JPS63275926A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPS63275926A JPS63275926A JP11129187A JP11129187A JPS63275926A JP S63275926 A JPS63275926 A JP S63275926A JP 11129187 A JP11129187 A JP 11129187A JP 11129187 A JP11129187 A JP 11129187A JP S63275926 A JPS63275926 A JP S63275926A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- substrate
- wiring
- pressure
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 5
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、近年自動車をはじめ広い産業分野にて圧力の
検出または測定に使用されている半導体圧力センサに関
する。
検出または測定に使用されている半導体圧力センサに関
する。
半導体圧力センサは、第２図［ａｌ、 （ｂｌに示すよ
うな半導体感圧部１を用いる。感圧部１は、数Ｕ角のシ
リコン片１１の中央部を片側よりエツチングして数１０
ｕの厚さにした円形のダイヤフラム部１２に拡散により
形成したゲージ抵抗１３を有する。このゲージ抵抗は、
ダイヤフラム部１２に圧力が加わると、ピエゾ抵抗効果
により抵抗値が変化する。数Ｕ角のシリコン片１１のゲ
ージ抵抗以外の部分には、抵抗値変化を増幅したり温度
等の補償をする電子回路が周知のＩＣ技術により作り込
まれ、電極部１４に接続されている。この感圧部１は、
第３図の如く導圧部２１を有する金属基板２２へ、半導
体に近似した熱膨張係数をもつ材料からなるスペーサ２
３を介して固定される。基板２２上のスペーサ固定部以
外の部分には、前記シリコン片ｌｌ上へ作り込まれない
電子回路部分、例えばチップコンデンサや調整用の抵抗
などからなる電子回路を搭載したセラミック基板２４が
組み込まれている。感圧部１の１１ｉ１４とセラミック
基板２４上の電子回路は金やアルミニウム等の細線２５
にて接続され、セラミック基板２４上の電子回路は外部
端子２６へ接続用金属片２７をはんだ付けする方法ある
いはアルミニウム線等のボンディングにて接続される。
うな半導体感圧部１を用いる。感圧部１は、数Ｕ角のシ
リコン片１１の中央部を片側よりエツチングして数１０
ｕの厚さにした円形のダイヤフラム部１２に拡散により
形成したゲージ抵抗１３を有する。このゲージ抵抗は、
ダイヤフラム部１２に圧力が加わると、ピエゾ抵抗効果
により抵抗値が変化する。数Ｕ角のシリコン片１１のゲ
ージ抵抗以外の部分には、抵抗値変化を増幅したり温度
等の補償をする電子回路が周知のＩＣ技術により作り込
まれ、電極部１４に接続されている。この感圧部１は、
第３図の如く導圧部２１を有する金属基板２２へ、半導
体に近似した熱膨張係数をもつ材料からなるスペーサ２
３を介して固定される。基板２２上のスペーサ固定部以
外の部分には、前記シリコン片ｌｌ上へ作り込まれない
電子回路部分、例えばチップコンデンサや調整用の抵抗
などからなる電子回路を搭載したセラミック基板２４が
組み込まれている。感圧部１の１１ｉ１４とセラミック
基板２４上の電子回路は金やアルミニウム等の細線２５
にて接続され、セラミック基板２４上の電子回路は外部
端子２６へ接続用金属片２７をはんだ付けする方法ある
いはアルミニウム線等のボンディングにて接続される。
外部端子２６はガラスブッシング２８を介して基板２２
の外へ引出される。また感圧部°を含む電子回路は、金
属からなる蓋２を金膜基板２２に溶接にて固定すること
によって外部より保護されている。
の外へ引出される。また感圧部°を含む電子回路は、金
属からなる蓋２を金膜基板２２に溶接にて固定すること
によって外部より保護されている。
金属基板２２と蓋２により形成される空間３は圧力測定
または検出の用途、即ち絶対圧測定か相対圧かにより密
閉、開放の両方式がとられる。相対圧測定には空間部３
へ一方の圧力を導入する導圧管３１を開放とし、絶対圧
測定には空間部３を真空または所定の圧力にし、導圧管
３１を押つぶしたり、はんだにて気密に封じる。もちろ
ん、端子２６の基板２２０貫通部はガラスブッシング２
８により気密に封じられており、基板２２．蓋２の溶接
も気密を保ち固定されている。
または検出の用途、即ち絶対圧測定か相対圧かにより密
閉、開放の両方式がとられる。相対圧測定には空間部３
へ一方の圧力を導入する導圧管３１を開放とし、絶対圧
測定には空間部３を真空または所定の圧力にし、導圧管
３１を押つぶしたり、はんだにて気密に封じる。もちろ
ん、端子２６の基板２２０貫通部はガラスブッシング２
８により気密に封じられており、基板２２．蓋２の溶接
も気密を保ち固定されている。
圧力の検出または測定は、導圧部２１より圧力が加わる
と、感圧部１のゲージ抵抗１３の抵抗値変化として検知
され、チップ１１内電子回路およびセラミンク基板２４
に搭載された電子回路によって増幅。
と、感圧部１のゲージ抵抗１３の抵抗値変化として検知
され、チップ１１内電子回路およびセラミンク基板２４
に搭載された電子回路によって増幅。
補償されて外部端子２６へ出力されることによって行わ
れる。
れる。
上記のような半導体圧力センサの金属基板および金属蓋
よりなる容器は、その構造において既存のパワートラン
ジスタのパフケージを路間したものが多く、外部端子が
長いリード線として突出しているため形状が大きくなり
、自動車等において狭い空間に挿入して使用しようとす
るときには大きな障害になっていた。また、感圧部をス
ペーサを介して固定するため構造が複雑で、組立てに手
数がかかった。
よりなる容器は、その構造において既存のパワートラン
ジスタのパフケージを路間したものが多く、外部端子が
長いリード線として突出しているため形状が大きくなり
、自動車等において狭い空間に挿入して使用しようとす
るときには大きな障害になっていた。また、感圧部をス
ペーサを介して固定するため構造が複雑で、組立てに手
数がかかった。
本発明の目的は、上記の障害を除くために、外部端子が
リード線として突出していない小形で、かつ構造の単純
な半導体圧力センサを提供することにある。
リード線として突出していない小形で、かつ構造の単純
な半導体圧力センサを提供することにある。
上記の目的を達成するために本発明は、ゲージ抵抗が形
成されたダイヤフラム部を有する半導体片および付属電
子回路が絶縁性基板と蓋よりなる容器に収容され、絶縁
性基板に設けられた圧力導入孔の周辺に半導体片が固定
され、絶縁性基板に設けられた貫通孔の内壁を覆う金属
層が電子回路と接続される基板上の配線と連結され、貫
通孔を充填し前記金属層に密着する第一のろうにより基
板の外面側に突出する球形状突起電極が固定され、突起
電極の表面が第一のろうより融点の低い第二のろうによ
り覆われたものとする。
成されたダイヤフラム部を有する半導体片および付属電
子回路が絶縁性基板と蓋よりなる容器に収容され、絶縁
性基板に設けられた圧力導入孔の周辺に半導体片が固定
され、絶縁性基板に設けられた貫通孔の内壁を覆う金属
層が電子回路と接続される基板上の配線と連結され、貫
通孔を充填し前記金属層に密着する第一のろうにより基
板の外面側に突出する球形状突起電極が固定され、突起
電極の表面が第一のろうより融点の低い第二のろうによ
り覆われたものとする。
外部端子を球形状突起電極とすることにより長いリード
線の突出がなくなり、基板を絶縁性基板とすることによ
り直接感圧部を基板上に固定でき、扁平な外形を形成し
、小形化される。この圧力センサを外部回路と接続する
際は、突起電極表面を覆う低融点のろうを融着させれば
よく、その際突起電極固定の高融点のろうは再溶融しな
いので気密性を失うことがない。
線の突出がなくなり、基板を絶縁性基板とすることによ
り直接感圧部を基板上に固定でき、扁平な外形を形成し
、小形化される。この圧力センサを外部回路と接続する
際は、突起電極表面を覆う低融点のろうを融着させれば
よく、その際突起電極固定の高融点のろうは再溶融しな
いので気密性を失うことがない。
第１図Ｆａ）、（ｂｌは本発明の一実施例を示し、第３
図と共通の部分には同一の符号が付されており、ｆａｔ
が断面図、ｆｂｌが蓋をとった上面図である。この場合
容器は、底部をなす絶縁性基板４と金属製の蓋２とから
なる。基板４には中央部分に外部よりの圧力を導入する
圧力導入孔５および複数個の外部端子用の貫通孔６を有
している。また基板４は、電子回路配線基板を兼ねてお
り、例えば印刷焼成された導電性厚膜からなる配＆１Ｉ
７１が形成されている。配線７１は、スパッタ方式によ
る導電材料層によって形成してもよい、さらに、基板４
上には、電子回路配線７１と同じ材料からなる金属層７
２が圧力導入孔５の周囲およびｉＩ２が結合される周縁
部に形成されている。また貫通孔６の内面から基板４の
下面にかけて配ｋｓ７１と連結される金属層７３が形成
されている。絶縁性基板４としては、セラミック基板が
適用できるが、感圧チップと熱膨張係数の近似した他の
材質、例えば硅化炭素、 ＡＺＮなどからなる板も用い
ることができる。
図と共通の部分には同一の符号が付されており、ｆａｔ
が断面図、ｆｂｌが蓋をとった上面図である。この場合
容器は、底部をなす絶縁性基板４と金属製の蓋２とから
なる。基板４には中央部分に外部よりの圧力を導入する
圧力導入孔５および複数個の外部端子用の貫通孔６を有
している。また基板４は、電子回路配線基板を兼ねてお
り、例えば印刷焼成された導電性厚膜からなる配＆１Ｉ
７１が形成されている。配線７１は、スパッタ方式によ
る導電材料層によって形成してもよい、さらに、基板４
上には、電子回路配線７１と同じ材料からなる金属層７
２が圧力導入孔５の周囲およびｉＩ２が結合される周縁
部に形成されている。また貫通孔６の内面から基板４の
下面にかけて配ｋｓ７１と連結される金属層７３が形成
されている。絶縁性基板４としては、セラミック基板が
適用できるが、感圧チップと熱膨張係数の近似した他の
材質、例えば硅化炭素、 ＡＺＮなどからなる板も用い
ることができる。
半導体感圧部１は圧力導入孔５の周囲の金属ツ７２とは
んだにより固定され、チップ、１１の面上の電極１４が
配線７１と導線２５のワイヤボンディングで接続されて
いる。感圧部１よりの信号を調整、補償。
んだにより固定され、チップ、１１の面上の電極１４が
配線７１と導線２５のワイヤボンディングで接続されて
いる。感圧部１よりの信号を調整、補償。
増幅するための電子回路は、チップ１１．内に集積され
る部分と基板４上配線に実装される部分とからなり、例
えばチップコンデンサ７４や抵抗７５がはんだ付けなど
の周知技術により配線７１に接続される。
る部分と基板４上配線に実装される部分とからなり、例
えばチップコンデンサ７４や抵抗７５がはんだ付けなど
の周知技術により配線７１に接続される。
貫通孔６は、第４図に拡大して示すように、内面を経て
基板４の裏面まで導かれる金属層７３の切断を避けるた
め、上下面周辺の角がとられている。
基板４の裏面まで導かれる金属層７３の切断を避けるた
め、上下面周辺の角がとられている。
そして、貫通孔６の内径より大きい径を有する球状体８
がはんだ９により固定されている。この部分の組立は、
球状体８を基板４の貫通孔６の位置に対応する位置に置
いてから、その上に貫通孔が来るように基板４を載せ、
貫通孔６の上からはんだ片を落とし込み、炉などで加熱
する方法によって行うことができる。
がはんだ９により固定されている。この部分の組立は、
球状体８を基板４の貫通孔６の位置に対応する位置に置
いてから、その上に貫通孔が来るように基板４を載せ、
貫通孔６の上からはんだ片を落とし込み、炉などで加熱
する方法によって行うことができる。
球状体８の材質は、導電性を存し、はんだ付は可能なも
のであればよ（、例えば銅球にニッケルめっきを施して
球状体を作成する。しかし、基板４の絶縁材料と熱膨張
係数が近似していることも有効で、Ｎｉ、 Ｃｏあるい
はＦｅ−Ｎｉ合金で作成するかあるいは基板と同じ絶縁
材料を用い表面を金属被覆して導電性、はんだ付は性を
持たせてもよい。
のであればよ（、例えば銅球にニッケルめっきを施して
球状体を作成する。しかし、基板４の絶縁材料と熱膨張
係数が近似していることも有効で、Ｎｉ、 Ｃｏあるい
はＦｅ−Ｎｉ合金で作成するかあるいは基板と同じ絶縁
材料を用い表面を金属被覆して導電性、はんだ付は性を
持たせてもよい。
Ｍ２は基板４の金属層７２とはんだ９によりろう付けさ
れる。このはんだ付は部、感圧チップ１１と金属層７２
とのはんだ付は部および球状体８のはんだによる固定部
は気密であることが必要であり、また外気雰囲気に対し
耐食性を持たせる点よりはんだ９にＡｕ −Ｓｎ系はん
だを用いるのが望ましく、外気に触れる部分にある金属
層はすべてこのはんだで完全に被覆してお（。
れる。このはんだ付は部、感圧チップ１１と金属層７２
とのはんだ付は部および球状体８のはんだによる固定部
は気密であることが必要であり、また外気雰囲気に対し
耐食性を持たせる点よりはんだ９にＡｕ −Ｓｎ系はん
だを用いるのが望ましく、外気に触れる部分にある金属
層はすべてこのはんだで完全に被覆してお（。
球状体８の外面側は予備はんだ１０で覆われている。こ
の予備はんだにはばんだ９より融点の低いはんだ、例え
ば通常のＰｂ−５ｎはんだを用いる。この圧力センサを
外部回路と接続する際には、基板４の下面より突出して
いる球状体８からなる突起電極を接続すべき個所、例え
ば印刷配ｖＡ基板上の配線導体の上に載せ、加熱して球
状体上の予備はんだ１０を再溶融させて配線導体と融着
させる。この際はんだ９も再溶融すると、球状体８が移
動したり、あるいは貫通孔６の気密閉塞が失われたりす
るおそれがある。貫通孔６の気密閉塞が瞬時でも失われ
ると、絶対圧測定圧力センサでは、内部空間３の基準圧
力変動につながり、圧力センサの特性が変化する。しか
し、はんだ９の融点が予備はんだ１０の融点より高いた
め、はんだ９の再溶融を避けることが可能である。この
ように、突起電極８により配線導体へ接続することがで
きるため、配線基板上面からの高さは低く、大きな空間
を占有しない。
の予備はんだにはばんだ９より融点の低いはんだ、例え
ば通常のＰｂ−５ｎはんだを用いる。この圧力センサを
外部回路と接続する際には、基板４の下面より突出して
いる球状体８からなる突起電極を接続すべき個所、例え
ば印刷配ｖＡ基板上の配線導体の上に載せ、加熱して球
状体上の予備はんだ１０を再溶融させて配線導体と融着
させる。この際はんだ９も再溶融すると、球状体８が移
動したり、あるいは貫通孔６の気密閉塞が失われたりす
るおそれがある。貫通孔６の気密閉塞が瞬時でも失われ
ると、絶対圧測定圧力センサでは、内部空間３の基準圧
力変動につながり、圧力センサの特性が変化する。しか
し、はんだ９の融点が予備はんだ１０の融点より高いた
め、はんだ９の再溶融を避けることが可能である。この
ように、突起電極８により配線導体へ接続することがで
きるため、配線基板上面からの高さは低く、大きな空間
を占有しない。
貫通孔６の内面から基板４の下面に延びた金属層７３は
、予備はんだ１０の広がりを止める役割を果たすもので
、貫通孔６の端面からの広がりｈは、２ｆ１以内が望ま
しく、０．５鶴が適当である。
、予備はんだ１０の広がりを止める役割を果たすもので
、貫通孔６の端面からの広がりｈは、２ｆ１以内が望ま
しく、０．５鶴が適当である。
第１図（ｂｌに示された貫通孔６１．６２に設けられる
突起電極は外部で接地配線に接続される。すなわち、貫
通孔６１に設けられる電極を接地することにより配線７
１．金属層７２を介して蓋２が接地され、外部電界の遮
蔽の役目をする。また貫通孔６２に設けられる電極を接
地することにより、例えば感圧チップ１１に集積される
電子回路の分離層を接地することができ、感圧チップ全
体の安定動作に有効である。
突起電極は外部で接地配線に接続される。すなわち、貫
通孔６１に設けられる電極を接地することにより配線７
１．金属層７２を介して蓋２が接地され、外部電界の遮
蔽の役目をする。また貫通孔６２に設けられる電極を接
地することにより、例えば感圧チップ１１に集積される
電子回路の分離層を接地することができ、感圧チップ全
体の安定動作に有効である。
本発明によれば、半導体圧力センサの容器の基板を絶縁
性とし、半導体感圧片を直接基板上に固定し、基板に設
けた貫通孔を埋めるろう層により外面側に突出する突起
電極を固定し、基板上に形成した配線によりその電極と
感圧部との接続を行うと共に、その配線にも電子回路部
品を実装することにより、リード端子を用いないで突起
電極で外部回路との接続可能となる。また怒圧片と基板
との間のスペーサが不要で、容器が扁平となり、狭い空
間への取付けが容易にできる半導体圧力センサを単純化
した構造で得ることができる。
性とし、半導体感圧片を直接基板上に固定し、基板に設
けた貫通孔を埋めるろう層により外面側に突出する突起
電極を固定し、基板上に形成した配線によりその電極と
感圧部との接続を行うと共に、その配線にも電子回路部
品を実装することにより、リード端子を用いないで突起
電極で外部回路との接続可能となる。また怒圧片と基板
との間のスペーサが不要で、容器が扁平となり、狭い空
間への取付けが容易にできる半導体圧力センサを単純化
した構造で得ることができる。
第１図ｆａｌ、（ｂ）は本発明の一実施例を示し、［ａ
ｌが断面図、（′ｂ）が蓋を外した状態での上面図、第
２図（ａｌ、（ｂｌは半導体感圧部を示し、［ａｌが断
面図、（ｂｌが上面図、第３図は従来の半導体圧力セン
サの断面図、第４図は第１図の貫通孔部の拡大断面図で
ある。 １：半導体Ｈ９正部、１１：感圧チップ、２：蓋、４：
絶縁性基板、５：圧力導入孔、６：貫通孔、７１；配線
、７２．７３・二金属層、８：球状体、９；はんだ、ｌ
Ｏ：予備はんだ。 貫ｉ″ＪＬ 予備ｌま入だ 第１図
ｌが断面図、（′ｂ）が蓋を外した状態での上面図、第
２図（ａｌ、（ｂｌは半導体感圧部を示し、［ａｌが断
面図、（ｂｌが上面図、第３図は従来の半導体圧力セン
サの断面図、第４図は第１図の貫通孔部の拡大断面図で
ある。 １：半導体Ｈ９正部、１１：感圧チップ、２：蓋、４：
絶縁性基板、５：圧力導入孔、６：貫通孔、７１；配線
、７２．７３・二金属層、８：球状体、９；はんだ、ｌ
Ｏ：予備はんだ。 貫ｉ″ＪＬ 予備ｌま入だ 第１図
Claims (1)
- １）ゲージ抵抗が形成されたダイヤフラム部を有する半
導体片および付属電子回路が絶縁性基板と蓋よりなる容
器に収容され、該絶縁性基板は設けられた圧力導入孔の
周辺に前記半導体片が固定され、絶縁性基板に設けられ
た貫通孔の内壁を覆う金属層が電子回路に接続される基
板上の配線と連結され、該貫通孔を充填し前記金属層に
密着する第一のろうにより基板の外面側に突出する球形
状突起電極が固定され、該突起電極の表面が第一のろう
より融点の低い第二のろうにより覆われたことを特徴と
する半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11129187A JPS63275926A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11129187A JPS63275926A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63275926A true JPS63275926A (ja) | 1988-11-14 |
Family
ID=14557499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11129187A Pending JPS63275926A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63275926A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9006880B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-04-14 | Knowles Electronics, Llc | Top port multi-part surface mount silicon condenser microphone |
| US9040360B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-05-26 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of bottom port multi-part surface mount MEMS microphones |
| US9078063B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-07-07 | Knowles Electronics, Llc | Microphone assembly with barrier to prevent contaminant infiltration |
| US9374643B2 (en) | 2011-11-04 | 2016-06-21 | Knowles Electronics, Llc | Embedded dielectric as a barrier in an acoustic device and method of manufacture |
| US9794661B2 (en) | 2015-08-07 | 2017-10-17 | Knowles Electronics, Llc | Ingress protection for reducing particle infiltration into acoustic chamber of a MEMS microphone package |
-
1987
- 1987-05-07 JP JP11129187A patent/JPS63275926A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9096423B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-08-04 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of top port multi-part surface mount MEMS microphones |
| US9024432B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-05-05 | Knowles Electronics, Llc | Bottom port multi-part surface mount MEMS microphone |
| US9133020B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-09-15 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of bottom port surface mount MEMS microphones |
| US9139422B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-09-22 | Knowles Electronics, Llc | Bottom port surface mount MEMS microphone |
| US9051171B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-06-09 | Knowles Electronics, Llc | Bottom port surface mount MEMS microphone |
| US9061893B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-06-23 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of top port multi-part surface mount silicon condenser microphones |
| US9067780B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-06-30 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of top port surface mount MEMS microphones |
| US9006880B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-04-14 | Knowles Electronics, Llc | Top port multi-part surface mount silicon condenser microphone |
| US9338560B1 (en) | 2000-11-28 | 2016-05-10 | Knowles Electronics, Llc | Top port multi-part surface mount silicon condenser microphone |
| US9023689B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-05-05 | Knowles Electronics, Llc | Top port multi-part surface mount MEMS microphone |
| US9040360B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-05-26 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of bottom port multi-part surface mount MEMS microphones |
| US9139421B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-09-22 | Knowles Electronics, Llc | Top port surface mount MEMS microphone |
| US9148731B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-09-29 | Knowles Electronics, Llc | Top port surface mount MEMS microphone |
| US9150409B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-10-06 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of bottom port surface mount MEMS microphones |
| US9156684B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-10-13 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of top port surface mount MEMS microphones |
| US9374643B2 (en) | 2011-11-04 | 2016-06-21 | Knowles Electronics, Llc | Embedded dielectric as a barrier in an acoustic device and method of manufacture |
| US9078063B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-07-07 | Knowles Electronics, Llc | Microphone assembly with barrier to prevent contaminant infiltration |
| US9794661B2 (en) | 2015-08-07 | 2017-10-17 | Knowles Electronics, Llc | Ingress protection for reducing particle infiltration into acoustic chamber of a MEMS microphone package |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4129042A (en) | Semiconductor transducer packaged assembly | |
| JP3576727B2 (ja) | 表面実装型パッケージ | |
| US5351026A (en) | Thermistor as electronic part | |
| US4314225A (en) | Pressure sensor having semiconductor diaphragm | |
| EP1098183A2 (en) | Semiconductive pressure sensor | |
| JPH0137000B2 (ja) | ||
| JPH0119528B2 (ja) | ||
| US6401542B1 (en) | Pressure sensing semiconductor device comprising a semiconductor chip which has a diaphragm formed with piezoresistance | |
| JPS63275926A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| KR20020032543A (ko) | 고온 탐지기 및 그 제조 방법 | |
| JPS63269031A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS6227544B2 (ja) | ||
| JPH01168045A (ja) | 気密封止回路装置 | |
| JPS63174339A (ja) | 集積回路チップパッケージおよびその作製方法 | |
| JPH0794619A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP2792377B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH10208906A (ja) | 温度センサ | |
| JPH0245721A (ja) | 絶対圧型半導体圧力センサ | |
| JP4651763B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP2000105163A (ja) | 圧力センサ | |
| JP2625225B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH11194060A (ja) | 圧力検出装置 | |
| JPS623984B2 (ja) | ||
| JP3289963B2 (ja) | 電子部品の封止構造 | |
| JPH09243654A (ja) | 加速度センサ |