JPS63272459A - ウエハ−のフアイン研磨用の組成物 - Google Patents
ウエハ−のフアイン研磨用の組成物Info
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- JPS63272459A JPS63272459A JP62103985A JP10398587A JPS63272459A JP S63272459 A JPS63272459 A JP S63272459A JP 62103985 A JP62103985 A JP 62103985A JP 10398587 A JP10398587 A JP 10398587A JP S63272459 A JPS63272459 A JP S63272459A
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 30
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 20
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 24
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 11
- 102000053602 DNA Human genes 0.000 claims description 2
- 108020004414 DNA Proteins 0.000 claims description 2
- 108010073385 Fibrin Proteins 0.000 claims description 2
- 102000009123 Fibrin Human genes 0.000 claims description 2
- BWGVNKXGVNDBDI-UHFFFAOYSA-N Fibrin monomer Chemical compound CNC(=O)CNC(=O)CN BWGVNKXGVNDBDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 claims description 2
- 108010039918 Polylysine Proteins 0.000 claims description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 229950003499 fibrin Drugs 0.000 claims description 2
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 claims description 2
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000656 polylysine Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001444 polymaleic acid Polymers 0.000 claims description 2
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 claims description 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 claims description 2
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 claims description 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 claims description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 2
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 abstract description 6
- 239000002002 slurry Substances 0.000 abstract description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 3
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 9
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 6
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3OC2=C1 GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- -1 carboxymethylene Chemical group 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 150000004761 hexafluorosilicates Chemical class 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 229920001059 synthetic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001285 xanthan gum Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、電気集積回路の支持結晶として広範に使用さ
れているウェハーの10111μより大きな表面凹凸を
平滑にするための研磨、つまりファイン研磨に好適な研
磨用の組成物に関する。
れているウェハーの10111μより大きな表面凹凸を
平滑にするための研磨、つまりファイン研磨に好適な研
磨用の組成物に関する。
「従来の技術」
電気集積回路の支持結晶として広範囲に使用されている
ウェハーは、通常ケイ素またはゲルマニウム結晶のイン
ゴットからスライスし、これの表面を研磨して、できる
限り凹凸のない平面を形成させた後、回路形成用に供さ
れている。
ウェハーは、通常ケイ素またはゲルマニウム結晶のイン
ゴットからスライスし、これの表面を研磨して、できる
限り凹凸のない平面を形成させた後、回路形成用に供さ
れている。
何故なら、ウェハー表面上に回路パターンを線描きする
時、表面に凹凸があると、精密かつち密に線描きするこ
とが困難となると共に、ウェハーの電気特性の不均一性
を招く原因となるからである。
時、表面に凹凸があると、精密かつち密に線描きするこ
とが困難となると共に、ウェハーの電気特性の不均一性
を招く原因となるからである。
このようなウェハーの表面を研磨するために、従来から
種々の研磨剤が提案されている。
種々の研磨剤が提案されている。
例えば、米国特許第3,170,273号明細書には、
シリカ濃度2〜50%を有するシリカゾル、およびシリ
カ濃度2′uloO%のシリカゾルが研磨剤としで開示
され、また米国特許第3,328゜141号明細書には
、これらの研磨剤にアルカリ性化合物を加えてpHを1
0.5〜12.5に調整し、これを用いると研磨速度が
増大することが開示されている。しかし、これらの研磨
剤で研磨したウェハーの表面を、微分干渉型顕微鏡また
は電子顕微鏡などで観察すると、5〜500inμの凹
凸があり、充分満足で外るものではない。
シリカ濃度2〜50%を有するシリカゾル、およびシリ
カ濃度2′uloO%のシリカゾルが研磨剤としで開示
され、また米国特許第3,328゜141号明細書には
、これらの研磨剤にアルカリ性化合物を加えてpHを1
0.5〜12.5に調整し、これを用いると研磨速度が
増大することが開示されている。しかし、これらの研磨
剤で研磨したウェハーの表面を、微分干渉型顕微鏡また
は電子顕微鏡などで観察すると、5〜500inμの凹
凸があり、充分満足で外るものではない。
また、特公昭54−128890号公報にはカルボキシ
メチレンゴムまたはキサンタンゴムを含有する研磨剤が
、更に特公昭53−9910号公報には石英、珪酸、珪
酸塩、ヘキサフルオロ珪酸塩を含有し、更にC−原子を
3〜5個を有する一価アルコールおよびポリビニルアル
コールを含有する研磨剤が開示されているが、このよう
な研磨剤を用いてもまだ充分満足でさる研磨面は得られ
ない。そのうえ、アルコールを含有する研磨剤は長期間
安定貯蔵することが困難であるという欠点があった。
メチレンゴムまたはキサンタンゴムを含有する研磨剤が
、更に特公昭53−9910号公報には石英、珪酸、珪
酸塩、ヘキサフルオロ珪酸塩を含有し、更にC−原子を
3〜5個を有する一価アルコールおよびポリビニルアル
コールを含有する研磨剤が開示されているが、このよう
な研磨剤を用いてもまだ充分満足でさる研磨面は得られ
ない。そのうえ、アルコールを含有する研磨剤は長期間
安定貯蔵することが困難であるという欠点があった。
「発明が解決しようとする問題点」
本発明は、ウェハーを研磨した時に、微分干渉型顕微鏡
や電子顕微鏡で観察しても凹凸のない研磨面を与えると
ころの研磨剤、すなわちウェハー表面をファイン研磨す
るのに好適なファイン研磨用組成物を提供しようとする
ものである。
や電子顕微鏡で観察しても凹凸のない研磨面を与えると
ころの研磨剤、すなわちウェハー表面をファイン研磨す
るのに好適なファイン研磨用組成物を提供しようとする
ものである。
[発明が解決するための手段」
本発明の要旨とするところは、水、粒状アモルファスシ
リカおよび剛直性紐状高分子化合物を含有し、かつアル
カリ性化合物によってpH9以上に調整されてなること
を特徴とする、ウェハーのファイン研磨用の組成物に存
する。
リカおよび剛直性紐状高分子化合物を含有し、かつアル
カリ性化合物によってpH9以上に調整されてなること
を特徴とする、ウェハーのファイン研磨用の組成物に存
する。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明において使用される粒状アモルファスシリカとし
ては、フロイグルシリ力またはシリカパウダーなどがあ
り、これらはコロイグルシリ力ゾルの形や、シリカパウ
ダーを水に懸濁させた水性スラリーの形で使用するか、
または水中に加えた時水性スラリーとすることができる
ような形で使用される。特に、水性スラリーにした時の
安定性、または均一分散性などの点で、コロイグルンリ
力、例えばサイトン(登録商標、三菱モンサント化成(
株)社が再販中)が好ましい。水性スラリーにした時の
スラリー中のシリカ濃度は通常1〜5重量%が好ましい
。
ては、フロイグルシリ力またはシリカパウダーなどがあ
り、これらはコロイグルシリ力ゾルの形や、シリカパウ
ダーを水に懸濁させた水性スラリーの形で使用するか、
または水中に加えた時水性スラリーとすることができる
ような形で使用される。特に、水性スラリーにした時の
安定性、または均一分散性などの点で、コロイグルンリ
力、例えばサイトン(登録商標、三菱モンサント化成(
株)社が再販中)が好ましい。水性スラリーにした時の
スラリー中のシリカ濃度は通常1〜5重量%が好ましい
。
しかして、上記の粒状アモルファスシリカは、通常平均
粒径が5 +nμより大きく10μより小さいのもが使
用される。本発明で平均粒径とは、粒子が凝集せずに単
離した状態で存在する場合にはその状態にある粒子の平
均粒径を意味し、粒子が#:集した状態で存在する場合
にはその状態にある凝集した粒子の平均粒径を意味する
。平均粒径が5+++μ以下では、粒子中に含まれるケ
イ素のモノマーやオリゴマーの割合が多くなり、これら
を多く含むもので研磨するとウェハー表面にシリカとな
って付着するので好ましくな(,10μ以上ではウェハ
ー表面に引っかき傷が生じやすくなるので好ましくない
。
粒径が5 +nμより大きく10μより小さいのもが使
用される。本発明で平均粒径とは、粒子が凝集せずに単
離した状態で存在する場合にはその状態にある粒子の平
均粒径を意味し、粒子が#:集した状態で存在する場合
にはその状態にある凝集した粒子の平均粒径を意味する
。平均粒径が5+++μ以下では、粒子中に含まれるケ
イ素のモノマーやオリゴマーの割合が多くなり、これら
を多く含むもので研磨するとウェハー表面にシリカとな
って付着するので好ましくな(,10μ以上ではウェハ
ー表面に引っかき傷が生じやすくなるので好ましくない
。
また、研磨用組成物中の粒状アモルファスシリカの含有
量は、余り少ないとその効果が充分でないので通常0.
1重量%以上の割合で使用される。
量は、余り少ないとその効果が充分でないので通常0.
1重量%以上の割合で使用される。
本発明において剛直性紐状高分子化合物としては、例え
ば水に可溶性で二重ラセン構造をしているデオキシリボ
核酸、ヘリックス構造をしでいるポリリジン、フィブリ
ン、分子量10万以上のポリメタクリル酸、ポリイタコ
ン酸、ポリマレイン酸、マレイン酸と各種ビニル基を有
する化合物との共重合物、ポリエチレンオキサイド、ポ
リアクリロアマイド、ポリスチレンスルホン酸、水に可
溶性のポリビニルピロリドンまたはヒドロキシプロピル
セルロースなどがあげられる。
ば水に可溶性で二重ラセン構造をしているデオキシリボ
核酸、ヘリックス構造をしでいるポリリジン、フィブリ
ン、分子量10万以上のポリメタクリル酸、ポリイタコ
ン酸、ポリマレイン酸、マレイン酸と各種ビニル基を有
する化合物との共重合物、ポリエチレンオキサイド、ポ
リアクリロアマイド、ポリスチレンスルホン酸、水に可
溶性のポリビニルピロリドンまたはヒドロキシプロピル
セルロースなどがあげられる。
上記、剛直性紐状高分子化合物は、通常、約0.5重量
%程度の水溶液として調製し、これをシリカゾルに混合
し、研磨用組成物中に加えられ0.01重量%以上、特
に、0.05〜0.2重量%が好ましい。
%程度の水溶液として調製し、これをシリカゾルに混合
し、研磨用組成物中に加えられ0.01重量%以上、特
に、0.05〜0.2重量%が好ましい。
本発明に係るファイン研磨用組成物に含まれる剛直性紐
状高分子化合物は、上記範囲であると、研磨布とウェハ
ー表面との間で、滑り方向にきれいな層流が形成され、
ウェハー表面を一層平滑にすることができる。しかし、
その量が0.01重量%未満であると層流が形成されに
<<、これが0.2重量%を越えたときも層流となりに
くく、好ましくない。
状高分子化合物は、上記範囲であると、研磨布とウェハ
ー表面との間で、滑り方向にきれいな層流が形成され、
ウェハー表面を一層平滑にすることができる。しかし、
その量が0.01重量%未満であると層流が形成されに
<<、これが0.2重量%を越えたときも層流となりに
くく、好ましくない。
本発明に係る組成物に含有されるアルカリ性化合物とし
ては、金属アルカリ、アンモニウム、水酸化4級アンモ
ニウムまたはアミン類などがあり、特に、エチレンジア
ミンを適用した、組成物を用いてウェハーを研磨する時
は、研磨速度をあげることができるので、好ましい化合
物である。
ては、金属アルカリ、アンモニウム、水酸化4級アンモ
ニウムまたはアミン類などがあり、特に、エチレンジア
ミンを適用した、組成物を用いてウェハーを研磨する時
は、研磨速度をあげることができるので、好ましい化合
物である。
本発明に係る組成物は、シリカゾルを安定に保つために
通常、上記アルカリ性化合物を加えて、p)I9以上、
好ましくは、pH10,5以上11.5以下となるよう
にアルカリ性化合物の量を111i整する。
通常、上記アルカリ性化合物を加えて、p)I9以上、
好ましくは、pH10,5以上11.5以下となるよう
にアルカリ性化合物の量を111i整する。
「発明の効果」
本発明は、次のように特別に顕著な効果を奏するので、
その産業上の利用価値は極めて大である。
その産業上の利用価値は極めて大である。
−の間でウェハーの滑り方向に配向し、きれいな層流を
形成することが判明した。そして、これによって研磨さ
れたウェハーの研磨面は、微分干渉型顕微鏡にて観察し
ても、その凹凸は認められず、平滑な研磨面が得られる
。
形成することが判明した。そして、これによって研磨さ
れたウェハーの研磨面は、微分干渉型顕微鏡にて観察し
ても、その凹凸は認められず、平滑な研磨面が得られる
。
(2)本発明に係るファイン研磨用の組成物は、その成
分に揮発性のアルコールを含まないので、有効な研磨剤
として、長期間安定貯蔵することができる。
分に揮発性のアルコールを含まないので、有効な研磨剤
として、長期間安定貯蔵することができる。
(3)本発明に係るファイン研磨用の組成物は、比較的
精製し易い合成の高分子を用いるため、ウェハーを汚染
する恐れのある一j11−属や有機物を含まないという
利息もある。
精製し易い合成の高分子を用いるため、ウェハーを汚染
する恐れのある一j11−属や有機物を含まないという
利息もある。
「実施例」
次に、本発明を、実施例および比較例によって、更に具
体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、
以下の例に制約されるものではない。
体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、
以下の例に制約されるものではない。
実施例1.2、および比較例
粒状アモルファスシリカとして、コロイグルシリ力”サ
イトンHT−50”(登録商標 三菱モンサント化成(
株)社が再販中)を用い、下記表1のような種類の剛直
性紐状高分子化合物およびエチレンジアミンを、表1に
掲げた割合で含有する7アた。 スピード77ム製研磨
槻5PAW36、スウェードタイプの研磨布を使用した
。加重100g/cL112、ウェハーと研磨布の相対
速度は601/分とし、研磨中の研磨布の温度は40℃
とした。
イトンHT−50”(登録商標 三菱モンサント化成(
株)社が再販中)を用い、下記表1のような種類の剛直
性紐状高分子化合物およびエチレンジアミンを、表1に
掲げた割合で含有する7アた。 スピード77ム製研磨
槻5PAW36、スウェードタイプの研磨布を使用した
。加重100g/cL112、ウェハーと研磨布の相対
速度は601/分とし、研磨中の研磨布の温度は40℃
とした。
研磨は、スラリー状の研磨用組成物を約7501/分で
研磨布上に流しながら10分間行った。
研磨布上に流しながら10分間行った。
研磨したウェハーの研磨面上の凹凸の存否を、微分干渉
型顕微鏡で観察した結果を下記表1に示す。
型顕微鏡で観察した結果を下記表1に示す。
なお、比較のために剛直性紐状高分子化合物を含まない
組成物を調製し、これを用いて上記と同様にウェハーの
研磨を行った結果についても併記する。
組成物を調製し、これを用いて上記と同様にウェハーの
研磨を行った結果についても併記する。
表 1
表1の結果より、本発明に係る剛直性紐状高分子化合物
を含有する組成物を用いて、ウェハーの研磨を行うと、
その研磨面は、微分干渉型顕微鏡で観察した結果凹凸の
ない平滑な面であることが明白である。
を含有する組成物を用いて、ウェハーの研磨を行うと、
その研磨面は、微分干渉型顕微鏡で観察した結果凹凸の
ない平滑な面であることが明白である。
すなわち、本発明に係る研磨用組成物は、ウェハーの7
1イン研磨用組成物として優れている。
1イン研磨用組成物として優れている。
Claims (4)
- (1)水、粒状アモルファスシリカおよび剛直性紐状高
分子化合物を含有し、かつアルカリ性化合物によってp
H9以上に調整されてなることを特徴とする、ウェハー
のファイン研磨用の組成物。 - (2)粒状アモルファスシリカの平均粒径が、5mμな
いし10μの範囲のものであることを特徴とする、特許
請求の範囲(1)に記載のウェハーの研磨用の組成物。 - (3)研磨用の組成物中の粒状アモルファスシリカの含
有量が0.1重量%以上であり、また剛直性紐状高分子
化合物の含有量が0.01重量%以上であることを特徴
とする特許請求の範囲(1)に記載のウェハーの研磨用
の組成物。 - (4)剛直性紐状高分子化合物が水に可溶性のデオキシ
リボ核酸、ポリリジン、フィブリン、分子量10万以上
のポリメタクリル酸、ポリイタコン酸、ポリマレイン酸
、マレイン酸と各種ビニル基を有する化合物との共重合
物、ポリエチレンオキサイド、ポリアクリロアマイド、
ポリスチレンスルホン酸、水に可溶性のポリビニルピロ
リドンまたはヒドロキシプロピルセルロースから選ばれ
た1種以上であることを特徴とする、特許請求の範囲(
1)に記載のウェハーの研磨用の組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62103985A JPH0623393B2 (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | ウエハーのファイン研磨用の組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62103985A JPH0623393B2 (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | ウエハーのファイン研磨用の組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63272459A true JPS63272459A (ja) | 1988-11-09 |
JPH0623393B2 JPH0623393B2 (ja) | 1994-03-30 |
Family
ID=14368605
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62103985A Expired - Lifetime JPH0623393B2 (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | ウエハーのファイン研磨用の組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0623393B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1424727A1 (en) * | 2002-09-30 | 2004-06-02 | Fujimi Incorporated | Polishing composition and rinse composition |
JP2008053415A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Fujimi Inc | 研磨用組成物及び研磨方法 |
JP2013048291A (ja) * | 2012-11-14 | 2013-03-07 | Fujimi Inc | シリコンウエハの製造方法 |
JP2013065873A (ja) * | 2012-11-14 | 2013-04-11 | Fujimi Inc | Lpd低減剤及びそれを用いたシリコンウエハの欠陥低減方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3328141A (en) * | 1966-02-28 | 1967-06-27 | Tizon Chemical Corp | Process for polishing crystalline silicon |
JPS6151016A (ja) * | 1985-08-09 | 1986-03-13 | Motoo Takayanagi | 高分子複合体 |
-
1987
- 1987-04-27 JP JP62103985A patent/JPH0623393B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7211122B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-05-01 | Fujimi Incorporated | Polishing composition and rinse composition |
US7687393B2 (en) | 2002-09-30 | 2010-03-30 | Fujimi Incorporated | Polishing composition and rinse composition |
JP2008053415A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Fujimi Inc | 研磨用組成物及び研磨方法 |
US8721909B2 (en) | 2006-08-24 | 2014-05-13 | Fujimi Incorporated | Polishing composition and polishing method |
JP2013048291A (ja) * | 2012-11-14 | 2013-03-07 | Fujimi Inc | シリコンウエハの製造方法 |
JP2013065873A (ja) * | 2012-11-14 | 2013-04-11 | Fujimi Inc | Lpd低減剤及びそれを用いたシリコンウエハの欠陥低減方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0623393B2 (ja) | 1994-03-30 |
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