・・・マイクロ波グロー放電法による堆積装置 １１０１・・・堆積室 １１０２・・・誘電体窓 ［１０３・・・導波部 １１０７・・・円筒状アルミニウム系支持体１１０９・
・・プラズマ発生領域 １０１０・・・ガス導入管

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）アルミニウム系支持体と、該支持体上に光導電性
   を示す多層構造の光受容層を有する光受容部材において
   、前記光受容層が前記支持体側より、構成要素として少
   なくともアルミニウム原子、シリコン原子、水素原子、
   ハロゲン原子を含む無機材料で構成され、且つ前記アル
   ミニウム原子とシリコン原子と水素原子が層厚方向に不
   均一な分布状態で含有する部分を有する下部層と、シリ
   コン原子を母体とし、水素原子およびハロゲン原子の中
   の少なくともいずれか一方を含有する非単結晶質材料で
   構成され、且つ前記下部層と接する層領域に炭素原子お
   よび窒素原子および酸素原子の中の少なくとも一種の原
   子を含有する上部層からなることを特徴とするる光受容
   部材。